CN101996568A - 减少电磁干扰发射的等离子体显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种减少电磁干扰发射的等离子体显示装置，具有在底架与驱动电路之间的连接结构以减少电磁干扰发射。等离子体显示装置包括面板、驱动电路和底架，底架通过导电连接元件和非导电连接元件连接到驱动电路。

Description

减少电磁干扰发射的等离子体显示装置

技术领域

本发明的示范性实施例涉及减少等离子体显示装置的电磁干扰(EMI)发射，更具体而言，涉及通过底架(base chassis)和驱动电路之间的连接结构减少等离子体显示装置的电磁干扰发射。

背景技术

平板型显示装置已经主要在便携器件中广泛使用，并且由于技术的发展，在大显示装置领域日益取代阴极射线管(CRT)显示器。

在这样的平板型显示装置中，等离子体显示面板(PDP)使用气体放电期间产生的等离子体发射的光显示文字和/或图形。与其他类型的平板型显示装置相比，PDP具有高亮度和高发光效率以及宽视角的优点，因此近年来被广泛使用。

然而，PDP的一个缺点是当等离子体显示装置被驱动时产生电磁波噪声，并引起电磁干扰(EMI)。即，由于大约200V的高电压和2A或更高的均方根(RMS)电流提供到PDP的电极，引起气体放电的驱动波的能量导致面板的电极通过天线发射EMI。

EMI产生阻碍期望的电磁信号的接收的电磁波噪声干扰，因此可能引起电器件的故障。而且，EMI以电能的形式被吸收到活体中并引起活体温度升高，因此破坏活体的组织/功能。

因此，需要减少PDP驱动期间产生的EMI的方法。

发明内容

本发明的示范性实施例能够克服上述缺点和上面未描述的其他缺点。而且，本发明的示范性实施例不是必须克服上述缺点，并且一个或多个示范性实施例可不克服上述问题中的任何一个。

示范性实施例提供一种等离子体显示装置，其具有在底架和驱动电路之间的连接结构以减少EMI发射。

根据示范性实施例的一个方面，提供了一种等离子体显示装置，包括：面板；驱动所述面板的至少一个驱动电路；底架；将所述驱动电路连接到所述底架的至少一个导电连接元件；和将所述驱动电路连接到所述底架的至少一个非导电连接元件。

所述导电连接元件可以将所述驱动电路安装在所述底架上并在所述驱动电路与底架之间导电。

底架可以通过至少一个导电连接元件与驱动电路导电，并且驱动电路产生的电流的一部分可以通过该至少一个导电连接元件传输到底架，驱动电路产生的剩余电流可以在驱动电路中循环，因此消减面板产生的EMI。

该等离子体显示装置还可以包括设置在驱动电路和底架之间并连接到驱动电路的导电板，底架可以通过该至少一个导电连接元件连接到导电板，从而在底架和驱动电路之间形成电路，底架还可以通过至少一个非导电连接元件连接到导电板。

由所述驱动电路产生的电流可以被传输到所述导电板，并且被传输到所述导电板的电流的一部分可以通过所述至少一个导电连接元件被传输到所述底架，传输到所述导电板的剩余电流在所述导电板中循环，从而消减由所述面板产生的EMI。

驱动电路可以包括X电极驱动电路和Y电极驱动电路，并且所述底架可以通过所述至少一个导电连接元件与所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路导电。

该等离子体显示装置还可以包括：第一导电板，所述第一导电板设置在所述X电极驱动电路与所述底架之间并连接到所述X电极驱动电路；和第二导电板，所述第二导电板设置在所述Y电极驱动电路与所述底架之间并连接到所述Y电极驱动电路，并且所述底架可以通过所述至少一个导电连接元件连接到所述第一导电板，从而与所述X电极驱动电路形成电连接，所述底架可以通过所述至少一个导电连接元件连接到所述第二导电板，从而与所述Y电极驱动电路形成电连接，并且所述底架还可以通过所述至少一个非导电连接元件连接到所述第一导电板和所述第二导电板。

该驱动电路可以包括X电极驱动电路和Y电极驱动电路，并且该等离子体显示装置还可以包括导电板，所述导电板设置在所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路与所述底架之间，并连接到所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路。所述底架可以通过所述至少一个导电连接元件连接到所述导电板，从而与所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路形成电连接，并且所述底架还可以通过所述至少一个非导电连接元件连接到所述导电板。

该等离子体显示装置还可以包括：控制器，控制所述驱动电路；和隔离IC，电隔离所述控制器与所述驱动电路之间的接地电位。

根据另一示范性实施例的方面，提供了一种等离子体显示装置，包括：面板；驱动所述面板的驱动电路；和底架，通过一个或两个单点接地电连接到所述驱动电路。

附图说明

通过结合附图详细描述示范性实施例，上述和/或其他示范性方面将更为明显，在附图中：

图1是示出根据示范性实施例的等离子体显示装置的侧截面图；

图2是示出涂覆有功能材料的上板玻璃的视图；

图3是提供来根据波长解释功能材料的作用的视图；

图4是示出制造上面板的工艺的视图；

图5是示出制造下面板的工艺的视图；

图6是示出涂覆功能材料的工艺的流程图；

图7是示出涂覆有功能材料的面板的视图；

图8是示出散热片(TSS)与底架之间的耦接结构的视图；

图9是提供来解释使用衬垫屏蔽EMI的方法的视图；

图10是示出根据另一示范性实施例的底架的视图；

图11是提供来解释驱动等离子体显示装置的方法的视图；

图12是示出根据另一实施例的底架的视图；

图13是示出根据再一示范性实施例的底架的视图；

图14是示出根据再一示范性实施例的底架的视图；

图15是图14的底架的透视图；

图16是示出根据再一示范性实施例的底架的视图；且

图17是示出增加了隔离IC的底架的视图。

具体实施方式

下面，将结合附图更详细地描述示范性实施例。

在下面的描述中，当不同的附图中描述相同的附图标记时，这些相同的附图标记用于相同的元件。在说明书中定义的内容，例如具体的结构和元件，是提供来帮助全面理解本发明的。因此，很明显没有这些具体限定的内容也可以实施示范性实施例。而且，没有具体描述现有技术中已知的功能或元件，因为不必要的细节会使说明书变得含糊不清。

图1是示出根据示范性实施例的等离子体显示装置100的侧截面图。等离子体显示装置100满足用于EMI的适当的电磁波标准且提供能够被使用者观看的图像。

等离子体显示装置100包括面板110、散热片(TSS)120、衬垫130、底架140、驱动电路150和后盖160。

面板110以惰性气体放电引起的真空紫外线激发荧光材料，因此实现图像。面板110包括上面板111和下面板113。上面板111和下面板113在其边缘处用密封材料112结合，从而形成单个面板110。在上面板111与下面板113(其边缘以密封材料112密封)之间的内部空间中，布置多个放电单元且每个放电单元填充有Ne和Xe的混合物。

功能材料114涂覆在上面板111的上部分上以提供表面反射防止、色彩校正和近红外射线吸收。功能材料114可以直接涂覆在上面板111的上部分。这将参考图2至图7解释。

图2是示出涂覆有功能材料的上面板111的视图。在图2中，为了描述的方便，示出了下面板113与上面板111和功能材料114，但是没有示出密封材料112。

如图2所示，功能材料114涂覆在上面板111的与下面板113相反的上侧，即被使用者观看的一侧。功能材料114被分为防止表面反射的第一材料、校正色彩并改善色纯度的第二材料和吸收近红外射线的第三材料。

作为防止表面反射的第一材料，可以使用具有防止光学反射特性的SiO₂、ZrO和/或TiO₂。通过以这样的材料涂覆上面板111，防止了观看者的耀眼和表面上的刮痕和静电。

作为校正色彩和改善色纯度的第二材料，可以使用吸收具有580nm至590nm波长的光的颜料。通过以这种材料涂覆上面板111，防止了具有580nm至590nm波长的光输出到使用者，因此改善了色彩再现性和正确的白偏差(white deviation)。

作为吸收近红外射线的第三材料，可以使用引发多层膜的光学干涉的银(Ag)或吸收具有近红外带宽(从800nm至1200nm)的波长的光的颜料。通过以这种材料涂覆上面板111，可以防止具有800nm至1200nm波长的光输出到使用者，因此防止了与遥控器的波长带宽的干扰引起的等离子体显示装置100的故障。

因为如上所述，放电单元填充有Ne，所以校正色彩和改善色纯度的第二材料涂覆在上面板111上。而且，因为如上所述，放电单元填充有Xe，所以吸收近红外射线的第三材料涂覆在上面板111上。即，在放电操作期间，Ne产生具有580nm至590nm波长的光，Xe产生近红外射线带宽的波长的光，但是Ne和Xe产生的波长降低了等离子体显示装置100的色纯度并可能引起与遥控器干扰从而导致故障。

通过在上面板111的上部分上涂覆能够解决上述问题的功能材料，等离子体显示装置100过滤掉具有580nm至590nm的波长的光和具有800nm至1200nm的波长的光。图3是提供来根据波长解释功能材料的作用的视图。

因此，使用者可以观看高质量的图像而没有故障。

根据示范性实施例的等离子体显示装置100不需要在上面板111的上部分(即等离子体显示装置100的前表面)上的额外的构造或材料来屏蔽EMI。这是因为衬垫130的使用和底架140的结构能够屏蔽EMI，其详细描述将在下面提供。

此后，将参考图4至7描述在上面板111上涂覆功能材料114的工艺。

图4是示出制造上面板111的工艺的视图。为了制造上面板111，提供上玻璃400并在上玻璃400的上部分上构图铟锡氧化物(ITO)电极410。该ITO电极410是透明电极，其用于防止在X电极和Y电极之间产生的光(将在后面描述)由于不透明的X电极和Y电极而变得不可见。

在构图ITO电极410之后，汇流电极(X电极和Y电极)420在ITO电极410的上部分上被构图。X电极和Y电极交替接收维持电压并关于被选择的像素进行维持放电。

在构图汇流电极(bus electrode)420之后，在上玻璃400的上部分上构图黑条纹430。黑条纹430形成在像素之间并用于保持像素彼此间隔开。

在构图黑条纹430之后，涂覆电介质层440和MgO保护层450。电介质层440和MgO保护层450保持后面将描述的寻址电极与上述汇流电极420之间的电绝缘，从而稳定产生等离子体并防止电极被等离子体侵蚀。

在上述工艺中制造了上面板111。

图5是示出制造下面板113的工艺的视图。为了制造下面板113，提供下玻璃500并在下玻璃500的上部分上构图寻址电极510。寻址电极510用于传输数据信号来选择将被显示的像素。

在构图寻址电极510之后，涂覆电介质层520。电介质层520用于通过保持寻址电极510与汇流电极420之间的电绝缘而稳定产生等离子体，并防止电极被等离子体侵蚀，如上所述。

分隔物530形成在电介质层520的上部分上。分隔物530用于将荧光材料(后面将描述)彼此分隔，从而区别R像素、G像素和B像素。

在形成分隔物530之后，荧光材料540涂覆在分隔物530之间。

在上述工艺中制造了下面板113。

如果上面板11和下面板113被完全制成，通过例如上面板111和下面板113的组装、密封、气体注入、老化和点亮测试(lighting test)工艺完成面板110，并且开始在面板110的上面板111的上部分上涂覆功能材料114的工艺。此后，将参考图6描述涂覆功能材料114的工艺。

图6是示出涂覆功能材料114的工艺的流程图。

为了涂覆功能材料114，制备面板110(S610)并对面板110的上面板111进行表面清洁(S620)。

如果完成了表面清洁(S620)，功能材料114涂覆在上面板111的被清洁的表面上(S630)。更具体地，功能材料114直接涂覆在构成上面板111的上玻璃400上。

此后，清洁汇流电极420和寻址电极510将在其上被构图的端子(S640)。

如果完成了端子清洁(S640)，确定功能材料114是否正确涂覆(S650)。如果功能材料114的涂覆没有异常(S650-Y)，进行热处理(S660)和点亮测试(S670)，从而完成功能材料114的涂覆。

图7是示出涂覆有功能材料114的面板110的视图。上述功能材料114(用于防止表面反射的第一材料、用于色彩校正和色纯度改善的第二材料和用于近红外射线吸收的第三材料)被混合并存储在存储箱710中作为第一材料。功能材料114涂覆在上面板111上，其方式为材料114通过喷射孔720喷射。

通过以喷射方式涂覆功能材料114，可以解决贴附功能膜时产生气泡的问题以及相应于每个功能的膜应该分别涂覆/干燥/切割造成的工艺变复杂的问题。

而且，可以防止在等离子体显示装置100的前表面上产生EMI，而不向面板110增加额外的构造或材料来屏蔽EMI。可以通过使用衬垫130以及通过底架140的结构来实现对前表面上的EMI的屏蔽。

而且，通过在一个存储箱710中存储防止表面反射的第一材料、校正色彩和改善色纯度的第二材料以及吸收近红外射线的第三材料，并一次涂覆这些材料，而不是单独涂覆这些材料，可以减少上面板111上的界面，随着界面数量的减少，光透射的损失减少，从而可以提高等离子体显示装置100的效率。

当然，每种功能材料可以单独存储在不同的存储箱内并涂覆在面板110上，而不是被混合并作为一种材料存储在单个存储箱710内。

向回参考图1，上面已经描述了面板110的前表面涂覆了功能材料114，TSS 120贴附到面板110的后表面。

TSS 120用于防止由等离子体显示装置100中产生并仅被传输到屏幕的一部分的热引起的图像质量的恶化。即，通过贴附TSS 120，等离子体显示装置100中产生的热变得稳定并均匀传输到整个屏幕。

而且，TSS 120通过将用于屏蔽EMI的衬垫130被耦接到底架140。这将参考图8和9详细描述。

图8是提供来解释TSS 120与底架140之间的耦接结构的视图。如图8所示，TSS 120和底架140不是直接连接到彼此，而是通过衬垫130间接连接到彼此。

衬垫130由具有粘性的材料制成从而耦接TSS 120和底架140。而且，衬垫130可以由例如金属织物的导电材料制成，以通过衬垫130将底架140中产生的电流传输到TSS 120。

TSS 120和底架140不是直接连接或贴附到彼此，因为它们通过衬垫130彼此耦接。因此，在等离子体显示装置100的前表面上产生的EMI减少或者被更有效地屏蔽。这将参考图9描述。

图9是提供来解释使用衬垫130屏蔽EMI的方法的视图。TSS 120和底架140通过衬垫130间接耦合到彼此。即，底架140通过衬垫130接地到TSS 120。

由于衬垫130仅贴附到底架140表面的一部分而不是整个表面，来自底架140的电流被分为第一电流和在底架140中循环的第二电流，该第一电流通过贴附衬垫130的表面的部分被引导到接地的TSS 120。

通过贴附衬垫130的表面流到TSS 120的第一电流在TSS 120被接地，且在底架140中循环的第二电流消减EMI。

通过以衬垫130耦接TSS 120和底架140，而不是直接连接它们，在底架140中发射的EMI可以被消减，从而与TSS 120和底架140彼此直接连接的情况相比，可以进一步减少EMI发射噪声。

在上述解释中，底架140中产生的电流被传输到TSS 120。然而，底架140自身不产生电流，电流是由贴附到底架140的后表面的驱动电路产生并被传输到底架140的。即，底架140可以被当作地，以将驱动电路产生的电流接地，且通过衬垫130耦接到底架140的TSS 120可以被当作地，以将驱动电路产生的电流接地。

此外，根据示范性实施例的等离子体显示装置100使用双接地来实现消除EMI发射噪声的效果，且双接地在表面的一部分彼此耦接而不是在整个表面彼此耦接，从而可以更有效地消除EMI。

而且，驱动电路150连接到底架140的与贴附衬垫130的前表面相反的后表面。因此，为了更有效地将驱动电路150产生的电流接地，衬垫130可以相对于底架140位于与驱动电路150相应的表面上。即，如果驱动电路150连接到底架140的某部分，衬垫130可以贴附到与底架140的连接有驱动电路150的该某部分相反的部分。因此，驱动电路150产生的电流可以通过底架140被更有效地传输到衬垫130。

虽然在本示范性实施例中，等离子体显示装置100使用包括底架140和TSS 120的双接地，但底架140本身可以使用双接地。此后，将参考图10到13描述底架140本身使用双接地的方法。

图10是示出根据示范性实施例的底架140的视图。

如上所述，衬垫130贴附到底架140的一个侧表面，而驱动电路150通过由导电材料制成的螺钉1060连接到底架140的另一侧表面。

驱动电路150包括X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050。

电源单元1040向X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030和控制器1050提供电力。

控制器1050分别传输X电极驱动控制信号、Y电极驱动控制信号和寻址电极驱动控制信号到X驱动电路1010、Y驱动电路1020和寻址驱动电路1030，从而X驱动电路1010、Y驱动电路1020和寻址驱动电路1030操作面板110。

此后，将参考图11描述X驱动电路1010、Y驱动电路1020和寻址驱动电路1030对等离子体显示装置100的操作。

图11是提供来解释等离子体显示装置100的操作方法的视图。

X驱动电路1010连接到上述汇流电极420的X电极以基于从控制器1050接收的X电极驱动控制信号操作面板110，且Y驱动电路1020连接到汇流电极420的Y电极以基于从控制器1050接收的Y电极驱动控制信号操作面板110。

X驱动电路1010接收来自控制器1050的X电极驱动控制信号并向X电极提供驱动电压，且Y驱动电路1020接收来自控制器1050的Y电极驱动控制信号并向Y电极提供驱动电压。具体地，X驱动电路1010和Y驱动电路1020交替地向X电极和Y电极输入维持电压从而关于选择的像素进行维持放电。

寻址驱动电路1030向维持电极510提供数据信号以选择待显示的像素。汇流电极(X电极和Y电极)420和寻址电极510布置为相互交叉(crisscross)的图案，且X电极和Y电极彼此面对，两者中间有放电空间。形成在寻址电极420、X电极和Y电极之间的相互交叉部分中的放电空间形成放电单元。

面板110包括布置为矩阵图案的多个像素。X电极、Y电极和寻址电极420布置在每个像素上。因此，面板110以寻址与显示分离(address displayseparate，ADS)的驱动方法操作，在该ADS驱动方法中，电压提供到每个电极从而像素发光。ADS驱动方法指的是面板110的每个子域(sub-field)用单独的复位部分、寻址部分和维持放电部分驱动的方法。

复位部分用于除去壁电荷的先前条件并建立壁电荷以稳定进行下一寻址放电。寻址部分选择在面板中点亮的单元和未点亮的单元，并在点亮的单元(被寻址单元)上进行壁电荷的堆积。维持放电部分向X电极和Y电极交替提供维持电压并进行放电以在被寻址单元上显示实际图像。

如上所述，面板110利用提供到X电极的电压与提供到Y电极的电压之间的差引起放电，并利用放电获得的等离子体发光。

向回参考图10，底架140将安装在其上的X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050产生的电流接地。

为此，底架140通过由导电材料制成的螺钉1060连接到X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050，且底架140也由导电材料制成。

底架140具有第一狭缝1070和第二狭缝1080从而其本身被用作双接地。

第一狭缝1070通过围绕底架140的连接有X驱动电路1010的部分切割而以长凹陷的形式形成。具体地，第一狭缝1070可以被分为两个单独的狭缝而不是一个连续的狭缝，并形成为提供电通路从而允许电流在两个狭缝之间流动。

因此，X驱动电路1010产生的电流通过连接X驱动电路1010和底架140的螺钉1060被传输到底架140，并被第一次接地。具体地，电流通过螺钉1060被传送到由第一狭缝1070划分的底架140的区域中的位于X驱动电路1010下方的底架140的区域，并被接地。

已经被传输至位于X驱动电路1010下方的底架的区域处并在此被接地的电流通过形成在第一狭缝1070的两个分离的狭缝之间的通路被传输到底架140的设置有Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050的其他区域并被第二次接地。

X驱动电路1010产生的电流在底架140的位于X驱动电路1010下方的区域被第一次接地，并在底架140的其他区域被第二次接地，从而可以消除EMI发射噪声。而且，通过以第一狭缝1070部分地连接双接地，可以更有效地消除EMI发射噪声。

第二狭缝1080的功能与第一狭缝1070的功能相同。即，第二狭缝1080通过围绕底架140的连接Y驱动电路1020的部分切割而以长凹陷的形式形成，并可以被分为两个分离的狭缝以提供允许电流在两个狭缝之间流动的通路。

因此，Y驱动电路1020产生的电流通过连接Y驱动电路1020和底架140的螺钉1060被传输到底架140，并被第一次接地。具体地，电流通过螺钉1060被传输到被第二狭缝1080划分的区域中的底架140的位于Y驱动电路1020下方的区域，并被接地。

而且，传输至底架140的位于Y驱动电路1020下方的区域处并在此被接地的电流通过形成在第二狭缝1080的两个分离狭缝之间的通道被传输到底架140的设置有X驱动电路1010、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050的其他区域，并被第二次接地。

如上所述，Y驱动电路1020产生的电流在底架140的位于Y驱动电路1020下方区域处被第一次接地，并在底架140的其他区域处被第二次接地，从而可以消除EMI发射噪声。而且，通过以第二狭缝1080部分地连接双接地，可以更有效地消除EMI发射噪声。

在上面解释中，狭缝通过围绕底架140的连接X驱动电路1010和Y驱动电路1020的部分切割以长凹陷的形式形成。然而，这仅仅是为了解释的方便而给出的示例，狭缝可以围绕X驱动电路1010和Y驱动电路1020之一形成，或者可以形成在其他电路即寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050周围。

而且，在上面解释中，第一狭缝1070和第二狭缝1080的每个具有两个狭缝，从而通过两个狭缝形成一个电通路。电流通过单个电通路接地的方法被称为单点接地法。然而，形成一个电通路仅仅是为了描述的方法而给出的示例。

因此，第一狭缝1070或第二狭缝1080可以具有两个或更多个狭缝。例如，如果第一狭缝1070由三个狭缝构成，在第一接地和第二接地之间形成两个用于传输电流的通路。

在形成两个电通路的情况下，应该理解为在两个位置使用了单点接地法，而不是理解为没有使用单点接地法。

而且，图10示出的第一狭缝1070和第二狭缝1080的每个的形状仅仅是示例，且第一狭缝1070和第二狭缝1080可以形成为具有不同于图10所示的狭缝的形状的其他形状，如图12所示。

图12是示出根据另一示范性实施例的底架140的视图。在图12，为了解释的方便而省略了寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050。

如果如图12所示两个第一狭缝1070和两个第二狭缝1080形成通路，电流可以通过第一接地和第二接地之间的通路传输，从而可以更有效地消除EMI。

在上面的解释中，虽然狭缝提供在底架140上且电流在底架140处以单点接地法接地(其中电流通过形成在两个狭缝之间的一个通路传输)，但是示范性实施例可以应用于电流在底架140处以单独接地法接地但不使用狭缝的情况。这将结合图13解释。

图13是示出根据再一示范性实施例的底架140的视图。如图13所示，X驱动电路1010通过单个螺钉1060而不是多个螺钉连接到底架140，而且X驱动电路1010还通过四个非导电连接元件1310连接到底架140。而且，Y驱动电路1020通过单个螺钉1060而不是多个螺钉连接到底架140，且Y驱动电路1020还通过四个非导电连接元件1310连接到底架140。

在图13中，以“○”标注的部分表示用于连接X驱动电路1010或Y驱动电路1020与底架140的螺钉1060所处的位置，以“◎”标注的部分表示用于连接X驱动电路1010或Y驱动电路1020与底架140的非导电连接元件1310所处的位置。

这里，非导电连接元件1310不是提供来将X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流传输到底架140的，而是仅用于克服当X驱动电路1010或Y驱动电路1020与底架140彼此仅通过单个螺钉1060连接时它们之间的弱连接。因此，X驱动电路1010和Y驱动电路1020每个通过螺钉1060连接到底架140，该螺钉1060是单个导电介质。

由于X驱动电路1010和Y驱动电路1020如上所述以单点接地法接地到底架140，X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流仅在一点被传输到底架140并接地。因此，X驱动电路1010和Y驱动电路1020的每个产生的电流的一部分被传输到底架140，剩余电流在X驱动电路1010和Y驱动电路1020中循环并消减EMI。

当然，使用四个非导电连接元件1310仅仅是为了解释的方便给出的示例，可以使用五个或更多或者三个或更少的非导电连接元件。而且，如果仅通过螺钉1060连接X驱动电路1010或Y驱动电路1020与底架140没有问题，可以不使用非导电连接元件1310。

虽然在上面的实施例中，用于每个X驱动电路1010和Y驱动电路1020的一个螺钉1060用作导电连接元件，如果需要，可以使用两个或更多个螺钉1060。然而，随着螺钉1060的数量增加，减少EMI的效果可能降低。

在图13中，X驱动电路1010和Y驱动电路1020以单点接地接地到底架140。在图13中，使用单点接地而没有使用双接地。然而，示范性实施例可以应用于单点接地和双接地均使用的情况。此后，将参考图14至16解释双接地法中使用单点接地的方法。

在图14至16的实施例中，可以使用所需数量的非导电连接元件1310。然而，为了简化的方便，省略对非导电连接元件1310的图示和描述。

图14是示出根据再一示范性实施例的底架140的视图。如图14所示，X驱动电路1010通过多个螺钉1060连接到导电板1410，且导电板1410通过单个螺钉1430连接到底架140。而且，Y驱动电路1020通过多个螺钉1060连接到导电板1420，且导电板1420通过单个螺钉1430连接到底架140。

在图14中，以“○”标注的部分表示用于连接X驱动电路1010或Y驱动电路1020与导电板1410、1420的螺钉1060所处的位置，以“●”标注的部分表示用于连接导电板1410、1420与底架140的螺钉1430所处的位置。

图15是示出图14的底架140的透视图，以解释螺钉1060、1430如何设置。如图15所示，由于X驱动电路1010通过多个螺钉1060连接到导电板1410，X驱动电路1010产生的电流通过多个螺钉1060传输到导电板1410并在第一导电板1410处被第一次接地。而且，由于导电板1410通过单个螺钉1430连接到底架140，导电板1410处产生的电流通过单个螺钉1430传输到底架140并在底架140处被第二次接地。

类似地，由于Y驱动电路1020通过多个螺钉1060连接到导电板1420，Y驱动电路1020产生的电流通过多个螺钉1060传输到导电板1420，并在导电板1420处被第一次接地。而且，由于导电板1420通过单个螺钉1430连接到底架140，在导电板1420处产生的电流通过单个螺钉1430传输到底架140并在底架140处被第二次接地。

由于X驱动电路1010和Y驱动电路1020以单点接地法被接地到底架140，X驱动电路1010和Y驱动电路1020的每个产生的电流在一个点被传输到底架140并在底架140处被最终接地，因此，第一次传输到导电板1410、1420的电流在导电板1410、1420中循环，从而消减EMI。

虽然在上述实施例中，连接到X驱动电路1010的导电板1410和连接到Y驱动电路1020的导电板1420单独设置，但这仅仅是示例。示范性实施例可以应用于提供单个导电板1610的情况，如图16所示。

图16是示出根据再一示范性实施例的底架140的视图。如图16所示，X驱动电路1010和Y驱动电路1020通过多个螺钉1060连接到单个导电板1610。即，X驱动电路1010和Y驱动电路1020布置在单个导电板1610上。

导电板1610通过单个螺钉1620连接到底架140。

因此，X驱动电路1010和Y驱动电路1020产生的电流传输到单个导电板1610，且传输到导电板1610的电流在底架140处以单点接地法接地。因此，X驱动电路1010和Y驱动电路1020产生的电流在一点传输到底架140并在底架140处最后接地，因此，首先传输到导电板1610的电流在导电板1610中循环从而消减EMI。

当然，如果需要，可以改变螺钉1060、1620的数量。

在根据图10、12、14和15的实施例的底架140的结构中，由于X驱动电路1010和Y驱动电路1020在不同的单点处接地到底架140，在X驱动电路1010的地电位电平与Y驱动电路1020的地电位电平之间可能存在差异。

如果在地电位电平之间存在差异，等离子体显示装置100可能由于不考虑不同的地电位电平地传输控制信号的控制器1050而产生故障。

图17是示出向底架140额外提供隔离集成电路(IC)以解决上述问题的视图。在图17中，I耦合器(I-coupler)1710和1720用作隔离IC的示例。

I耦合器1710和1720是数字隔离元件并进行DC-DC转换。

因此，I耦合器1710连接在X驱动电路1010与控制器1050之间，且I耦合器1720连接在Y驱动电路1020与控制器1050之间，从而可以无故障地操作等离子体显示装置，即使在X驱动电路1010的接地电位与Y驱动电路1020的接地电位之间存在差异。

即，I耦合器1710和1720将控制器1050产生的控制信号转换为基于X驱动电路1010的接地电位的控制信号，并将控制器1050产生的控制信号转换为基于Y驱动电路1020的接地电位的控制信号，使得X驱动电路1010和Y驱动电路1020由根据X驱动电路1010的接地电位和Y驱动电路1020的接地电位的控制信号控制。

在上述描述中，虽然描述了使用I耦合器1710和1720校正接地电位电平之间的差异的方法，这仅仅是示例。示范性实施例可以应用于使用I耦合器1710和1720以外的元件校正接地电位电平、或者改变底架140的形状而不使用额外的元件的情况。

这种情况的示例如下面所述。

在如图10和12所示狭缝形成在底架140上的情况，通过调节狭缝的厚度或者狭缝之间的间隙来校正接地电位电平。例如，通过扩大图10所示的狭缝之间的间隙，允许电流从底架140的设置X驱动电路1010或Y驱动电路1020的区域流到其他区域的通路被扩大。

因此，X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流可以更平稳地流到底架140的未设置有X驱动电路1010或Y驱动电路1020的其他区域，且因此底架140的设置有X驱动电路1010或Y驱动电路1020的区域与底架140的其他区域之间的接地电平的差异可以减小。

接着，在如图14和15所示使用单个螺钉进行单点接地的底架140的情况，通过调整螺钉的数量校正接地电位电平。例如，如果连接导电板1410、1420与底架140的螺钉(“●”)的数量增加，允许电流从导电板1410和1420流到底架140的通路的数量增加。

因此，X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流通过导电板1410和1420更平稳地流到底架140，从而可以减小设置X驱动电路1010的导电板1410与设置Y驱动电路1020的导电板1420之间的电平差异。

如上所述，可以通过改变底架140的形状校正接地电位电平。

在上述解释中，可以通过使用衬垫130耦接TSS 120和底架140、在底架140上形成狭缝或改变底架140与驱动电路150之间的连接条件来减少从等离子体显示装置100的前表面发射的EMI。

而且，为了减少从等离子体显示装置100的前表面发射的EMI，仅涂覆防止表面反射的第一材料、校正色彩并改善色纯度的第二材料和吸收近红外射线的第三材料，而不在上面板111的上部分上提供额外的构造或材料来屏蔽EMI。

向回参考图1，将描述减少从等离子体显示装置100的后表面发射的EMI的后盖160。

如上所述，通过使用衬垫130耦接TSS 120和底架140、在底架140上形成狭缝或改变底架140与驱动电路150之间的连接条件减少了从等离子体显示装置100的前表面发射的EMI。

后盖160不覆盖面板110的前表面、面板110的后表面和底架140的前表面。而是，后盖160直接连接到底架140的后表面以覆盖等离子体显示装置100的后表面，并通过连接后盖160到底架140来屏蔽EMI和防止对驱动电路150的破坏。为此，后盖160由导电材料制成。

如上所述，根据各个示范性实施例，仅使用底架140的结构可以有效地减少当PDP被驱动时产生的EMI发射，而不在等离子体显示装置100的前表面上提供额外的滤波器(filter)。

而且，可以仅使用底架140与驱动电路150之间的连接结构有效地减少当PDP被驱动时产生的EMI发射，而不提供额外的滤波器。

上述示范性实施例和优点仅是示范性的且不应理解为限制性的。本发明的教导可以容易地应用于其他类型的装置。而且，示范性实施例的描述旨在示意性，不是用来限制本发明的范围。对本领域技术人员来说明显的各种替换、改进和变化都应落入本发明的范围。

Claims (10)

1.一种等离子体显示装置，包括：

面板；

驱动所述面板的驱动电路；和

底架，所述底架通过至少一个导电连接元件与所述驱动电路导电，并且通过至少一个非导电连接元件在所述底架上安装所述驱动电路。

2.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述导电连接元件将所述驱动电路安装在所述底架上并在所述驱动电路和所述底架之间导电。

3.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述底架通过所述至少一个导电连接元件与所述驱动电路导电，且所述驱动电路产生的电流的一部分通过所述至少一个导电连接元件传输到所述底架，并且所述驱动电路产生的剩余电流在所述驱动电路中循环，从而消减由所述面板产生的电磁干扰。

4.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，还包括设置在所述驱动电路与所述底架之间并连接到所述驱动电路的导电板，

其中所述底架通过所述至少一个导电连接元件连接到所述导电板，以与所述驱动电路导电，并且所述底架通过所述至少一个非导电连接元件连接到所述导电板以在所述底架上安装所述驱动电路。

5.根据权利要求4所述的等离子体显示装置，其中由所述驱动电路产生的电流被传输到所述导电板，并且被传输到所述导电板的电流的一部分通过所述至少一个导电连接元件被传输到所述底架，且传输到所述导电板的剩余电流在所述导电板中循环，从而消减由所述面板产生的电磁干扰。

6.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述驱动电路包括X电极驱动电路和Y电极驱动电路，并且所述底架通过所述至少一个导电连接元件与所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路导电。

7.根据权利要求6所述的等离子体显示装置，还包括：第一导电板，所述第一导电板设置在所述X电极驱动电路与所述底架之间并连接到所述X电极驱动电路；及第二导电板，所述第二导电板设置在所述Y电极驱动电路与所述底架之间并连接到所述Y电极驱动电路，

其中所述底架通过所述至少一个导电连接元件连接到所述第一导电板，以与所述X电极驱动电路导电，所述底架通过所述至少一个导电连接元件连接到所述第二导电板，以与所述Y电极驱动电路导电，并且所述底架通过所述至少一个非导电连接元件连接到所述第一导电板和所述第二导电板，以在所述底架上安装所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路。

8.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述驱动电路包括X电极驱动电路和Y电极驱动电路，

其中所述等离子体显示装置还包括导电板，所述导电板设置在所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路与所述底架之间，并连接到所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路，

其中所述底架通过所述至少一个导电连接元件连接到所述导电板，以与所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路导电，并且所述底架通过所述至少一个非导电连接元件连接到所述导电板，以在所述底架上安装所述X电极驱动电路和所述Y电极驱动电路。

9.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，还包括：

控制器，控制所述驱动电路；和

隔离耦合器，电隔离所述控制器与所述驱动电路之间的接地电平。

10.一种等离子体显示装置，包括：

面板；

驱动所述面板的驱动电路；和

底架，通过一个或两个点与所述驱动电路导电。

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