CN101872933B - 输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 134
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 28
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 claims description 24
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 20
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及一种输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:它包括激光器、温度传感器、温度驱动装置、温度控制装置和制冷元件;激光器包括半导体泵源、Nd:YAG晶体和为Nd:YAG晶体设置的封闭的保温空间;温度传感器的测温探头与Nd:YAG晶体表面接触;温度驱动装置包括误差放大器和H桥,温度控制装置包括数据采集卡和与其双向连接的计算机,计算机中设置有控制与显示模块和PID数字补偿网络;误差放大器与温度传感器电连接接,数据采集卡电连接误差放大器,控制与显示模块将当前温度数字信号与预设的标准温度值进行比较得到温度差值,再由PID数字补偿网络根据温度差值,进行PID数字补偿后,将得到的反馈调节信号输送给H桥进行功率放大,以驱动制冷元件的温度。本发明可以广泛用于激光精密测量领域及激光技术领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种激光器,特别是关于一种输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器。
背景技术
全内腔半导体泵浦微片激光器有着泵浦效率高、产生的剩余热量少的优点,因此被广泛应用于干涉测量中,比如:准共路微片激光器回馈干涉仪中就使用了半导体泵浦Nd:YAG微片激光器作为光源。干涉测量的原理最终把测量值溯源到光源的光波长上,也就是说干涉测量系统实现精准测量的基础取决于光源输出波长的准确和稳定程度。半导体端面泵浦Nd:YAG微片激光器的热很大一部分产生于LD向微片发射的功率。由于是端面泵浦,如果细致的分析,这种激光器有着自己独特的温度分布,应力分布以及热透镜效应。当温度和应力发生变化时,增益介质Nd:YAG晶体的折射率、形状、体积都会发生变化。这给Nd:YAG微片激光器的输出波长带来了极大的不稳定因素。因为,恰巧微片激光器的谐振腔反射镜就是Nd:YAG晶体的两个表面。而通过给Nd:YAG晶体镀膜形成的谐振腔光程长度又完全取决于Nd:YAG晶体的尺寸和折射率。采用尽量窄的LD发光频率,提高增益介质的吸收效率,尽可能的降低多余的热量的产生是一个很有效的方法。然而,热量的产生还是无法避免,且环境的温度波动也会对激光器温度造成影响。因为折射率与尺寸是Nd:YAG晶体的固有性质很难改变,所以控制Nd:YAG晶体温度就成了关键。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是提供一种能够对温度进行控制的输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器。
为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:它包括激光器、温度传感器、温度驱动装置、温度控制装置和制冷元件;所述激光器包括半导体泵源、Nd:YAG晶体和为Nd:YAG晶体设置的封闭的保温空间;所述温度传感器的测温探头与所述Nd:YAG晶体表面接触;所述温度驱动装置包括误差放大器和H桥,所述误差放大器与所述温度传感器电连接接收当前温度值,并对其进行放大和滤波;所述温度控制装置包括数据采集卡和与其双向连接的计算机,所述计算机中设置有控制与显示模块和PID数字补偿网络,所述数据采集卡电连接所述误差放大器,将放大和滤波后的当前温度信号转换为当前温度数字信号,所述控制与显示模块将所述当前温度数字信号与预设的标准温度值进行比较得到温度差值,再由所述PID数字补偿网络根据所述温度差值,进行PID数字补偿后,将得到的反馈调节信号输送给所述H桥进行功率放大,以驱动所述制冷元件的温度调节。
所述Nd:YAG晶体单独设置在一所述封闭的保温空间内,所述半导体泵源设置在所述封闭的保温空间之外,所述半导体泵源与所述Nd:YAG晶体采用光纤连接。
所述封闭的保温空间包括一保温壳体,所述保温壳体内设置有一基座,所述基座与保温壳体之间设置有隔热用毛毡,所述基座和壳体上对应设置有通光孔,所述半导体泵源通过光纤连接所述壳体的通光孔进口,所述Nd:YAG晶体放置在所述基座的通光孔进口处,通过一压盖固定在所述基座上,所述制冷元件设置在所述基座的底端,所述制冷元件的底端设置一散热片。
所述Nd:YAG晶体设置在一所述封闭的保温空间内,所述半导体泵源设置在另一封闭的保温空间内,为所述半导体泵源再设置一温度传感器,该温度传感器输出端连接所述误差放大器,为所述半导体泵源的保温空间再设置一制冷元件和一H桥,该制冷元件、H桥的输入端依次连接所述计算机中的数据采集卡。
所述Nd:YAG晶体和半导体泵源的保温空间设置在同一壳体中,并通过一隔热窗片隔开;所述壳体上设置有一出光口,所述Nd:YAG晶体的保温空间位于出光口侧的壳体中,且该保温空间包括晶体压盖、晶体基座和制冷元件;所述Nd:YAG晶体放入在所述晶体基座台阶孔中,放置在所述壳体的出光口处的所述晶体压盖压住所述Nd:YAG晶体,且所示制冷元件设置在所示晶体压盖与壳体之间;所述半导体泵源的保温空间包括泵源基座,所述半导体泵源固定在所述泵源基座上;所述晶体压盖、晶体基座和泵源基座通过螺栓固定连接成一体;所述泵源基座的底端也依次设置有所述制冷元件和散热片。
所述半导体泵源和Nd:YAG晶体均设置的同一个封闭的保温空间内。
所述封闭的保温空间包括散热片、泵源基座、前板块、晶体基座、晶体压盖、背板块、窗片、调节上座和调节下座;所述泵源基座插设在所述前板块的台阶孔中,所述半导体泵源固定在所述泵源基座上,所述Nd:YAG晶体放入所述晶体基座台阶孔中,所述晶体压盖压住所述Nd:YAG晶体,所述晶体压盖、晶体基座和泵源基座通过螺栓固定连接成一体;所述窗片粘接在所述背板块的台阶孔中,所述制冷元件放置在所述散热片与所述前板块之间,将所述散热片、前板块和背板块用螺栓固定连接成一体;所述调节上座固定在所述前板块的底部,所述调节上座插设在所述调节下座的两排安装座之间,将所述调节上座的两端与所述调节下座的安装座用螺栓连接,所述调节上座具有豁槽的一端以所述调节上座具有通孔的一端为轴转动。
所述窗片的两面镀有1064nm增透膜。
所述半导体泵源采用能够产生波长为808nm、且连续输出激光的半导体激光器。本发明由于采取以上技术方案,其具有以下优点:本发明由于采取以上技术方案,其具有以下优点:1、由于本发明包括激光器、温度传感器、温度驱动装置、温度控制装置和制冷元件,且激光器包括半导体泵源、Nd:YAG晶体和为Nd:YAG晶体设置的封闭的保温空间,通过温度传感器检测Nd:YAG晶体表面温度,并通过温度驱动装置中的误差放大器将当前温度值进行放大和滤波后,输送给计算机中的控制与显示模块,由控制与显示模块将其内预设的标准温度值与输入的当前温度进行比较,再通过计算机中的PID数字补偿网络进行PID数字补偿后,将得到的反馈调节信号输送给温度驱动装置中的H桥进行功率放大,以驱动制冷元件对Nd:YAG晶体进行温度调节,使Nd:YAG晶体的温度稳定,从而能够将输出的激光波长准确且稳定。2、由于本发明为Nd:YAG晶体单独设置一封闭的保温空间,并采用光纤将保温空间外的半导体泵源与Nd:YAG晶体相连,半导体泵源输出的泵浦光束经过光纤输出口的自聚焦透镜准直后,入射到Nd:YAG晶体上,从而使得半导体激光器的热不会影响晶体所在的温度场,温度控制精度更高,并且让热源远离激光器出光部分,更利于将激光器应用于高精密的测量中。3、由于本发明在单独为Nd:YAG晶体设置保温空间时,保温空间是一内设置有基座的保温壳体,且在基座与保温壳体之间设置隔热用毛毡,并在基座的底端依次设置制冷元件和散热片,因此不仅可以降低成本,而且可以有效地控制Nd:YAG晶体的温度。4、由于本发明为半导体泵源和Nd:YAG晶体分别单独设置在一封闭的保温空间,同时为半导体泵源再设置一温度传感器,同时为半导体泵源的保温空间再设置一制冷元件和一H桥,因此可以通过同一套温度控制装置同时控制两个保温空间的温度。5、由于本发明可以将半导体泵源和Nd:YAG晶体均设置的同一个封闭的保温空间内,尽可能的缩短了光路,因此光路受到外界干扰更小,使输出波长更加稳定。6、由于本发明采用的半导体泵源是能够产生波长为808nm、且连续输出激光的半导体激光器,因此为本发明输出波长稳定的激光光束提供了保证。本发明可以广泛用于激光精密测量领域及激光技术领域。
附图说明
图1是本发明的原理示意图
图2是本发明计算机中的模块示意图
图3是本发明封闭的保温空间实施例1结构示意图
图4是本发明实施例1的原理示意图
图5是本发明实施例2的原理示意图
图6是本发明半导体泵源与Nd:YAG晶体分别设置保温空间结构示意图
图7是本发明封闭的保温空间实施例3结构示意图
图8是图7中局部结构放大剖视示意图
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的描述。
本发明针对Nd:YAG晶体受热、遇冷后会发生长度变化,Nd:YAG晶体两端的高反膜形成的腔长也随之发生变化,从而引起输出的激光光束波长不稳定的问题,专门以Nd:YAG晶体为主设置一个封闭的保温空间和相应的温度反馈控制系统,通过对封闭的保温空间的温度的监测、反馈和调节,实现稳定波长的激光光束输出。
如图1所示,本发明包括激光器1、温度传感器2、温度驱动装置3、温度控制装置4和制冷元件5。
如图1所示,本发明的激光器1主要包括半导体泵源11、Nd:YAG晶体12和封闭的保温空间。半导体泵源11采用可以产生功率在500mW以下、波长为808nm、且连续稳定输出泵浦激光A的半导体激光器,半导体泵源11的快慢轴发散角分别为5°和8°,光斑形状基本为长方形。Nd:YAG晶体12采用Nd:YAG材料,其两面分别镀设有一层1064nm高反膜,两面镀设的1064nm高反膜形成一激光谐振腔;Nd:YAG晶体12的尺寸为φ5mm,厚度为1mm,通光口径设为φ4mm。为了保证泵浦光入射到Nd:YAG晶体12时有一定的光密度,半导体泵源11的出射面与Nd:YAG晶体12的入射端面之间的距离小于3毫米。温度传感器2可以采用陶瓷封装的Pt100作为测温探头,测温探头的陶瓷平面与Nd:YAG晶体12表面接触,将测得的Pt100阻值经线性化处理后,以电流或电压的形式输出一当前温度信号M。温度传感器2还可以采用其它接触式温度传感器。
本发明的温度驱动装置3包括误差放大器31和H桥32,误差放大器31的输入端电连接温度传感器2的输出端。温度驱动装置3可以采用型号为MAX1978的专门用于温度控制的芯片,也可以采用max1968等用于温控的芯片,温度驱动装置3设定最大电流为1A,最大电压为4V,即最大功率为4W。
本发明的温度控制装置4包括数据采集卡41和计算机42,数据采集卡41的输入端电连接误差放大器31的输出端。计算机42中设置有一控制与显示模块421和一与其电连接的PID数字补偿网络422(如图2所示),且控制与显示模块421中预设有一标准温度值T,该标准温度值T设定范围为0.000℃~80.000℃。本实施例中,数据采集卡41也可以采用其它具有A/D和D/A功能的电路代替。计算机42还采用单片机等其它具有数据处理功能的硬件。PID数字补偿网络422可以采用模拟PID补偿网络。
本发明的制冷元件5(如图1所示)可以采用TEC(Thermoelectric Cooler,半导体热电制冷器),但不限于此。TEC是利用半导体材料的珀尔帖效应制成,尺寸为15mm×15mm。制冷元件5的控制端电连接H桥32的输出端,制冷元件5的制冷功率和上下表面温差随H桥32提供的驱动电流大小发生变化,因此,本发明的H桥32应该能够提供稳定的功率,并且可以提供正负连续变化的电流输出。
本发明封闭的保温空间可以采取各种结构形式,本发明仅举以下几种实施例。
实施例1:仅为Nd:YAG晶体12设置保温空间6
如图3所示,本实施例的保温空间6包括在一保温壳体61内设置一基座62,在基座62与保温壳体61之间设置有隔热用毛毡63,基座62和壳体61上对应设置有通光孔,泵浦光束A从一侧进入,激光光束B从另一侧输出。Nd:YAG晶体12放置在基座62的通光孔进口处,通过一压盖64固定在基座62上。温度传感器2也设置在保温壳体61内,温度传感器2的测温探头贴在Nd:YAG晶体12,温度传感器2的电导线穿出壳体61。制冷元件5设置在基座62的底端,制冷元件5的底端设置一散热片65。本实施例主要用于半导体泵源11与Nd:YAG晶体12分开设置(如图4所示),并通过光纤66连接输出激光光束的情况。
实施例2:分别为半导体泵源11和Nd:YAG晶体12设置保温空间6、7
如图5所示,本实施例在为Nd:YAG晶体12设置与实施例1相同的保温空间6的同时,也可以为半导体泵源11设置一类似的保温空间7。在保温空间7中为半导体泵源11另外设置一与温度传感器2和制冷元件5相同的温度传感器2’和制冷元件5’,同时在温度驱动装置3中设置一为制冷元件5’提供驱动电流的H桥32’。半导体泵源11一侧的温度传感器2’与Nd:YAG晶体12一侧的温度传感器2并联连接同一个误差放大器31;半导体泵源11一侧的制冷元件5’和H桥32’与Nd:YAG晶体12一侧的制冷元件5和H桥32并联依次连接同一个数据采集卡41,这样可以通过同一套温度控制装置4同时控制两个保温空间的温度。本实施例适用于半导体泵源11直接将泵浦光传输给Nd:YAG晶体12,但半导体泵源11与Nd:YAG晶体12分别设置保温空间的情况。保温空间6、7的具体设置方式如下(如图6所示):
将保温空间6、7设置在同一壳体71中,并通过一隔热窗片72隔开。壳体71上设置有一出光口73,激光光束B从出光口73输出。保温空间7位于出光口73侧的壳体71中,保温空间7包括一晶体压盖74、一晶体基座75和一制冷元件5’。Nd:YAG晶体12放入在晶体基座75台阶孔中,放置在壳体71的出光口73处的晶体压盖74压住Nd:YAG晶体12,且制冷元件5’设置在晶体压盖74与壳体71之间。保温空间6包括一泵源基座76,半导体泵源11固定在泵源基座76上。晶体压盖74、晶体基座75和泵源基座76通过螺栓固定连接成一体。制冷元件5设置在泵源基座76的底端,制冷元件5的底端设置一散热片77。
实施例3:将半导体泵源11和Nd:YAG晶体12设置在同一个保温空间8内
如图1、图6所示,本实施例的保温空间8包括散热片81、泵源基座82、前板块83、晶体基座84、晶体压盖85、背板块86、窗片87、调节上座88和调节下座89。前板块83和背板块86均采用具有一定厚度、硬度的保温材料,比如聚四氟乙烯等,散热片37可以采用硬铝制成。窗片87两面分别镀设有1064nm增透膜,以将Nd:YAG晶体12的波长为1064nm的稳定激光光束尽可能的全部出射出去。本实施例中,泵源基座82、Nd:YAG晶体基座84和晶体压盖85均可以采用导热良好的材料,比如紫铜材料,以将激光产生的热能及时散发出去。
如图7、图8所示,本实施例的保温空间8安装时分成以下步骤:
1、将泵源基座82插设在前板块83的台阶孔中,再将半导体泵源11用螺钉固定在泵源基座82上;
2、将Nd:YAG晶体12放入晶体基座84台阶孔中,再将晶体压盖85插设在晶体基座84台阶孔中,且顶住Nd:YAG晶体12,用螺栓将晶体压盖85、晶体基座84和泵源基座82固定连接成一体;
3、将窗片87粘接在背板块86的台阶孔中,再将制冷元件5放置在散热片81和前板块83之间,最后将散热片81、前板块83和背板块86用螺栓固定连接成一体;
4、将调节上座7固定在前板块83的底部(二者也可以是一个一体结构),再将调节上座88插设在调节下座89的两排安装座之间,将调节上座88的两端与调节下座89的安装座用螺栓连接。这样调节上座88具有豁槽的一端可以以调节上座88具有通孔的一端为轴转动。
上述各实施例中的封闭的保温空间6、7的结构仅用于说明书本发明,这些结构都是可以有所变化的,只要其能够将激光器1中的Nd:YAG晶体12形成一个单独的保温空间,或半导体泵源11与Nd:YAG晶体12一起形成一个保温空间,或半导体泵源11与Nd:YAG晶体12封闭形成一个保温空间,将保温空间与外界环境隔绝,阻止空气流动,使内部温度场稳定即可。
通过图1对本发明的工作原理进行说明:本发明进行工作时,激光器1中半导体泵源1发出的波长为808nm的激光光束A,通过Nd:YAG晶体12得到波长为1064nm激光光束输出;温度传感器2检测得到Nd:YAG晶体12的电压形式的当前温度信号M,并将当前温度信号M输送给误差放大器31,误差放大器31对温度信号M进行放大和滤波处理得到温度信号N,并将其输送给数据采集卡41,数据采集卡41对温度信号N进行A/D转换得到数字形式的温度信号F。计算机42的控制与显示模块421将温度信号F的数值与标准温度T值进行比较,得到一温度差值输送给PID数字补偿网络422,并将温度信号F的数值和得到的温度差值在计算机42的显示屏上进行同步显示;PID数字补偿网络422根据温度差值,进行PID数字补偿,并将得到的反馈调节信号通过数据采集卡41输送给H桥32;H桥32将反馈调节信号进行功率放大,以驱动制冷元件5对Nd:YAG晶体12进行制冷或制热或保温操作,使Nd:YAG晶体12的温度稳定在10~50℃范围内。
经实验证明:本发明装置对Nd:YAG晶体12周围的保温空间进行封闭和温度控制,就可以使Nd:YA6晶体12的温度波动小于±0.05℃,输出的激光光束具有的波长稳定度优于10-6,从而克服已有技术中存在的问题。
上述各实施例中,各部件的结构、设置位置、及其连接都是可以有所变化的,在本发明技术方案的基础上,对个别部件进行的改进和等同变换,不应排除在本发明的保护范围之外。
Claims (7)
1.一种输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:它包括激光器、温度传感器、温度驱动装置、温度控制装置和制冷元件;所述激光器包括半导体泵源、Nd:YAG晶体和为Nd:YAG晶体设置的封闭的保温空间;所述温度传感器的测温探头与所述Nd:YAG晶体表面接触;所述温度驱动装置包括误差放大器和H桥,所述误差放大器与所述温度传感器电连接接收当前温度值,并对其进行放大和滤波;所述温度控制装置包括数据采集卡和与其双向连接的计算机,所述计算机中设置有控制与显示模块和PID数字补偿网络,所述数据采集卡电连接所述误差放大器,将放大和滤波后的当前温度信号转换为当前温度数字信号,所述控制与显示模块将所述当前温度数字信号与预设的标准温度值进行比较得到温度差值,再由所述PID数字补偿网络根据所述温度差值,进行PID数字补偿后,将得到的反馈调节信号通过所述数据采集卡输送给所述H桥进行功率放大,以驱动所述制冷元件的温度调节;
所述Nd:YAG晶体单独设置在一所述封闭的保温空间内,所述半导体泵源设置在所述封闭的保温空间之外,所述半导体泵源与所述Nd:YAG晶体采用光纤连接;所述封闭的保温空间包括一保温壳体,所述保温壳体内设置有一基座,所述基座与保温壳体之间设置有隔热用毛毡,所述基座和壳体上对应设置有通光孔,所述半导体泵源通过光纤连接所述壳体的通光孔进口,所述Nd:YAG晶体放置在所述基座的通光孔进口处,通过一压盖固定在所述基座上,所述制冷元件设置在所述基座的底端,所述制冷元件的底端设置一散热片。
2.如权利要求1所述的输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:所述半导体泵源采用能够产生波长为808nm、且连续输出激光的半导体激光器。
3.一种输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:它包括激光器、温度传感器、温度驱动装置、温度控制装置和制冷元件;所述激光器包括半导体泵源、Nd:YAG晶体和为Nd:YAG晶体设置的封闭的保温空间;所述温度传感器的测温探头与所述Nd:YAG晶体表面接触;所述温度驱动装置包括误差放大器和H桥,所述误差放大器与所述温度传感器电连接接收当前温度值,并对其进行放大和滤波;所述温度控制装置包括数据采集卡和与其双向连接的计算机,所述计算机中设置有控制与显示模块和PID数字补偿网络,所述数据采集卡电连接所述误差放大器,将放大和滤波后的当前温度信号转换为当前温度数字信号,所述控制与显示模块将所述当前温度数字信号与预设的标准温度值进行比较得到温度差值,再由所述PID数字补偿网络根据所述温度差值,进行PID数字补偿后,将得到的反馈调节信号通过所述数据采集卡输送给所述H桥进行功率放大,以驱动所述制冷元件的温度调节;
所述Nd:YAG晶体设置在一所述封闭的保温空间内,所述半导体泵源设置在另一封闭的保温空间内,为所述半导体泵源再设置一温度传感器,该温度传感器输出端连接所述误差放大器,为所述半导体泵源的保温空间再设置一制冷元件和一H桥,该制冷元件的输入端连接该H桥,且该H桥的输入端连接所述数据采集卡;所述Nd:YAG晶体和半导体泵源的保温空间设置在同一壳体中,并通过一隔热窗片隔开;所述壳体上设置有一出光口,所述Nd:YAG晶体的保温空间位于出光口侧的壳体中,且该保温空间包括晶体压盖、晶体基座和制冷元件;所述Nd:YAG晶体放入所述晶体基座台阶孔中,放置在所述壳体的出光口处的所述晶体压盖压住所述Nd:YAG晶体,且所述制冷元件设置在所述晶体压盖与壳体之间;所述半导体泵源的保温空间包括泵源基座,所述半导体泵源固定在所述泵源基座上;所述晶体压盖、晶体基座和泵源基座通过螺栓固定连接成一体;所述泵源基座的底端也依次设置有所述半导体泵源保温空间中的制冷元件和一散热片。
4.如权利要求3所述的输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:所述半导体泵源采用能够产生波长为808nm、且连续输出激光的半导体激光器。
5.一种输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:它包括激光器、温度传感器、温度驱动装置、温度控制装置和制冷元件;所述激光器包括半导体泵源、Nd:YAG晶体和为Nd:YAG晶体设置的封闭的保温空间;所述温度传感器的测温探头与所述Nd:YAG晶体表面接触;所述温度驱动装置包括误差放大器和H桥,所述误差放大器与所述温度传感器电连接接收当前温度值,并对其进行放大和滤波;所述温度控制装置包括数据采集卡和与其双向连接的计算机,所述计算机中设置有控制与显示模块和PID数字补偿网络,所述数据采集卡电连接所述误差放大器,将放大和滤波后的当前温度信号转换为当前温度数字信号,所述控制与显示模块将所述当前温度数字信号与预设的标准温度值进行比较得到温度差值,再由所述PID数字补偿网络根据所述温度差值,进行PID数字补偿后,将得到的反馈调节信号通过所述数据采集卡输送给所述H桥进行功率放大,以驱动所述制冷元件的温度调节;
所述半导体泵源和Nd:YAG晶体均设置在同一个封闭的保温空间内;所述封闭的保温空间包括散热片、泵源基座、前板块、晶体基座、晶体压盖、背板块、窗片、调节上座和调节下座;所述泵源基座插设在所述前板块的台阶孔中,所述半导体泵源固定在所述泵源基座上,所述Nd:YAG晶体放入所述晶体基座台阶孔中,所述晶体压盖压住所述Nd:YAG晶体,所述晶体压盖、晶体基座和泵源基座通过螺栓固定连接成一体;所述窗片粘接在所述背板块的台阶孔中,所述制冷元件放置在所述散热片与所述前板块之间,将所述散热片、前板块和背板块用螺栓固定连接成一体;所述调节上座固定在所述前板块的底部,所述调节上座插设在所述调节下座的两排安装座之间,将所述调节上座的两端与所述调节下座的安装座用螺栓连接,所述调节上座具有豁槽的一端以所述调节上座具有通孔的一端为轴转动。
6.如权利要求5所述的输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:所述窗片的两面镀有1064nm增透膜。
7.如权利要求5或6所述的输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器,其特征在于:所述半导体泵源采用能够产生波长为808nm、且连续输出激光的半导体激光器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101951097A CN101872933B (zh) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | 输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101951097A CN101872933B (zh) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | 输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101872933A CN101872933A (zh) | 2010-10-27 |
CN101872933B true CN101872933B (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=42997659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010101951097A Active CN101872933B (zh) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | 输出波长稳定的半导体泵浦全内腔微片激光器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101872933B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103092227B (zh) * | 2012-12-27 | 2017-08-25 | 青岛镭创光电技术有限公司 | 激光模组控温测试装置 |
CN104810877B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-12-14 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 电池充电装置及方法 |
CN104810873B (zh) | 2014-01-28 | 2018-03-16 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 电子设备充电控制装置及方法 |
CN104332808A (zh) * | 2014-11-12 | 2015-02-04 | 核工业理化工程研究院 | 用半导体珀尔贴调整激光晶体温度的控制装置 |
CN107732637A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-02-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种自动温控固体激光装置 |
CN109193332B (zh) * | 2018-08-24 | 2019-08-16 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种激光器输出频率的补偿方法以及相应的光模块 |
CN111175026B (zh) * | 2020-02-18 | 2023-10-13 | 昂纳科技(深圳)集团股份有限公司 | 一种泵浦激光器的测试装置及测试方法 |
CN111697416A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-09-22 | 深圳市北扶生物医疗科技有限公司 | 一种激光发射装置 |
CN113835455B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-01-24 | 太原理工大学 | 一种面向混沌半导体激光器的大范围高精度温度控制系统 |
CN114647010B (zh) * | 2021-12-03 | 2023-04-07 | 吉林大学 | 一种适用于井下长期稳定工作的总场泵源装置及工作方法 |
CN116594448A (zh) * | 2022-03-03 | 2023-08-15 | 山西大学 | 一种单片式温控标准具 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2427024Y (zh) * | 2000-04-05 | 2001-04-18 | 福建华科光电有限公司 | 一种微片型单频激光器 |
US7471707B2 (en) * | 2004-08-27 | 2008-12-30 | Photop Technologies, Inc. | Low noise, intra-cavity frequency-doubling micro chip laser with wide temperature range |
CN101009419A (zh) * | 2006-01-28 | 2007-08-01 | 福州高意通讯有限公司 | 一种半导体泵浦微片激光器 |
CN2927417Y (zh) * | 2006-07-12 | 2007-07-25 | 福州高意通讯有限公司 | 半导体泵浦的微片式激光器 |
-
2010
- 2010-05-31 CN CN2010101951097A patent/CN101872933B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101872933A (zh) | 2010-10-27 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
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