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CN101861633B - 电解电容器用铝蚀刻板 - Google Patents

电解电容器用铝蚀刻板 Download PDF

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CN101861633B CN2007801015568A CN200780101556A CN101861633B CN 101861633 B CN101861633 B CN 101861633B CN 2007801015568 A CN2007801015568 A CN 2007801015568A CN 200780101556 A CN200780101556 A CN 200780101556A CN 101861633 B CN101861633 B CN 101861633B
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Abstract

本发明提供一种电解电容器用铝蚀刻板。当制造在蚀刻比率高且浸渗了固体电解质的情况下也能够得到高静电电容的电解电容器用铝蚀刻板时，对铝纯度为99.98质量％以上的铝板，进行使用交流的电化学蚀刻，得到蚀刻部位(3)的体积密度为0.6～1.2的电解电容器用铝蚀刻板(1)。对于蚀刻部位(3)，在对比距离表面20μm的位置更深的位置的平面截面以图像分析装置进行测定时，在各测定面，存在该测定面内的总坑数的70％以上的换算为圆形时的坑径为0.01～1μmφ的坑数，在蚀刻比率高、且浸渗了固体电解质的情况下也能够得到高静电电容。

Description

电解电容器用铝蚀刻板
技术领域
本发明涉及将铝板蚀刻而形成的电解电容器用铝蚀刻板。
背景技术
近年来，随着个人计算机、信息设备等电子设备的数字化、高频率化的进步，对于电解电容器，除了扁平化(low profile)、低阻抗化、低ESR之外，还要求低ESL化、高电容化。为对应这些要求，电解电容器的开发得到了发展，但电解电容器的低阻抗化、低ESR化较多地依赖于功能性高分子等固体电解质和在蚀刻部位填充(浸渗)固体电解质的技术。因此在现有技术中，所使用的是例如对厚度为70～120μm的铝箔蚀刻约30～35μm左右的深度而得的铝箔，若为该深度，那么即使对于现有的固体电解质、浸渗技术，在浸渗性方面也不会发生大的问题。
但是，对厚度为70～120μm的铝箔蚀刻约30～35μm左右的深度而得的电极箔，不能够获得足够的静电电容。因此，在制作电解电容器时，将多片电极箔叠层使用，其结果为，制造成本增大并且电解电容器的厚度尺寸增大，不能够实现扁平化。
因此，提出通过使铝箔厚度增厚并且进行较深的蚀刻而提高静电电容、减少电极箔的层叠片数的方法(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2005-150705号公报
发明内容
但是，在专利文献1所记载的方法中，存在如下问题：在使铝箔厚度增厚并且使蚀刻部分加深时，固体电解质不能充分地在蚀刻部位浸渗，即使蚀刻比率(etching ratio)高也不能够得到足够的静电电容。另外也存在如果不能够在蚀刻部位填充足够的固体电解质，则ESR将增大等问题。
鉴于以上问题，本发明的目的在于提供，在蚀刻比率高、且浸渗了固体电解质的情况下能够得到高静电电容的电解电容器用铝蚀刻板。
本申请的发明者们，作为能够准确地规定蚀刻比率足够高、且浸渗率足够高这一条件的参数，着眼于蚀刻部位的单位体积重量，通过将该值设定在规定范围内，提供在浸渗了固体电解质的情况下也能够得到高静电电容的电解电容器用铝蚀刻板。在本说明书中，“铝蚀刻板”是指厚度为150μm以上的铝板。
也就是说，本发明是对铝板进行使用交流的电化学蚀刻来扩大表面积而形成的电解电容器用铝蚀刻板，其特征在于，蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2。
在本发明中，通过使用交流对铝板进行电化学蚀刻，在利用蚀刻对每1平方毫米穿孔数千～数十万的海绵状坑(pit)时，使蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2，因为具有足够的表面积、且固体电解质的浸渗性较好，因此即使在浸渗了固体电解质的情况下也能够得到高静电电容。
基于以下的理由，浸渗了固体电解质的情况下的静电电容不能够仅由蚀刻比率来充分地规定。蚀刻比率能够通过在将电解电容器用铝蚀刻板阳极氧化之后、在己二酸铵水溶液中对静电电容进行测定而求取。但是在将电解电容器用铝蚀刻板阳极氧化之后，浸渗了固体电解质之后的静电电容(在电解电容器中使用的状态下的静电电容)由蚀刻比率和固体电解质的浸渗性决定，大致与以下的值
蚀刻比率×固体电解质的浸渗性(浸渗率)
成比例。浸渗率也被称作电容出现率(capacitance reproduction ratio)，表示在已二酸铵水溶液中测定的静电电容在浸渗了固体电解质的状态下能够出现至什么程度。
一般地，在蚀刻电量较小的情况下，蚀刻量浅，固体电解质容易填充，但蚀刻比率低。与此相对，在蚀刻电量较大的情况下，蚀刻加深，蚀刻比率提高，但固体电解质难以被填充至深处，因此浸渗率处于降低的趋势。于是，浸渗了固体电解质之后的静电电容，在浸渗性高、但蚀刻比率低的情况下，不能够在浸渗了固体电解质后得到高静电电容，在蚀刻比率高、但浸渗率低的情况下，也不能够得到高静电电容。
另外，在基于蚀刻的电量、从铝板的状态开始蚀刻而减少的量进行规定的情况下，不能够对蚀刻部位的三维形状进行充分地规定，不能够充分地控制浸渗了固体电解质之后的静电电容。例如在形成有大量微小的坑的情况下，蚀刻比率增高，但固体电解质难以被填充至深处，因此浸渗率下降，其结果是浸渗了固体电解质后不能够得到高静电电容。与此相对，在形成有许多较大的坑的情况下，固体电解质容易填充，但蚀刻比率较低，因此在浸渗了固体电解质后不能够得到高静电电容。
然而在本发明中，以蚀刻部位的体积密度进行规定，因此能够准确地规定蚀刻部位的三维形状，能够准确地控制浸渗了固体电解质后的静电电容。
在此，对蚀刻部位的体积密度与蚀刻比率、浸渗率和浸渗了固体电解质的情况下的静电电容的关系，分别以图1中的虚线L1、点划线L2、和实线L3表示。根据该图可知，在蚀刻部位的体积密度增大时，蚀刻比率上升(参照虚线L1)、浸渗率下降(参照点划线L2)，因此浸渗了固体电解质的情况下的静电电容如实线L3所示地变化。也就是说，当蚀刻部位的体积密度不足0.6时，固体电解质容易填充但蚀刻比率低，当蚀刻部位的体积密度超过1.2时，蚀刻比率高但固体电解质难以被填充至深处。因此，蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2是重要的。
在本发明中，上述蚀刻部位的厚度(深度)为100μm以上，优选为120μm以上。根据该结构，蚀刻比率高、且固体电解质容易被填充至深处的蚀刻部位能够直至深处都存在，因此浸渗了固体电解质后的静电电容高。
应用了本发明的电解电容器用铝蚀刻板能够作为使用功能性高分子作为电解质的铝电解电容器的阳极使用。也就是说，应用了本发明的电解电容器用铝蚀刻板，在表面形成有电介质膜，在该电介质膜上形成有功能性高分子层，能够使用在电解电容器中。
附图说明
图1是表示应用了本发明的电解电容器电极用铝蚀刻板中的蚀刻部位的单位体积重量与蚀刻比率、浸渗率和在浸渗了固体电解质的情况下的静电电容的关系的说明图。
图2是表示应用了本发明的电解电容器电极用铝蚀刻板的截面照片的图。
图3是使用应用了本发明的电解电容器电极用铝蚀刻板制作电解电容器时的说明图。
符号说明
1电解电容器用铝蚀刻板
2芯部
3蚀刻部位
具体实施方式
以下，作为本发明的实施方式，对应用了本发明的电解电容器用铝蚀刻板的结构和制造方法进行说明。
本发明是对铝板进行使用交流的电化学蚀刻来扩大表面积而形成的电解电容器用铝蚀刻板，其特征在于，蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2。另外，蚀刻部位的厚度为100μm以上，优选为120μm以上。
本实施方式的电解电容器用铝蚀刻板是对铝纯度为99.98质量％以上的铝板进行蚀刻而形成的。通过使用这样纯度的铝板，韧性高并且制造电解电容器时的处理更加容易。铝纯度不足下限值时，硬度增加而韧性下降，有可能在处理中发生破裂等损伤，因此不作为优选。
向蚀刻处理供应的铝板的厚度只要根据目的的不同而设定为多种厚度即可，例如150μm至1mm，但通常使用300～400μm的厚度。接着，作为一次电解处理，在低浓度盐酸水溶液中对铝板实施交流蚀刻。作为前置处理，优选通过对铝板进行脱脂洗净、轻度蚀刻，实施表面氧化膜的除去。
一次电解处理中作为电解液使用的低浓度盐酸水溶液，例如为含有比例1.5～2.5摩尔/升的盐酸和0.05～0.5摩尔/升的硫酸的水溶液，以下述条件，即，溶液温度40～55℃，频率10～25Hz，交流波形为正弦波形、矩形波形、交直流叠加波形等，电流密度为40～50A/dm2，处理时间为30～60秒的条件进行蚀刻处理，在铝板表面穿孔大量的坑。
在实施一次电解处理之后实施主电解处理，以海绵状穿孔并进行蚀刻。在该主电解处理中使用的电解液，例如为含有比例4～6摩尔/升的盐酸和0.05～0.5摩尔/升的硫酸的水溶液，以下述条件，即溶液温度为比一次处理更低的20～35℃，频率为30～60Hz，交流波形为正弦波形、矩形波形、交直流叠加波形等，电流密度为比一次电解处理更低的20～30A/dm2，处理时间设定为能够处理至规定的蚀刻部位厚度的时间，对在一次电解处理中穿孔的坑进一步穿孔。采用这样的方法，能够减少对铝板表面的坑的形成没有贡献的溶解，将大量穿孔了特定大小的径长的坑的海绵状的蚀刻部位直至深处形成。
在进行一次电解处理之后，进行主电解处理之前也可以为了使主电解处理可靠进行而用交直流叠加波形，使在一次电解处理中穿孔的坑表面活性化，再转移到主电解处理。在该处理中，以占空比为约0.7～0.9、电流密度为12～17A/dm2的条件进行60秒左右的蚀刻处理。使用这样的电解蚀刻方法能够形成厚度70μm以上、优选形成100μm以上的海绵状的蚀刻部位。
在此，若使蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2，则形成具有以下的坑的径长、数量的蚀刻部位。坑的径长、数量能够由图像分析装置测定。即，对被蚀刻的表面在深度方向上按每隔规定的间隔进行研磨之后，用图像分析装置对各研磨面的孔径和数量进行测定，通过计算出0.01～1μmφ的坑数的所占的比例，能够测定各层中特定大小径长的坑所占的比例，在本发明中能够判定，对蚀刻部位均匀地穿孔子大量特定大小径长的坑。即，能够首次得到如下电解电容器用铝蚀刻板：至少单面具有在深度方向上从表面起70μm以上、100μm以上甚至120μm以上的蚀刻部位，通过在平面截面上以图像分析装置进行测定，存在的0.01～1μmφ的坑数是各个面的总坑数的70％以上、优选75％以上，若使用这样的电解电容器用铝蚀刻板，能够实现ESR低的电解电容器。不足0.001μmφ的坑对提高静电电容没有贡献，因此设定图像分析装置进行测定的径长为0.001μmφ以上。
关于蚀刻部位的厚度，至少在单面，优选在两面的各个面形成在深度方向上从表面起70μm以上、优选100μm以上，进一步优选120μm以上的蚀刻部位，在蚀刻部位的厚度不足上述值的情况下，在考虑静电电容时需要增加叠层数，不能够期待电解电容器的小型化。
若坑径超过1μmφ的坑大量存在将使静电电容下降。优选为0.1μmφ以下。通过使这样的大小的坑的存在量为各面的总坑数的70％以上、优选75％以上，能够制造ESR低的电解电容器。更优选的是80％以上。
使特定大小的坑的测定位置为比距离表面20μm的位置更深的位置，这是因为在表面附近存在在电解蚀刻时对扩大表面积没有贡献的溶解，会使坑与坑连接从而使坑径不必要地增大。另外，因为蚀刻部位与芯部的边界面存在凹凸而不恒定，所以使测定位置为比确定蚀刻深度的位置(蚀刻部位与芯部的边界)接近表面10μm的较浅的位置。
作为固体电解质，没有特别的限定，只要是公知的固体电解质即可，例如能够使用聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等。
另外，在应用了本发明的电解电容器用铝蚀刻板的铝纯度为99.98质量％以上、含有粒径等效于球时为0.01～1.0μmφ的含Fe金属间化合物的数量为1×107～1010/cm3时，不仅能够提高上述特定大小径长的坑所占的比例，而且能够制作ESR更低的电容器。这是因为金属间化合物越多粒径越小，化学处理膜(chemical conversion film)在坑表面以均匀的厚度形成，固体电解质更容易浸渗。
对于铝纯度为99.98质量％以上的铝板的Al以外的元素，其含有量没有限定，但作为优选的组成：Fe50ppm以下、优选40ppm以下，Cu40ppm以下，Si60ppm以下、优选40ppm以下即可。这是因为，若Fe、Si超过上限值，则产生含有Fe、Si的粗金属间化合物的结晶物和析出物，泄漏电流增大。在Si的情况下还会产生单体Si，因此以同样的理由不作为优选。若Cu超过上限值，会使基体(matrix)的腐蚀电位大幅度提高，因此存在不能够进行合适的蚀刻的可能。
与此相对，Fe的5～50ppm的含有量会产生AlmFe、Al6Fe、Al3Fe、Al-Fe-Si、Al-(Fe、M)-Si(M为其他金属)等金属间化合物，因为容易成为交流蚀刻的坑的起点而优选。Cu的5～40ppm的含有量，在存在Fe的基础上能够使基体的腐蚀电位稳定化，容易穿孔特定大小的坑，因而优选。作为其他的元素，使Ni、Ti、Zr各自为10ppm以下、优选为3ppm以下即可。另外，其他的杂质优选为3ppm以下。由此，在上述交流蚀刻方法中容易海绵状穿孔特定大小径长的坑，很可能是因为杂质容易成为坑的起点。
因此，优选的是，铝板的组成为铝纯度99.98质量％以上，含有Fe5～50ppm、Cu5～40ppm，并且剩余部分为不可避免的杂质，含有换算为球形时粒径为0.01～1.0μmφ的含Fe金属间化合物的数量为1×107～1010/cm3。
这样的高纯度的铝通过精炼电解一次原料金属而制成。作为此时使用的精炼方法，广泛采用三层液电解法、结晶分异法，通过这些精炼法，铝以外的元素的大部分被除去。但是对于Fe和Cu，由于能够不作为杂质、而是作为微量合金元素使用，所以在对精炼后的各元素的含有量进行测定、Fe和Cu的含有量不足规定量的情况下，能够在板坯(slab)铸造时通过在熔融物中添加Al-Fe、Al-Cu母合金来调节Fe或Cu的含有量。
为了得到上述含有粒径等效于球时为0.01～1.0μmφ的含Fe金属间化合物的数量为1×107～1010/cm3的铝板，例如能够列举下述方法，即，在将铝纯度为99.98质量％以上、调整了Fe含有量的铝熔融物半连续铸造得到板坯后，以530℃以上的温度进行均质化处理，通过在板温度区域相当于含Fe金属间化合物容易析出的范围(300～400℃)内轧制3个以上道次，或仅通过对保持30分钟以上60分钟以下的热轧板进行冷轧，形成为规定的厚度，向蚀刻供应。特别是，在将上述组成的铝熔融物如上所述地铸造、滚轧时能够容易地得到优选大小、且包含规定数量的Fe的金属间化合物。包含Fe的金属间化合物的大小和数量能够以图像分析装置测定。
含Fe金属间化合物的粒径在等效于球时若不足0.01μmφ，在公知的方法中具有难以成为蚀刻坑的核的倾向。另外若超过1.0μmφ则在组装电容器时，容易对泄漏电流产生影响。另外若粒径等效于球时为0.01～1.0μmφ的含Fe金属间化合物的数量不足1×107/cm3，特定大小的坑所占的比例变少，若超过1×1010/cm3则过剩的溶解变多。
(实施例)
图2是表示应用了本发明的电解电容器电极用铝蚀刻板的截面照片的图。图3是使用应用了本发明的电解电容器电极用铝蚀刻板制作电解电容器时的说明图。
将铝熔融物半连续铸造得到厚度为560mm的板坯，以550℃加热10小时进行均匀处理，在热轧工序中以350℃保持不同的保持时间，接着进行热轧和滚轧使之成为厚度0.4mm的铝板。其组成如表1所示。
[表1]
(单位：质量ppm)
  合金符号   Fe   Si   Cu   Al纯度   剩余部分
A 6 20 6 99.98％以上   其他的不可避免的杂质
  B   10   20   10   ″   ″
  C   25   20   20   ″   ″
  D   35   20   25   ″   ″
  E   40   20   30   ″   ″
  F   45   20   35   ″   ″
使用上述厚度0.4mm的Al纯度99.98质量％以上的铝板，以下述条件进行两面蚀刻处理，得到如图2所示的电解电容器用铝蚀刻板。该电解电容器用铝蚀刻板1在芯部2的两侧具备蚀刻部位3。
(蚀刻条件)
在以10％苛性苏打水溶液实施轻度的蚀刻处理而脱脂、除去表面氧化物后，作为一次蚀刻处理，在作为电解液的含有2摩尔/升的盐酸和0.02摩尔/升的硫酸的水溶液中，以溶液温度50℃、频率20Hz、交流正弦波交流、电流密度45A/dm2、处理时间45秒进行处理，对铝板表面穿孔大量的坑。接着作为主电解处理，在作为电解水溶液的含有6摩尔/升的盐酸和0.05摩尔/升的硫酸的水溶液中，以液温30℃，频率能够任意设定为各种值、例如50Hz，正弦波交流、电流密度为25A/dm2，能够对处理时间进行各种改变，对一次处理中穿孔的坑进一步穿孔，得到各种厚度的海绵状蚀刻部位，测定该蚀刻部位的厚度。其结果如表2～7所示。
(体积密度的测定方法)
对于蚀刻了各种厚度的蚀刻板(含有中央的芯部)，对高、宽、蚀刻厚度、芯部厚度以及总质量进行测定，令芯部的密度为2.7，对蚀刻部位的体积密度进行计算。其结果如表2～7所示。
(坑径的测定)
接着对坑径和其比例利用图像分析装置进行测定。测定以如下方式进行：将试料的蚀刻深度方向上距表面20μm的面、和比确定蚀刻深度的位置(蚀刻部位与芯部的边界)接近表面侧10μm的更浅处的位置之间的面间距离4等分而形成5个面(但是在单面的蚀刻层的厚度为35μm的情况下为2个面)，从表面起依次在每个面的位置进行研磨，对各表面以图像分析装置进行测定。关于坑径和其比例，使各测定面上的10点的平均值为该测定面的值。对2个面或5个面测定的结果之中，换算为圆形时的坑径为0.01～1μmφ的坑数相对于该测定面内的全坑数所占的比例最少的值如表2～7所示。
接着，将电解电容器用铝蚀刻板在己二酸铵水溶液中进行5V化学表面处理，接着如下述所示，将聚吡咯按照常法浸渗形成功能性高分子层，制作2.5V/330μF的电解电容器，测定ESR(100KHz)、静电电容、泄漏电流。其结果如表2～7所示。
(聚吡咯的浸渗)
在浸渗聚吡咯时，在坑内滴下吡咯单体的乙醇溶液，并滴下过硫酸铵和2-萘磺酸钠水溶液，进行化学聚合，形成由聚吡咯构成的预涂层。接着将该电极板浸渍于含有吡咯单体和2-萘磺酸钠的乙腈电解液中，使先形成的化学聚合聚吡咯层的一部分与不锈钢线接触成为阳极，另一方面以不锈钢板作为阴极进行电解聚合，形成作为功能性高分子层的电解聚合聚吡咯。此外，取代聚吡咯，使用聚噻吩、聚苯胺也能够得到同等的特性。
(电解电容器的制作方法)
当使用蚀刻后的上述电解电容器用铝蚀刻板制作电解电容器时，如图3所示，在对两面已蚀刻的电解电容器用铝蚀刻板1进行阳极氧化之后，使电解电容器用铝蚀刻板1的侧端面露出，对该芯部2的侧端面4，接合引线等阳极引线6。作为接合方法使用将光斑直径聚焦至不足芯部的厚度的激光熔接5。光斑直径为20～100φ。
接着，在进行了上述阳极氧化的电解电容器用铝蚀刻板1的表面形成上述功能性高分子层，之后在形成了该功能性高分子层的蚀刻板的表面用碳膏、银膏等形成阴极，构成电极体，如上所述地测定ESR(100KHz)、静电电容、泄漏电流。其结果如表2～7所示。
[表2]
  试料编号   合金符号   体积密度   单面的蚀刻层的厚度(μm)   相对于面内总坑数，0.01～1μmφ坑数所占比例(最低值)(％)   ESR(mΩ)   静电电容(μF)   泄漏电流(μA) 备考
2-1 A 1.4 35   50％以下，0.01以下较多 7.2 125 0.35 比较例
  2-2   A   1.1   35   75％   4.6   136   0.19   实施例
  2-3   A   0.9   35   75％   4.3   136   0.18   实施例
  2-4   A   0.8   35   75％   4.4   136   0.14   实施例
  2-5   A   0.7   35   75％   4.1   136   0.15   实施例
2-6 A 0.5 35   35％以下，1μm以上的坑较多 4.2 105 0.14 比较例
[表3]
  试料编号   合金符号   体积密度   单面的蚀刻层厚度(μm)   相对于面内总坑数，0.01～1μmφ坑数所占比例(最低值)(％) ESR(mΩ) 静电电容(μF) 泄漏电流(μA) 备考
3-1 B 1.4 70   50％以下，0.01以下较多 3.7 175 0.32 比较例
  3-2   B   1.1   70   75％   2.8   235   0.15   实施例
  3-3   B   0.9   70   75％   2.7   235   0.14   实施例
  3-4   B   0.8   70   75％   2.7   235   0.13   实施例
  3-5   B   0.7   70   75％   2.5   235   0.13   实施例
3-6 B 0.5 70   35％以下，1μm以上的坑较多 2.5 160 0.11 比较例
[表4]
  试料编号   合金符号   体积密度   单面的蚀刻层厚度(μm)   相对于面内总坑数，0.01～1μmφ坑数所占比例(最低值)(％) ESR(mΩ) 静电电容(μF) 泄漏电流(μA) 备考
4-1 C 1.4 100   50％以下，0.01以下较多 3.4 213 0.38 比较例
  4-2   C   1.1   100   75％   2.5   336   0.17   实施例
  4-3   C   0.9   100   75％   2.3   336   0.10   实施例
  4-4   C   0.8   100   75％   2.3   336   0.10   实施例
  4-5   C   0.7   100   75％   2.2   336   0.08   实施例
4-6 C 0.5 100   35％以下，1μm以上的坑较多 2.2 196 0.07 比较例
[表5]
  试料编号   合金符号   体积密度   单面的蚀刻层厚度(μm)   相对于面内总坑数，0.01～1μmφ坑数所占比例(最低值)(％) ESR(mΩ) 静电电容(μF) 泄漏电流(μA) 备考
5-1 D 1.4 120   50％以下，0.01以下较多 3.3 320 0.38 比较例
  5-2   D   1.1   120   75％   2.4   382   0.17   实施例
  5-3   D   0.9   120   75％   2.3   390   0.15   实施例
  5-4   D   0.8   120   75％   2.3   399   0.11   实施例
  5-5   D   0.7   120   75％   2.3   391   0.08   实施例
5-6 D 0.5 120   35％以下，1μm以上的坑较多 2.2 252 0.08 比较例
[表6]
  试料编号   合金符号   体积密度   单面的蚀刻层厚度(μm)   相对于面内总坑数，0.01～1μmφ坑数所占比例(最低值)(％)   ESR(mΩ)   静电电容(μF)   泄漏电流(μA) 备考
6-1 E 1.4 150   50％以下，0.01以下较多 3.5 340 0.41 比较例
  6-2   E   1.1   150   75％   2.3   453   0.19   实施例
  6-3   E   0.9   150   75％   2.2   453   0.14   实施例
  6-4   E   0.8   150   75％   2.1   453   0.13   实施例
  6-5   E   0.7   150   75％   2.0   453   0.10   实施例
6-6 E 0.5 150   35％以下，1μm以上的坑较多 2.0 288 0.1 比较例
[表7]
  试料编号   合金符号   体积密度   单面的蚀刻层厚度(μm)   相对于面内总坑数，0.01～1μmφ坑数所占比例(最低值)(％) ESR(mΩ) 静电电容(μF) 泄漏电流(μA) 备考
7-1 F 1.4 170   50％以下，0.01以下较多 3.5 379 0.52 比较例
  7-2   F   1.1   170   75％   2.2   482   0.19   实施例
  7-3   F   0.9   170   75％   2.0   483   0.14   实施例
  7-4   F   0.8   170   75％   1.9   481   0.13   实施例
  7-5   F   0.7   170   75％   2.0   480   0.11   实施例
7-6 F 0.5 170   35％以下，1μm以上的坑较多 2.0 312   不足0.10 比较例
如表2～7所示，只要是蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2的电解电容器用铝蚀刻板，就能够得到ESR低、静电电容高、泄漏电流低的电解电容器。而且可知即使蚀刻部位的厚度较厚也同样能够得到ESR低、静电电容高、泄漏电流低的电解电容器，能够减少层叠片数、能够提供扁平的电容器。
另一方面，对于体积密度较大的试料编号2-1、3-1、4-1、5-1、6-1、7-1，可知ESR高、静电电容低、泄漏电流高。另外可知体积密度较小的试料编号2-6、3-6、4-6、5-6、6-6、7-6的静电电容低。
产业上的可利用性
在本发明中，通过使用交流对铝板进行电化学蚀刻，在利用蚀刻对每1平方毫米穿孔数千～数十万的海绵状坑时，使蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2，因为具有足够的表面积、且固体电解质的浸渗性较好，因此在浸渗了固体电解质的情况下也能够得到高静电电容。

Claims (5)

1.一种电解电容器用铝蚀刻板，是对铝板实施使用交流的电化学蚀刻来扩大表面积而形成的，其特征在于：
至少在单面侧具备厚度为100μm以上的蚀刻部位，
该蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2，
对于所述蚀刻部位，在对比距离表面20μm的位置更深的位置的平面截面以图像分析装置进行测定时，在各测定面，换算为圆形时的坑径为0.01～1μmφ的坑数为该测定面内的总坑数的70％以上。
2.如权利要求1所述的电解电容器用铝蚀刻板，其特征在于：
所述蚀刻部位的厚度为120μm以上。
3.一种电解电容器用铝蚀刻板，是对铝板实施使用交流的电化学蚀刻来扩大表面积而形成的，其特征在于：
至少在单面侧具备蚀刻部位，
所述蚀刻部位的体积密度为0.6～1.2，
对于所述蚀刻部位，在对比距离表面20μm的位置更深的位置的平面截面以图像分析装置进行测定时，在各测定面，换算为圆形时的坑径为0.01～1μmφ的坑数为该测定面内的总坑数的70％以上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电解电容器用铝蚀刻板，其特征在于：
作为将功能性高分子用作电解质的铝电解电容器的阳极使用。
5.如权利要求1至3中任一项所述的电解电容器用铝蚀刻板，其特征在于：
在已实施所述电化学蚀刻的面上形成有电介质膜，该电介质膜上形成有功能性高分子层。
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