CN101848411A - 硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜影；步骤E：沉积背板；步骤F：对背板掺杂，使之变成导体；步骤G：刻蚀背板；步骤H：沉积电极，做欧姆接触。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅基电容麦克风的制造方法。
背景技术
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。
而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，相关技术中，MEMS麦克风包括基底、背板和振膜。随着硅基电容麦克风尺寸的减小，传统的硅基电容麦克风的制作方法存在的缺陷是振膜与背板之间的绝缘电阻小。因此，有必要提供一种新型的硅基电容麦克风制作方法。
发明内容
本发明需解决的技术问题是提供一种可以提高麦克风电学性能的硅基电容麦克风的制作方法。
根据上述需解决的技术问题，设计了一种硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：
步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；
步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；
步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；
步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜影；
步骤E：沉积背板；
步骤F：对背板掺杂，使之变成导体；
步骤G：刻蚀背板；
步骤H：沉积电极，做欧姆接触。
优选的，步骤F中，掺杂之前，所述背板为多晶硅背板。
优选的，所述步骤E中，背板的与基底相连的外周设有若干缺口。
本发明还提供了一种硅基电容麦克风，包括基底、与基底相连的背板、与背板相对且设置在背板与基底之间的振膜，所述背板设有与基底相连的下底面、平行于下底面的上底面以及连接上底面和下底面的侧面，在下底面上设有若干缺口，所述缺口自下底面沿侧面向上底面延伸。
本发明的有益效果在于：由于在制作过程中，去掉了金属层，使背板直接掺杂导电，这样就提高了两个电极之间的电阻，做到振膜和背板分离，解决漏电问题，提高了硅基电容麦克风的电学性能。
由于多晶硅背板的分压以及纵向寄生电容的效应，提高了硅基电容麦克风的灵敏度。
本发明提供的方法还避免了多晶硅之间的接触电阻。
附图说明
图1是用本发明提供的方法制成的硅基电容麦克风的立体图；
图2是图1的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
本发明提供的硅电容麦克风1主要用于手机等电子设备中，用于接收声音。
本发明提供的硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：
步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；
步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；
步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；
步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜影；
步骤E：沉积背板；
步骤F：对背板掺杂，使之变成导体；
步骤G：刻蚀背板；
步骤H：沉积电极，做欧姆接触。
步骤F中，掺杂之前，所述背板为多晶硅背板。
所述步骤E中，背板的外周设有若干缺口。
可参见图1-2，在图1所示中，硅基底11上设有振膜13，背板12与振膜13相对设置，振膜13在背板12与基底1之间。
背板12与基底相连的外周设有若干缺口121。振膜13上设有电极131。
由于在制作过程中，去掉了金属层，使背板直接掺杂导电，这样就提高了两个电极之间的电阻，做到振膜和背板分离，解决漏电问题，提高了硅基电容麦克风的电学性能。
由于多晶硅背板的分压以及纵向寄生电容的效应，提高了硅基电容麦克风的灵敏度。
由于背板12与基底相连的外周上设有若干缺口121，更好的提高了硅基电容麦克风的灵敏度。
参见图1，本发明还提供了一种硅基电容麦克风1，包括基底11、与基底相连的背板12、与背板12相对且设置在背板12与基底11之间的振膜13，所述背板12设有与基底11相连的下底面122、平行于下底面122的上底面123以及连接上底面122和下底面123的侧面124，在下底面121上设有若干缺口121，所述缺口121自下底面122沿侧面124向上底面123延伸。
以上所述的仅是本发明的若干实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种硅基电容麦克风的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；
步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；
步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；
步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜影；
步骤E：沉积背板；
步骤F：对背板掺杂，使之变成导体；
步骤G：刻蚀背板；
步骤H：沉积电极，做欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的硅基电容麦克风的制作方法，其特征在于：步骤F中，掺杂之前，所述背板为多晶硅背板。
3.根据权利要求1所述的硅基电容麦克风的制作方法，其特征在于：所述步骤E中，背板与基底相连的外周设有若干缺口。
4.一种硅基电容麦克风，包括基底、与基底相连的背板、与背板相对且设置在背板与基底之间的振膜，其特征在于：所述背板设有与基底相连的下底面、平行于下底面的上底面以及连接上底面和下底面的侧面，在下底面上设有若干缺口，所述缺口自下底面沿侧面向上底面延伸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010193771A CN101848411A (zh) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | 硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法 |
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|---|---|---|---|
| CN201010193771A CN101848411A (zh) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | 硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法 |
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