CN101783396B - 有机电致发光器件、显示器和电子装置 - Google Patents
有机电致发光器件、显示器和电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101783396B CN101783396B CN201010001824.2A CN201010001824A CN101783396B CN 101783396 B CN101783396 B CN 101783396B CN 201010001824 A CN201010001824 A CN 201010001824A CN 101783396 B CN101783396 B CN 101783396B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- cathode
- organic electroluminescent
- substrate
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- -1 nitrogen-containing cyclic compound Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005045 1,10-phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetrakis(4-methylphenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 3,6-dioxocyclohexa-1,4-diene-1,2,4,5-tetracarbonitrile Chemical compound O=C1C(C#N)=C(C#N)C(=O)C(C#N)=C1C#N JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSXHZOTTWSNEHY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(2-cyanoethoxy)-2,2-bis(2-cyanoethoxymethyl)propoxy]propanenitrile Chemical group N#CCCOCC(COCCC#N)(COCCC#N)COCCC#N KSXHZOTTWSNEHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUQICFLRSLDXDP-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-(4-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 RUQICFLRSLDXDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRBCQXWNUUSNLN-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=C(C=CC=C1)N)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=C(C=CC=C1)N)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=C(C=CC=C1)N)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N(C1=C(C=CC=C1)N)C1=CC=CC=C1 ZRBCQXWNUUSNLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N divinylbenzene Substances C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZHUQDVWUXWEZ-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1.C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 KLZHUQDVWUXWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/331—Metal complexes comprising an iron-series metal, e.g. Fe, Co, Ni
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/381—Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了有机电致发光器件、显示器和电子装置。所述有机电致发光器件包括:由杂环化合物构成的电子输运层;由金属材料构成的阴极;以及布置在所述电子输运层与所述阴极之间的过渡金属配合物层。所述显示器和所述电子装置各自包括基板和布置在所述基板上的各个有机电致发光器件。本发明可以提供具有令人满意的寿命特性而不会出现黑斑或亮斑的高可靠性有机电致发光器件。本发明的显示器和电子装置包括能够防止出现黑斑和亮斑的有机电致发光器件,因此提高了长期可靠性和显示特性。
Description
相关申请的交叉参考
本申请包含与2009年1月19日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2009-008708的公开内容相关的主题,在此将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件、显示器和电子装置,具体地,涉及适合于从阴极侧出射光的结构的有机电致发光器件,并涉及包含该有机电致发光器件的各显示器和电子装置。
背景技术
利用有机材料的电致发光特性的有机电致发光器件(organic ELelement)都包括设在阳极与阴极之间且具有发光层(luminous sublayer)的有机发光功能层,并且有机电致发光器件作为能够在低电压直流(DC)驱动状态下实现高亮度发光的发光器件已经引起了极大关注。在有机电致发光器件中,为了提高发光特性和寿命特性,已经对各种不同的层结构进行了研究。
例如,曾经有人提出:通过让电子注入层(electron-injection layer)布置在阴极与有机发光功能层之间的界面处,可以提高电子从阴极到发光层的注入效率。曾经有人提出:能够用于电子注入层的材料示例包括:诸如氟化锂(LiF)等无机材料,以及羟基喹啉锂配合物(lithium quinolinolcomplex,Liq)等(见日本专利申请公开公报No.2007-173779,第0048段)。
此外,在有机电致发光器件中,构成有机发光功能层的有机材料容易与水分和氧气发生反应而劣化。因此,利用由诸如氮化硅等无机材料构成的保护膜对整个有机电致发光器件进行覆盖,来防止水分和氧气的渗透。然而,在这种结构中,在保护膜与有机电致发光器件之间容易产生应力。这会导致由于有机发光功能层从阴极上脱离开而引起的寿命特性劣化,并导致出现诸如黑斑和亮斑等故障。
发明内容
鉴于上述问题,本发明期望提供一种具有令人满意的寿命特性而不会出现黑斑或亮斑的高可靠性有机电致发光器件,并期望提供使用该有机电致发光器件的显示器和电子装置。
本发明的实施例提供了一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括:由杂环化合物构成的电子输运层;阴极,所述阴极具有从所述电子输运层侧依次堆叠作为电子注入层的第一层和作为金属阴极层的第二层而形成的两层结构;以及布置在所述电子输运层与所述阴极之间以能够提高所述电子输运层与所述阴极之间的附着力的过渡金属配合物层。
在具有这种结构的有机电致发光器件中,尽管在电子输运层与阴极之间布置了具有低电子迁移率的过渡金属配合物层,但与不包含过渡金属配合物层的器件相比,其寿命特性是令人满意的,并且防止了黑斑和亮斑的出现。
本发明的实施例提供了显示器和电子装置,它们都包括基板和布置在所述基板上的有机电致发光器件,各个所述有机电致发光器件包括:由杂环化合物构成的电子输运层;阴极,所述阴极具有从所述电子输运层侧依次堆叠作为电子注入层的第一层和作为金属阴极层的第二层而形成的两层结构;以及布置在所述电子输运层与所述阴极之间以能够提高所述电子输运层与所述阴极之间的附着力的过渡金属配合物层。
如上所述,根据本发明,可以得到寿命特性良好并且能够防止出现黑斑和亮斑的高可靠性有机电致发光器件以及包括这种有机电致发光器件的显示器和电子装置。
附图说明
图1是本发明实施例的有机电致发光器件的截面图;
图2是本发明实施例的显示器的示例性电路结构示意图;
图3是本发明实施例的显示器的主要部分的示例性截面图;
图4是应用了本发明实施例的呈密封结构的模块化显示器的平面图;
图5是应用了本发明实施例的电视机的立体图;
图6A和图6B示出了应用了本发明实施例的数码相机,其中图6A是从数码相机的正面看到的该数码相机的立体图,并且图6B是从数码相机的背面看到的该数码相机的立体图;
图7是应用了本发明实施例的笔记本型电脑的立体图;
图8是应用了本发明实施例的摄像机的立体图;
图9A~图9G示出了应用了本发明实施例的诸如手机等便携式终端装置,图9A是该装置处于打开状态时的正视图,图9B是该装置处于打开状态时的侧视图,图9C是该装置处于关闭状态时的正视图,图9D是该装置处于关闭状态时的左视图,图9E是该装置处于关闭状态时的右视图,图9F是该装置处于关闭状态时的俯视图,且图9G是该装置处于关闭状态时的仰视图;以及
图10是示出了与过渡金属配合物层的厚度相对应的电流效率和寿命的曲线图。
具体实施方式
下面按如下顺序来说明本发明的各实施例:
1.有机电致发光器件的结构;
2.显示器的结构;和
3.电子装置的结构。
1.有机电致发光器件的结构
图1是本发明实施例的有机电致发光器件的示意性截面图。该图所示的有机电致发光器件1包括在基板3上依次堆叠的阳极5、有机发光功能层7、过渡金属配合物层9和阴极11。有机发光功能层7例如包括从阳极5侧依次堆叠的空穴注入及输运层7a、发光层7b和电子输运层7c。阴极11被由无机材料构成的保护膜(未图示)覆盖着。
本发明的实施例包括将过渡金属配合物层9布置在由杂环化合物构成的电子输运层7c与由金属材料构成的阴极11之间的特征。在下文中,具有上述堆叠结构的有机电致发光器件1用作顶部出光型器件,在该顶 部出光型器件中,光从与基板3相对的由金属材料构成的阴极11侧出射。下面将从基板3侧起依次说明此情况下各层的细节。
基板
基板3用作在其主表面上布置着有机电致发光器件1的支撑体,并且可以是现有技术的基板。基板的示例包括:由石英、玻璃或树脂制成的膜和板;以及金属箔等。在这些材料中,优选石英和玻璃。在使用树脂的情况下,树脂的示例包括:诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等甲基丙烯酸树脂;诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚萘二甲酸丁二酯(PBN)等聚酯;聚碳酸酯树脂等。必须制造成堆叠结构或者进行表面处理来抑制水分和气体的渗透。此外,在使用从顶部出射光的顶部出光型结构的情况下,基板可以不是透光性的。例如,可以使用Si基板。在使用有源器件的情况下,可以在Si基板上直接制造出该有源器件。
阳极
为了有效地注入空穴,阳极5由具有高功函数(work function)的电极材料在真空状态下形成。该材料的示例包括:诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)等金属;上述金属的合金;上述金属的氧化物或上述合金的氧化物;氧化锡(SnO2)与锑(Sb)的合金;铟锡氧化物(ITO);铟锌氧化物(InZnO);氧化锌(ZnO)与铝(Al)的合金,等等。此外,上述金属的氧化物及上述合金的氧化物可以被单独使用或者可以被组合起来混合使用。
阳极5可以具有包括第一层和布置在该第一层上的第二层的堆叠结构,该第一层具有良好的光反射性,该第二层具有透光性和高的功函数。
第一层优选由主要含有铝的合金构成。该合金的辅助成分可以含有至少一种具有比作为主要成分的铝的功函数相对较低的功函数的元素。优选将镧系元素作为上述辅助成分。尽管镧系元素的功函数不高,但将该元素掺入到阳极中可以提高阳极的稳定性并能够保证阳极的高空穴注入能力。上述辅助成分除了含有镧系元素之外,还可以含有诸如硅(Si)、 铜(Cu)等元素。
当上述辅助成分例如是能够使铝稳定的Nd、Ni或Ti时,构成上述第一层的铝合金层的辅助成分含量优选为总重量的约10wt%以下。在此情况下,在有机电致发光器件的制造过程中能够保持铝合金层的稳定,并维持铝合金层的反射率。此外,可以实现处理精确度和化学稳定性。另外,可以提高阳极5的导电性并且提高阳极5对基板3的附着性。
例如,上述第二层由选自如下材料的至少一种材料构成:铝合金氧化物、氧化钼、氧化锆、氧化铬和氧化钽。例如,在上述第二层是含有作为辅助成分的镧系元素的铝合金氧化物层(包含自然氧化物膜)的情况下,由于镧系元素的氧化物的高透射率,因而该含有镧系元素的第二层具有良好的透射率。因此,可以维持第一层的表面上的高反射率。上述第二层可以是例如由铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)构成的透光性导电层。该导电层能够提高阳极5的电子注入特性。
可以在阳极5的与基板3相邻的那个表面上布置有能够提高阳极5与基板3之间的附着性的导电层。这种导电层的示例可以是例如由ITO或IZO等构成的透光性导电层。
在包含有机电致发光器件1的显示器是有源矩阵显示器的情况下,阳极5被图形化地形成于各像素中并与布置在基板3上的驱动薄膜晶体管连接。此外,阳极5被绝缘膜(未图示)覆盖着,并通过该绝缘膜的开口使各像素中的阳极5的表面暴露出来。
空穴注入及输运层
空穴注入及输运层7a被配置成能够增大向发光层7b的空穴注入效率。空穴注入及输运层7a可以具有将空穴输运层堆叠在空穴注入层上而形成的结构。各个上述空穴输运层和空穴注入层可具有堆叠结构。构成上述空穴注入及输运层的材料示例包括:苯、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、苯并[9,10]菲、氮杂苯并[9,10]菲、四氰基醌二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳烷(polyarylalkane)、苯二胺、芳胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、茋及它们的衍生物;聚硅烷化合物;诸如乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物或苯胺化合物等共轭杂环化合物的单体、低聚体及聚合体。
用于空穴注入及输运层7a的材料的具体示例包括但不限于:α-萘基苯基苯二胺(α-naphthylphenylphenylenediamine)、卟啉、金属四苯基卟啉、金属萘酞菁、六氰基氮杂苯并[9,10]菲、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷(7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane,TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基-对苯二醌二甲烷(7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane,F4-TCNQ)、四氰基4,4′,4″-三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(tetracyano-4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)、N,N,N′,N′-四(对甲苯基)-对苯二胺、N,N,N′,N′-四苯基-4,4′-二氨基联苯、N-苯基咔唑、4-二对甲苯基氨基茋、聚(对亚苯基-1,2-亚乙烯基)(poly(paraphenylenevinylene))、聚(噻吩-1,2-亚乙烯基)(poly(thiophene vinylene))、聚(2,2′-噻吩基吡咯)。
发光层
发光层7b是在向阳极5和阴极11施加电压的期间从阳极5侧注入的空穴与从阴极11侧注入的电子进行复合的区域。在本实施例中,可以使用从现有技术所用的各种材料中选择的任何材料。发光材料的示例可以是具有良好的薄膜形成性的化合物,例如:稠环芳烃;诸如苯并噁唑、苯并噻唑或苯并咪唑等荧光增亮剂(fluorescent brightening agent);金属螯合的8-羟基喹啉酮化合物(metal chelated oxinoid compound);二乙烯基苯化合物(distyrylbenzene compound)等。稠环芳烃的示例包括蒽、萘、菲、芘、 、含有苝骨架的稠环发光物质、含有大约八个稠环的其它稠环发光物质等。特别地,可以使用1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯、4,4′-(2,2-二苯乙烯基)联苯等。上述发光层可以是由从这些发光材料中选择的至少一种材料构成的单层。可替代地,上述发光层可以堆叠在由与上述材料不同的化合物构成的另一发光层上。
电子输运层
电子输运层7c被配置成向发光层7b输送电子。根据本发明的实施例,具体地,电子输运层7c由杂环化合物构成,该杂环化合物是以氮作为构成杂环的杂原子的含氮环状化合物。该含氮环状化合物的示例包括喹啉、菲咯啉、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、苯并咪唑及它们的衍生物 以及它们的金属配合物。
它们的具体示例包括由下面化学式1-1中的化合物(N-1)~化合物(N-13)表示的苯并咪唑衍生物、由下面化学式1-2中的化合物(N-14)表示的三(8-羟基喹啉)铝(简称为“Alq3”)、由下面化学式1-2中的化合物(N-15)~化合物(N-22)表示的1,10-菲咯啉衍生物。此外,它们的示例包括吖啶衍生物和茋衍生物。
过渡金属配合物层
过渡金属配合物层9是由以过渡金属作为中心金属的金属配合物构成的薄膜。该中心金属具有2以上的配位数。能够用作中心金属的过渡金属的示例包括:第一行过渡金属(3d过渡元素)、第二行过渡金属(4d过渡元素)和第三行过渡金属(4f过渡元素)。过渡金属配合物层9优选具有10nm以下的厚度,并且更优选具有2nm以下的厚度。通过布置具有这种小厚度的过渡金属配合物层9来维持从阴极11注入到有机发光功能层7中的电子的数量是很重要的。
构成过渡金属配合物层9的过渡金属配合物的具体示例包括在下面化学式2-1及化学式2-2中说明的化合物(A-1)~化合物(A-19)。
阴极
阴极11由金属材料构成并具有透光性。在有机电致发光器件1具有谐振结构的情况下,阴极11是半反射半透射型的。这使得从发光层7b发出的光以良好的色纯度(color purity)出射。
阴极11可具有从有机发光功能层7侧依次堆叠作为电子注入层的第一层和作为金属阴极层的第二层而形成的两层结构。可替代地,阴极11可具有仅有金属阴极层的单层结构。优选地,从延长寿命的观点来看,阴极11具有仅有金属阴极层的单层结构。
化学式1-1
化学式1-2
化学式2-1
化学式2-2
在布置电子注入层的情况下,该电子注入层由具有低功函数和令人满意的透光性的材料构成。能够使用的材料的示例包括:作为锂(Li)的氧化物的氧化锂(Li2O)、作为铯(Cs)的复合氧化物的碳酸铯(Cs2CO3)、上述氧化物与上述复合氧化物的混合物。然而,构成电子注入层的材料不限于此。该材料的示例还包括具有低功函数的金属,例如:诸如钙(Ca)、钡(Ba)等碱土金属;诸如锂、铯、铟(In)、镁(Mg)等碱金属;以及上述这些金属的氧化物、复合氧化物和氟化物。这些材料可以单独使用或者组合起来作为混合物使用。可替代地,这些材料可以以它们的合金而被使用以获得更高级别的安全性。此外,电子注入层不限于上述无机材料,也可由诸如羟基喹啉锂配合物(Liq)等有机材料构成。
金属阴极层是由诸如MgAg等透光材料构成的薄膜。金属阴极层可以还含有诸如铝喹啉配合物、苯乙烯胺衍生物或者酞菁衍生物等有机发光材料。在此情况下,可将例如由MgAg构成的透光层进一步设置成第三层。
在包括有机电致发光器件1的显示器是有源矩阵显示器的情况下,阴极11在通过有机发光功能层7等与阳极5绝缘的状态下被布置在基板3的上方,并且该阴极11被用作各像素的公共电极。
施加给具有上述结构的有机电致发光器件1的电流通常是直流电流。可替代地,可以使用脉冲电流或者交流电流。在器件不被损坏的前提下,电流和电压值不受具体限制。但是,如果考虑有机电致发光器件的电能消耗和寿命,则期望在较低的电能下有效地发光。
在有机电致发光器件1具有谐振结构的情况下,出射的光在半反射半透射型阴极11的光反射表面与阳极5侧的光反射表面之间进行多重干涉,然后从阴极11侧射出。在此情况下,阳极5侧的光反射表面与阴极11侧的光反射表面之间的光程由所期望射出的光的波长来规定。将各层的厚度确定为能够满足光程。在如上所述的这种顶部出光型有机电致发光器件中,腔体结构的积极使用使得能够提高光向外部出射的效率并使得对发射光谱的控制成为可能。
保护膜
保护膜(未图示)用作钝化层,其被配置成防止由于例如空气中的水分和氧气而导致的有机材料的劣化。保护膜的示例包括:氮化硅(一般为Si3N4);氧化硅(一般为SiO2);氮化硅氧化物(SiNxOy,组分比满足X>Y);氧氮化硅(SiOxNy,组分比满足X>Y);主要由碳构成的无机材料,例如类金刚石碳(DLC)和碳纳米管(CN)等。上述各膜优选具有单层结构或者堆叠结构。在这些材料中,优选使用由氮化物构成的保护膜,这是因为,这种保护膜是致密的并且能够极其有效地阻挡对有机电致发光器件1起负面影响的水分、氧气和其它杂质。
本发明实施例的上述有机电致发光器件1包括将过渡金属配合物层9布置在电子输运层7c与阴极11之间的特征。在具有该结构的有机电致发光器件1中,如下面示例中所述,可以提高寿命特性并能防止黑斑和亮斑的出现。
通常,过渡金属配合物常常被用作空穴输运材料或者发光掺杂剂,并具有低的电子迁移率。然而,过渡金属配合物层9起到被配置成用于 提高由有机材料构成的电子输运层7c与阴极11之间的附着力的层的作用。即使在使用由无机材料构成的保护膜覆盖着器件因而在有机电致发光器件1中产生了内部应力的情况下,过渡金属配合物层9也能够减轻该内部应力。这防止了由金属构成的阴极11与有机发光功能层7脱离开并防止了构成阴极11的金属层中的聚合,从而提高了器件的长期操作稳定性。
过渡金属配合物层9是厚度为10nm以下并优选为2nm以下的薄膜,并被布置成与电子输运层7c相邻,从而防止过多电子的注入,该过多电子的注入会导致有机电致发光器件1中的载波不平衡从而缩短寿命。此外,过渡金属配合物层9的布置防止了电子输运能力的降低,从而在将效率维持为同等水平的情况下延长了寿命。
过渡金属配合物层9具有2以上的配位数并因此具有一定大小的分子量。因此,在操作中不会出现分子扩散,这抑制了操作中状态的变化并延长了寿命。与之对照地,在现有技术的结构中,因为包含被布置在阴极与电子输运层之间的界面处的例如由碱金属或者碱土金属的卤化物或氧化物等构成的层,所以具有低分子量的诸如碱金属等金属容易在操作中扩散,于是,由于操作中状态的变化而导致寿命缩短。
在上述实施例中,本发明已经详细说明了使用顶部出光型有机电致发光器件作为有机电致发光器件的示例。然而,本发明实施例的有机电致发光器件不限于应用到顶部出光型有机电致发光器件,而是可广泛地适用于在阳极5与阴极11之间至少插入有含发光层7b的有机发光功能层7的结构。因此,本发明实施例适用于从基板3依次堆叠有阴极11、过渡金属配合物层9、有机发光功能层7和阳极5的结构,并且也适用于如下的底部出光型(透射型)有机电致发光器件,在该透射型有机电致发光器件中,与基板3相邻的电极(用作阴极或者阳极的下部电极)为透明材料且与基板3相对的电极(用作阴极或阳极的上部电极)由反射材料构成以使光仅从下部电极侧出射。
2.显示器的结构
电路结构
图2是包括有机电致发光器件1的显示器的示例性电路结构示意图。这里,将说明被应用于包括有机电致发光器件1的有源矩阵显示器21的本发明实施例。
如该图所示,在显示器21的基板3上限定了显示区域3a和周边区域3b。在显示区域3a中,以矩阵形式布置有多条扫描线23和多条信号线24。在扫描线与信号线的各交叉部中的相应交叉部处设有相应像素,由此设置成像素阵列部分。在周边区域3b中,设置有被配置成对扫描线23进行驱动的扫描线驱动电路25和被配置成将与亮度信息对应的视频信号(即,输入信号)供给到信号线24的信号线驱动电路26。
布置在扫描线23与信号线24的交叉部处的像素电路各自包括例如开关薄膜晶体管Tr1、驱动薄膜晶体管Tr2、存储电容器Cs和具有参照图1所述的结构的有机电致发光器件1。当扫描线驱动电路25驱动相应的信号线24时,从该相应的信号线24供给过来的通过开关薄膜晶体管Tr1的视频信号被保持在存储电容器Cs内。从驱动薄膜晶体管Tr2将响应于该存储信号的电平的电流供给至有机电致发光器件1,从而使有机电致发光器件1以响应于该电流的亮度发光。值得注意的是,驱动薄膜晶体管Tr2及存储电容器Cs与公共电源线(Vcc)27连接。
上述各像素电路的结构仅仅是个示例。如果需要的话,可在该像素电路中布置有电容元件。此外,可进一步布置有多个晶体管来构成像素电路。另外,可根据像素电路的变型在周边区域3b中布置有必要的驱动电路。
截面结构
图3示出了用于说明显示器21的显示区域的主要部分的截面图的第一示例。
在布置有有机电致发光器件1的基板3的显示区域中,布置了未图示的驱动晶体管、写晶体管、扫描线和信号线(见图2),从而构成像素电 路。布置有未图示的绝缘膜以覆盖这些组件。
作为被覆盖有上述绝缘膜的基板3上的有机电致发光器件1,布置有红光发光元件1R、绿光发光元件1G和蓝光发光元件1B。各有机电致发光元件1R、1G和1B具有从与基板3相对的侧出射光的顶部出光型结构。
对于各元件通过进行图形化来形成各有机电致发光元件1R、1G和1B的阳极5。各阳极5通过覆盖着基板3表面的绝缘膜中所形成的连接孔与相应的像素电路中的驱动晶体管连接。
各阳极5的周边覆盖有绝缘膜13。各阳极5的中心部从绝缘膜13中的开口被暴露出来。并且,在覆盖着相应的阳极5的暴露部分的状态下,通过图形化来形成各个有机发光功能层7。布置有过渡金属配合物层9和阴极11以作为覆盖着这些有机发光功能层7的公共层。如上所述,在覆盖着阴极11的状态下,布置有作为钝化层的保护膜15。可以通过以与有机发光功能层7相同的方式进行图形化来形成过渡金属配合物层9。在有机发光功能层7中,至少发光层7b是通过对各有机电致发光元件1R、1G和1B进行图形化来形成的。其它层可以被形成作为公共层。
构成红光发光元件1R、绿光发光元件1G和蓝光发光元件1B的从阳极5至阴极11的各层能够通过例如真空沉积、离子束方法(EB method)、分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)、溅射或者有机气相沉积(organic vapor phase deposition,OVPD)等干式方法来形成。
除了上述方法之外也可以通过湿式方法来形成有机层。湿式方法的示例包括:诸如激光转移方法(laser transfer method)、旋转涂敷(spincoating)、浸渍(dipping)、刮板法(doctor blade method)、喷出涂敷(ejectioncoating)和喷溅涂敷(spray coating)等涂敷方法;诸如喷墨方法、胶印(offsetprinting)、凸版印刷(letterpress printing)、凹版印刷(intaglio printing)、丝网印刷(screen printing)和微凹版涂敷(microgravure coating)等印刷方法。根据各有机层和各材料的特性,可以组合使用干式方法和湿式方法。
特别地,对于各有机电致发光元件1R、1G和1B通过例如利用掩模的蒸发沉积或者转移方法进行图形化,来形成有机发光功能层7(此外, 还形成过渡金属配合物层9)。
已经对应用于有源矩阵显示器的本发明实施例进行了说明。然而,本发明实施例的显示器也适用于无源矩阵显示器。在此情况下,能够得到与上述优点相同的优点。
上面说明的本发明实施例的显示器包括如图4所示的呈密封结构的模块化显示器。该呈密封结构的模块化显示器的示例是如下的模块化显示器,其中,将密封部分31布置成包围住作为像素阵列部分的显示区域3a,并且使用密封部分31作为粘合剂来粘结由透明玻璃等构成的对向部件(密封基板33)。透明密封基板33可包括滤色器、保护膜和遮光膜。具有显示区域3a并用作模块化显示器的基板3可包括柔性印制电路板(flexible printed-circuit board)35,该柔性印制电路板被配置成从外部将信号供给到显示区域3a(像素阵列部分)或者从显示区域3a(像素阵列部分)信号供给到外部。
显示器21具有本发明实施例的上述结构,从而提高了寿命特性。此外,显示器21包括能够防止出现黑斑和亮斑的有机电致发光器件1,从而提高了长期可靠性和显示特性。
3.电子装置的结构
上述本发明实施例的显示器能够用于图5~图9G所示的各种电子装置的显示单元。例如,该显示器适用于所有领域中用于显示被供给过来的视频信号或者内部生成的视频信号的电子装置的显示单元。这些电子装置的示例包括诸如数码相机、笔记本型电脑、手机和摄像机等便携式终端装置。下面说明应用了本发明实施例的各电子装置的示例。
图5是应用了本发明实施例的电视机的立体图。本应用示例的电视机包括具有前面板102和滤光玻璃103的显示屏单元101。本发明实施例的显示器用作显示屏单元101。
图6A和图6B示出了应用了本发明实施例的数码相机。图6A是从前面看到的数码相机的立体图。图6B是从背面看到的数码相机的立体图。本应用示例的数码相机包括闪光灯发光单元111、显示单元112、菜单开关113和快门按钮114。本发明实施例的显示器用作显示单元112。
图7是应用了本发明实施例的笔记本型电脑的立体图。本应用示例的笔记本型电脑包括主体121、在输入字母等时使用的键盘122和用于显示图像的显示单元123。本发明实施例的显示器用作显示单元123。
图8是应用了本发明实施例的摄像机的立体图。本应用示例的摄像机包括主体131、布置在朝前侧上的物镜132、拍摄开始/停止开关133和显示单元134。本发明实施例的显示器用作显示单元134。
图9A~图9G示出了应用了本发明实施例的诸如手机等便携式终端装置。图9A是该装置在打开状态下的正视图。图9B是该装置在打开状态下的侧视图。图9C是该装置在关闭状态下的正视图。图9D是该装置在关闭状态下的左侧视图。图9E是该装置在关闭状态下的右侧视图。图9F是该装置在关闭状态下的俯视图。图9G是该装置在关闭状态下的仰视图。本应用示例的手机包括上部壳体141、下部壳体142,连接部(这里为铰链)143、显示器144、副显示器145、图片灯146和照相机147。本发明实施例的显示器用于显示器144和副显示器145。
示例
下面参照图1说明用于制造本发明各示例的和各比较例的有机电致发光器件的流程,然后说明这些有机电致发光器件的评估结果。
示例1~示例7和比较例1~比较例9
在由玻璃板形成的尺寸为30mm×30mm的基板3上,依次向上堆叠190nm厚度的Ag合金层(反射层)和用作阳极5的12.5nm厚度的透明ITO电极,从而形成顶部出光型有机电致发光器件的单元。
通过真空沉积方法在0.2~0.4nm/sec的沉积速率下形成12nm厚度m-MTDATA膜作为有机发光功能层7的空穴注入层7a。m-MTDATA表示4,4′,4″-三(苯基-间甲苯氨基)三苯胺(4,4′,4″-tris(phenyl-m-tolylamino)triphenylamine)。
在0.2~0.4nm/sec的沉积速率下形成12nm厚度的α-NPD膜作为空穴输运层7a。α-NPD表示N,N′-二苯基-N,N′-双(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(N,N′-bis(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl[1,1′-biphenyl]-4,4′-diamine)。
形成30nm厚度的如下膜作为发光层7b,该膜包括作为主要材料的9-(2-萘基)-10-[4-(1-萘基)苯基]蒽,并掺杂有作为蓝光发光掺杂剂化合物的5%N,N,N′,N′-四(2-萘基)-4,4′-二氨基二苯乙烯(N,N,N′,N′-tetra(2-naphthyl)-4,4′-diaminostilbene)。
如表1所示,在示例1~示例7和比较例1~比较例9中,电子输运层7c由下列化学式3中的化合物(N-1)~化合物(N-15)构成。过渡金属配合物层9由由下列化学式3中的化合物(A-1)~化合物(A-19)构成。阴极11由该表中所示的材料构成。值得注意的是,在比较例9中构成电子注入层的Liq是下面所示的锂配合物。
表1
化学式3
利用氨(NH3)气和硅烷(SiH4)气体作为源气体(source gas),通过等离子体增强型化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)在阴极11上形成由氮化硅构成的2μm厚度的保护膜。用UV(紫外线)固化树脂将玻璃基板粘贴在保护膜上。因此,制造了顶部出光型有机电致发光器件1。
评估结果
对于示例1~示例7和比较例1~比较例9中制造出来的各有机电致发光器件来说,在以电流密度10mA/cm2进行驱动的期间对驱动电压(V)和电流效率(cd/A)进行测量。在恒定电流、温度50℃、占空比25%、电流密度50mA/cm2下对负载进行驱动。将初始亮度1减少到0.5所花费的时间被测量出来作为寿命(hr)。在50℃的温度和80%的湿度下保存有机电致发光器件达200个小时之后,观测发光表面以测量所出现的黑斑和亮斑(电流集中点)的数量。表1概括了测量结果。
如表1所示,示例1~示例7中的各有机电致发光器件是应用了本发明实施例的有机电致发光器件,并具有将过渡金属配合物层9布置在由杂环化合物构成的电子输运层7c与由金属材料构成的阴极11之间的结构。与之对照地,比较例1~比较例9中的各有机电致发光器件是未应用本发明实施例的有机电致发光器件。
从表1可清楚地看出,在应用了本发明实施例的有机电致发光器件的示例1~示例7的全部有机电致发光器件中,驱动电压和电流效率被维持为与未应用本发明实施例的比较例1~比较例9中驱动电压低且电流效率高的比较例1和比较例2相同的水平。此外,与比较例1~比较例9中的有机电致发光器件相比,示例1~示例7的全部有机电致发光器件具有长寿命,并且防止了黑斑和亮斑的出现。
示例8~示例14
进行与示例1~示例7中一样的流程直至形成发光层7b。形成由下面化学式4中的化合物(N-10)构成的厚度为15nm的电子输运层7c。形成厚度为0.1nm~25nm且由下面化学式4中的化合物(A-3)构成的过渡金属配合物层9。形成阴极11,在该阴极中,在1nm厚度的氟化锂(LiF)膜上 堆叠有12nm厚度的MgAg膜。
化学式4
像示例1~示例7中一样,形成保护膜,并且粘结玻璃基板,从而得到顶部出光型有机电致发光器件1。
对于示例8~示例14中制造出来的各有机电致发光器件,在以电流密度10mA/cm2进行驱动的期间对电流效率(cd/A)进行测量。在恒定电流、温度50℃、占空比25%、电流密度50mA/cm2下对负载进行驱动。将初始亮度1减少到0.5所花费的时间被测量出来作为寿命(hr)。
表2示出了测量结果。图10是示出了与过渡金属配合物层的厚度相关的电流效率与寿命之间关系的曲线图。
表2
如表2和图10的曲线图所示,通过在电子输运层与阴极之间布置有10nm以下厚度的过渡金属配合物层,可以达到1500个小时或者更长的半衰期以及7.0cd/A以上的电流效率。通过2nm以下厚度的过渡金属配合物层,可以达到1700个小时或者更长的半衰期以及8.5cd/A以上的电流效率。
本领域技术人员应当理解,依据设计要求和其他因素,可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
Claims (11)
1.一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括:
基板;
形成在所述基板上的阳极,其中所述阳极由第一层和布置在所述第一层上的第二层形成,所述第一层由主要含有铝的合金构成,当所述第一层中的辅助成分为使铝稳定的材料时,所述辅助成分含量为总重量的10wt%以下;
由杂环化合物构成的电子输运层,所述电子输运层隔着发光层位于所述阳极上方;
阴极,所述阴极具有从所述电子输运层侧依次堆叠作为电子注入层的第一层和作为金属阴极层的第二层而形成的两层结构;以及
布置在所述电子输运层与所述阴极之间以能够提高所述电子输运层与所述阴极之间的附着力的过渡金属配合物层。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,构成所述过渡金属配合物层的过渡金属配合物的中心金属具有2以上的配位数。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其中,所述过渡金属配合物层具有10nm以下的厚度。
4.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其中,所述过渡金属配合物层具有2nm以下的厚度。
5.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其中,构成所述电子输运层的所述杂环化合物是含氮的环状化合物。
6.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其中,构成所述电子输运层的所述杂环化合物是含氮的环状化合物。
7.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其中,所述阴极为半反射半透射型。
8.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其中,所述阴极为半反射半透射型。
9.如权利要求5所述的有机电致发光器件,其中,所述阴极为半反射半透射型。
10.一种显示器,所述显示器包括基板和布置在所述基板上的有机电致发光器件,各个所述有机电致发光器件包括:
基板;
形成在所述基板上的阳极,其中所述阳极由第一层和布置在所述第一层上的第二层形成,所述第一层由主要含有铝的合金构成,当所述第一层中的辅助成分为使铝稳定的材料时,所述辅助成分含量为总重量的10wt%以下;
由杂环化合物构成的电子输运层,所述电子输运层隔着发光层位于所述阳极上方;
阴极,所述阴极具有从所述电子输运层侧依次堆叠作为电子注入层的第一层和作为金属阴极层的第二层而形成的两层结构;以及
布置在所述电子输运层与所述阴极之间以能够提高所述电子输运层与所述阴极之间的附着力的过渡金属配合物层。
11.一种电子装置,所述电子装置包括基板和布置在所述基板上的有机电致发光器件,各个所述有机电致发光器件包括:
基板;
形成在所述基板上的阳极,其中所述阳极由第一层和布置在所述第一层上的第二层形成,所述第一层由主要含有铝的合金构成,当所述第一层中的辅助成分为使铝稳定的材料时,所述辅助成分含量为总重量的10wt%以下;
由杂环化合物构成的电子输运层,所述电子输运层隔着发光层位于所述阳极上方;
阴极,所述阴极具有从所述电子输运层侧依次堆叠作为电子注入层的第一层和作为金属阴极层的第二层而形成的两层结构;以及
布置在所述电子输运层与所述阴极之间的过渡金属配合物层以能够提高所述电子输运层与所述阴极之间的附着力。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009008708A JP2010165977A (ja) | 2009-01-19 | 2009-01-19 | 有機電界発光素子、表示装置、および電子機器 |
JP2009-008708 | 2009-01-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101783396A CN101783396A (zh) | 2010-07-21 |
CN101783396B true CN101783396B (zh) | 2014-01-29 |
Family
ID=42111218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010001824.2A Expired - Fee Related CN101783396B (zh) | 2009-01-19 | 2010-01-14 | 有机电致发光器件、显示器和电子装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8455863B2 (zh) |
EP (1) | EP2209148A3 (zh) |
JP (1) | JP2010165977A (zh) |
KR (1) | KR20100084977A (zh) |
CN (1) | CN101783396B (zh) |
TW (1) | TWI522006B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009034625A1 (de) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
JP5825773B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2015-12-02 | 株式会社Joled | 有機el表示装置およびその製造方法 |
US9349964B2 (en) | 2010-12-24 | 2016-05-24 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting diode and manufacturing method thereof |
KR20150093440A (ko) * | 2014-02-07 | 2015-08-18 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 소자 |
KR20150094127A (ko) * | 2014-02-10 | 2015-08-19 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 소자 |
KR102562894B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2023-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
TWI619703B (zh) * | 2016-05-18 | 2018-04-01 | 昱鐳光電科技股份有限公司 | 用於有機電激發光元件之化合物及使用該化合物之有機電激發光元件 |
CN110845422A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-02-28 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 一种有机发光化合物、其合成方法及有机电致发光器件 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007257897A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | 発光素子の製造方法、発光装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
CN101142170A (zh) * | 2005-03-18 | 2008-03-12 | 出光兴产株式会社 | 芳香族胺衍生物以及应用该衍生物的有机电致发光元件 |
WO2008094399A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Eastman Kodak Company | Oleds having high efficiency and excellent lifetime |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4514841B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2010-07-28 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4683829B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2011-05-18 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
JP4484611B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2010-06-16 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
US20060115673A1 (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-01 | Au Optronics Corporation | Organic light emitting device with improved electrode structure |
US20070252516A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices including organic EIL layer |
KR100730190B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법 |
JP2007287652A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Fujifilm Corp | 発光素子 |
JP4956151B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
US20090179552A1 (en) * | 2007-11-15 | 2009-07-16 | Jesse Froehlich | Light emitting devices and compositions |
-
2009
- 2009-01-19 JP JP2009008708A patent/JP2010165977A/ja active Pending
- 2009-12-24 TW TW098144787A patent/TWI522006B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-01-04 EP EP10000006A patent/EP2209148A3/en not_active Withdrawn
- 2010-01-08 KR KR1020100001579A patent/KR20100084977A/ko not_active Ceased
- 2010-01-12 US US12/686,009 patent/US8455863B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-14 CN CN201010001824.2A patent/CN101783396B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101142170A (zh) * | 2005-03-18 | 2008-03-12 | 出光兴产株式会社 | 芳香族胺衍生物以及应用该衍生物的有机电致发光元件 |
JP2007257897A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | 発光素子の製造方法、発光装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
WO2008094399A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Eastman Kodak Company | Oleds having high efficiency and excellent lifetime |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010165977A (ja) | 2010-07-29 |
EP2209148A3 (en) | 2012-02-29 |
US8455863B2 (en) | 2013-06-04 |
TW201041434A (en) | 2010-11-16 |
TWI522006B (zh) | 2016-02-11 |
CN101783396A (zh) | 2010-07-21 |
US20100181560A1 (en) | 2010-07-22 |
KR20100084977A (ko) | 2010-07-28 |
EP2209148A2 (en) | 2010-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI490210B (zh) | 有機電致發光元件及顯示裝置 | |
JP4736890B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US8889268B2 (en) | Organic electroluminescence element and display device using the same | |
US7906900B2 (en) | White organic light emitting device | |
CN101783396B (zh) | 有机电致发光器件、显示器和电子装置 | |
CN101123838B (zh) | 有机电致发光元件 | |
CN101388438B (zh) | 有机电致发光元件及其制造方法和显示装置及其制造方法 | |
TWI357779B (en) | Using a crystallization-inhibitor in organic elect | |
CN101262044B (zh) | 有机电致发光器件及显示装置 | |
US8119258B2 (en) | White organic light emitting device (OLED) | |
US8829497B2 (en) | Display element, display device, and electronic apparatus | |
JP4544937B2 (ja) | 有機機能素子、有機el素子、有機半導体素子、有機tft素子およびそれらの製造方法 | |
CN101944570A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
JP2004335468A (ja) | Oledデバイスの製造方法 | |
CN103367650A (zh) | 发光元件及显示装置 | |
WO2009142030A1 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
TWI407613B (zh) | 有機電致發光裝置及顯示元件 | |
CN1828968B (zh) | 有机发光装置及其制造方法 | |
TWI391467B (zh) | 有機電致發光裝置及顯示器設備 | |
JP2006079836A (ja) | 有機電界発光素子および表示装置 | |
JP2008192576A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法および表示装置の製造方法 | |
JP2003282266A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPWO2012157575A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP5277319B2 (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
JP2013207167A (ja) | 発光素子及び表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SONY CORP Effective date: 20150811 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150811 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: JOLED Inc. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Sony Corp. |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140129 |