CN101692146B - 画素结构 - Google Patents

Abstract

本发明属于液晶显示器的制造领域，具体是提供一种画素结构，其包含有设置于调整电容与画素电容之间的一静电释放组件，用以释放累积于调整电容与画素电容之间的静电荷，因此可降低显示画面的烧付问题。

Description

画素结构

【技术领域】

本发明关于一种画素结构，尤指一种具有防止静电荷累积功能设计的画素结构，属于液晶显示器制造领域。

【背景技术】

液晶显示器已被广泛地应用在各式电子产品，如手机、个人数字助理(PDA)及笔记型计算机(notebook)等，且随着大小尺寸平面显示器市场的快速发展，具有轻薄短小特性的液晶显示器更是扮演着相当重要的角色，而逐渐取代阴极射线管(CRT)显示器成为市场主流。

请参考图1，图1是传统电容耦合式(Capacitance Coupling Type，C-C type)画素结构的示意图。如图1所示，传统电容耦合式画素结构100主要包含一扫描线102、一数据线104、一共通线106、一薄膜晶体管108、一第一画素电容110、一第二画素电容112、一储存电容114、一调整电容116、一第一区域118以及一第二区域120。其中，第一画素电容110与薄膜晶体管108直接电性连接，而调整电容116设置于薄膜晶体管108与第二画素电容112之间。当电容耦合式画素结构100内的薄膜晶体管108对第一区域118以及第二区域120进行充放电时，由于调整电容116的设置使得第一区域118与第二区域120内具有不同的等效电容效应，使第一区域118与第二区域120内具有不同驱动电压与不同辉度。然而，在组件实际操作上，传统电容耦合式画素结构100的静电荷容易累积于第二画素电容112与调整电容116之间而无法释放而产生静电场，严重时甚至会使液晶受离子污染，而使显示画面有烧付问题。因此，如何发展具有防止静电荷累积功能的画素结构以解决传统电容耦合式技术无法克服的缺点，乃是目前业界努力之重要目标。

【发明内容】

本发明要解决的技术问题，在于提供一种画素结构，以解决传统画素静电荷累积的问题。

为解决上述技术问题，本发明揭露一种画素结构，其包含一扫描线、一数据线、一讯号线、一储存电容包含一第一端与一第二端、一第一薄膜晶体管包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端、一第一画素电容包含一第一端与一第二端、一调整电容包含一第一端与一第二端、一第二画素电容包含一第一端与一第二端，以及一第二薄膜晶体管包含一第二闸极电极端、一第二源极电极端以及一第二汲极电极端。第一闸极电极端与扫描线电性连接，第一源极电极端与数据线电性连接，且第一汲极电极端与储存电容的第一端电性连接。第一画素电容的第一端与第一汲极电极端电性连接，且第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接。调整电容的第一端与第一汲极电极端电性连接。第二画素电容的第一端与调整电容的第二端电性连接，且第二画素电容的第二端与共通电位电性连接。第二源极电极端与调整电容的第二端以及第二画素电容的第一端电性连接，第二闸极电极端与扫描线电性连接，且第二汲极电极端与讯号线电性连接。

为解决上述技术问题，本发明还揭露一种画素结构，其包含一扫描线、一数据线、一第一振荡讯号线、一第二振荡讯号线、一第一区域、一第二区域、一第一储存电容、一第一薄膜晶体管、一第一画素电容、一第一调整电容、一第二画素电容、一第二薄膜晶体管、一第二储存电容、一第三薄膜晶体管、一第三画素电容、一第二调整电容、一第四画素电容，以及一第四薄膜晶体管。所述第一振荡讯号线，具有一第一时变周期性讯号。所述第二振荡讯号线，具有一第二时变周期性讯号，且第一时变周期性讯号不同于第二时变周期性讯号。所述第一区域，位于第一振荡讯号线与扫描线之间。所述第二区域，位于第二振荡讯号线与扫描线之间。所述第一储存电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，且第一储存电容的第二端与第一振荡讯号线电性连接。所述第一薄膜晶体管，位于第一区域，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中第一闸极电极端与扫描线电性连接，第一源极电极端与数据线电性连接，且第一汲极电极端与第一储存电容的第一端电性连接。所述第一画素电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中第一画素电容的第一端与第一汲极电极端电性连接，且第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接。第一调整电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中第一调整电容的第一端与第一汲极电极端电性连接。第二画素电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中第二画素电容的第一端与第一调整电容之第二端电性连接，且第二画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述第二薄膜晶体管，位于第一区域，包含一第二闸极电极端、一第二源极电极端以及一第二汲极电极端，其中第二源极电极端与第一调整电容的第二端以及第二画素电容的第一端电性连接，第二闸极电极端与扫描线电性连接，且第二汲极电极端与第一振荡讯线电性连接。所述第二储存电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，且第二储存电容的第二端与第二振荡讯号线电性连接。所述第三薄膜晶体管，位于第二区域，包含一第三闸极电极端、一第三源极电极端以及一第三汲极电极端，其中第三闸极电极端与扫描线电性连接，第三源极电极端与数据线电性连接，且第三汲极电极端与第二储存电容的第一端电性连接。所述第三画素电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第三画素电容的第一端与第三汲极电极端电性连接，且第三画素电容的第二端与一共通电位电性连接。所述第二调整电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第二调整电容的第一端与第三汲极电极端电性连接。所述第四画素电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第四画素电容的第一端与第二调整电容的第二端电性连接，且第四画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述第四薄膜晶体管，位于第二区域，包含一第四闸极电极端、一第四源极电极端以及一第四汲极电极端，其中第四源极电极端与第二调整电容的第二端以及第四画素电容的第一端电性连接，第四闸极电极端与扫描线电性连接，且第四汲极电极端与第二振荡讯线电性连接。

为解决上述技术问题，本发明再揭露一种画素结构，其包含一扫描线、一数据线、一讯号线、一储存电容、一第一薄膜晶体管、一第一画素电容、一调整电容、一第二画素电容，以及一双向触发开关。所述储存电容，包含一第一端与一第二端。所述第一薄膜晶体管，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中第一闸极电极端与扫描线电性连接，第一源极电极端与数据线电性连接，且第一汲极电极端与储存电容的第一端电性连接。第一画素电容，包含一第一端与一第二端，其中第一画素电容的第一端与第一汲极电极端电性连接，且第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接。所述调整电容，包含一第一端与一第二端，其中调整电容的第一端与第一汲极电极端电性连接。所述第二画素电容，包含一第一端与一第二端，其中第二画素电容的第一端与调整电容的第二端电性连接，且第二画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述双向触发开关，包含一第一端与一第二端，其中双向触发开关的第一端与调整电容的第二端以及第二画素电容的第一端电性连接。

为解决上述技术问题，本发明又揭露一种画素结构，其包含一扫描线、一数据线、一第一振荡讯号线、一第二振荡讯号线、一第一区域、一第二区域、一第一储存电容、一第一薄膜晶体管、一第一画素电容、一第一调整电容、一第一调整电容、一第二画素电容、一第一双向触发开关、一第二储存电容、一第三薄膜晶体管、一第三画素电容、一第二调整电容、一第四画素电容，以及一第二双向触发开关。所述第一振荡讯号线，具有一第一时变周期性讯号。所述第二振荡讯号线，具有一第二时变周期性讯号，且第一时变周期性讯号不同于第二时变周期性讯号。所述第一区域，位于第一振荡讯号线与扫描线之间。所述第二区域，位于第二振荡讯号线与扫描线之间。所述第一储存电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，且第一储存电容的第二端与第一振荡讯号线电性连接。所述第一薄膜晶体管，位于第一区域，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中第一闸极电极端与扫描线电性连接，第一源极电极端与数据线电性连接，且第一汲极电极端与第一储存电容的第一端电性连接。所述第一画素电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中第一画素电容的第一端与第一汲极电极端电性连接，且第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接。所述第一调整电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中第一调整电容的第一端与第一汲极电极端电性连接。所述第二画素电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中第二画素电容的第一端与第一调整电容的第二端电性连接，且第二画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述第一双向触发开关，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中第一双向触发开关的第一端与第一调整电容的第二端以及第二画素电容的第一端电性连接。第二储存电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，且第二储存电容的第二端与第二振荡讯号线电性连接。所述第三薄膜晶体管，位于第二区域，包含一第三闸极电极端、一第三源极电极端以及一第三汲极电极端，其中第三闸极电极端与扫描线电性连接，第三源极电极端与数据线电性连接，且第三汲极电极端与第二储存电容的第一端电性连接。所述第三画素电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第三画素电容的第一端与第三汲极电极端电性连接，且第三画素电容的第二端与一共通电位电性连接。所述第二调整电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第二调整电容的第一端与第三汲极电极端电性连接。所述第四画素电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第四画素电容的第一端与第二调整电容的第二端电性连接，且第四画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述第二双向触发开关，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第二双向触发开关的第一端与第二调整电容的第二端以及第四画素电容的第一端电性连接。

本发明的优点在于：本发明画素结构设置调整电容，以于画素结构内各不同位置形成不同等效电容，使画素结构内各位置呈现不同辉度，以展现更优质的广视角显示技术。此外，本发明画素结构利用静电释放组件释放累积于调整电容与画素电容之间的静电荷，因此可降低显示画面的烧付问题。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1为传统电容耦合式画素的结构示意图。

图2为本发明画素结构的第一较佳实施例等效电路示意图。

图3绘示了图2的画素结构的结构剖面示意图。

图4为本发明画素结构的第二较佳实施例等效电路示意图。

图5为本发明画素结构的第三较佳实施例等效电路示意图。

图6为本发明画素结构的第四较佳实施例等效电路示意图。

图7为图6本发明画素结构的第四较佳实施例部份结构剖面示意图。

图8绘示了图7双向触发开关的俯视图。

图9为本发明画素结构第五较佳实施例等效电路示意图。

图10为本发明画素结构第六较佳实施例等效电路示意图。

图11为本发明画素结构第七较佳实施例等效电路示意图。

【具体实施方式】

请参考图2与图3。图2为本发明画素结构的第一较佳实施例等效电路示意图，图3绘示了图2的画素结构的结构剖面示意图。如图2所示，本发明画素结构200包含一扫描线201、一数据线202、一讯号线204、一储存电容206、一第一薄膜晶体管208、一第一画素电容210、一调整电容212、一第二画素电容214，以及一第二薄膜晶体管216。储存电容206包含一第一端206a与一第二端206b；第一薄膜晶体管208包含一第一闸极电极端208a、一第一源极电极端208b以及一第一汲极电极端208c，其中第一闸极电极端208a与扫描线201电性连接，第一源极电极端208b与数据线202电性连接，且第一汲极电极端208c与储存电容206的第一端206a电性连接。第一画素电容210，包含一第一端210a与一第二端210b，其中第一画素电容210的第一端210a与第一汲极电极端208c电性连接，且第一画素电容210的第二端210b与讯号线204电性连接。调整电容212包含一第一端212a与一第二端212b，其中调整电容212的第一端212a与第一汲极电极端208c电性连接。第二画素电容214，包含一第一端214a与一第二端214b，其中第二画素电容214的第一端214a与调整电容212的第二端212b电性连接，且第二画素电容214的第二端214b与讯号线204电性连接。第二薄膜晶体管216，包含一第二闸极电极端216a、一第二源极电极端216b以及一第二汲极电极端216c，其中第二源极电极端216b与调整电容212的第二端212b以及第二画素电容214的第一端214a电性连接，第二闸极电极端216a与扫描线201电性连接，且第二汲极电极端216c与讯号线204电性连接。在本实施例中，讯号线204为一共通线，且共通线具有一共通电位，但不以此为限，例如讯号线204亦可以是一振荡讯号线而具有一时变周期性讯号。同样地，储存电容206的第二端206b与共通线电性连接，但不以此为限，亦可与例如是振荡讯号线电性连接。

另外，如图3所示，本实施例的画素结构200包含一薄膜晶体管基板(或称为数组基板)300、一液晶层301，以及一透明导电膜基板(或称为彩色滤光片基板)302。薄膜晶体管基板300上设置有一第一薄膜晶体管208、一讯号线204、一金属电极304、一第二薄膜晶体管216、一介电层306、一绝缘保护层308，以及一第一透明导电层310。在本实施例中，第一透明导电层310为画素电极，第一透明导电层310包含有一第一部分310a与一第二部分310b，且第一部分310a与第二部分310b彼此电性分离。第一透明导电层310的第一部分310a与第一薄膜晶体管208的第一汲极电极端208c电性连接，由此可接收第一汲极电极208c传送的数据讯号。另一方面，第一透明导电层310的第一部分310a与金属电极304电性连接，而第一透明导电层310的第二部分310b与金属电极304耦合，且该第二部分310b还与第二薄膜晶体管216的第二源极电极端216b电性连接。另外，透明导电膜基板302具有一第二透明导电层312。值得说明的是，第一透明导电层310第一部分310a与讯号线204形成储存电容206，第一透明导电层310第二部分310b与金属电极304形成调整电容212，且该第一部分310a还与第二透明导电层312形成第一画素电容210。此外，第一透明导电层310的第二部分310b则与第二透明导电层312形成第二画素电容214。

在本实施例中，第一薄膜晶体管208作为画素结构200的开关组件，其可直接对储存电容206、第一画素电容210与调整电容212进行充电，而第一薄膜晶体管208可透过调整电容212与第二画素电容214的耦合而对第二画素电容214进行充电。由上述配置，第一画素电容210与第二画素电容214可具有不同的电容值，使画素结构200内各位置呈现不同辉度以实现广视角显示效果。本实施例的第二薄膜晶体管216作为静电释放组件，可将于充放电过程中累积于调整电容212的第二端212b与第二画素电容214的第一端214a之间过多的静电荷以周期性开关动作引导进入讯号线204而移除，大幅降低画素结构200内因累积过多静电荷所造成的显示画面烧付风险。在本实施例中，本发明第一薄膜晶体管208作为驱动画素的开关组件，且第二薄膜晶体管216作为静电释放开关，其负责将静电荷导引散去，故较佳的，本发明画素结构设计考虑上应满足第一薄膜晶体管208的信道宽度与信道长度之比值大于第二薄膜晶体管216的信道宽度与信道长度之比值的条件。换句话说，第一薄膜晶体管208需具有比第二薄膜晶体管216高的导通工作电流。

请参考图4与图5。图4为本发明画素结构的第二较佳实施例等效电路示意图。图5为本发明画素结构的第三较佳实施例等效电路示意图。由于本发明画素结构的第三较佳实施例是由画素结构第二较佳实施例的主架构进行调整，故以下先叙明图4再比较说明图5。如图4所示，本发明画素结构400包含一扫描线401、一数据线402、一第一振荡讯号线403a、一第二振荡讯号线403b、一第一共通线404a、一第二共通线404b、一第一区域430、一第二区域432、一第一储存电容406、一第一薄膜晶体管408、一第一画素电容410、一第一调整电容412、一第二画素电容414、一第二薄膜晶体管416、一第二储存电容418、一第三薄膜晶体管420、一第三画素电容422、一第二调整电容424、一第四画素电容426，以及一第四薄膜晶体管428。其中，第一区域430，位于第一振荡讯号线403a与扫描线401之间，且第二区域432，位于第二振荡讯号线403b与扫描线401之间。第一储存电容406、第一薄膜晶体管408、第一画素电容410、第一调整电容412、第二画素电容414以及第二薄膜晶体管416位于第一区域430。第二储存电容418、第三薄膜晶体管420、第三画素电容422、第二调整电容424、第四画素电容426以及第四薄膜晶体管428位于第二区域432。

关于第一区域430内部组件配置与连接方式说明如下。第一储存电容406包含一第一端406a与一第二端406b，且第一储存电容406的第二端406b与第一振荡讯号线403a电性连接，使第一振荡讯号线403a可对第一储存电容406进行讯号调变。第一薄膜晶体管408包含一第一闸极电极端408a、一第一源极电极端408b以及一第一汲极电极端408c，其中第一闸极电极端408a与扫描线401电性连接，第一源极电极端408b与数据线402电性连接，且第一汲极电极端408c与第一储存电容406的第一端406a电性连接。第一画素电容410包含一第一端410a与一第二端410b，其中第一画素电容410的第一端410a与第一汲极电极端408c电性连接，且第一画素电容410的第二端410b与第一共通线404a电性连接，并可接收第一共通线404a的共通电位。第一调整电容412包含一第一端412a与一第二端412b，其中第一调整电容412的第一端412a与第一汲极电极端408c电性连接；第二画素电容414包含一第一端414a与一第二端414b，其中第二画素电容414的第一端414a与第一调整电容412的第二端412b电性连接，且第二画素电容414的第二端414b与第一共通线404a的共通电位电性连接。第二薄膜晶体管416包含一第二闸极电极端416a、一第二源极电极端416b以及一第二汲极电极端416c，其中第二源极电极端416b与第一调整电容412的第二端412b以及第二画素电容414的第一端414a电性连接，第二闸极电极端416a与扫描线401电性连接，且第二汲极电极端416c与第一振荡讯号线电性403a连接。另外，关于第二区域432内部组件配置与连接方式，与第一区域430类似，因此请参考上文的叙述并配合参考图4，不再赘述。

本发明画素结构将振荡讯号线整合于电容耦合式画素结构内。其中，第一振荡讯号线403a具有一第一时变周期性讯号，第二振荡讯号线403b具有一第二时变周期性讯号，且第一时变周期性讯号不同于第二时变周期性讯号，举例来说，第一时变周期性讯号与第二时变周期性讯号可以具有不同相位、频率、波形以及振福，使第一区域430与第二区域432的第一储存电容408以及第二储存电容418因接收讯号不同而使得储存电容值有所不同，而进一步使第一画素电容410与第三画素电容422具有不同液晶电容值，以使得第一区域430与第二区域432实质上可具有不同辉度。又，第一时变周期性讯号的相位与第二时变周期性讯号的相位相反以便使第一区域430与第二区域432的辉度产生差异，但不以此为限，且第一时变周期性讯号与第二时变周期性讯号包含直流讯号与交流讯号。在本实施例中，本发明薄膜晶体管设置考虑上需满足第一及第三薄膜晶体管408、420的信道宽度与信道长度之比值分别大于第二及第四薄膜晶体管416、428的信道宽度与信道长度之比值。换句话说，即第一及第三薄膜晶体管408、420分别具有比第二及第四薄膜晶体管416、428较高的导通工作电流。在本实施例中，值得注意的是，为了使各位置的等效电容弹性调整，第一储存电容406、第二储存电容418、一第一调整电容412、一第二调整电容424、第一画素电容410、第二画素电容414、一第三画素电容422、一第二调整电容424，以及一第四画素电容426可以分别具有不同电容值，但不以为限。

请再比较图4以及图5，其中图5第三较佳实施例具有与图4第二较佳实施例不同处在于第二薄膜晶体管416的第二汲极电极端416c与第一共通线404a的共通电位电性连接，且第四薄膜晶体管428的第二汲极电极端428c与第二共通线404b的共通电位电性连接。

请参考图6与图7。图6为本发明画素结构的第四较佳实施例等效电路示意图。图7为图6本发明画素结构的第四较佳实施例部份结构剖面示意图。如图6所示，本发明画素结构600包含一扫描线601、一数据线602、一讯号线604、一储存电容606、一第一薄膜晶体管608、一第一画素电容610、一调整电容612、一第二画素电容614，以及一双向触发开关616。储存电容606包含一第一端606a与一第二端606b。第一薄膜晶体管608包含一第一闸极电极端608a、一第一源极电极端608b以及一第一汲极电极端608c，其中第一闸极电极端608a与扫描线601电性连接，第一源极电极端608b与数据线602电性连接，且第一汲极电极端608c与储存电容606的第一端606a电性连接。第一画素电容610，包含一第一端610a与一第二端610b，其中第一画素电容610的第一端610a与第一汲极电极端608c电性连接，且第一画素电容610的第二端610b与讯号线604电性连接。调整电容612，包含一第一端612a与一第二端612b，其中调整电容612的第一端612a与第一汲极电极端608c电性连接；第二画素电容614，包含一第一端614a与一第二端614b，其中第二画素电容614的第一端614a与调整电容612的第二端612b电性连接，且第二画素电容614的第二端614b与讯号线604电性连接。双向触发开关616作为静电释放组件，包含一第一端616a与一第二端616b，其中双向触发开关616的第一端616a与调整电容612的第二端612b以及第二画素电容614的第一端614a电性连接，且双向触发开关616的第二端616b与讯号线604电性连接。上述描述是针对画素结构内各组件间的相互配置关系作说明，但值得注意的是，讯号线604为一共通线具有共通电位，储存电容606的第二端606b与共通线电性连接，但不以此为限，举例来说，讯号线604亦可为一振荡讯号线，故储存电容606的第二端606b亦可与振荡讯号线电性连接，且此振荡讯号线具有一时变周期性讯号。又，此时变周期性讯号包含直流讯号与交流讯号。请参考图7。图7是依据图6第四较佳实施例所绘示的画素结构剖面示意图。为了清楚对照本发明较佳实施例的等效电路与部份结构剖面的关系，请一并参照图6，如图7所示，本发明素结构包含一薄膜晶体管基板700、一液晶层701，以及一透明导电膜基板702。其中，薄膜晶体管基板700上设置一第一薄膜晶体管608、一讯号线604、一金属电极704、一双向触发开关616、一介电层706、一绝缘保护层708，以及一第一透明导电层710。在本实施例中，第一透明导电层710包含有一第一部分710a与一第二部分710b，且第一部分710a与第二部分710b彼此电性分离。第一透明导电层710的第一部分710a与第一薄膜晶体管608的第一汲极电极端608c与金属电极704电性连接，而第一透明导电层710的第一部分710b则与双向触发开关616的第一端616a电性连接。又，透明导电膜基板702具有一第二透明导电层712。值得说明的是，第一透明导电层710的第一部分710a与讯号线604形成一储存电容606，而第一透明导电层710的第二部分710b及金属电极704间形成一调整电容612。同样地，第一透明导电层710的第一部分710a与第二透明导电层712间形成一第一画素电容610，而第一透明导电层710的第二部分710b与第二透明导电层712间形成一第二画素电容614。

不同于前述实施例，本实施例是以双向触发开关作为静电释放组件，因此以下针对本实施例的双向触发开关进行说明。请再参考图8。图8绘示了图7的双向触发开关616的俯视示意图。如图8所示，双向触发开关800包含二闸极电极802、804设置于薄膜晶体管基板700上、一半导体层806设置于二闸极电极802、804上、二汲极电极808、810设置于半导体层806上，以及设置一透明导电层812并通过孔洞制程使各汲极电极808、810分别与二闸极电极802、804电性连接。在本实施例中，双向二极管开关制程包含五道光罩，乃利用制作两薄膜晶体管开关架构来实现，但不以为限。

请参考图9至图11。图9为本发明画素结构第五较佳实施例等效电路示意图。图10为本发明画素结构第六较佳实施例等效电路示意图。图11为本发明画素结构第七较佳实施例等效电路示意图。由于本发明画素结构第六以及第七较佳实施例由画素结构第五较佳实施例的主架构进行调整，故以下先叙明图9再比较图10以及图11，如图9所示，本发明画素结构900包含一扫描线901、一数据线902、一第一振荡讯号线903a、一第二振荡讯号线903b、一第一共通线904a、一第二共通线904b、一第一区域930、一第二区域932、一第一储存电容906、一第一薄膜晶体管908、一第一画素电容910、一第一调整电容912、一第二画素电容914、一第一双向触发开关916、一第二储存电容918、一第三薄膜晶体管920、一第三画素电容922、一第二调整电容924、一第四画素电容926，以及一第二双向触发开关928。其中，第一区域930，位于第一振荡讯号线903a与扫描线901之间，且第二区域932，位于第二振荡讯号线903b与扫描线901之间。

关于第一区域930内部组件配置与连接方式说明如下。第一储存电容906包含一第一端906a与一第二端906b，且第一储存电容906的第二端906b与第一振荡讯号线903a电性连接，藉此使第一振荡讯号线903a可对第一储存电容906进行讯号调变。第一薄膜晶体管908包含一第一闸极电极端908a、一第一源极电极端908b以及一第一汲极电极端908c，其中第一闸极电极端908a与扫描线901电性连接，第一源极电极端908b与数据线902电性连接，且第一汲极电极端908c与第一储存电容906的第一端906a电性连接。第一画素电容910包含一第一端910a与一第二端910b，其中第一画素电容910第一端910a与第一汲极电极端908c电性连接，且第一画素电容910的第二端910b与一共通电位电性连接。第一调整电容912包含一第一端912a与一第二端912b，其中第一调整电容912的第一端912a与第一汲极电极端908c电性连接。第二画素电容914包含一第一端914a与一第二端914b，其中第二画素电容914的第一端914a与第一调整电容912的第二端912b电性连接，且第二画素电容914的第二端914b与共通电位电性连接。第一双向触发开关916包含一第一端916a以及一第二端916b，其中第一端916a与第一调整电容912的第二端912b以及第二画素电容914的第一端914a电性连接，第二端916a与第一振荡讯号线903a电性连接。关于第二区域932内部组件配置与连接方式，与第一区域930类似，因此请参考上文的叙述并配合参考第9图，在此不再赘述。

值得说明的是，在本实施例中，第一振荡讯号线903a具有一第一时变周期性讯号，第二振荡讯号线903b具有一第二时变周期性讯号，且第一时变周期性讯号之相位、频率、波形以及振福可不同于第二时变周期性讯号，但不以此为限。此外，第一时变周期性讯号之相位与第二时变周期性讯号之相位相反，但不以此为限，且第一时变周期性讯号与第二时变周期性讯号包含直流讯号与交流讯号。请先比较图9以及图10，其中图10第六较佳实施例与图9第五较佳实施例不同处在于本实施例画素结构1000的第一双向触发开关916的第二端916b与第一共通线904a电性连接的共通电位电性连接，且第二双向触发开关928的第二端928b与第二共通线904b的共通电位电性连接。最后请再比较图9以及图11，其中图11第七较佳实施例与图9第五较佳实施例不同处在于本实施例画素结构1100的第一双向触发开关916的第二端916b与第一汲极电极端908c电性连接，且第二双向触发开关928的第二端928b与第三汲极电极端920c电性连接。

综上所述，本发明画素结构利用设置静电释放组件释放累积于电容耦合式画素的调整电容与画素电容之间的静电荷，以降低显示画面的烧付问题。

Claims (10)

1.一种画素结构，包括一扫描线、一储存电容、一第一画素电容、一调整电容、一第二画素电容，其特征在于：还包括一资料线、一讯号线、一第一薄膜晶体管以及一第二薄膜晶体管；其中，

所述储存电容，包含一第一端与一第二端；

所述第一薄膜晶体管，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中该第一闸极电极端与所述扫描线电性连接，该第一源极电极端与所述数据线电性连接，且该第一汲极电极端与所述储存电容的第一端电性连接；

所述第一画素电容，包含一第一端与一第二端，其中该第一画素电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接，且该第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接；

所述调整电容，包含一第一端与一第二端，其中该调整电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接；

所述第二画素电容，包含一第一端与一第二端，其中该第二画素电容的第一端与所述调整电容的第二端电性连接，且该第二画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；

所述第二薄膜晶体管，包含一第二闸极电极端、一第二源极电极端以及一第二汲极电极端，其中第二源极电极端与所述调整电容的第二端以及所述第二画素电容的第一端电性连接，该第二闸极电极端与所述扫描线电性连接，且该第二汲极电极端与所述讯号线电性连接。

2.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述讯号线为一共通线，且该共通线具有所述共通电位。

3.如权利要求2所述的画素结构，其特征在于：所述储存电容的第二端与所述共通线电性连接。

4.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述第一薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值大于所述第二薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值。

5.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述第一薄膜晶体管具有比所述第二薄膜晶体管较高的导通工作电流。

6.一种画素结构，包括一扫描线和一资料线；其特征在于：还包括

一第一振荡讯号线，具有一第一时变周期性讯号；

一第二振荡讯号线，具有一第二时变周期性讯号，且所述第一时变周期性讯号不同于该第二时变周期性讯号；

一第一区域，位于所述第一振荡讯号线与所述扫描线之间；

一第二区域，位于所述第二振荡讯号线与所述扫描线之间；

一第一储存电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，且该第一储存电容的第二端与所述第一振荡讯号线电性连接；

一第一薄膜晶体管，位于所述第一区域，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中该第一闸极电极端与所述扫描线电性连接，该第一源极电极端与所述数据线电性连接，且该第一汲极电极端与所述第一储存电容的第一端电性连接；

一第一画素电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，其中该第一画素电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接，且该第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接；

一第一调整电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，其中该第一调整电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接；

一第二画素电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，其中该第二画素电容的第一端与所述第一调整电容的第二端电性连接，且该第二画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；

一第二薄膜晶体管，位于所述第一区域，包含一第二闸极电极端、一第二源极电极端以及一第二汲极电极端，其中第二源极电极端与所述第一调整电容的第二端以及所述第二画素电容的第一端电性连接，该第二闸极电极端与所述扫描线电性连接，且该第二汲极电极端与所述第一振荡讯线电性连接；

一第二储存电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，且该第二储存电容的第二端与所述第二振荡讯号线电性连接；

一第三薄膜晶体管，位于所述第二区域，包含一第三闸极电极端、一第三源极电极端以及一第三汲极电极端，其中该第三闸极电极端与所述扫描线电性连接，该第三源极电极端与所述数据线电性连接，且该第三汲极电极端与所述第二储存电容的第一端电性连接；

一第三画素电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，其中该第三画素电容的第一端与所述第三汲极电极端电性连接，且该第三画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；

一第二调整电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，其中该第二调整电容的第一端与所述第三汲极电极端电性连接；

一第四画素电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，其中该第四画素电容的第一端与所述第二调整电容的第二端电性连接，且该第四画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；以及

一第四薄膜晶体管，位于所述第二区域，包含一第四闸极电极端、一第四源极电极端以及一第四汲极电极端，其中该第四源极电极端与所述第二调整电容的第二端以及所述第四画素电容的第一端电性连接，该第四闸极电极端与所述扫描线电性连接，且该第四汲极电极端与所述第二振荡讯线电性连接。

7.如权利要求6所述的画素结构，其特征在于：所述第一时变周期性讯号的相位与所述第二时变周期性讯号的相位相反。

8.如权利要求6所述的画素结构，其特征在于：所述第一时变周期性讯号与所述第二时变周期性讯号包含直流讯号与交流讯号。

9.如权利要求6所述的画素结构，其特征在于：所述第一薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值大于所述第二薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值，且所述第三薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值大于所述第四薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值。

10.如权利要求6所述的画素结构，其特征在于：所述第一薄膜晶体管具有比所述第二薄膜晶体管较高的导通工作电流，且所述第三薄膜晶体管具有比所述第四薄膜晶体管较高的导通工作电流。

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