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CN101659440A - 二氧化锡纳米线的制备方法 - Google Patents

二氧化锡纳米线的制备方法 Download PDF

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CN101659440A CN200910196531A CN200910196531A CN101659440A CN 101659440 A CN101659440 A CN 101659440A CN 200910196531 A CN200910196531 A CN 200910196531A CN 200910196531 A CN200910196531 A CN 200910196531A CN 101659440 A CN101659440 A CN 101659440A
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CN200910196531A
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张海娇
谈志金
刘刚
焦正
何青泉
张春蕾
王丛
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SHANGHAI UNIVERSITY
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SHANGHAI UNIVERSITY
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Abstract

本发明涉及一种二氧化锡纳米线的制备方法,属无机化学和材料合成技术领域。本发明的特点主要是:采用二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和介孔二氧化硅(SBA-15)为原料,两者的用量按其摩尔质量比即SnO2∶SiO2=1∶(0.8~2.0)为计量基准;先按已知现有技术方法制取介孔二氧化硅(SBA-15),该物质作为模板剂参与反应;将SnCl2·2H2O的盐酸水溶液与介孔二氧化硅(SBA-15)混合,于100℃下加热,然后在500~800℃下焙烧2~5小时;得到SnO2/SBA-15粉末;然后放于HF酸溶液中搅拌过夜,除去SiO2;经离心分离、洗涤,最终得到纯相SnO2纳米线。本发明工艺简单,重复性好。所得产物SnO2纳米线的直径为7~8nm。

Description

二氧化锡纳米线的制备方法
技术领域
本发明涉及一种二氧化锡纳米线的制备方法,属无机化学和材料合成技术领域。
背景技术
二氧化锡(SnO2)是一种良好的n型半导体材料,具有广泛的带隙,在室温条件下其带隙为Eg=3.6eV。此外,它还具有可靠性高、物理化学性质稳定、对气体检测可逆、成本低廉等优点,因此,被广泛的用于气敏性传感器、太阳能电池、催化剂、透明导电电极等领域。目前,人们已对SnO2及其掺杂其它物质的SnO2纳米颗粒和薄膜相关的物理、光学及其电化学性质进行了广泛的研究。
近年来,随着纳米科技的发展,研究者们已经制备出了多种一维的SnO2纳米材料,例如纳米线、纳米棒,纳米带,纳米管等。其中SnO2纳米线由于其独特的形貌以及直径和长短的可控性,引起了人们了极大的兴趣。目前文献报道关于制备SnO2纳米线的方法主要有:高温化学蒸汽沉积法(800-1200℃),激光消融法、液相法、模板法以及碳热还原法等。以上这些制备方法不可避免地都存在着一些问题,例如高温化学蒸汽沉积法虽然方法相对比较成熟,但存在合成的温度比较高且反应条件苛刻的问题;而模板法由于大多采用的是一些软模板,对反应条件的要求比较高,且受外界条件影响很大,故重复性和稳定性都存在一定问题。另外,采用以上方法制备的二氧化锡纳米线直径通常都比较大,一般都在100nm以上,而且合成的纳米线直径分布也不均匀。鉴于此,本发明首次采用介孔二氧化硅材料(SBA-15)作为硬模板来制备SnO2纳米线,合成条件温和,操作简单,且重复性好。通过此法制备的SnO2纳米线的直径一般在7-8nm左右,长短可控,且在气敏性传感器和电化学方面有着良好的应用前景,可以批量制备生产,这非常适合工业化应用。
发明内容
本发明的目的是提供一种二氧化锡纳米线的制备方法。
本发明一种二氧化锡纳米线的制备方法,其特征在于具有以下的制备过程和步骤:
a.按现有已知技术方法制备介孔二氧化硅(SBA-15)
将定一量的三嵌段高聚物HO(CH2CH2O)20(CH2CH(CH3)O)70
(CH2CH2O)20H(即P123)加入到1.6mol/L的盐酸水溶液中,搅拌直至P123完全溶解,接着加入正硅酸乙酯(TEOS),于40℃水浴中加热20小时;然后将该混合物在90℃温度下晶化48小时;最后将固体产物过滤、洗涤、烘干,并在550℃空气气氛中焙烧6小时,得到介孔二氧化硅(SBA-15);
b.二氧化锡纳米线的制备
(1)、采用电子天平称取一定量的二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和上述制得的介孔二氧化硅(SBA-15);两者的用量按其摩尔质量比即SnO2∶SiO2=1∶(0.8~2.0)为计量基准;
(2)、取上述制得的介孔二氧化硅(SBA-15)放在真空干燥箱中在100℃温度下活化1小时,得活化的介孔二氧化硅(SBA-15);
(3)、将一定量的SnCl2·2H2O溶于0.2mol/L的盐酸水溶液中,并不断搅拌30分钟;然后将上述活化的介孔二氧化硅(SBA-15)加入到SnCl2·2H2O的盐酸溶液中,并不断搅拌12小时;
(4)、将上述混合物溶液于100℃下加热,将溶剂蒸发掉,然后将其放在马弗炉中,在500~800℃下焙烧2~5小时,得到SnO2/SBA-15复合物粉末;
(5)、将上述SnO2/SBA-15复合物粉末加入到浓度为5~15%的HF酸溶液中,不断搅拌,过夜;然后进行离心分离,并用去离子水和乙酸洗涤多次,烘后即得到纯相的二氧化锡(SnO2)纳米线。
本发明的特点和机理叙述如下:本发明过程中将SnCl2·2H2O容于0.2mol/L的HCl溶液中,是为了防止SnCl2水解,经充分搅拌使SnCl2均匀分散在HCl溶液中;然后通过焙烧的方法将SnCl2氧化为2nO2;最后采用5~15%的HF酸除去SiO2,从而得到SnO2纳米线产物。本发明中加入介孔二氧化硅(SBA-15),其作为模板剂,使SnCl2均匀地进入介孔二氧化硅的细微孔道中,最后通过焙烧形成直径为7~8nm的均一的SnO2纳米线。
本发明工艺简单,制备条件温和,重复性好。该产物SnO2纳米线可用于气敏性传感器和电化学方面的元件材料。
附图说明
图1为本发明中SnO2/SBA-15复合物的XRD谱图。
图2为本发明中所得产物SnO2纳米线的XRD谱图。
图3为本发明中SnO2/SBA-15复合物的透射电镜(TEM)照片图。
图4为本发明中所得SnO2纳米线的透射电镜(TEM)照片图。
具体实施方式
现将本发明的具体实施例叙述于后。
实施例:本实施例中的制备过程和步骤如下所述:
1、按现有已知技术方法制备介孔二氧化硅(SBA-15)
将定一量的三嵌段高聚物HO(CH2CH2O)20(CH2CH(CH3)O)70(CH2CH2O)20H,也即(EO20-PO70-EO20),(简写成P123)加入到1.6mol/L的盐酸水溶液中,搅拌直至P123完全溶解,接着加入正硅酸乙酯(TEOS),于40℃水浴中加热20小时;然后将该混合物在90℃温度下晶化48小时;最后将固体产物过滤、洗涤、烘干,并在550℃空气气氛中焙烧6小时,得到介孔二氧化硅(SBA-15);
(该现有已知技术方法可参考期刊文献:Science,1998,279,548-552。)
2、SnO2纳米线的制备
(1)采用电子天平按SnO2∶SiO2(mol质量比)=1∶1.5称取二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和焙烧过的介孔二氧化硅(SBA-15)材料,配置0.2mol/L的HCl溶液。将称取的SBA-15置于真空干燥箱中,在100℃下活化1小时,将SnCl2·2H2O溶解于配置好的0.2mol/L的HCl溶液中,搅拌30分钟,将活化的SBA-15加入到上述溶液中继续搅拌12小时;
(2)将上述步骤得到的混合液,在100℃下蒸干,得到SnO2/SBA-15复合物;
(3)将上述所得合物放入马弗炉中,在700℃煅烧3小时后,得到淡黄色的SnO2/SBA-15粉末样品;
(4)将上述步骤得到的SnO2/SBA-15粉末样品加入到10%HF溶液中搅拌过夜,进行离心分离,并用去离子水和乙醇洗涤数次,最终得到纯相的SnO2纳米线。
对本实施例中所得产物的XRD、TEM的仪器检测
本实施例中所得的中间产物SnO2/SBA-15复合物和最终产物SnO2纳米线的XRD和TEM检测结果可参见附图。
参见附图,图1为本发明中所得SnO2/SBA-15复合物的XRD谱图。XRD分析是在日本RigaKu D/max-2550型X射线衍射仪上进行;采用CuKa衍射。从中可知,SnO2衍射峰的位置与文献报道的相一致(JCPDS No.41-1445),证明SnO2成功负载到SBA-15上,并且通过小角度扫描发现SBA-15仍保持了很好的有序孔道结构。
参见附图,图2为本发明中所得产物SnO2纳米线的XRD图谱。由此可知,SnO2衍射峰位置与文献报道相一致,证明得到的是纯相的SnO2材料。
参见附图,图3为本发明中所得SnO2/SBA-15复合物的透射电镜(TEM)照片图。TEM分析:采用日本电子株式会社JSM-2010F型透射电子显微镜观察材料形貌。从TEM图片可以看到,在合成SnO2/SBA-15复合物的过程中SBA-15保持了很好的有序孔道结构,且SnO2纳米线均匀有序的分布在SBA-15的孔道内,此结果与XRD谱图相吻合。
参见附图,图4为本发明中所得产物SnO2纳米线的透射电镜(TEM)照片图。从中可知,去除SBA-15模板之后,得到了直径在7-8nm的SnO2纳米线。

Claims (1)

1、一种二氧化锡纳米线的制备方法,其特征在于具有以下的制备过程和步骤:
a.按现有已知技术方法制备介孔二氧化硅(SBA-15)
将定一量的三嵌段高聚物HO(CH2CH2O)20(CH2CH(CH3)O)70(CH2CH2O)20H(即P123)加入到1.6mol/L的盐酸水溶液中,搅拌直至P123完全溶解,接着加入正硅酸乙酯(TEOS),于40℃水浴中加热20小时;然后将该混合物在90℃温度下晶化48小时;最后将固体产物过滤、洗涤、烘干,并在550℃空气气氛中焙烧6小时,得到介孔二氧化硅(SBA-15);
b.二氧化锡纳米线的制备
(1)、采用电子天平称取一定量的二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和上述制得的介孔二氧化硅(SBA-15);两者的用量按其摩尔质量比即SnO2∶SiO2=1∶(0.8~2.0)为计量基准;
(2)、取上述制得的介孔二氧化硅(SBA-15)放在真空干燥箱中在100℃温度下活化1小时,得活化的介孔二氧化硅(SBA-15);
(3)、将一定量的SnCl2·2H2O溶于0.2mol/L的盐酸水溶液中,并不断搅拌30分钟;然后将上述活化的介孔二氧化硅(SBA-15)加入到SnCl2·2H2O的盐酸溶液中,并不断搅拌12小时;
(4)、将上述混合物溶液于100℃下加热,将溶剂蒸发掉,然后将其放在马弗炉中,在500~800℃下焙烧2~5小时,得到SnO2/SBA-15复合物粉末;
(5)、将上述SnO2/SBA-15复合物粉末加入到浓度为5~15%的HF酸溶液中,不断搅拌,过夜;然后进行离心分离,并用去离子水和乙酸洗涤多次,烘后即得到纯相的二氧化锡(SnO2)纳米线。
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