CN101630126A - 用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统 - Google Patents

Abstract

一种用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统，根据实施例，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法。作为一个实例，所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括使用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形，作为一个实例，每一个图形和一个聚焦参考数值相关联(例如，聚焦距离、聚焦角度等)；所述方法还包括确定多个偏移轮廓，每个偏移轮廓和每一个图形相关联。

Description

用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统

技术领域

本发明涉及集成电路及半导体器件的制造工艺，尤其是，本发明提供了一种用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和器件。仅仅通过举例，本发明已经能够被应用到确定优化曝光机的聚焦过程。但是，应认识到本发明具有宽得多的应用范围。例如，本发明可以用于在半导体晶圆上形成图形。

背景技术

集成电路已经从制造在单个硅芯片上的少量互连器件发展到数百万个器件。常规集成电路具有远超过原来设想的性能和复杂性。为了实现复杂性和电路密度(即，能封装到给定芯片面积上的器件数目)的改进，亦称为器件“几何尺寸”的最小器件特征的尺寸也随着每代集成电路变得越来越小。现在制造的半导体器件的特征尺寸小于0.25μm。

增加电路密度不仅改善集成电路的复杂性和性能，而且为消费者提供较低成本的部件。集成电路或芯片的制造设备可花费数亿或甚至数十亿美元。各个制造设备将具有一定的晶片生产能力，并且各个晶片会在其上具有若干集成电路。因此，通过使得集成电路的单个器件更小，可以在每个晶片上制造更多的器件，因此增加制造设备的产出。使器件更小非常具有挑战性，这是因为集成电路构造中使用的每个工艺具有限制。即，给定工艺通常仅能加工小至一定的特征尺寸，然后需要改变工艺或器件布局。这种极限的一个例子是，在价格有效和制造有效率的方式下，制造集成电路所用到的化学干法刻蚀工艺。

集成电路制造过程包括各种工艺，例如，所述工艺包括晶圆生长、光刻、掺杂、氧化、淀积、刻蚀去除、外延生长以及其它。

通常，采用光刻工艺定义和形成晶圆上的特定区域以符合集成电路的特定设计。通常，采用版图设计产生光掩模版(根据不同的应用，或者产生掩模版图形)。晶圆表面通常会覆盖一层光刻胶，然后晶圆被穿过光掩膜版的光线曝光。曝光之后，被曝光过的光刻胶区域采用化学工艺被去除掉。结果，所述晶圆上包含了干净区域(光刻胶被去除的区域)和仍被光刻胶阻挡的区域。接下来，进行仅影响干净区域的不同工艺(诸如刻蚀、氧化或者扩散等)。完成不同工艺之后，光刻胶材料被去除。

为了在半导体晶圆上定义图形，在光刻工艺中通常使用曝光机。通常，对曝光机来说，正确地聚焦至关紧要。过去，采用各种现有技术校正曝光机的焦距。不幸的是，现有的技术并不足以满足要求。

因此，需要一种校正曝光系统的改进方法和系统。

发明内容

本发明涉及集成电路及半导体器件的制造工艺，尤其是，本发明提供了一种用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和器件。仅仅通过举例，本发明已经能够被应用到确定优化曝光机的聚焦过程。但是，应认识到本发明具有宽得多的应用范围。例如，本发明可以用于在半导体晶圆上形成图形。

根据一个实施例，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，作为一个实例，所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括提供半导体晶圆步骤，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括利用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形步骤，作为一个实例，每一个图形和一个聚焦参考数值相关联(例如，聚焦距离、聚焦角度等)；所述方法还包括确定多个偏移轮廓(Shift profile)步骤，每个偏移轮廓和多个图形中之一相关联；所述方法进一步包括根据多个偏移轮廓从多个图形中选取第一图形步骤；而且，所述方法包括根据第一图形确定曝光系统的聚焦参数步骤。

根据另一个实施方式，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，用来在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括提供半导体晶圆步骤，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括在半导体晶圆上定义多个区域步骤，作为一个实例，每一个区域都和一个预先定义的聚焦参数相关联；所述方法还包括利用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形步骤，作为一个实施例，每一个图形位于多个区域中之一内；所述方法进一步包括确定多个图形位置步骤，每个图形位置都和多个图形中之一相关联；而且，所述方法包括根据多个图形位置确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数步骤。

根据本发明的又一个实施方式，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，作为一个实例，所述曝光系统在制造集成电路中用于光刻工艺中，所述方法包括提供半导体晶圆步骤，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括利用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形步骤，每一个图形和一个或者多个已知聚焦参数相关联；所述方法还包括利用光学测量器件获得每一个图形的特征，其中，所述特征包括所测量的中心位置；所述方法还包括根据这些特征确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数步骤。

应该认识到，本发明实施例相比起传统技术具有多种优势。其中，本发明的特定实施例大大减少了校正曝光系统的所需时间。例如，现有的校正技术通常需要几个小时才能完成。相反，本发明的几个不同的实施例在几分钟之内可靠地完成校正曝光系统，因此减少了大多数校正技术所必需的停机时间(Down time)。另外，本发明提供了一种与现有工艺技术相兼容的工艺，无需对现有设备和工艺作大幅度的修改。依赖于该实施例，可以获得上述一个或者多个优点，在本发明的整个说明书中会更详细地说明这些及其他优点，特别是下文中。

参考详细的说明书和随后的附图可以更完整地理解本发明的各个附加的目的、特征和优点。

附图说明

图1为曝光系统的简化示意图；

图2为根据本发明一个实施例的校正曝光机的方法的简化示意图；

图3为根据本发明一个实施例的一个分区的半导体晶圆的简化示意图；

图4为根据本发明一个实施例的掩模图形的简化示意图；

图5为根据本发明一个实施例的测量晶圆上图形的技术的简化示意图；

图6为根据本发明一个实施例的确定光学聚焦距离的图表的简化示意图。

具体实施方式

本发明涉及集成电路及半导体器件的制造工艺，尤其是，本发明提供了一种用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和器件。仅仅通过举例，本发明已经能够被应用到确定优化曝光机的聚焦过程。但是，应认识到本发明具有宽得多的应用范围。例如，本发明可以用于在半导体晶圆上形成图形。

应该认识到，本发明实施例相比起传统技术具有多种优势。其中，本发明的特定实施例大大减少了校正曝光系统的所需时间。例如，现有的校正技术通常需要几个小时才能完成。相反，本发明的几个不同的实施例在几分钟之内可靠地完成校正曝光系统，因此减少了大多数校正技术所必需的停机时间(Down time)。另外，本发明提供了一种与现有工艺技术相兼容的工艺，无需对现有设备和工艺作大幅度的修改。依赖于该实施例，可以获得上述一个或者多个优点，在本发明的整个说明书中会更详细地说明这些及其他优点，特别是下文中。

如上所解释的，正确地校正光刻工艺中所使用的曝光系统通常是至关紧要的。例如，每天为曝光系统选择最优聚焦距离以确保光刻工艺的准确性是很重要的。

图1为曝光系统的简化示意图。如图1所示，一个曝光系统通过其投影透镜将图形投影到晶圆102上。例如，在晶圆上投影预先定义的线条图形。为了预先定义的图形在晶圆上具有清晰的定义，正确地聚焦投影至关紧要。当图形由曝光系统投影到晶圆上时，所投影的图形通过焦深(Depth Of Focus，DOF)定义。焦深是所投影的图形保持一个可接受的分辨率的深度范围。例如，DOF的大小由波长和数值孔径(NumericalAperture，NA)所定义，可以由下式来定义。

$\mathrm{DOF}=\frac{K_2*\mathrm{\λ}}{{\mathrm{NA}}^2}$ (公式1)

如公式1所示，DOF是由一个常数、波长和数值孔径定义。作为一个实例，K₂是用于定义DOF的可接受的数值和/或范围的常数。与DOF大小相关的是分辨率，其也是波长和数值孔径的函数。分辨率可以由下式来定义。

(公式2)

如图1所示，数值孔径和DOF与聚焦距离或者与投影透镜和其下的晶圆之间的距离有关。例如，如果投影的图形落在DOF范围之外，那么所投影的图形将显示在焦距之外(即没有足够的分辨率)。

为了获得适当的分辨率，通常需要调节聚焦距离和/或其他聚焦参数。随着制造技术的发展，有必要使用最优聚焦距离。比如，在制造沟道长度小于180nm的集成电路时，光刻工艺的DOF小于40nm。因此，任何少量的偏移和/或改变可能影响分辨率。甚至曝光机的微小的位置改变都可能导致失效图形的产生。

过去，每天进行校正工艺以确定最佳的聚焦参数。在现有技术中，采用带有预先定义的版图的晶圆材料确定最优的聚焦距离。例如，样品晶圆被分为许多网格。在校正过程中，附属的曝光机对每个已定义的网格产生一个图形。例如，每个已定义的网格和一个聚焦参数相关联，比如聚焦距离或者聚焦角度。在晶圆上形成图形之后，对晶圆进行处理。处理之后，对晶圆上形成的每个图形进行各种测量。例如，使用扫描电子显微镜(Scanning ElectronMicroscope，SEM)测量每个图形的分辨率。基于所测量的分辨率，选择具有最高分辨率的图形。作为一个实例，所选图形与特定聚焦参数相关，正如通过晶圆网格上所选图形的特定位置所指定的聚焦距离一样。

如上所述，曝光机的现有校正工艺被广泛应用，且在确定特定聚焦参数诸如聚焦角度、聚焦距离等方面有效。遗憾的是，该工艺通常非常耗时。一般来说，在晶圆材料上测量所定义的图形的过程需要花费超过两个小时。在校正过程中，曝光机通常是空置的，等待着校正过程完成。除了引起空置时间，由于需要采用SEM测量，上述的现有的校正过程通常是昂贵的。

因此，应该认识到，本发明的不同的实施例提供了一种校正曝光机的改进的方法和系统。

图2所示为根据本发明的一个实施例的一种校正曝光机的方法的简化示意图。所述示意图仅仅是一个例子，对此不应该不适当地限制本发明权利要求所要求保护的范围。任何本领域的普通技术人员都可以认识到许多变化、替换和该进。

在步骤201中，提供半导体晶圆。根据应用，所述晶圆可以具有不同的尺寸，诸如8英寸或者12英寸。作为一个实例，所述晶圆包括纯硅或者用于制造集成电路的同样类型的晶圆。

在步骤202中，将半导体晶圆分成不同区域。根据一个实施例，所述晶圆被分成不同网格，每个网格用来作为一个图形。需要明确的是，由于晶圆上的分块区域用来帮助曝光机的校正过程，因此无需物理分区。

图3为本发明根据本发明的一个实施例的一个分区的半导体晶圆的简化示意图。所述示意图仅仅是一个例子，对此不应该不适当地限制本发明权利要求所要求保护的范围。任何本领域的普通技术人员都可以认识到许多变化、替换和该进。如图3所示，晶圆300被分成不同区域。作为一个实例，区域301或304包括采用40nm的聚焦距离所调整形成的图形，而区域302或306包括采用60nm的聚焦距离调整所形成的图形。

现在回到图2。

在步骤203中，使用曝光机将图形形成于晶圆上。在每一个分块区域，使用曝光机以一个预先定义的聚焦参数将图形定义。例如，在晶圆上的一行网格中，曝光机以不同的聚焦距离将图形形成。

图4为根据本发明一个实施例的掩模图形的简化示意图。所述示意图仅仅是一个例子，对此不应该不适当地限制本发明权利要求所要求保护的范围。任何本领域的普通技术人员都可以认识到许多变化、替换和该进。如图4所示，图形400包括包围成第一正方形410的第一组线条和包围第一组线条的第二正方形420的第二组线条。如本发明的不同实施例中所采用，所述图形400具有预先确定的尺寸。例如，条块411和412以预先确定的距离分隔开。

如图4所示，每个图形包括具有不同宽度的线条。根据特定实施例，不同宽度的线条用于不同类型的应用。例如，如表1所示，不同宽度相应于不同的分辨率的要求。

表1

项目	图形尺寸	DOF范围(μm)	尺寸示例(μm)
				WB1	光刻胶分辨率极限与最小DOF	0.1-0	0.11
WB2	如形成多晶硅栅之类的关键光刻步骤	0.3-0.4	0.15
				WB3	非关键的光刻层工艺窗口	0.5-0.8	0.18
WB4	对于重叠测量提供稳定的信号	X	1.5
				SR1	光刻胶分辨率极限与最小DOF	0.3-0.4	0.11
SR2	正常的光刻胶分辨率	＞0.8	0.15
				SR3	正常的光刻胶分辨率	＞0.8	0.18

现在回到图2。在步骤204中，测量晶圆材料上的每个图形。依赖于具体应用，可以采用不同类型的工具进行测量，诸如光学扫描仪等。根据一个实施例，测量同样图形的预先确定的两个线条之间的距离。根据另一个实施例，测量同样图形的预先确定的两个线条之间的中心位置。作为一个实例，所述测量对晶圆上的每个图形进行。

图5为根据本发明一个实施例的测量晶圆上图形的技术的简化示意图。所述示意图仅仅是一个例子，对此不应该不适当地限制本发明权利要求所要求保护的范围。任何本领域的普通技术人员都可以认识到许多变化、替换和该进。如图5所示，测量了两条线条之间的中心位置，且确定了所测量的中心位置与预先定义的中心位置之间的偏移(即图中Δx所示)。在过去，中心位置和其偏移用于校正图形的重叠位置。应该认识到，可以看到，本发明的不同实施例采用中心位置和偏移位置来确定适当的聚焦参数。作为一个实例，当图形被更好的定义，适当的曝光聚焦减少了中心位置的偏移量。如图5所示，线条502没有完全在焦距以内，故引起中心位置的偏移。

现在回到图2中。在步骤205，基于步骤204中的测量，确定了一个或者多个聚焦参数。依赖于应用，可以用不同方法确定聚焦参数。

在本发明的一个特定的实施例中，选择出晶圆上分辨率最高的图形(即中心偏移最小的)。如上述所解释，晶圆上的每个图形与一个或者多个聚焦参数相关联。例如，与所选图形相关联的聚焦参数被确定为最优聚焦参数。

根据不同的实施例，基于采用近似和/或插值方法所测量的图形的数值确定一个或者多个聚焦参数。例如，下表2中给出与聚焦距离数值相对的偏移位置数值。

表2

焦距	-0.8	-0.6	-0.4	-0.2	0	0.2	0.4	0.6	0.8
										ΔX(mm)	86	55	25	15	3	13	20	45	30

作为一个实例，将表2中的数值画在一张图上，然后作插值运算。根据本发明的一个实施例，图6为用于确定光学聚焦距离的图表的简化示意图。所述示意图仅仅是一个例子，对此不应该不适当地限制本发明权利要求所要求保护的范围。任何本领域的技术人员都可以认识到许多变化、替换和改变。如图6所示，横轴代表聚焦位置，纵轴代表偏移位置。作为一个实例，如图6中的数据点采用曲线进行最佳近似。例如，最优的聚焦距离确定为产生最小中心偏移的聚焦距离。以图6作为一个实例，所述偏移位置曲线可以由下述公式来表达。

y＝120.64x²-5.75x+5.9394    (公式3)

在公式3中，y代表偏移位置量，x表示聚焦位置，最优的聚焦距离仅为代表聚焦位置的x所产生的最小y值。在本特定实施例中，对应最小y值的x值为0.024μm。

根据一个实施例，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法。作为一个实例，所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括提供半导体晶圆步骤，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括使用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形，作为一个实例，每一个图形和一个聚焦参考数值相关联(例如，聚焦距离、聚焦角度等等)；所述方法还包括确定多个偏移轮廓步骤，每个偏移轮廓都和多个图形中之一相关联；所述方法进一步包括根据多个偏移轮廓从多个图形中选取第一图形步骤；而且，所述方法包括根据第一图形确定曝光系统的聚焦参数步骤，例如，如图2所示的一个实施例。

根据本发明的另一个实施方式，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，用来在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括提供半导体晶圆步骤，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括在半导体晶圆上定义多个区域步骤，作为一个实例，每一个区域都和一个预先定义的聚焦参数相关联；所述方法还包括利用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形步骤，例如，每一个图形位于多个区域中之一内；所述方法进一步包括确定多个图形的位置步骤，每个图形的位置都和多个图形中之一相关联；而且，所述方法包括根据多个图形位置确定该曝光系统的一个或者多个聚焦参数步骤，例如，如图2所示的一个实施例。

根据本发明的又一个实施方式，本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，作为一个实例，所述曝光系统在制造集成电路中用于光刻工艺中，所述方法包括提供半导体晶圆步骤，所述半导体晶圆具有一定的直径；所述方法还包括利用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形，每一个图形和一个或者多个已知聚焦参数相关联；所述方法还包括利用光学测量器件获得每一个图形的特征，其中，所述特征包括所测量的中心位置；所述方法还包括根据这些特征确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数步骤，例如，如图2所示的一个实施例。

应该认识到，本发明实施例相比起传统技术具有多种优势。其中，本发明的特定实施例大大减少了校正曝光系统的所需时间。例如，现有的校正技术通常需要几个小时才能完成。相反，本发明的几个不同的实施例在几分钟之内可靠地完成校正曝光系统，因此减少了大多数校正技术所需要的停机时间(Down time)。另外，本发明提供了一种与现有工艺技术相兼容的工艺，无需对现有设备和工艺作大幅度的修改。依赖于实施例，可以获得上述一个或者多个优点。

还应该理解，本发明中所述实例和实施方案仅仅用于说明性目的，本领域技术人员在本发明的启迪下将会知道各种改变或变化，这些改变或变化也包括在本申请的精神和范围以及所附的权利要求的范围内。

Claims (27)

1.一种确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一定的直径；

使用曝光系统在所述半导体晶圆上形成多个图形，所述多个图形中的每个与聚焦参考数值相关联；

确定多个偏移轮廓，每个偏移轮廓与所述多个图形中的一个相关联；

根据所述多个偏移轮廓从所述多个图形中选取第一图形；

根据所述第一图形确定用于所述曝光系统的聚焦参数。

2.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述方法进一步包括：基于所述多个图形，刻蚀所述半导体晶圆。

3.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，其中所述多个偏移轮廓与偏移位置相关联，所述偏移位置为从预先确定的中心位置至所述多个图形的测量的中心位置之间的距离。

4.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，其中所述多个图形包括第一图形，所述第一图形包括第一线条和第二线条，所述第一线条和所述第二线条相隔已知距离。

5.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，其中所述多个图形包括第一图形，所述第一图形包括第一线条和第二线条，所述第一线条和所述第二线条具有已知的中心位置。

6.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述多个图形包括第一图形，所述第一图形包括第一线条和第二线条，所述第一线条和所述第二线条具有不同的宽度。

7.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述聚焦参数与聚焦距离相关联。

8.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，聚焦参数与聚焦角度相关联。

9.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，聚焦参数与聚焦光源相关联。

10.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述聚焦参考数值与聚焦距离相关联。

11.根据权利要求1所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述聚焦参考数值与聚焦角度相关联。

12.一种确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形，所述方法包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一定的直径；

在所述半导体晶圆上定义多个区域，所述多个区域中的每个与预先定义的聚焦参数相关联；

使用所述曝光系统在所述半导体晶圆上形成多个图形，所述多个图形中的每个位于所述多个区域中的一个内；

确定多个图形的位置，所述图形的位置中的每个与所述多个图形中的一个相关联；

根据所述多个图形位置确定所述曝光系统的一个或者多个聚焦参数。

13.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述多个图形中的每个包括多个线条，所述多个线条具有不同的宽度。

14.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述多个图形中的每个包括多个线条，所述多个线条形成具有预定的尺寸和中心位置的正方形形状。

15.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述确定多个图形的位置包括：使用光学扫描仪测量所述多个图形。

16.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述多个图形中的每个具有已知的中心位置。

17.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述确定一个或者多个聚焦参数包括：

根据所述多个图形的位置确定偏移数值；

根据所述偏移数值确定最优的聚焦距离。

18.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述确定一个或者多个聚焦参数包括：根据所述多个图形的位置确定最优的聚焦距离，所述最优的聚焦距离与最小图形偏移数值相关联。

19.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述图形的位置中的每个包括偏移位置。

20.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述一个或者多个聚焦参数包括聚焦距离。

21.根据权利要求12所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述一个或者多个聚焦参数包括聚焦角度。

22.一种确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述曝光系统用于集成电路制造中的光刻工艺，所述方法包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一定的直径；

使用所述曝光系统在所述半导体晶圆上形成多个图形，所述多个图形中的每个与一个或者多个已知的聚焦参数相关联；

使用光学测量器件获取所述多个图形中的每个的特性，所述特性包括所测量的中心位置；以及

根据所述特性，确定所述曝光系统的一个或者多个聚焦参数。

23.根据权利要求22所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述光学测量器件为光学扫描仪。

24.根据权利要求22所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述一个或者多个已知的聚焦参数包括已知的中心位置。

25.根据权利要求24所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，进一步包括：根据已知的中心位置和所测量的中心位置之间的差值，确定偏移数值。

26.根据权利要求25所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，进一步包括：对偏移数值作插值运算。

27.根据权利要求22所述的确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法，所述多个图形中的每个包括非对称设置的线条。

Images