CN101566642B

CN101566642B - 具有高动态范围的正交射频电压/电流传感器

Info

Publication number: CN101566642B
Application number: CN2009101342575A
Authority: CN
Inventors: 托德·海克尔曼; 戴维·J·库莫; 约根德拉·K.·肖拉
Original assignee: MKS Instruments Inc
Current assignee: MKS Instruments Inc
Priority date: 2008-04-10
Filing date: 2009-04-09
Publication date: 2013-11-20
Anticipated expiration: 2029-04-09
Also published as: KR20090107979A; US8040141B2; CN101566642A; WO2009126897A1; EP2108965A1; US20090256580A1; JP5427459B2; JP2009282017A; EP2108965B1; KR101257980B1

Abstract

本发明提供具有高动态范围的正交射频电压/电流传感器。一种测量RF电流的射频RF传感器包括具有限定孔的内周界的基板。导体延伸通过所述孔。传感器焊盘被布置在所述孔上，并且被连接成形成两个传感器回路。所述回路生成表示流经中心导体的RF电流的电信号。另外，多个圆形导电圈可以被包括在所述RF传感器中以生成表示所述导体的电压的信号。

Description

具有高动态范围的正交射频电压/电流传感器

相关申请的交叉引用

本申请要求于2008年4月10日提交的美国临时申请No.61/043,934的权益。该申请的公开内容通过参考合并于此。

技术领域

本公开内容涉及射频传感器，并且具体涉及正交射频电压/电流传感器。

背景技术

也以探针为人所知的射频(RF)电流传感器生成表示流经RF导体的电流的幅度的信号。电流探针可以与电压探针结合以形成RF电压/电流(VI)探针，该RF电压/电流(VI)探针生成表示与诸如RF接地或屏蔽导体之类的基准电势相关的RF电压。

RF电流和VI探针被用于RF控制电路中以提供反馈信息。该反馈信息可以用于对提供正在被测量的RF功率的RF放大器进行控制。在某些应用中，采用RF功率生成用于半导体制造、金属涂覆或微加工处理的等离子体。

发明内容

在本公开内容的各个实施例中，公开了一种测量RF电流的射频(RF)传感器。所述RF传感器包括基板，所述基板包括第一外层、第二外层、第一内层、第二内层和限定通过所述基板的孔的内周界。所述RF传感器还包括具有通过第一多条迹线连接至第一多个通孔的第一多个传感器焊盘的第一回路和具有通过第二多条迹线连接至第二多个通孔的第二多个传感器焊盘的第二回路。所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘被布置在所述基板的内周界上。传送RF电流的中心导体延伸通过所述孔，并且所述第一回路和所述第二回路生成表示流经所述中心导体的RF电流的电信号。

在本公开内容的各个实施例中，公开了一种测量RF电流的射频(RF)传感器。所述RF传感器包括具有第一地平面、第二地平面和限定通过所述基板的孔的内周界的基板。所述RF传感器还包括具有通过第一多条迹线连接至第一多个通孔的第一多个传感器焊盘的第一回路和具有通过第二多条迹线连接至第二多个通孔的第二多个传感器焊盘的第二回路。所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘沿所述基板的内周界延伸，并且在所述基板的内周界上均匀隔开。传送RF电流的导体延伸通过所述孔，并且所述第一回路和所述第二回路生成表示流经所述导体的RF电流的电信号。

本公开内容的其它应用领域将从下面提供的详细描述中变得明显。应当理解，详细描述和特定示例尽管表示本公开内容的优选实施例，但是仅意在示例说明的目的，并不意在限制本公开内容的范围。

附图说明

本发明公开内容根据详细描述和附图将被更全面的理解，其中：

图1是根据本公开内容的各种实施例的正交射频(RF)电流和电压传感器的平面图；

图2是根据本公开内容的各种实施例的正交射频(RF)电流和电压传感器的电流传感迹线的等角投影图；

图3(a)-(c)是图2的电流传感器迹线的平面图；

图4是根据本公开内容的各种实施例的正交射频(RF)电流和电压传感器的电流传感迹线的平面图；

图5(a)是现有技术的电流传感器的示意图；

图5(b)-(c)和图6是根据本公开内容的各种实施例的电流传感器的示意图；

图7是表示图6中的点A和B处的电压与电流传感器的导体的电压之间的电容率耦合关系的电路的电路图；

图8是根据本公开内容的各种实施例的电压电流传感器的示意图；以及

图9(a)-(b)是根据本公开内容的各种实施例的电压电流传感器的圆形导电圈的平面图。

具体实施方式

以下描述在本质上仅作为示例，并不试图对本公开内容、其应用或使用构成限制。为了清楚起见，在附图中将使用相同的附图标记表示相似的元件。如这里所使用的，短语A、B和C的至少一个应当被解释为意指利用非排他逻辑或的逻辑(A或B或C)。应当理解，方法中的步骤可以以不同的顺序执行，而不改变本公开内容的原理。

如这里所使用的，术语模块表示专用集成电路(ASIC)、电子电路、执行一个以上软件或固件程序的处理器(共享、专用或组)和存储器、可组合逻辑电路、和/或提供上述功能的其他合适的组件。

现在参见图1，正交射频(RF)电压/电流(VI)探针10被示出。VI探针10包括具有至少四个导电层的印刷电路板(PCB)12。第一外层14a和第二外层14b彼此平行并通过PCB12的绝缘基板被保持为隔开关系。第一层14a和第二层14b一起被称作地平面14。若干个通孔(via)16将地平面14彼此电连接。通孔16可以环绕孔(aperture)18的周界放射式地隔开。通孔16与PCB12的内层电绝缘，这将在以下描述。地平面14和通孔16连接至承载被测RF电流的共轴电缆(未示出)的外层。共轴电缆的中心导体连接至轴向共心地位于孔18内的导体20。VI探针10还可以包括多个安装孔13以辅助将VI探针10耦接至要被控制的RF功率发生器(未示出)。

第二多个通孔22与地平面14电绝缘，并且连接位于PCB12的内层的电流回路(1oop-back)迹线。第三多个通孔24也与地平面14电绝缘，并且实施电压传感器H场抵消结构的一部分。以下更详细地描述通孔22和24及其在PCB12的内层上的相关联的迹线。

PCB12还可以包括在28处被一般性地指出的迹线和焊盘，用于安装可以被连接至地平面14和PCB 12内层的各种迹线的电子电路组件。组件的示例包括：用于向电子电路提供功率和/或从电子电路获得电信号的连接器、放大器、变压器、和/或缓存和/或调节表示导体20的RF电压和/或电流的信号的滤波器等。

现在参见图2-3，PCB 12的各种视图被示出。为了清楚起见，省略了地平面14、通孔16和通孔24。第一内层32包括形成在绝缘基板36上的迹线44a和44b。第二内层34包括形成在基板36的相对侧上的另外的迹线44a和44b。迹线44a和44b合起来被称为迹线44。迹线44被图案化并通过通孔22被连接，以形成缠绕的电环路或绕组对。应当理解地是，基板36可以包含未示出的一个以上附加导电层。附加导电层可以例如实施电压传感器，这将在以下描述。

第一内层32和第二内层34位于底面并与地平面14中的相应的地平面绝缘。通孔22在第一内层与第二内层的相关联的迹线44之间延伸并连接第一内层与第二内层的相关联的迹线44，这将在以下描述。相关联的迹线44还通过沿孔18的壁形成的各个电流传感器焊盘30被连接。电流传感器焊盘30可以被镀到基板36中的孔18的边缘，并通过激光、机械磨蚀或其他加工技术来切割成形。

绝缘基板36给出电流传感器焊盘30的长度L。当RF电流流经导体20时，电磁场环绕导体20旋转。电磁场可以通过毕奥-萨伐尔(Biot-Savart)定律定义，即：

B (radius) = \frac{μ_{0} ({AC}_{current})}{2 πradius}

其中radius为导体20与电流传感器焊盘30之间的距离，AC_current为流经导体20的电流，并且μ₀为电磁常量，等于4π×10^-7H/m。电磁场穿过电流传感器焊盘30。

根据法拉第定律，感应电压是电流传感器焊盘30的长度L、电磁场变化率、以及由电流传感器焊盘30、迹线44和通孔22形成的环路的高度的函数，例如通过增加基板36的厚度来增加长度L，能增加RF共轴电缆(未示出)和VI探针10之间的耦合。

随着L增加，通孔22的直径也需要被增加，以降低在PCB36加工过程中减小钻孔断裂的风险。增加通孔22的直径还会增加传感器的尺寸和/或沿孔18的周界安装的电流传感器焊盘30或环路(以下描述)的数量。增加通孔22的直径还导致耦接至导体20的电容率成比例增加，从而使得由导体20产生的电场(“E场”)干扰期望的电流信号并降低VI探针10的动态范围。在不同的实施例中，电流传感器焊盘30的宽度可以被制作的尽可能窄以减小E场干扰和动态范围难题。边缘被镀的电流传感器焊盘30减小制作VI探针10所需要的通孔22的尺寸和数量，从而减小电流信号的E场干扰。电流信号表示流经导体20的电流并从迹线44获得。

在图3(a)-3(c)中更详细地示出迹线44。迹线44a和迹线44b被连接以形成两个缠绕的电线环路。图3(a)的迹线44a和44b将电流传感器焊盘30连接到回路通孔22。回路通孔22连接到传感器的后侧、另外的迹线44a或44b以及下一电流传感器焊盘30，如图3(c)所示。为了便于理解，图3将两个环路描绘为迹线44a和44b。虚线是在板的背面上的迹线。图3中的六边形40可以是两个环路的公共接地点，作为RF路径接地通孔16中的一个。该公共接地系统可以用于缩短接地环路。

通过利用沿开口18的内周界的均匀空间来调整电流传感器焊盘30，电流环路根据导体20的运动提供自校正特征，例如根据操作过程中的VI探针10的装配/解装配或VI探针10中的热交换提供自校正特征。设计的自校正特征通过将从导体20到电流传感器焊盘30之间的距离的总和保持为常数来工作。例如，如果导体20向右移动，右侧的电流传感器焊盘30到导体20的距离减小，但左侧的电流传感器焊盘30到导体20的距离增加相同的量，使得距离的总和以及电流信号水平相同。

图4中示出根据本公开内容的不同实施例的PCB12的另一视图。为清楚起见，省略了地平面14和通孔16。第一内层32包括形成在绝缘基板36上的迹线44a和44b。第二内层34包括形成在绝缘基板36的相对侧上的另外的迹线44a和44b。迹线44a和44b合起来被称为迹线44。迹线44被图案化并通过通孔22被连接，以形成缠绕的电环路或绕组对。应当理解地是，基板36可以包含未示出的一个以上附加导电层。附加导电层可以例如实施电压传感器，这将在以下描述。在图4示出的PCB12中，通孔24被电连结至电流传感器焊盘30来以以下描述的方式实施电压传感器(参见例如图8)。

在图5(a)中示出现有技术电流传感器的示意说明。根据安培定律，当RF电流向页面内传播时，将在导体20周围生成顺时针方向的电磁场。电磁场会诱导拾取环路(pickup loop)60上的电流使其流经变压器50。由环路60拾取的任意电场都将被短路接地。图5(a)的电路可以作为电流传感器动作，电流传感器具有端对端放置(串联)的传感器环路60，从而使得在环路60之间没有耦合。

图5(b)图示说明根据本公开的各个实施例的电流传感器的示意性描述。在图5(b)的电路中，公共地线被用于回路60。根据安培定律，在RF电流进入页面(page)的前提下，可以在导体20周围沿顺时针方向产生磁场。该磁场将在拾取回路60上感应出电流流过变压器50。由回路60拾取的电场将与地线短路。图5(b)电路包括彼此邻接的两个回路60(或彼此并联)，并且在回路60之间不存在耦合。

图5(c)图示说明根据本公开的各个实施例的电流传感器的示意性描述。在图(c)的电路中，回路60没有连接至公共地线。根据安培定律，在RF电流进入页面的前提下，可以在导体20周围沿顺时针方向产生磁场。可以包含与两个电路拾取回路60中的每一个串联的电阻器55。电阻器55可以用于将传感器阻抗与任何可以与VI探针10一起使用的附带处理单元相匹配，这将导致低的反射信号、低的噪声和最大的传感信号功率传递给处理单元。磁场将在拾取回路60上感应出电流流过变压器50及电阻器55。由回路60拾取的电场将不像图5(a)和5(b)的情况那样与地线短路。然而，变压器50上的点A和B的E场将是相等的，这将导致由于E场而没有电流流过变压器50。因此，E场将在变压器50的二次侧或输出侧57被有效抵消。而且，变压器50的点A和B将处于相对相同的电势，该电势将对应于导体20的电势加上由于磁场在回路60上产生的电流信号带来的干扰而造成附加分量。

通过将如图5(b)和5(c)中所描绘的将回路布置为彼此邻接，两个电流回路60将暴露给相同的磁场和电场，这导致更好地抵消E场和增加电流传感器动态范围。电流传感器拾取线路的长度(例如，电流传器焊盘30)与传感器10的频率响应和耦合相关。更长的电流传感器拾取将改善传感器10的信号耦合和低频响应，而不降低VI探针10的击穿电压和其它不利影响。

变压器50一般具有关于一次线圈和二次线圈的匝数比(“N”)。电阻器55补偿输出阻抗的实数部分。可以通过给出实数传输线路传感器部分或匹配/过滤电路来补偿输出阻抗的虚数部分。在各种实施例中，传感器55的值可以定义为：

R_{series} = \frac{Z_{output}}{{2 N}^{2}},

其中Z_output为所需的给予分析单元的输出阻抗，N为变压器匝数比。

现在参见图6，图示说明根据本公开的各种实施例的又一电流传感器的示意性描述。在图6的电路中，通过移去地线并连接回路60(例如端到端)来对图5(c)的电路进行修改，以形成一个连续环路60。例如，这可以通过在六角体的位置通过通孔连接迹线44a和迹线44b(如图4(a)-4(b)所示)来实现。在这种设置中，在电流传感器中冲击的电场没有与地线短路，并且因此，E场电势将造成电流流过串联电阻器55。来自E场的电流将有助于一个电路回路，但是将减少其它电流回路的电流，这可以导致E场的信号的一部分通过变压器50。该E场干扰可以减少电流传感器的动态范围。通过从RF地线移去电流传感器地线，电流传感器地线不再受到流过PCB板12的RF电流的影响，并且该电流传感器将仅仅测量导体20的电流。

根据安培定律，在RF电流进入页面的前提下，可以在导体20周围沿顺时针方向产生磁场。电阻器55可以用于将传感器阻抗与任何可以与VI探针10一起使用的附带处理单元相匹配，这将导致低的反射信号、低的噪声和最大的传感信号功率传递给处理单元。磁场将在拾取回路60上感应出电流流过变压器50及电阻器55。如上所述，由回路60拾取的电场将不像图5(a)和5(b)的情况那样与地线短路。然而，变压器50上的点A和B的E场将是相等的，这导致由于E场而没有电流流过变压器50。因此，E场将在变压器50的二次侧或输出侧57被有效抵消。而且，变压器50的点A和B将处于相对相同的电势。

如上所述，由于电容性耦合，点A和点B的电压电势与导体20中的电势成正比。点A和点B的电压电势可被认为是导体20的电势加上由于磁场在回路60上产生的电流信号所带来的干扰而造成的附加分量。

图7为描述图6中的用来表示点A和点B的电压与导体20的电压之间的电容性耦合关系的电路图。在图7中，电阻器R_m为测量输入阻抗，例如在模数转换器或接收器中；I_m表示由导体20周围的变化磁场产生的电流；C_C表示导体20和电流回路60之间的分布式耦合电容；以及V_e为导体20的RF电压。

使用图7的设置，导体20的RF电压电势可以由高斯定律来定义。利用结点方程来确定点A和点B的电压(分别为V_A和V_B)并使：

V_e＝Vsin(ωt)；

I_m＝Icos(ωt)；以及

s＝jω.

针对每个结点的基尔霍夫(Kirchhoffs)电流定律方程得出：

\frac{V_{A}}{R_{m}} + \frac{V_{A} - V_{e}}{\frac{1}{sCc}} - I_{m} = 0

\frac{V_{A}}{R_{m}} + \frac{V_{A} - V_{e}}{\frac{1}{sCc}} - I_{m} = 0

如果我们集中类似项：

(\frac{1}{R_{m}} + sCc) V_{A} - V_{e} sCc - I_{m} = 0

(\frac{1}{R_{m}} + sCc) V_{B} - V_{e} sCc + I_{m} = 0

求V_A和V_B得到：

V_{A} = R_{m} \frac{V_{e} s_{Cc} + I_{m}}{1 + s_{Cc} R_{m}}

V_{B} = {- R}_{m} \frac{{- V}_{e} s_{Cc} + I_{m}}{{1 + s}_{Cc} R_{m}}

通过变压器50的中心抽头添加V_A和V_B信号(V_sum＝V_A+V_B)(或者，可替代地，通过模数转换器/数字信号处理(“ADC/DSP”)系统)得到：

V_{sum} = R_{m} \frac{(V_{e} s_{Cc} + I_{m})}{(1 + s_{Cc} R_{m})} + - R_{m} \frac{({- V}_{e} s_{Cc} + I_{m})}{(1 + s_{Cc} R_{m})}

V_{sum} = V_{e} \frac{{2 s}_{Cc} R_{m}}{(1 + s_{Cc} R_{m})}

结果为导体20的E场V_e以及衰减项。通过变压器50(二次线圈)或ADC/DSP系统将V_A减去V_B(Vdiff＝V_A-V_B)得到：

V_{diff} = R_{m} \frac{(V_{e} s_{Cc} + I_{m})}{(1 + s_{Cc} R_{m})} - - R_{m} \frac{({- V}_{e} s_{Cc} + I_{m})}{(1 + s_{Cc} R_{m})}

V_{diff} = I_{m} \frac{{2 R}_{m}}{(1 + s_{Cc} R_{m})}

结果为流过导体20的电流I_m以及衰减项。根据这些公式，可以确定导体20的电压(V_e)和电流(I_m)。

图8图示说明根据本公开的各个实施例的电压/电流传感器的示意性描述。根据安培定律，在RF电流进入页面的前提下，可以在导体20周围沿顺时针方向产生磁场。该磁场将在拾取回路60上感应出电流流过变压器50。类似6中图示说明的电路，在电压/电流传感器中冲击的电场没有与地线短路，并且因此，E场电势将使得电流流过串联电阻55。来自E场的电流将有助于一个电路回路，但是将减少其它回路的电流，这可以导致E场的信号的一部分通过变压器50。该E场干扰可以减少电流传感器的动态范围。通过从RF地线去除电流传感器地线，电流传感器地线不会受到流过PCB板12的RF电流的影响，并且该电流传感器将仅仅测量导体20的电流。可以从变压器50的二次侧57获得表示导体20的电流的电信号。变压器50的中心抽头59可以用于获得表示导体20的电压的电信号。根据这些电信号，例如，基于上面提出的公式，可以确定导体20的电压和电流。

现参见图9(a)和9(b)，示出了PCB12的各种视图。为了清楚起见，省略了地平面14、通孔16以及通孔22。第三内层33包括形成在绝缘基板36上的圆形导电圈102a。第四内层35包括位于基板36的相反侧的另一圆形导电圈102b。圆形导电圈102a和102b统称为圆形导电圈102。圆形导电圈102被图样化并通过通孔24彼此连接。圆形导电圈102中的每一个限定了与导体20的纵轴正交的平面。而且，迹线104将圆形导电圈102中的每一个耦合至沿孔18的壁形成的电压传感器焊盘100。在一些实施例中，电压传感器焊盘100可以与上述电流传感器焊盘30相同。电压传感器焊盘100能够被镀到基板36中的孔18的边缘，并且并用激光、机械打磨或其它制造技术切割成形。六边形40可以用作确定导体20的电压的基准地线。

本领域技术人员现在从以上描述能够理解的是，能够以多种形式实现本公的广泛教导。因此，尽管本公开包括了特定的实例，但是本公开的真实范围不应该仅限于此，因为依据对附图、说明书以及所附的权利要求的研究，其它修改对本领域的专业人员来说将变得明显。

Claims

1.一种测量RF电流的射频RF传感器，包括：

基板，包括第一外层、第二外层、第一内层、第二内层和限定通过所述基板的孔的内周界；

第一回路，包括通过第一多条迹线连接至第二多个通孔的第一部分的第一多个传感器焊盘，所述第一多个传感器焊盘被布置在所述内周界上；以及

第二回路，包括通过第二多条迹线连接至所述第二多个通孔的第二部分的第二多个传感器焊盘，所述第二多个传感器焊盘被布置在所述内周界上，

其中传送RF电流的中心导体延伸通过所述孔，并且所述第一回路和所述第二回路生成表示流经所述中心导体的RF电流的电信号。

2.根据权利要求1所述的RF传感器，进一步包括在第三内层上的第一圆形导电圈和在第四内层上的第二圆形导电圈，所述第一圆形导电圈和所述第二圆形导电圈中的每一个都通过第三多条迹线连接至第三多个传感器焊盘，其中：

所述第一圆形导电圈进一步通过第三多个通孔连接至所述第二圆形导电圈，并且

所述第一圆形导电圈和所述第二圆形导电圈生成表示所述中心导体的RF电压的第二电信号。

3.根据权利要求2所述的RF传感器，其中所述第三多个传感器焊盘包括所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘中的至少一者。

4.根据权利要求2所述的RF传感器，其中所述基板具有一基板厚度，并且所述第一多个传感器焊盘、所述第二多个传感器焊盘和所述第三多个传感器焊盘沿所述基板厚度延伸。

5.根据权利要求2所述的RF传感器，其中：

所述基板包括所述第三内层和所述第四内层；

所述第一圆形导电圈被形成在所述第三内层上；

所述第二圆形导电圈被形成在所述第四内层上；并且

所述第三多个通孔在所述第三内层和所述第四内层之间延伸。

6.根据权利要求1所述的RF传感器，其中所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘在所述内周界上均匀隔开。

7.根据权利要求6所述的RF传感器，其中所述第一回路和所述第二回路被布置成对所述中心导体的运动进行自校正。

8.根据权利要求1所述的RF传感器，其中所述第一回路和所述第二回路共用公共地。

9.根据权利要求1所述的RF传感器，其中所述基板具有一基板厚度，并且所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘沿所述基板厚度延伸。

10.根据权利要求1所述的RF传感器，其中所述第一外层和所述第二外层是地平面。

11.根据权利要求1所述的RF传感器，其中所述第一多条迹线和所述第二多条迹线被形成在所述第一内层和所述第二内层上，其中所述第二多个通孔的第一部分和所述第二多个通孔的第二部分在所述第一内层和所述第二内层之间延伸。

12.一种测量RF电流的射频RF传感器，包括：

基板，包括限定通过所述基板的孔的内周界；

第一回路，包括通过第一多条迹线连接至第二多个通孔的第一部分的第一多个传感器焊盘，所述第一多个传感器焊盘沿所述内周界延伸，并且在所述内周界上均匀隔开；以及

第二回路，包括通过所述第二多条迹线连接至所述第二多个通孔的第二部分的第二多个传感器焊盘，所述第二多个传感器焊盘沿所述内周界延伸，并且在所述内周界上均匀隔开，

其中传送RF电流的导体延伸通过所述孔，并且所述第一回路和所述第二回路生成表示流经所述导体的RF电流的电信号。

13.根据权利要求12所述的RF传感器，进一步包括在第三内层上的第一圆形导电圈和在第四内层上的第二圆形导电圈，所述第一圆形导电圈和所述第二圆形导电圈中的每一个都通过第三多条迹线连接至第三多个传感器焊盘，其中

14.根据权利要求13所述的RF传感器，其中所述第三多个传感器焊盘包括所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘中的至少一者。

15.根据权利要求13所述的RF传感器，其中所述基板具有一基板厚度，并且所述第一多个传感器焊盘、所述第二多个传感器焊盘和所述第三多个传感器焊盘沿所述基板厚度延伸。

16.根据权利要求13所述的RF传感器，其中所述第一圆形导电圈限定与所述导体的纵轴正交的平面。

17.根据权利要求12所述的RF传感器，其中所述基板具有一基板厚度，并且所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘沿所述基板厚度延伸。

18.根据权利要求12所述的RF传感器，其中所述第一多条迹线和所述第二多条迹线被形成在所述基板的第一内层和第二内层上，其中所述第二多个通孔的第一部分和所述第二多个通孔的第二部分在所述第一内层和所述第二内层之间延伸。

19.根据权利要求12所述的RF传感器，其中所述第一回路和所述第二回路共用公共地。

20.根据权利要求12所述的RF传感器，其中所述第一回路和所述第二回路被布置成对所述中心导体的运动进行自校正。

21.一种测量RF电流的射频RF传感器，包括：

基板，包括限定通过所述基板的孔的内周界；

第一回路，包括通过第一多条迹线连接至第二多个通孔的第一部分的第一多个传感器焊盘，所述第一多个传感器焊盘沿所述内周界延伸；以及

第二回路，包括通过第二多条迹线连接至所述第二多个通孔的第二部分的第二多个传感器焊盘，所述第二多个传感器焊盘沿所述内周界延伸，

22.根据权利要求21所述的RF传感器，其中所述基板进一步包括第一外层、第二外层、第一内层和第二内层，所述第一多条迹线和所述第二多条迹线被形成在所述第一内层和所述第二内层上，其中所述第二多个通孔的第一部分和所述第二多个通孔的第二部分在所述第一内层和所述第二内层之间延伸。

23.根据权利要求22所述的RF传感器，其中所述第一外层和所述第二外层是地平面。

24.根据权利要求21、22或23所述的RF传感器，进一步包括在第三内层上的第一圆形导电圈和在第四内层上的第二圆形导电圈，所述第一圆形导电圈和所述第二圆形导电圈中的每一个都通过第三多条迹线连接至第三多个传感器焊盘，其中：

所述第一圆形导电圈进一步通过第三多个通孔连接至所述第二圆形导电圈；并且

所述第一圆形导电圈和所述第二圆形导电圈生成表示所述中心导体的RF电压的第二电信号。_

25.根据权利要求24所述的RF传感器，其中：

所述基板包括所述第三内层和所述第四内层；

所述第一圆形导电圈被形成在所述第三内层上；

所述第二圆形导电圈被形成在所述第四内层上；并且

26.根据权利要求24所述的RF传感器，其中所述第三多个传感器焊盘包括所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘中的至少一者。

27.根据权利要求25所述的RF传感器，其中所述第三多个传感器焊盘包括所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘中的至少一者。

28.根据权利要求24所述的RF传感器，其中所述基板具有一基板厚度，并且所述第一多个传感器焊盘、所述第二多个传感器焊盘和所述第三多个传感器焊盘沿所述基板厚度延伸。

29.根据权利要求26所述的RF传感器，其中所述基板具有一基板厚度，并且所述第一多个传感器焊盘、所述第二多个传感器焊盘和所述第三多个传感器焊盘沿所述基板厚度延伸。

30.根据权利要求24所述的RF传感器，其中所述第一圆形导电圈限定与所述导体的纵轴正交的平面。

31.根据权利要求28所述的RF传感器，其中所述第一圆形导电圈限定与所述导体的纵轴正交的平面。

32.根据权利要求21所述的RF传感器，其中所述基板具有一基板厚度，并且所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘沿所述基板厚度延伸。

33.根据权利要求21所述的RF传感器，其中所述第一多条迹线和所述第二多条迹线被形成在所述基板的第一内层和第二内层上，其中所述第二多个通孔的第一部分和所述第二多个通孔的第二部分在所述第一内层和所述第二内层之间延伸。

34.根据权利要求21-23和32-33中任一项所述的RF传感器，其中所述第一多个传感器焊盘和所述第二多个传感器焊盘在所述内周界上均匀隔开。

35.根据权利要求21-23和32-33中任一项所述的RF传感器，其中所述第一回路和所述第二回路被布置成对所述中心导体的运动进行自校正。

36.根据权利要求21-23和32-33中任一项所述的RF传感器，其中所述第一回路和所述第二回路共用公共地。