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CN101541554B - 光学记录介质及其制造方法 - Google Patents

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CN101541554B CN2008800003680A CN200880000368A CN101541554B CN 101541554 B CN101541554 B CN 101541554B CN 2008800003680 A CN2008800003680 A CN 2008800003680A CN 200880000368 A CN200880000368 A CN 200880000368A CN 101541554 B CN101541554 B CN 101541554B
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Abstract

本发明提供具有无机记录膜的光学记录介质，其具有在无机记录膜上的透明导电膜。无机记录膜具有含有钛(Ti)的第一记录膜和含有锗的氧化物的第二记录膜。透明导电膜设置在第二记录膜侧。透明导电膜含有锡(Sn)的氧化物。

Description

光学记录介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及光学记录介质及其制造方法。特别是，本发明涉及具有无机记录膜的光学记录介质。
背景技术
近年来，需要能记录大量信息的高密度记录用光学记录介质。例如，为了满足该需求，蓝光光盘(Blue-ray Disc)(注册商标：在下文，称为BD)的标准已经被规范化，并且高清晰度的图像可以被记录并存储在光学记录介质中。假设通常高清晰度的再现速度为一倍速，则根据该记录类型的BD，光盘已经可以处理高达二倍速的记录速度。
例如，作为适合蓝激光记录的光学记录介质，已经提出了具有无机记录膜的介质，该无机记录膜由含有锗(Ge)的氧化物的第一记录膜和相邻于该第一记录膜设置并含有钛(Ti)的第二记录膜构造(例如，参考JP-A-2006-281751)。这样的光学记录介质虽然由四层膜形成，但具有很宽的功率裕度(power margin)和很好的耐久性。然而，未来所需要的是实现更高的线速度记录。
发明内容
为了实现高线速度记录，需要达到高记录灵敏度这样的记录特性。然而，如果通过优化含有锗(Ge)的氧化物的第一记录膜的氧成分和膜厚度以及含有钛(Ti)的第二记录膜的膜厚度等来达到高记录灵敏度，则会发生记录功率裕度变窄的问题。
在采用锗(Ge)的氧化物作为记录材料的情况下，因为记录原理根本上基于热记录，所以记录灵敏度对线速度的依赖性具有一定的预定比率，而例如功率裕度等记录特性对线速度的依赖性很小。因此，为了在高线速度记录的同时提高记录灵敏度，即使在低线速度下提高记录灵敏度也是有效的。为了同时保证很宽的功率裕度，即使在低线速度下也保证很宽的功率裕度的方法变成了改善全部特性的指示(index)。
因此，本发明的目的是提供可以实现很宽的功率裕度的光学记录介质及制造该介质的方法。
为了解决上面的问题，根据本发明的第一发明，提供具有无机记录膜的光学记录介质，其特征在于
该光学记录介质包括相邻于无机记录膜的透明导电膜，
其中该无机记录膜具有
含有钛(Ti)的第一记录膜和
含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜，并且
透明导电膜设置在第二记录膜侧。
根据本发明的第二发明，提供具有无机记录膜的光学记录介质的制造方法，其特征在于包括下面的步骤：
形成含有钛(Ti)的第一记录膜；
形成与第一记录膜相邻并且含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜；以及
形成与第二记录膜相邻的透明导电膜。
根据本发明，当辐射记录光时，分离出第二记录膜中所含的氧，并且在第一记录膜和第二记录膜之间的交界面上形成氧含量很大的锗层。就是说，第二记录膜分成光学常数不同且保存稳定性很高的两个稳定层。因此，当辐射再现光时，被辐射记录光的部分的反光量与没有被辐射记录光的部分的反光量之间存在改变，从而获得很好的信号特性。第一记录膜的物理特性在记录前和记录后基本不变，但可进行适于在与第二记录膜的交界面上促进反应的所谓催化操作。
如上所述，根据本发明，因为在无机记录膜和介电膜之间提供了透明导电膜，所以可以实现很宽的功率裕度。
附图说明
图1的示意性截面图显示了根据本发明第一实施例的光学记录介质的结构示例；
图2的示意性截面图显示了根据本发明第二实施例的光学记录介质的结构示例；
图3的曲线图显示了示例1-1至1-6和比较示例1-1的每一个中SnO2膜的厚度与功率裕度之间的关系；
图4的曲线图显示了示例2-1至2-5和比较示例2-1的每一个中SnO2膜的厚度与功率裕度之间的关系；和
图5的曲线图显示了示例3-1至3-5和比较示例3-1的每一个中SnO2膜的厚度与功率裕度之间的关系。
具体实施方式
下面将参考附图描述本发明的实施例。
(1)第一实施例
光学记录介质的构造
图1的示意性截面图显示了根据本发明第一实施例的光学记录介质的结构示例。光学记录介质10的结构为在基片1上依次层叠无机记录膜2、透明导电膜3、介电膜4和透光层5。
在根据第一实施例的光学记录介质10中，通过从透光层5侧将激光辐射到无机记录膜2上，执行信息信号的记录和再现。例如，波长范围为400nm或更大至410nm或更小的激光束由数值孔径范围为0.48或更大至0.86或更小的物镜会聚，并且从透光层5侧辐射到无机记录膜2，从而执行了信息信号的记录和/或再现。这样的光学记录介质10可以例举出例如BD-R。
(基片)
基片1具有环形形状，其中在中心上已经形成开口(在下文，称为中心孔)。基片1的一个主平面为凹/凸表面11。无机记录膜2形成在凹/凸表面11上。在下文，凹/凸表面11的凹入部分称为槽内Gin，而凸起部分成为槽上Gon。
关于槽内Gin和槽上Gon的形状，例如，可以采用例如螺旋形状或者同心形状的各种形状。槽内Gin和/或槽上Gon摆动(wobble)，以便加入地址信息。
考虑刚度来选择基片1的厚度，优选为0.3mm至1.3mm，更优选为0.6mm至1.3mm，并且选择为例如1.1mm。另外，中心孔的直径选择为例如15mm。
关于基片1的材料，例如，可以采用塑料材料或者玻璃。从成本的角度考虑，优选采用塑料材料。作为塑料材料，例如，可以采用聚碳酸酯类树脂、聚烯烃类树脂或丙烯酸类树脂等。
(无机记录膜)
无机记录膜2由依次层叠在基片1的凹/凸表面11上的第一记录膜2a和第二记录膜2b构造。第一记录膜2a设置在基片1的凹/凸表面11侧。第二记录膜2b设置在透明导电膜3侧。
第一记录膜2a含有钛(Ti)作为主要成分。另外，从改善功率裕度的角度看，优选第一记录膜2a含有低导热率金属作为添加剂，例如锰(Mn)、锆(Zr)或者铪(Hf)。从改善功率裕度的角度看，低导热率金属含量的范围为：优选1至40原子％，更优选2至30原子％，再优选5至28原子％。从调整记录灵敏度的角度看，还优选第一记录膜2a含有少量的氮(N)。第一记录膜2a的厚度的范围优选为10至50nm。
第二记录膜2b含有锗(Ge)的氧化物作为主要成分。第二记录膜2b中锗(Ge)的氧化物的含量的范围优选为88至97原子％，更优选为90至97原子％，再优选90至95原子％。从改善耐用性的角度看，还优选第二记录膜2b含有锡(Sn)作为添加剂。第二记录膜2b中锡(Sn)的含量的范围优选为3至12原子％，更优选为3至10原子％，再优选为5至10原子％。这是因为如果锡(Sn)的含量等于或大于3原子％，则可以获得极好的耐久性，而如果等于或小于12原子％，则可以获得极好的信号特性。另外，如果第一记录膜2a含有钛(Ti)作为主要成分，并且第二记录膜2b含有锗(Ge)的氧化物作为主要成分，则通常可以获得好的记录特性。
从改善调制度和信噪比(在下文，称为C/N比)等的角度看，第二记录膜2b的吸收系数k的范围优选为0.15或更大到0.90或更小，更优选为0.20或更大至0.70或更小，再优选为0.25或更大至0.6或更小。此外，第二记录膜2b的厚度的范围优选为10至35nm。
另外，说明书中的吸收系数k是在410nm波长测得的值。吸收系数k可以采用偏振光椭圆率测量仪(由Rudolph Co.制造，商品名：AutoEL-462P17)以如下方式获得。由偏振光椭圆率测量仪测得椭圆偏振的位相度Δ和由椭圆的振幅/强度之比获得的正切Ψ。根据通过表面仿形铣床(surfaceprofiler)(Tencor Co.，Ltd.制造，商品名：P15)获得的膜厚度获得复合(complex)折射率N和吸收系数k。另外，在商用偏振光椭圆率测量仪附带的分析软件中采用最小平方法等执行上述操作。
(透明导电膜)
透明导电膜3相邻于第二记录膜2b设置。优选透明导电膜3含有SnO2和In2O3中的至少一种作为主要成分。此外，透明导电膜3的厚度的范围优选为1至5nm。如果膜厚度等于或者大于1nm，则功率裕度可以很宽。如果膜厚度等于或小于5nm，则可以获得极好的记录灵敏度。
(介电膜)
介电膜4相邻于透明导电膜3设置，并且用于无机记录膜2的光学和机械保护，即改善耐久性；抑制变形(即记录时无机记录膜2隆起)；以及类似的情况。关于介电膜4的材料，例如，可以采用SiN、ZnS-SiO2、AlN、Al2O3、SiO2、SiO2-Cr2O3-ZrO2(在下文，成为SCZ)等。优选采用ZnS-SiO2。这是因为可以改善记录信号的S/N比，并且可以获得好的信号特性。优选介电膜4的厚度的范围为10至100nm。
(透光层)
透光层5为例如树脂涂覆型或片粘合型的透光层5。其中，树脂涂覆型粘合层4表示由树脂涂覆法形成的透光层5。片粘合型透光层5表示由片粘合法形成的透光层5。在下文将描述树脂涂覆法和片粘合法。
透光层5的厚度的范围优选为10至177μm，并且选择为例如100μm。通过结合这样的薄透光层5和例如约0.85的高NA(数值孔径)的物镜，可以实现高密度记录。透光层5的孔(直径)选择为例如22.7mm。
树脂涂覆型的透光层5为通过硬化光敏树脂(例如UV树脂)形成的树脂盖。片粘合型的透光层由下面的材料形成：例如，环状的透光片(膜)；以及用于将透光片粘合到基片1的粘合层。粘合层例如由UV树脂或者压敏粘合剂(PSA，在下文称为PSA)制造。
优选透光片和树脂盖由对记录和再现使用的激光束的吸收性能很低的材料制造。具体地讲，优选它们由透射率等于90％或更高的材料制造。作为透光片的材料，例如，可以采用聚碳酸酯树脂、聚烯烃类树脂(例如，ZEONEX(注册商标))等。作为树脂盖的材料，例如可以采用紫外线硬化类的丙烯酸类树脂。此外，透光片的厚度优选选择为0.3mm或者更小，并且更优选选择的范围为3至177μm。
如上所述，在其中无机记录膜2由含有钛(Ti)的第一记录膜2a和含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜2b构成的光学记录介质10中，记录时第二记录膜2b分成不同氧含量的两层的点是记录的原理。因为第一记录膜2a和第二记录膜2b相邻，所以产生这样的第二记录膜2b的分离。在氧分离中，第一记录膜2a的表面起重要作用。应当考虑的是，第一记录膜2a的表面上的氧化钛吸收用作记录光的蓝光等且引起光催化效应的现象为记录原理。这样的原理由于已经获得下面这样的实验结果而间接地和实际地得到证明：其中使用了不含有钛(Ti)的材料(例如铝(Al)或者银(Ag))作为主要成分的合金，或者例如几纳米的SiN或ZnS-SiO2的惰性绝缘介电膜形成在第一记录膜2a和第二记录膜2b之间，第二记录膜2b没有清楚分离，并且调制程度显著减少。
而且，因为采用了这样的记录膜，所以通过给第二记录膜2b加入添加剂而极大地影响锗(Ge)和氧(O)的分离。另外，因为由于给第一记录膜2a添加添加剂而使光催化效应改变，所以由于给第一记录膜2a添加添加剂而极大地影响记录特性。此外，通过相邻于第二记录膜2b的主平面之一形成透明导电膜3，导致对例如功率裕度等记录特性的影响。
光学记录介质的制造方法
接下来，将描述根据本发明第一实施例的光学记录介质的制造方法。
(基片的成型步骤)
首先，成型凹/凸表面11已经形成在一个主平面上的基片1。关于成型基片1的方法，例如，可以采用注塑(注射)法、光致聚合法(2P法：光致聚合(Photo Polymerization))等。
(第一记录膜的膜形成步骤)
随后，基片1被送入真空室，真空室的靶由例如钛(Ti)作为主要成分制成，并且真空室的内部抽真空，直到压力变为预定压力。此后，在将处理气体引入真空室的同时，溅射靶，并且第一记录膜2a形成在基片1上。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件的示例。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.1至0.6Pa
施加的电功率：1至3kW
气体种类：Ar气和N2气
Ar气的流速：10至40sccm
N2气的流速：1至10sccm
(第二记录膜的膜形成步骤)
随后，基片1被送入真空室，真空室的靶由锗(Ge)作为主要成分制成，并且真空室的内部抽真空，直到其压力变为预定的压力。此后，在将处理气体引入真空室的同时，溅射靶，并且在第一记录膜2a上形成第二记录膜2b。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件的示例。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.1至0.6Pa
施加的电功率：1至3kW
气体种类：Ar气体和O2气体
Ar气的流速：24sccm
O2气的流速：9sccm
(透明导电膜的膜形成步骤)
随后，基片1被送入真空室，其靶由例如SnO2和InO2中的至少一种作为主要成分制成，并且真空室内抽真空，直到其压力变为预定压力。此后，在将处理气体引入真空室的同时，溅射靶，并且在第二记录膜2b上形成透明导电膜3。
下面，示出膜形成步骤中的膜形成条件的示例。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.1至0.6Pa
施加的电功率：1至3kW
气体种类：Ar气体
Ar气的流速：24sccm
(介电膜的膜形成步骤)
随后，基片1被送入真空室，其靶由例如ZnS-SiO2制造，并且真空室内抽真空，直到其压力变为预定压力。此后，在将处理气体引入真空室的同时，溅射靶，并且在透明导电膜3上形成介电膜4。
下面，示出膜形成步骤中的膜形成条件的示例。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.1至0.6Pa
施加的电功率：1至4kW
气体种类：Ar气体
Ar气的流速：6sccm
(透光层的膜形成步骤)
随后，在介电膜4上形成透光层5。关于透光层5的形成方法，例如，可以采用树脂涂敷法或者片粘合法等。从降低成本的角度看，树脂涂敷法是优选的。根据树脂涂敷法，例如UV树脂的光敏树脂旋涂在介电膜4上，并且将例如UV光的光辐射到光敏树脂，由此形成作为树脂盖的透光层5。根据片粘合法，透光片采用粘合剂粘合到基片1上的凹/凸表面11侧。
此外，关于片粘合法，例如，可以采用片树脂粘合法、片PSA粘合法或类似方法。根据片树脂粘合法，通过采用涂敷在介电膜4上的例如UV树脂等光敏树脂，将透光片粘合在基片1上的凹/凸表面11侧，由此形成透光层5。根据片PSA粘合法，通过采用已经事先均匀涂敷在片的一个主平面上的压敏树脂粘合剂(PSA)，将透光片粘合在基片1上的凹/凸表面11侧，由此形成透光层5。
通过上述步骤，获得图1所示的光学记录介质。如上所述，根据本发明的第一实施例，因为透明导电膜3设置在无机记录膜2和介电膜4之间，所以通过采用总共三至五个膜层可以改善例如功率裕度等记录特性。此外，通过适当调整膜厚度或者添加剂，在从低线速度记录到高线速度记录的范围内，可以优化基本的记录/再现特性，例如功率裕度、2T的振幅和反射比。
而且，因为光学记录膜10可以仅通过在基片1上依次层叠第一记录膜2a、第二记录膜2b、透明导电膜3、介电膜4和透光层5形成，所以可以实现具有简单膜结构的高记录密度的光学记录介质10。也就是说，可以设置适度的高记录密度的光学记录介质10。
(2)第二实施例
图2的示意性截面图显示了根据本发明第二实施例的光学记录介质的构造示例。根据第二实施例，前述第一实施例中的介电膜4由第一介电膜4a和第二介电膜4b形成。与前述的第一实施例相类似的部分由相同的参考标记指代，并且省略其描述。
第一介电膜4a设置在透明导电膜3侧。第二介电膜4b设置在透光层5侧。第一介电膜4a和第二介电膜4b例如由不同材料和/或含量的介电材料制造。
关于第一介电膜4a的材料，从膜形成速度等的角度看，优选采用ZnS-SiO2。第一介电膜4a的膜厚度为例如10至100nm。关于第二介电膜4b的材料，优选采用稳定的介电材料，如SiN或SCZ。通过采用这样的稳定的介电材料，在采用粘合层作为透光层5的情况下，可以抑制这样的现象：在第一介电膜4a中含有的例如硫(S)的成分作用于透光层5中的PSA等，透光层5退化并且耐久性下降。此外，在采用树脂涂覆型作为透光层5的情况下，可以在抑制树脂硬化时由于收缩引起的耐久性下降。第二介电膜4b的厚度为例如1至10nm。
接下来，将描述根据本发明第二实施例的光学记录介质制造方法的示例。光学记录介质的制造方法具有第一介电膜和第二介电膜的膜形成步骤，代替前述第一实施例中的介电膜的膜形成步骤。
下面，示出第一介电膜和第二介电膜的膜形成条件的示例。
(第一介电膜的膜形成步骤)
基片1被送入真空室，其靶例如由ZnS-SiO2制造，并且真空室内抽真空，直到其压力变为预定压力。此后，在将处理气体引入真空室的同时，溅射靶，并且在透明导电膜3上形成第一介电膜4a。
下面，示出膜形成步骤中的膜形成条件的示例。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.1至0.6Pa
施加的电功率：1至4kW
气体种类：Ar气体
Ar气的流速：6sccm
(第二介电膜的膜形成步骤)
基片1被送入真空室，其靶例如由SCZ制造，并且真空室内抽真空，直到其压力变为预定压力。此后，在将处理气体引入真空室的同时，溅射靶，并且在第一介电膜4a上形成第二介电膜4b。
下面，示出膜形成步骤中的膜形成条件的示例。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.1至0.6Pa
施加的电功率：1至3kW
气体种类：Ar气体
Ar气的流速：15sccm
如上所述，根据本发明的第二实施例，因为透明导电膜3设置在无机记录膜2和介电膜4之间，并且介电膜4由第一介电膜4a和第二介电膜4b构造，所以与第一实施例相比可以进一步改善耐久性。
尽管本发明将通过下面的示例作具体的描述，但是本发明不仅限于这些示例。另外，在下面的示例中，对应于前述示例中的部分由相同的参考数字指代。
该示例中的光学记录介质10是对应于BD光学系统设计的光学记录介质，具体地讲，它是根据光盘记录和再现设备设计的光学记录介质，该设备采用数值孔径为0.85的2组物镜和波长为405nm的蓝-紫半导体激光源。
在该示例中，关于光学记录介质的评估设备，采用BD光盘检测仪(Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造，商品名称：ODU-1000)。光源的波长设定为405.2nm。记录时的线速度设定为19.67m/sec(4倍速度：4x)或者9.83m/sec(2倍速度：2x)。再现时的线速度设定为4.92m/sec(1倍速度：1x)，并且沟道位长度(channel bit length)设定到74.50nm(在直径为12cm的光盘中25G的记录密度)。调制系统被设定为17PP。作为最短记号的2T记号长度设定为0.149μm，8T记号的记号长度设定为0.596μm，并且道间距设定为0.32μm。
采用由Yokogawa Electric Corporation制造的时间间隔分析仪“TA720”通过Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的均衡器板来完成抖动检测。均衡器与标准一致，并且测量在通过极限均衡器(limit equalizer)后获得的信号抖动。
关于记录灵敏度Pwo的测量，功率从低功率侧扫到高功率侧，并且记录功率值在系统允许的过功率侧(over-power side)和低功率侧(under-powerside)的中心被设定为Pwo。测量功率裕度有几种调整方法。在该示例中，信号通过极限均衡器后获得的抖动值等于或者小于8.5％的范围被设定为记录灵敏度的裕度，并且功率范围除以最优功率所获得的值被定义为功率裕度。
另外，为了测量振幅、调制度等，采用Tektronix Inc.制造的“TDS7104”数字示波器。
该示例中的吸收系数k采用偏振光椭圆率测量仪(Rudolph Co.，Ltd.制造：商品名称：Auto EL-462P17)获得如下。椭圆偏振的位相度Δ和由椭圆的振幅/强度比获得的正切ψ由偏振光椭圆率测量仪测量。复合折射系数N和吸收系数k由表面仿型铣床(Tencor Co.，Ltd.制造，商品名称：P15)获得的膜厚度来获得。另外，吸收系数k是在410nm波长下获得的值。
示例1-1至1-6，比较示例1-1
在示例1-1至1-6和比较示例1-1中，通过在无机记录膜2和介电膜4之间设置不同膜厚度的透明导电膜3，制造光学记录介质10，并且评估其特性。
首先，厚度为1.1mm的聚碳酸酯基片(在下文，称为PC基片)1通过注塑制造。另外，具有槽内Gin和槽上Gon的凹/凸表面11形成在PC基片1上。槽内Gin的深度设定为20nm，轨道间隔设定为0.32μm。
随后，厚度为22nm的TiMnN膜2a、厚度为25nm的锗的氧化物膜2b、厚度为0至6nm的SnO2膜3、厚度为52nm的ZnS-SiO2膜4a和厚度为4nm的Si3N4膜4b，通过采用膜形成设备(由Unaxis Co.，Ltd制造，商品名称：Sprinter)，依次形成在基片1上。另外，在没有暴露于空气的情况下进行膜形成工艺。此后，UV树脂旋涂在Si3N4膜4b上，并且通过辐射UV光硬化，由此形成透光层5。透光层5的厚度设定为100μm。因此，获得了最终的光学记录介质10。
具体的膜形成工艺将描述如下。
(TiMnN膜的膜形成步骤)
首先，在真空室内抽真空后，在将Ar气体和N2气体引入真空室的同时，溅射TiMn靶，并且在基片1上形成厚度为22nm的TiMnN膜2a。TiMn靶中锰(Mn)的含量设定为20原子％。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.2Pa
施加的电功率：3kW
Ar气的流速：30sccm
N2气的流速：6sccm
(Ge的氧化膜的膜形成步骤)
随后，在真空室内抽真空后，在将Ar气体和O2气体引入真空室的同时，通过反应溅射共同溅射Ge靶，并且在TiMnN膜2a上形成厚度为25nm的锗的氧化物膜2b。另外，将锗的氧化物膜2b中的氧(O)含量设为使得吸收系数k等于0.6。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.2Pa
施加的电功率：Ge靶(两个靶)0.4kW
Ar气的流速：30sccm
O2气的流速：30-40sccm
(SnO2膜的膜形成步骤)
随后，在真空室内抽真空后，在将Ar气体引入真空室的同时，溅射SnO2靶，并且在锗的氧化物膜2b上形成厚度为0至6nm的SnO2膜3。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.2Pa
施加的电功率：SnO2靶0.4kW
Ar气的流速：10sccm
另外，根据溅射时间来设置膜厚度。
(ZnS-SiO2膜的膜形成步骤)
随后，在真空室内抽真空后，在将Ar气体引入真空室的同时，溅射ZnS-SiO2靶，并且在锗的氧化物膜2b上形成厚度为52nm的ZnS-SiO2膜4a。另外，ZnS-SiO2膜4a中的ZnS∶SiO2的成分比(原子比)设为80∶20。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.1Pa
施加的电功率：1kW
Ar气的流速：6sccm
(Si3N4膜的膜形成步骤)
随后，在真空室内抽真空后，在将Ar气体和N2气体引入真空室的同时，溅射Si靶，并且在基片1上形成厚度为4nm的Si3N4膜4b。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.3Pa
施加的电功率：4kW
Ar气的流速：50sccm
N2气的流速：37sccm
<功率裕度的评估>
对如上所述获得的光学记录介质10进行4x记录和1x再现，并且获得功率裕度。它们的结果示于表1和图3中。从表1和图3应当理解的是，存在这样的一种倾向：SnO2膜3的厚度越大，功率裕度越宽。
<记录灵敏度的评估>
此外，对如上所述获得的光学记录介质10进行2x记录和1x再现，并且获得记录灵敏度Pwo。因此，已经发现，当SnO2膜3的厚度等于或者小于5nm时，可以满足2倍速度(2x)标准的7mW的记录灵敏度。
由上面的评估结果，从功率裕度的角度看，优选透明导电膜3设置在无机记录膜2和介电膜4之间。从功率裕度和记录灵敏度的角度看，还优选透明导电膜3设置在无机记录膜2和介电膜4之间，并且其厚度的范围为1至5nm。
[表1]
  SnO2膜厚度[nm]   功率裕度[％]
  比较示例1-1   0   30.3
  示例1-1   1   30.8
  示例1-2   2   31.0
  示例1-3   3   32.2
  示例1-4   4   32.7
  示例1-5   5   34.3
  示例1-6   6   35.4
示例2-1至2-5，比较示例2-1
在示例2-1至2-5和比较示例2-1中，通过在无机记录膜2和介电膜4之间设置具有不同膜厚度的透明导电膜3，并且在第二记录膜2b中加入锡(Sn)，来制造光学记录介质10，且评估其特性。
以与比较示例1-1和示例1-1至1-5相类似的方式获得光学记录介质10，除了采用膜形成设备(由Unaxis Co.，Ltd.制造，商品名称：Sprinter)在TiMnN膜2a上依次形成厚度为25nm的GeSnO膜2b和厚度为0至5nm的SnO2膜3外。
下面，将涉及GeSnO膜和SnO2膜的膜形成步骤。
(GeSnO膜的膜形成步骤)
在真空室内抽真空后，在将Ar气体和O2气体引入真空室的同时，通过反应溅射共同溅射Ge靶和Sn靶，并且在TiMnN膜2a上形成厚度为25nm的GeOSn膜2b。另外，将GeOSn膜2b中氧(O)的含量设为使得GeOSn膜2b的吸收系数k等于0.67。此外，将GeOSn膜2b的成分设为使得GeOSn膜2b中锡(Sn)的含量等于10原子％，而GeOSn膜2b中GeOx(0＜x＜2)的含量等于90原子％。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.2Pa
施加的电功率：Ge靶(两个靶)0.4kW，Sn靶0.1至0.5kW
Ar气的流速：30sccm
O2气的流速：30至40sccm
(SnO2膜的膜形成步骤)
随后，在真空室内抽真空后，在将Ar气体和O2气体引入真空室的同时，溅射SnO2靶，并且在锗的氧化物膜2b上形成厚度为0至5nm的SnO2膜3。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.2Pa
施加的电功率：SnO2靶0.4kW
Ar气的流速：10sccm
另外，根据溅射时间设置膜厚度。
<功率裕度的评估>
对如上所述获得的光学记录介质10进行4x记录和1x再现，并且获得功率裕度。它们的结果示于表2和图4中。从表2和图4应当理解的是，存在这样的一种倾向，SnO2膜3的厚度越大，功率裕度越宽。
<记录灵敏度的评估>
对如上所述获得的光学记录介质10进行2x记录和1x再现，并且获得记录灵敏度Pwo。因此，已经发现，当SnO2膜3的厚度等于或者小于5nm时，可以满足2倍速度(2x)标准的7mW的记录灵敏度。此外，光学记录介质10进行2x记录和1x再现，其中SnO2膜的厚度等于或者大于6nm，并且类似地获得记录灵敏度Pwo。因此，已经确认，当SnO2膜3的厚度等于或者大于6nm时，不能满足2倍速度(2x)标准的7mW的记录灵敏度。
<耐久性评估>
对于示例1-1至1-6、比较示例1-1、示例2-1至2-5和比较示例2-1的光学记录介质10进行了如下耐久性试验。首先，光学记录介质10在80℃和85％RH(相对湿度)下存放在恒温浴箱中400小时。此后，进行SER(符号错误率，SER-Symbol Error Rate)检测和显微镜观察。因此，在第二记录膜2b中不含有锡(Sn)的示例1-1至1-6和比较示例1-1中，SER的增加量很大，并且通过显微镜观察可观察到尺寸为10μm的白点。另一方面，在第二记录膜2b中含有锡(Sn)的示例2-1至2-5和比较示例2-1中，通过显微镜观察没有观察到白点，并且抑制了SER的增加。因此，添加锡(Sn)对于改善耐久性是有效的。
由上述的评估结果，从功率裕度和耐久性的角度看，优选在无机记录膜2和介电膜4之间设置透明导电膜3，并且给第二记录膜2b添加锡(Sn)。另外，从功率裕度、记录灵敏度和耐久性的角度看，优选在无机记录膜2和介电膜4之间设置透明导电膜3，其膜厚度的范围为1至5nm，并且给第二记录膜2b添加锡(Sn)。
[表2]
  SnO2膜厚度[nm]   功率裕度[％]
  比较示例2-1   0   27.3
  示例2-1   1   28.5
  示例2-2   2   30.8
  示例2-3   3   32.5
  示例2-4   4   33.5
  示例2-5   5   35.0
示例3-1至3-5，比较示例3-1
在示例3-1至3-5和比较示例3-1中，通过在无机记录膜2和介电膜4之间设置不同厚度的透明导电膜3，并且相邻于透光层5设置由SCZ制造的第二介电膜4b，制造光学记录介质10，且评估其特性。
以与示例2-1至2-5和比较示例2-1相类似的方式获得光学记录介质10，除了在采用膜形成设备(由Unaxis Co.，Ltd.制造，商品名称：Sprinter)形成ZnS-SiO2膜4a后，形成厚度为4nm的SCZ膜4b来取代Si3N4而不执行空气暴露外。
下面，将涉及SCZ膜的膜形成步骤。
(SCZ膜的膜形成步骤)
在真空室内抽真空后，在将Ar气体引入真空室的同时，溅射SCZ靶，并且在ZnS-SiO2膜4a上形成厚度为4nm的SCZ膜4b。
下面，示出了膜形成步骤中的膜形成条件。
最终真空：5.0x10-5Pa
气氛：0.2Pa
施加的电功率：SCZ靶2.0kW
Ar气的流速：15sccm
另外，根据溅射时间来设置膜厚度。
<功率裕度的评估>
对如上所述获得的光学记录介质10进行4x记录和1x再现，并且获得功率裕度。它们的结果示于表3和图5中。从表3和图5应当理解的是，存在这样的一种倾向，SnO2膜3的厚度越大，功率裕度越宽。还应当理解的是，可以获得与示例2几乎相同的效果，这与相邻于透光层5设置的介电层4的种类无关。
<记录灵敏度的评估>
对如上所述获得的光学记录介质10进行2x记录和1x再现，并且获得记录灵敏度Pwo。因此，已经发现，当SnO2膜3的厚度等于或者小于5nm时，可以满足2倍速度(2x)标准的7mW的记录灵敏度。此外，光学记录介质10进行2x记录和1x再现，其中SnO2膜的厚度等于或者大于6nm，并且类似地获得记录灵敏度Pwo。因此，已经确认，当SnO2膜3的厚度等于或者大于6nm时，不能满足2倍速度(2x)标准的7mW的记录灵敏度。
由上述的评估结果，从功率裕度的角度看，优选在无机记录膜2和介电膜4之间设置透明导电膜3。从功率裕度和记录灵敏度的角度看，还优选在无机记录膜2和介电膜4之间设置透明导电膜3，并且其膜厚度设定的范围为1至5nm。
[表3]
  SnO2膜厚度[nm]   功率裕度[％]
  比较示例3-1   0   26.2
  示例3-1   1   28.0
  示例3-2   2   29.5
  示例3-3   3   33.5
  示例3-4   4   35.0
  示例3-5   5   37.5
尽管上面已经具体描述了本发明的实施例和示例，但是本发明不限于上述实施例和示例，而是根据本发明的技术构思的各种修改都是可能的。
例如，上述实施例和示例中所涉及的数值只是示例，并且必要时可以采用与其不同的其他数值。
此外，在不脱离本发明的精神的情况下，上述实施例和示例的构造可以相互结合。
此外，尽管上述实施例和示例已经相对于本发明的单层无机记录膜的光学记录介质的示例进行了描述，但是本发明也可以应用于两层或者更多层无机记录膜的光学记录介质。
此外，尽管上述实施例和示例已经相对于这样的情况进行了描述，其中作为示例本发明应用于无机记录膜上具有透光层的光学记录介质，并且其中通过从透光层侧给无机记录膜辐射激光束来执行信息信号的记录和再现，但是本发明不限于这样的示例。例如，本发明还可以应用于基片上具有无机记录膜的光学记录介质，并且其中通过从基片侧给无机记录膜辐射激光束来执行信息信号的记录或再现；或者应用于通过粘合两个基片形成的光学记录介质，并且通过从基片之一的侧面给基片之间的无机记录膜辐射激光束来执行信息信号的记录或者再现。

Claims (5)

1.一种具有无机记录膜的光学记录介质，其特征在于，
所述光学记录介质包括相邻于所述无机记录膜的透明导电膜，
其中所述无机记录膜具有
含有钛(Ti)的第一记录膜；和
含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜，并且
所述透明导电膜设置在所述第二记录膜一侧。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，所述透明导电膜含有锡(Sn)的氧化物和铟(In)的氧化物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，所述第二记录膜还含有锡(Sn)。
4.根据权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，所述透明导电膜的厚度为1至5nm。
5.一种具有无机记录膜的光学记录介质的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
形成含有钛(Ti)的第一记录膜；
形成相邻于所述第一记录膜且含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜；以及
形成相邻于所述第二记录膜的透明导电膜。
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