CN101536608B

CN101536608B - 用于有机发光装置的基板、其用途和制备方法，以及有机发光装置

Info

Publication number: CN101536608B
Application number: CN200780041442.9A
Authority: CN
Inventors: S·恰库罗夫; H·热拉尔丹; P·雷乌特勒; D·茹斯; E·马特曼恩; P·内尔
Original assignee: Saint Gobain Glass France SAS
Current assignee: Saint Gobain Glass France SAS
Priority date: 2006-09-07
Filing date: 2007-09-05
Publication date: 2015-12-09
Anticipated expiration: 2027-09-05
Also published as: CN101536608A

Abstract

本发明涉及一种用于有机发光装置(10)的基板(1)，特别是透明玻璃基板，其包括，位于第一主面(11)之上的底电极膜(3)，所述电极膜(3)由薄膜多层涂层形成，所述多层涂层至少连续包括以下各层：-基于金属氧化物和/或金属氮化物的接触层(31)；-具有本征导电性能的金属功能层(32)；和-基于金属氧化物和/或金属氮化物的覆盖层(34)，所述覆盖层(34)特别是用于匹配所述电极膜的功函数，所述基板(1)包括基层(2)，所述基层(2)覆盖所述主面(11)。

Description

用于有机发光装置的基板、其用途和制备方法，以及有机发光装置

技术领域

本发明的主题是多层电极、其酸蚀刻和包含其的有机发光装置。

背景技术

已知的有机发光系统或者OLED包含有机电致发光材料或者有机电致发光材料的多层涂层，通过电极使其带电，通常采用两个导电层位于其两侧的形式。

这些导电层一般包含基于铟氧化物，通常是锡-掺杂的铟氧化物的层，锡-掺杂的铟氧化物的缩写ITO更为常见。已经特别深入地研究了ITO层。可以通过磁电管溅射很容易地使它们沉积，其中，使用氧化物靶(非反应性溅射)或者使用基于铟和锡的靶(在氧气型氧化剂存在下的反应性溅射)，并且它们的厚度为约100-150nm。然而，这种ITO层有许多缺点。首先，用于改善传导性的材料和高温(350℃)沉积方法产生附加成本。除非将层厚度增加至大于150nm，否则薄层电阻保持相对高(10Ω/□级)，而将层厚增加又会导致透明度降低和表面粗糙度增加。

因此，开发了新的电极结构。例如，JP2005-038642文件教导了TFT(薄膜晶体管)-驱动的发光平面屏幕，其包括顶部发光的电致发光系统，所述电致发光系统分别产生红光、绿光和蓝光，以便形成有源矩阵(activematrix)。

各有机发光装置均配备有所谓的背电极或者底电极，所述电极包括：

-粘附层，例如由ITO制成；

-(半)反射金属层，特别是基于银或者铝，或者由含有铝的银制成，其厚度为至少50nm；和

-功函数匹配覆盖层(work-function-matchingoverlayer)，例如由ITO制成。

发明内容

本发明的目的是能够获得导电层组件，以便形成可靠的电极，所述电极耐用(特别是在稳定性和/或机械耐性和耐热性方面)，并且不牺牲其导电性能或者其光学质量，也不牺牲包含它的装置的性能，更不会引起生产上的困难。

本发明的目的特别是能够获得导电层组件，其用于形成可靠耐用的电致发光系统的底电极，而不牺牲其导电性能、其光学质量或者OLED光学性能，也不产生生产上的困难。

在本发明的内容中，术语″底电极″应该理解为指的是插入在载体基板与OLED系统之间的电极。

此外，将以最低成本实现这一目的，而不打乱与本发明相关的有机发光系统的已知的构造。

这涉及开发如下电极：所述电极是基本上透明的，或者既是透明的又是反射型的或基本上反射型的，并且所述电极同等适合地用于OLED，形成有源矩阵和无源矩阵OLED屏幕，或者形成录像屏幕背光装置，或者通常用于(建筑和/或装饰)照明应用的装置，或者用于指示应用中，或者用于其它电子应用中。

这一新型电极膜特别是可以具有适合用作面板的光学性能，所述面板是OLED系统发出的光通过其离开装置的面。特别地，它可以具有充分的光传导，同时也具有最低可能的光吸收。其原因是似乎不必要追求可能的最高光传导以便在OLED装置的出口获得最大光能，同时，另一方面，对于面板，必须具有最低可能的吸收。

因此，本发明也在于选择与制作有机发光装置的方法相容的薄膜多层涂层，特别是与在OLED系统沉积之前通过蚀刻来形成底电极的步骤相容。

本发明的目的在于通过提出制备用于有机发光装置的底电极膜的新的解决方案补救现有技术的缺点。

为了实现该目的，本发明的主题是：一种如权利要求1所述的基板；一种基板的用途，特别是如权利要求22所述的基板的用途；如权利要求24所述的包括所述基板者采用所述基板的有机发光装置；和如权利要求29所述的用于制作所述基板的方法。

从属于以上权利要求的那些权利要求限定了本发明的有利的选择。

因此，最广义地讲，本发明的一个主题是，一种用于有机发光装置的基板，特别是透明玻璃基板，其包括，位于第一主表面之上的底电极膜，所述电极膜由薄膜多层涂层形成，所述多层涂层至少连续包括以下各层：

-基于金属氧化物和/或金属氮化物的接触层，

-具有本征导电性能的金属功能层，和

-基于金属氧化物和/或金属氮化物的覆盖层，所述覆盖层特别是用于匹配所述电极膜的功函数，

所述基板包括基层(baselayer)，所述基层覆盖所述基板的主表面。

本发明的基层具有两个效果：它既形成对来自基板的碱金属的屏障，同时也形成对于OLED系统的微孔的必不可少的抗反射层。

因此，本发明的电极膜由薄膜多层涂层构成，所述薄膜多层涂层包括至少一种金属功能层，特别是基于银(也就是说，由银制成或者由主要含有银的金属合金制成)，和至少一种置于基板与所述金属功能层之间的底抗反射膜，所述抗反射膜包括至少一种抗反射介电层，即基层。

在本发明的内容中，术语″膜″应该理解为是指，可以有由单一材料制成的层，或者各自由不同的材料制成许多层。

位于金属功能层下的面对基板并与基板接触的所述抗反射膜的目的是使OLED系统发出的光线仅仅是波长-选择性的并且仅仅依赖于视角。

这是因为，如果不存在所述抗反射膜的话，一方面，OLED系统发出的光非常集中在发射波长，或者集中在OLED系统的发射波长的非常窄的范围内，并且另一方面，所述光的颜色和能量随着视角极大地变化。

这种薄膜多层涂层在建筑或者汽车玻璃(automotiveglazing)领域是已知的，用于制备″低-发射率或者低-E″和/或″阳光控制″型的增强的绝热玻璃。

因此，发明者注意到用于低-E玻璃(glazing)的某些多层涂层特别地可以用于制备有机发光装置的基层和电极膜，和特别是用于这些装置的面板的基层和电极膜。

称作″可韧化的″多层涂层或者″待韧化的″涂层的多层涂层是特别适合的，也就是说，当希望制备具有多层涂层的基板时，对所采用的那些多层涂层进行韧化热处理。这就更令人吃惊了，这是因为用于有机发光装置的基板当用于该装置时是不经过热处理的，或者任何情况下都不需要为了在玻璃基板上进行韧化处理，而进行充分的热处理和充分的快速冷却。

因此，本发明的主题也是薄膜多层涂层用于建筑玻璃(glazing)的用途，或者一种涂有薄膜多层涂层的基板用于建筑玻璃的用途，特别是低-E多层涂层或者涂布过的基板和/或特别是″可韧化的″多层涂层或者涂布过的基板或者″待韧化的″多层涂层，以便制备本发明的用于有机发光装置的基板。

在本发明的内容中，术语″可韧化的″多层涂层或基板应该理解为是指在热处理过程中保持必要的光学性能和热性能(通过每平方面积的耐性(resistance)来表示，这与发射率直接相关)。

因此，可以在一个建筑和同一个建筑的正面，例如将结合了韧化的基板和未韧化的基板的玻璃面板紧密地放置在一起，所述基板都涂有同一多层涂层，不可能通过简单地目测颜色的反射和/或光反射/透射来将它们彼此区分开来。

例如，在热处理之后0之前具有以下变化的多层涂层或者涂有多层涂层的基板，将会被认为是可韧化的，这是因为这些变化不是眼睛能察觉的：

-小于3％，或者甚至小于2％的光传导的小变化ΔT_L；和/或

-小于3％，或者甚至小于2％的光反射的小变化ΔR_L；和/或

-小于3或者甚至小于2的颜色的小变化

ΔE = \sqrt{({(ΔL *)}^{2} + {(Δa *)}^{2} + {(Δb *)}^{2})} .

在本发明中，″待韧化的″多层涂层或基板应该理解为是指涂布过的基板的光学性能和热性能在热处理之后是可接受的，但不是，或者在任何情况下不是都在热处理之前。

在本发明的内容中，例如，在热处理之后具有以下特性的多层涂层或者涂有多层涂层的基板，将会被认为是″待韧化的″但在热处理之前不具有这些特性中的至少一种：

-至少50％的高光传导T_L，或者甚至至少60％或者65％，或者甚至70％，或者甚至至少75％和更优选至少80％；和/或

-至少与具有通常厚度的ITO一样好的每平方面积的耐性R_□，特别是小于20Ω/□或者甚至小于15Ω/□。

重要的一点是，用于面板的电极膜也充分透明，从而在OLED系统沉积之前，其具有至少50％和优选60-70％的光传导，并且另一方面，具有非常低的吸收，从而在OLED系统沉积之前，其定义为1-R_L-T_L的吸收等于或小于15％，或者甚至等于或小于10％，或者甚至等于或小于8％，或者甚至等于或小于5％。

应该避免大于70％的光传导，这意味着，如果达到该值，位于金属功能层与OLED系统(覆盖层和任选存在的其它层)之间的薄膜涂层的厚度太大，金属功能层距离OLED系统太远，易于削弱OLED的性能。

基层可以：

-基于硅氧化物(通式为SiO)；

-基于硅碳氧化物(通式为SiOC)；

-基于硅氮化物(通式为SiN)，和特别地基于Si₃N₄；

-基于硅氧氮化物(通式为SiON)；

-基于硅氧碳氮化物(通式为SiONC)。

基层的氮化可能是略微亚化学计量的。

优选地，基层的厚度为10-150nm，甚至更优选20-100nm。

基层赋予本发明的电极许多优点。首先，基层对电极下方的碱金属形成屏障。它保护上接触层不受任何污染(所述污染会引起机械缺陷，例如分层)，它同时也保持金属功能层的导电性。基层也防止OLED装置的有机结构被碱金属污染，但是，导致极大地降低OLED的寿命。

在装置的制备过程中可能发生碱金属的迁移，从而导致缺乏可靠性，和/或进而降低其寿命。

基层改善接触层的锚定性能(anchoringproperties)，而不会对整个多层涂层的粗糙度造成一点点的增加，即使在基层与接触层之间插入一层或多层。

当然，本发明对于与易于释放碱金属的载体基板尽可能接近的电极是极其有利的，例如特别是透明或者超透明钠钙玻璃。

此外，这一特殊的多层涂层结构也可以获得可靠的电极，从而可以实现生产率的显著提高。

而且，以及较低成本获得的是如下电极：所述电极显示出表面性能与有机发光系统的相容性，同时仍然具有在合适的时候可以对其进行调节的导电性和/或透明度或者反射性能，特别是通过改变金属层或其它层的厚度和/或沉积条件进行所述调节。

对于给定的OLED装置的有机结构，与通常厚度的ITO电极相比，对于大于500cd/m²的亮度，本发明的电极可以使OLED的单位为lm/W的效率改善5-10％，并且高至15％或者甚至20％。

电极膜可以在基层与接触层之间优选包括蚀刻停止层，特别是基于锡氧化物的层，所述蚀刻停止层的厚度特别是10-100nm，甚至更优选20-60nm。

最特别的是，为了简单，蚀刻停止层可以形成基层的一部分或者可以是基层：优选地，它可以是基于硅氮化物的，或者可以是基于硅氧化物的层，或者是基于硅氧氮化物的层，或者是基于硅碳氧化物的层，或者甚至是基于硅氧碳氮化物的层，同时含有锡用来加强抗-蚀刻性能，层的通式为SnSiOCN。

蚀刻停止层用于在化学蚀刻或者反应性等离子体蚀刻的情况下保护基板。

由于蚀刻停止层，基层保持存在，甚至在刻有图案的区域也如此。因此，通过边缘效应，可以停止碱金属在基板的刻有图案的区域与相邻的电极部分(或者甚至有机结构)之间的迁移。

最特别优选的是(主要)由掺杂的或者未掺杂的硅氮化物Si₃N₄制成的基层/蚀刻停止层。硅氮化物非常迅速地沉积并形成优异的碱金属屏障。而且，由于其相对于载体基板的高光学指数，它允许改变电极的光学性能，优选通过改变所述基层/蚀刻停止层的厚度来实现。因此，例如，当电极是透明的时，可以这种方式调节透射颜色，或者当载体基板的相对面是镜子时，可以这种方式调节反射颜色。

优选地，功能层基于选自银、金、铝和铜的纯材料，或者基于所述材料与选自以下的其它材料的合金或者掺杂物：Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co和Sn，并且特别是基于金/银合金或者基于金/铜合金。

形成电极膜的薄膜涂层优选是功能单层膜，也就是说单一功能层。然而，它可以是包括许多功能层和特别是两个功能层的涂层。

为了制备包括在基层和任选存在的蚀刻停止层上沉积n次的许多功能层的电极膜，其中，n是等于或大于1的整数，采用以下结构：接触层和功能金属层，在所述结构之上有包括以下连续层的层列，所述连续层至少由接触层/功能金属层/覆盖层构成。

本发明的电极可以具有大的面积，例如等于或大于0.02m²，或者甚至等于或大于0.5m²，或者等于或大于1m²。

有利地，本发明的电极可以具有：

-对于厚度为6nm以上的功能层，本发明的电极具有等于或小于10Ω/□的每平方面积的耐性，对于厚度为10nm和以上的功能层，具有优选等于或小于5Ω/□的每平方面积的耐性，优选同时具有以下光学性能：

-等于或大于50％的光传导T_L，优选60％-70％，或者甚至更高，前提是这不削弱OLED的发光性能，和

-等于或者小于15％的吸收，或者等于或小于10％，或者甚至更优选等于或小于8％，或者甚至5％，

由此，使得本发明的电极用作透明电极特别令人满意，

-对于厚度为50nm和以上的功能层，每平方面积的耐性等于或小于1Ω/□，优选等于或小于0.6Ω/□，优选同时，光传导R_L等于或大于70％，甚至更优选80％，由此，使得本发明的电极用作透明电极特别令人满意，

-对于厚度为20nm和以上的功能层，每平方面积的耐性等于或小于3Ω/□，优选等于或小于1.8Ω/□，优选同时，T_L/R_L比为0.1-0.7，由此，使得本发明的电极用作透明/反射电极特别令人满意。

为电极所选择的银-基金属功能层(或者所有这些层)的厚度可以是3-20nm(总厚度)，优选5-15nm。在这一厚度范围内，由于银-基金属功能层(或者各银-基金属功能层)下的抗反射膜，电极可以是充分透明的，从而制备特别令人满意的透明电极，正如前面段落所述。

然而，所选银-基金属功能层(或者所有这些层)具有显著较大的厚度不是有利的，特别是如果有机发光系统以反射操作或者是顶部发光的话。在这种情况下，为电极所选的银-基功能层(或者所有这些层)的厚度可以是50-150nm(总厚度)，优选80-100nm，从而可以制备特别令人满意的反射电极，正如上面所述。

此外，为电极所选的银-基功能层(或者所有这些层)的厚度可以是20-50nm(总厚度)，以便电极同时以透射和反射操作，从而可以制备特别令人满意的透明/反射电极，正如上面所述。

金属功能层(或者各金属)，特别是银-基功能层，优选以结晶方式沉积在薄介电层上，薄介电层也优选结晶的。因此，接触层促进沉积在其上的金属层进行适合的晶体取向。

因此，功能层优选沉积在氧化物-基接触层之上，甚至直接沉积在氧化物-基接触层上面，基于氧化物的接触层特别是基于锌氧化物的接触层，锌氧化物任选是掺杂的，任选与铝掺杂(术语″掺杂″以通常方式理解为是指在层中接触所述元素，所述元素为小于10重量％的量的金属元素，并且术语″基于″以通常方式理解为是指层主要含有的材料，也就是说，含有至少50重量％的该材料，因此，术语″基于″覆盖掺杂)。

接触层的几何(或者实际)厚度优选为3-30nm，更优选4-20nm。

抗反射膜中的位于金属功能层下的接触层的效果有时可能会被忽视，特别是当该层的指数接近于基板的指数时，和/或当该层的厚度小时，典型的是当该层的厚度小于10nm时。

接触层可以是基于金属氮化物的，然后可以与基层一致，特别是当基层基于硅氮化物。

优选地，接触层基于以下金属氧化物中的至少一种，其中任选掺杂所述其它金属氧化物：铬氧化物、铟氧化物、任选亚化学计量的锌氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钼氧化物、锆氧化物、锑氧化物，锡氧化物、钽氧化物和硅氧化物(为了简化，这里认为硅是金属)。

典型地，可以将金属氧化物掺杂0.5-5％。特别地，其可以是Al-掺杂锌氧化物(AZO)、Ga-掺杂锌氧化物(GZO)，或者甚至是B-掺杂、Sc-掺杂或者Sb-掺杂锌氧化物，以实现沉积方法的更好的稳定性，或者甚至是F-掺杂或者S-掺杂锡氧化物。

接触层可以是基于混合氧化物的，特别地，通常是非化学计量的混合氧化锡锌Sn_xZn_yO_z作为非晶相，或者基于混合铟锡氧化物(ITO)或者混合氧化铟锌(IZO)。

优选锌氧化物ZnO_x层，优选x小于1，甚至更优选0.88-0.98，特别是0.90-0.95。该层可以是纯的层，或者是掺杂有Al或者掺杂有Ga的层。

通常是通过连续的沉积操作来获得堆叠的，所述连续的沉积操作通过真空技术，例如溅射，任选磁电管溅射来进行。也可以提供一种或者甚至两种称为“阻挡膜(blockingfilm)”的非常薄的膜，事所述膜直接沉积在各金属功能层之下、或沉积在各金属功能层之上，或者在沉积在各金属功能层的每一侧，金属功能层特别是基于银，所述膜在基板的方向上位于功能层之下，作为粘合、成核和/或保护膜，并且功能层上的所述膜作为保护或者“牺牲”膜，以防止由于氧从位于金属功能层上的层进攻和/或迁移，或者如果位于其上的层在氧的存在下通过溅射而沉积，也是由于氧迁移，从而削弱金属功能层。

因此，可以将功能金属层直接置于至少一种下阻挡膜之上和/或直接置于至少一种上阻挡膜之下，各膜的厚度均优选为0.5-5nm。

在本发明的内容中，当明确指出直接在其它沉积物之下或者直接在其它沉积物之上形成层或者膜(包括一种或多种层)的沉积时，在这两种沉积物之间可以没有任何层插入。

至少一种阻挡膜优选包含金属、金属氮化物和/或金属氧化物层，基于以下金属中的至少一种：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta、W，或者基于至少一种所述材料的合金。

例如，阻挡膜可以包含基于以下金属的层：铌、钽、钛、铬或者镍，或者基于由至少两种所述金属形成的合金，例如镍-铬合金。

薄烫印层形成保护层或者甚至“牺牲”层，其防止功能金属层的金属被削弱，特别是当在以下一种或多种构造中时：

-如果功能层之上的层通过使用反应性(氧、氮等)等离子体层来沉积，例如如果位于其上的氧化物层通过溅射来沉积的话；

-如果功能层之上的层的组成在工业制造过程中易于改变(沉积条件的变化，为靶损耗模式等)的话，特别是如果化学计量的氧化物和/或氮化物型层改变的话，由此改变功能层的质量并且由此改变电极的性能(表面耐性，光透射等)；和

-如果在沉积之后对电极涂层进行热处理的话。

所述保护层或者牺牲层显著地改善电极的电性能和光学性能的再现性。这对于工业方法是非常重要的，其中，电极性能的仅仅很小的分散是可接受的。

薄烫印层基于选自铌Nb、钽Ta、钛Ti、铬Cr和镍Ni的金属，或者基于由这些金属中的至少两种形成的合金，特别是铌/钽(Nb/Ta)合金、铌/铬(Nb/Cr)合金或者钽/铬(Ta/Cr)合金或者镍/铬(Ni/Cr)合金是特别优选的。这种层基于具有特别强的吸气效应的至少一种金属。

可以容易地制备薄金属烫印层，而不削弱功能层。可以优选在由惰性气体(He、Ne、Xe、Ar、Kr)构成的惰性气氛中沉积所述金属层(即，没有有意向其中引入氧或者氮)。在随后的基于金属氧化物的层沉积过程中，在该金属层的表面上氧化既不被排除在外，也没有问题。

这样的薄金属烫印层也提供优异的机械性能(特别是耐磨损性和耐擦伤性)。对于接受热处理的多层涂层尤其如此，因此，在该处理过程中氧或者氮充分扩散。

然而，对于金属烫印层的用途，有必要限制金属层的厚度以及进而限制光吸收，以便对于透明电极保持充分的光传导。

可以将薄烫印层部分氧化。以非金属形式沉积该层，因此，该层不会以化学计量形式沉积，而是以以下类型的亚化学计量形式沉积：MO_x型，其中M代表金属，并且x是与金属氧化物的化学计量相比的底数；或者MNO_x型，用于两种金属M和N(或者多于两种金属)的氧化物。例如，可以提及TiO_x和NiCrO_x。

优选地，x是氧化物的化学计量的正常数的0.75倍-0.99倍。对于一氧化物，可以特别选择x使其为0.5-0.98，并且对于二氧化物，x可以是1.5-1.98。

在一个具体的变体中，薄烫印层基于TiO_x，其中，x可以特别是1.5≤x≤1.98，或者1.5＜x＜1.7，或者甚至1.7≤x≤1.95。

可以将薄烫印层部分氮化。因此，该层不会以化学计量形式沉积，而是以MN_y型的亚化学计量形式沉积，其中M代表金属，并且y是小于金属氮化物化学计量数的数字。y优选为氮化物的化学计量的正常数的0.75倍-0.99倍。

同样地，也可以将薄烫印层部分氧氮化。

可以容易地制备所述薄氧化烫印层和/或薄氮化烫印层，而不削弱功能层。优选地，在优选由惰性气体(He、Ne、Xe、Ar或者Kr)构成的非氧化的气氛中，使用陶瓷靶沉积。

薄烫印层可以优选由亚化学计量的氮化物和/或氧化物制成，以便进一步增加电极的电性能和光学性能的再现性。

所选的薄的亚化学计量的氧化物和/或氮化物烫印层可以优选基于选自以下金属中的至少一种的金属：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta、W，或者基于亚化学计量的合金的氧化物，所述合金基于这些金属中的至少一种。

特别优选的是如下层：所述层基于选自以下的金属的氧化物或者氧氮化物：铌Nb、钽Ta、钛Ti、铬Cr或者镍Ni，或者基于由这些金属中的至少两种形成的合金，特别是铌/钽(Nb/Ta)合金、铌/铬(Nb/Cr)合金、钽/铬(Ta/Cr)合金或者镍/铬(Ni/Cr)合金。

作为亚化学计量的金属氮化物，也可以选择由以下物质制成的层：硅氮化物SiN_x、或者铝AlN_x、或者铬氮化物CrN_x、或者钛氮化物TiN_x、或者许多金属的氮化物，例如NiCrN_x。

使用特殊的沉积气氛，薄烫印层可以具有氧化梯度，例如M(N)O_xi，其中xi是变化的，与功能层接触的那部分烫印层比离功能层最远的层的氧化程度低。

阻挡膜可以也是多层的，特别是包含：

-一方面，“界面”层与所述功能层紧邻接触，所述界面层由基于非化学计量的金属氧化物、氮化物或者氧氮化物的材料制成，例如上面提到的那些；

-另一方面，至少一种层由金属材料制成，例如上面提到的那些，该层与所述“界面”层紧邻接触。

界面层可以是金属的氧化物、氮化物或者氧氮化物，其存在于任选存在的相邻的金属层中。

本发明的电极膜的覆盖层优选基于以下金属氧化物中的至少一种，其中任选掺杂所述其它金属氧化物：铬氧化物、铟氧化物、任选亚化学计量的锌氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钼氧化物、锆氧化物、锑氧化物、锡氧化物、钽氧化物和硅氧化物，并且所述覆盖层的厚度优选为3-50nm。

所述覆盖层可以是例如掺杂有F、Sb的锡氧化物，或者铝-掺杂锌氧化物，或者任选基于混合氧化物，特别是混合铟锡氧化物、混合氧化铟锌或者混合锌锡氧化物。

涂有基层和电极膜的本发明的基板优选其粗糙度使得覆盖层之上的峰-谷距离等于或小于10nm。

对于涂有基层和电极膜的本发明的基板，优选其覆盖层上的RMS粗糙度为3nm或者更小，更优选为2nm或者更小，甚至更优选为1.5nm或者更小，或者更优选1nm或者更小，从而避免会强烈降低特别是OLED的寿命和可靠性的针刺缺陷。

RMS粗糙度表示均方根粗糙度。这是粗糙度的RMS偏差的量度。因此，该RMS粗糙度特别是量化了与平均高度有关的粗糙度的峰和槽的平均高度。因此，2nm的RMS粗糙度意指双峰平均振幅。

可以各种方式进行测量：例如，通过原子力显微镜方法、通过机械针式系统(采用例如VEECO以商品名DEKTAK出售的测量仪器)和通过光学干涉测量法。通常，在1平方微米的面积通过原子力显微镜法进行测量，在较大的面积，即约50微米乘2毫米的面积，通过机械针式系统进行测量。

特别是当基板在基层与接触层之间包含由混合氧化物制成的非晶平滑层时获得所述低粗糙度，所述平滑层紧邻所述接触层并直接置于所述接触层之下，并且由不同于接触层材料的材料制成。

优选地，是混合氧化物层，所述混合氧化物层基于一种或多种以下金属的氧化物：Sn、Si、Ti、Zr、Hf、Zn、Ga和In，特别是基于锌和锡的任选掺杂的混合氧化物层，或者是混合铟锡氧化物(ITO)层，或者是混合铟锌氧化物(IZO)层。

优选地，平滑层的几何学厚度为0.1-30nm，更优选为0.2-10nm。

然而，基板优选包括位于底电极膜之上的底总线电极结构，所述总线电极结构与所述电极膜电接触。

底总线电极结构在蚀刻之前为电流源层的形式。优选地，其厚度为0.5-10μm，优选为基于以下一种金属或者合金的单层的形式：所述金属是Mo、Al、Cr、Nd，所述合金例如MoCr、AlNd，或者是多层的形式，例如MoCr/Al/MoCr。

用于制备OLED装置时，从基板的第一主表面开始，基板按以下顺序包括：

-底电极膜之上的OLED系统；

-所述OLED系统之上的顶电极膜；和

-顶电极膜之上的顶部总线电极结构，所述总线电极结构与所述顶电极膜电接触。

在一个具体方案中，由基层和底电极膜形成的组件包含用于建筑玻璃的多层涂层，特别是″可韧化的″多层涂层，或者″待韧化的″多层涂层，和/或特别是低-E多层涂层，特别是以下类型的多层涂层：

-基于金属氧化物和/或基于金属氮化物的基层/(蚀刻停止层)/(平滑层)/氧化物接触层/(下阻挡膜)/金属功能层/(上阻挡膜)/基于金属氧化物和/或金属氮化物的覆盖层；

-基于金属氮化物的基极和接触层/(下阻挡膜)/金属功能层/(上阻挡膜)/基于金属氮化物的覆盖层。

在另一个具体实施方案中，涂有基层和底电极膜的基板包含用于建筑玻璃的基板，特别是″可韧化的″建筑玻璃的基板或者″待韧化的″建筑玻璃的基板，这些基板涂有薄膜多层涂层和/或特别是低-E多层涂层，所述基板优选在沉积薄层之后不被韧化。

在另外的实施方案中，本发明的基板包括，位于第二主表面之上的功能膜，所述功能膜选自：抗反射多层、防雾层或者防污层、紫外滤光片、特别是钛氧化物层、磷层、镜层和光提取散射区。

平的基板可以是透明的(特别是用于通过基板来发射)。平的基板可以是刚性的、柔性的或者是半柔性的。

平的基板优选由玻璃制成，特别是钠钙玻璃。有利地，在OLED光线的波长下，基板可以是吸收系数小于2.5m^-1，优选小于0.7m^-1的玻璃。

例如，选择含有小于0.05％的FeIII或者Fe₂O₃的钠钙玻璃，特别是得自Saint-Gobain玻璃的玻璃Diamant，得自Pilkington的玻璃Optiwhite，或者得自Schott的玻璃B270。可以选择文献WO04/025334中所述的所有超透明玻璃组合物。

在用于OLED系统通过透明基板厚度发射的所选的构造中，在基板中对发出的有些光线的进行导向。

此外，本发明的有利设计中，所选玻璃基板的厚度可以为至少1mm，例如优选至少5mm。这使得内部反射的数量降低，并因此能够提取出在玻璃中被导向的更多光线，从而增加发光区的亮度。

为了对所导向的光线进行最优循环，也可以反射基板的边缘并且优选具有镜面，和/或所述边缘可以与OLED系统所连接的主表面形成大于90°但是小于或者等于135°的内角度，优选约100°，以便在较宽的提取面积对光线进行再导向。因此，基板的边缘可以有斜面。

在文献JP2005-038642中，为了对电极进行电分离，在用到各种酸的以各种蚀刻速率进行的许多蚀刻步骤中构造底电极。因此，首先蚀刻匹配功函数的层，然后蚀刻金属层，最后蚀刻粘附层。

本发明的一个目的是能够获得导电层组件，从而形成可靠耐用的电极(特别是在稳定性和/或耐热性和机械耐性方面)，并且不牺牲其导电性能或者其光学质量，也不牺牲包含它的装置的性能，更不会引起生产上的困难，特别是当用于湿蚀刻时更是如此。

因此，本发明提供对基板之上，特别是玻璃基板之上的多层电极进行酸蚀刻方法，所述基板包括基层，优选基于硅氮化物、硅氧化物或者硅氧氮化物。

本发明也涉及用于制作本发明基板的方法，其中，在基板之上至少沉积基层和电极膜，优选至少至少部分地通过溅射型真空技术来沉积，任选磁电管溅射，然后将所述基板进行蚀刻，从而在单一步骤中至少蚀刻电极膜。

优选通过真空沉积技术来沉积电极膜的所有层，然而并不排除能够通过其它技术来沉积第一层或者多层涂层的层，例如热解型热分解技术.

在用于制作所述装置的方法的上下文中，如果电极膜不直接具有必需的电极结构，它就会进行用于制备电极结构的蚀刻步骤，例如化学(优选酸)丝网印刷步骤或者激光蚀刻步骤，例如大体上已知用于ITO-基电极膜的那些步骤。

最特别的是，可以通过RIE(反应性离子蚀刻)或者更优选通过湿蚀刻(可以容易地合并到制备阶段并且在大气压下进行操作的方法)来蚀刻本发明的电极膜。

优选以同一蚀刻图案和优选通过单一蚀刻操作来蚀刻从接触层到覆盖层的所有层，包括功能层，也就是说，不蚀刻基层自身。蚀刻停止层，如果存在的话，优选也不经蚀刻，但是可以轻微蚀刻，例如蚀刻其起始厚度的十分之一。如果不存在蚀刻停止层的，同样的适用于基层。

而且，通常优选在沉积OLED系统之前提供具有总线电极的电极膜。优选与电极膜同时蚀刻将会形成总线电极的层。

因此，本发明提供用于酸蚀刻基板之上，特别是玻璃基板之上的多层电极的方法，所述基板包括酸蚀刻停止层，优选基于硅氮化物和/或硅氧化物的基板，在单一步骤中采用单一酸溶液进行蚀刻，所述酸溶液选自纯硝酸HNO₃、或者硝酸与盐酸HCl的混合物、或者纯盐酸、或者盐酸与三氯化铁FeCl₃(或者称作FeIII氯化物)的混合物。

因此，可以蚀刻这样的蚀刻图案，其中时刻图案的宽度和间距随应用而变化。

在至少一种金属电流源带的存在下进行所述蚀刻，所述金属电流源带优选是基于以下一种金属或者合金的单层的形式：所述金属是Mo、Al、Cr、Nd，所述合金例如MoCr、AlNd，或者是多层的形式，例如MoCr/Al/MoCr。

本发明也涉及有机发光装置，所述有机发光装置包括至少一种载体基板，特别是玻璃基板，前提是至少一种有机电致发光层置于前述底电极(即最接近载体基板的电极)与顶电极之间。

OLED装置可以制备单色光，特别是蓝色和/或绿色和/或红色光，或者可以对其进行调整从而产生白光。

为了产生白光，可以采用许多方法：在单一层中混合化合物(红色、绿色、蓝色发光)；在电极表面上堆叠三个有机结构(红色、绿色和蓝色发光)或者两个有机结构(黄色和蓝色)；连续的三个相邻的有机结构(红色、绿色、蓝色发光)；在电极的一个表面上设置一种颜色的有机结构，在另一个表面上设置适合的磷层。

OLED装置可以包含多个相邻的有机发光系统，这些有机发光系统各自发白光，或者包含连续的三个有机发光系统，这些有机发光系统发红色、绿色和蓝色光，这些系统例如串联连接。

装置可以形成多层玻璃单元的一部分，多层玻璃单元特别是真空玻璃单元或者具有空气层或者其它气体层的玻璃单元。装置也可以是单片电路的，并且包含单片电路玻璃单元以便更密实紧凑和/或更轻。

OLED系统可以与其它平的基板粘结，或者优选层合，将其称作覆盖，平的基板优选是透明的，例如玻璃，使用层合隔层，特别是超透明隔层。

层合玻璃单元通常由两个刚性基板组成，在这两个刚性基板之间置有热塑性聚合物片或者这种片的层合物。本发明也包括称作“不对称”层合玻璃单元的玻璃单元，特别是使用玻璃型刚性载体基板，以及使用一种或多种保护聚合物片作为覆盖基板。

本发明也包括这样的层合玻璃单元，所述层合玻璃单元具有至少一种隔层片，该隔层片基于单侧的或者双侧的弹性体型的粘性聚合物(也就是说，所述隔层片不需要传统意义上的层合操作，也就是说，传统意义上的层合通常需要加压下加热，从而软化热塑性隔层片并使其粘合)。

在该结构中，用于将覆盖物固定于载体基板的方式可以是层合隔层，特别是热塑性片，例如聚氨酯(PU)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或者乙烯/醋酸乙烯(EVA)，或者可热固化单-组分或者多-组分树脂(环氧，PU)或者紫外线-可固化单-组分或者多-组分树脂(环氧，丙烯酸树脂)。优选地，片与覆盖物和基板(基本上)是同一尺寸。

层合隔层可以防止覆盖物发生挠曲，特别是用于大的装置，例如面积大于0.5m²的装置。

特别地，EV具有许多优点：

-其含有很小体积的水或者不含水；

-不需要在高压加工处理。

热塑性层合隔层可以优选具有由铸塑树脂制成的覆盖物，因为操作起来更容易，更经济并且可以更加密封。

隔层任选包括置于其内部表面内的一排导电线，所述导电线对着顶电极，和/或包括置于覆盖物内部表面之上的导电层或者导电片。

可以优选将OLED系统置于双玻璃单元的内侧，具有气体层例如惰性气体(例如氩)。

顶电极可以是导电层，有利地选自金属氧化物，特别是以下材料：

-掺杂的锌氧化物，特别是铝-掺杂锌氧化物ZnO:Al或者镓-掺杂锌氧化物ZnO:Ga；

-或者掺杂铟氧化物，特别是锡-掺杂铟氧化物(ITO)或者锌-掺杂铟氧化物(IZO)。

更通常是，可以使用任意类型的透明导电层，例如TCO(透明导电氧化物)层，例如其厚度为20-1000nm。

也可以使用称作TCC(透明导电涂层)的薄金属层，例如由Ag、Al、Pd、Cu、Pd、PtIn、Mo、Au制成，典型地，其厚度为5-150nm，该厚度取决于希望的光透射/反射。

电极不需要是连续的。顶电极可以包含多个导电片或者导电线(丝网)。

而且，可以在具有本发明电极的基板的相对面之上或者在另外的基板之上有利地添加给定功能的膜。这可以是防雾层(采用亲水层)，防污层(包括TiO₂的光催化涂层，至少以锐钛矿的形式部分结晶)，或者抗反射多层涂层例如Si₃N₄/SiO₂/Si₃N₄/SiO₂型，或者滤UV的涂层，例如，钛氧化物(TiO₂)层。也可以是一种或多种磷层、镜层或者至少一种散射光提取区。

本发明也涉及可以采用这些OLED装置的各种应用，所述装置形成一个或者更多发光表面，所述表面是透明的和/或反射的(镜面功能)，可同时用于室外和室内应用。

装置可以选择性的或者组合的方式形成照明、装饰、建筑等系统，或者指示用显示板-例如图画、标识或者文字数字指示型的显示板，特别是紧急出口面板。

可以设置OLED装置从而产生均匀的光，特别是用于均匀照明，或者制备同一强度或者不同强度的各种发光区。

反过来，可以搜寻能区分的照明。有机发光系统(OLED)产生直接的光区，并且其它发光区通过提取OLED光线来获得，所述OLED光线通过基板厚度的总反射导向，选择由玻璃制成基板。

为了形成该另一个发光区，提取区可以与OLED系统邻或者位于相对于基板的另一侧上。提取区可以用来例如增加直接光区提供的照明，特别是用于建筑照明，或者用于指示发光面板。提取区优选为一种或多种光带的形式，特别是均匀的光带，它们优选置于所述面之一的外围之上。这些带可以例如形成高度发光的画面。

通过置于提取区中的以下方式中的至少一种进行提取：扩散层，优选基于无机颗粒和优选使用无机粘合剂，制成的具有扩散性的基板，特别是有织纹的或者粗糙的基板。

两个主表面可以各自具有直接光区。

当选择OLED系统的电极和有机结构为透明的时，特别地，可以制备照明窗户。这时，改进房屋的照明就不是损害光透射。也通过限制光反射，特别是照明窗户外侧上的光反射，也可以控制反射程度，例如为了有效地符合建筑物墙体的防-眩目标准。

更广泛地，装置，特别是部分或者全部透明装置，可以：

-用于建筑，例如外部发光玻璃、内部发光隔板或者发光玻璃门(或者门的一部分)，特别是可滑动的那些；

-用于交通工具，例如发光顶、发光侧窗(或者窗户的一部分)，陆上、水下或者空中交通工具的内部发光隔板；

-用于城市家具或者专业家具，例如公共汽车候车亭面板、展台墙壁或者商店橱窗、温室墙壁，或者照明用砖瓦；

-用于室内陈设，例如架子或者橱柜的元件、橱柜的正面、照明用砖瓦、天花板、照明用冰箱架子、鱼缸壁；

-用于电子设备的背光，特别是显示屏，任选双屏幕，例如电视屏幕或计算机屏幕、触感屏幕。

例如，可以设计用于不同尺寸的双侧屏幕的背光，小屏幕优选与Fresnel透镜联合使用以集中光线。

为了形成照明镜，如果希望优选只照亮直接光区的一侧，电极之一可以是反射型的，或者可以将镜置于OLED系统相对面之上。

也可以是镜。发光面板可以用于照明浴室墙壁或者厨房操作台，或者可以是天花板。

通常，根据所用的有机材料，将OLED分为两大类。

如果电致发光层由小分子形成，装置称作SM-OLED(小分子有机发光二极管)。薄层的有机电致发光材料包含脱水的分子，例如以下物质的分子：复合物AlQ₃(三(8-羟基喹啉)铝)、DPVBi(4，4′-(二苯基亚乙烯基)联苯)、DMQA(二甲基喹吖)或者DCM(4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)。发射层也可以是例如4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)掺杂有fac-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₃)的层。

通常，SM-OLED的结构包含HIL(空穴注射层)和空穴传输层(HTL)、发射层和ETL(电子传输层)的堆叠。

空穴注射层的例子是铜酞菁(CuPC)和空穴传输层可以是例如N，N′-双(萘-1-基)-N，N′-双(苯基)对二氨基联苯(α-NPB)。

电子传输层可以由三-(8-羟基喹啉)铝(AlQ₃)或者邻二氮杂菲(BPhen)构成。

顶电极可以是Mg/Al或者LiF/Al层。

有机发光堆叠的例子例如文献US6645645中所述的。

如果有机电致发光层是聚合物的话，装置称作PLED(聚合物发光二极管)。

薄层的有机电致发光材料包含聚合物(PLED)例如，PPV，代表聚(对-亚苯基亚乙烯基)、PPP(聚(对-亚苯基))、DO-PPP(聚(2-癸氧基-1，4-亚苯基))、MEH-PPV(聚[2-(2′-乙基己氧基)-5-甲氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基])、CN-PPV(聚[2，5-双(己氧基)-1，4-亚苯基-(1-氰基亚乙烯基)])或者PDAF(聚二烷基芴)，和聚合物层也与促进空穴注射(HIL)的层结合使用，空穴注射层例如由PEDT/PSS(聚(3，4-亚乙烯基-二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))构成。

由以下堆叠物构成的PLED的一个例子：

-聚(2，4-乙烯基二氧噻吩)掺杂有聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT:PSS)的层，其厚度为50nm；和

-苯基聚(对-亚苯基亚乙烯基)Ph-PPV的层，其厚度为50nm。

顶电极可以是Ca的层。

附图说明

现在，将通过非限制性实施例和附图来更详细地描述本发明：

-图1是用于均匀(背)光照射的有机发光装置的示意性截面图，其包括本发明的第一实施方案的底电极；

-图2是更具体地显示所述底电极的局部视图；

-图3说明了用于制作和蚀刻所述电极的方法；

-图4说明了用于均匀(背)光照射的有机发光装置的示意性截面图，它设置在许多区域内并且包括本发明的第二实施方案的底电极；

-图5和6说明了示意性顶视图，显示了两个图表用于电连接与第二实施方案中所用的相似的电极；和

-图7是用于能区分的光照的有机发光装置的示意性侧面图。

应该指出的是，为了详细说明目标物的各种元素(包括角度)，不需要按比例制作示意图。

具体实施方式

图1意在高度示意性。图1显示了有机发光装置10(底-发光装置，也就是说，穿过基板发光)的横截面，有机发光装置10连续包括：

-透明或者超透明钠钙玻璃的平基板1，其厚度为2.1mm，具有第一和第二主表面11、12，第一主表面11具有：

-直接沉积在第一主表面11之上的基层2，也用作蚀刻停止层，其由硅氮化物制成，厚度为10nm-80nm，并且基本上覆盖所有第一主表面11的全部；

-直接沉积在基层2之上的底电极(或电极膜)3，蚀刻，并选择其为透明的，其包括以下类型的多层涂层(参见图2)，多层涂层包括：

-接触层31，其选自ZnO_x(掺杂或者未掺杂的)、Sn_yZn_zO_x、ITO或者IZO；

-由银制成的功能层32，优选纯银；

-任选存在的直接位于功能层32之上的上阻挡膜32′；

-选自ZnO_x、Sn_yZn_zO_x、ITO或者IZO的保护层33、接触层和保护层，其用于保护不受水和/或氧的影响，并且性质相同；

-覆盖层34，特别是匹配功函数的覆盖层；

也就是说，优选多层涂层ZnO:Al/Ag/Ti或者NiCr/ZnO:Al/ITO分别具有以下厚度：ZnO:Al为5-20nm；银为5-15nm；Ti或者NiCr为0.5-2nm；ZnO:Al为5-20nm；ITO为5-20nm；

-有机发光系统4，例如以下结构的SM-OLED：

-α-NPD层；

-TCT+Ir(ppy)₃层；

-BPhen层；

-LiF层；

-反射的，特别是金属的，顶电极5，特别地基于银或者铝。

通过在室温下的磁电管溅射，通常是在1-4mm厚度的基板之上溅射，进行用于制备基层2和膜3的多层涂层的一连串的沉积例子。

下表显示这些实施例各层的性质和单位为纳米的厚度，和这些实施例的主要特性。

通过原子力显微镜法测量RMS粗糙度(或者Rq)。

用于各层的沉积条件如下：

·在0.25Pa的压力下，在氩/氮气氛中，使用铝-掺杂的硅靶，通过反应性溅射来沉积Si₃N₄:Al-基层；

·在0.2Pa的压力下，在氩/氧气氛中，使用锑-掺杂的氧化锡锌靶，所述靶包括65重量％Sn，34重量％Zn和1重量％Sb，通过反应性溅射来沉积SnZn:SbO_x-基层；

·在0.8Pa的压力下，在纯氩气氛中，使用银靶来沉积银-基层e；

·在0.8Pa的压力下，在纯氩气氛中，使用钛靶来沉积Ti层；

·在0.2Pa的压力下，在氩/氧气氛中，使用铝-掺杂锌靶，通过反应性溅射来沉积ZnO:Al-基层；和

·在氩/氧气氛中，在0.2Pa的压力下，在氩/氧气氛中，使用陶瓷靶来沉积ITO-基覆盖层。

实施例	1	2	3	4	5*	6*	7
								层
SiO₂						150nm
								ITO						90nm
2:Si₃N₄:Al	20	25	26	21	21		20
								30:SnZn:SbO_x				5	5
31:ZnO:Al	20	10	5	5	5		20
								32:Ag	12	12	12	12	12		30
32′:Ti		1	1	1	0.5
								33:ZnO:Al	40	20	20	20			40
34:ITO	20	20	20	20	10		20

T_L(％)	75	83	85	85	65	85	16
								R_L(％)	15	8	5	8	29	10	81
Abs(％)	10	9	10	7	6	5	3
								片的耐性(Ω/□)	4.5	4.4	3.5	3.3	3.5	20	0.9
RMS粗糙度(nm)	1.2	1.3	0.9	0.7	0.7	1	1.3
								OLED性能(x和y坐标)**					20(0.43；0.45)	15(0.43；0.43)
在1000cd/m²下的寿命(小时)					25000	15000

*在由0.7mm厚的钠钙玻璃制成的基板之上；

**：在1000cd/m²下，采用用于发射白光的具有x和y坐标的优化的OLED系统(单位lm/W)，在xyCIE比色法系统中测量，其接近希望的发光A，也就是说，x＝0.45并且y＝0.41。

在该结构中，本发明的电极使得OLED的单位为lm/W的功率改善了至少5-10％，或者15％，甚至不超过20％，与ITO电极相比，亮度大于500cd/m²。

作为变体，第一(底)电极可以包括下阻挡膜31′，类似于上阻挡膜32′，特别地，包括金属层，优选使用具有中性等离子体的金属靶获得，或者由一种或更多种金属的氮化物和/或氧化物制成的层，所述金属例如Ti、Ni和Cr，优选使用具有中性等离子体的陶瓷靶获得。

在实施例1-6中，电极是透明电极，涂覆过的基板的光传导≥50％，并且为50％和90％。在根据本发明的实施例1-4中，所述光传导是高的，这是因为光传导为75-85％。在本发明的实施例5中，光传导无可否认地很低，尽管其仍然大于50％，但是这不一定就是缺点，因为其吸收非常低。这些实施例1-6不能用作反射电极，这是因为它们的光反射小于70％，也不能用作透明/反射电极，因为它们的T_L/R_L比不在0.1-0.7之间。

在实施例4和5中，透明电极包括平滑层30，而在实施例1-3中，没有这样的平滑层。所述平滑层使得整个多层涂层的粗糙度减少了约10％，这是在覆盖层34之上测量的，并且同时将薄层电阻的多层涂层改善了约5％。

实施例5构建了与相对-实施例，即实施例6相比优化的实施例，实施例5具有TCO(ITO)电极。从上表可以看出，实施例5的薄层电阻、粗糙度、性能和寿命特性都优于实施例6。

在实施例7中，涂覆的基板可以用作透明/反射电极，因为所述涂覆的基板的T_L/R_L比为0.2，其处于0.1-0.7之间。此外，所述涂覆的基板的光传导小于50％，因此，不能用于制备透明电极，但是它可以用于制备反射电极，因为其光反射大于70％。

第一电极可以也可以基本上是反射电极。

底电极3沿着基板1的一侧延伸。因此，紧接着覆盖层34的边沿之上有第一金属电流源带61，优选其厚度为0.5-10μm，例如5μm，并且为由以下金属之一或者合金制成的层的形式：金属为Mo、Al、Cr、Nd，合金例如MoCr、AlNd，或者是多层的形式例如MoCr/Al/MoCr。

作为变体，底电极3可以具有重复n次的结构，其中n是等于或大于1的整数，所述结构如下：接触层/功能层/(薄烫印层)/(水和/或氧屏障层)。

所述结构之上为包括接触层/功能层/(水和/或氧屏障层)/所述覆盖层的层列。

在有机结构的堆叠的情况中，例如发红色、绿色和蓝色光，以便制备白光，也可以重复所有元素3、4、5三次，或者简单地使用多层，所述多层包括：Al/ITO、或者Ag/任选存在的薄的相似的烫印层/ITO、或者Ag/任选存在的薄的相似的烫印层/ZnO/ITO，用于另外的底电极。

顶电极沿基板1的相对侧延伸。紧接着顶电极5的边沿之上任选存在第二金属电流源带，优选与第一金属片相似。如果顶电极的厚度为50nm或者更小，优选所述第二片。

作为变体，第二电极实际上也为透明的或者半透明的电极，例如可以与第一电极相同或者相似。在这种情况下，任选地，将反射体添加到第二面12，例如金属层厚度为150nm。

EVA片可用来将基板1层合到其它窗格玻璃上，其它窗格玻优选璃具有与基板1相同的特性。任选地，窗格玻璃1的面向EV片的面12提供有具有后述给定功能的多层涂层。

将底电极3制成被蚀刻区310分开的两个部分。

采用湿蚀刻来与将装置10的顶电极5与底电极3电分离.

为了在一个蚀刻方案中并且在同一蚀刻图案中，在一个操作中蚀刻整个底电极(接触层、功能层、任选存在的上阻挡膜或者层、任选存在的保护层和覆盖层)，将各层暴露于以下酸溶液之一，事先采用耐酸胶带对所述层进行部分掩蔽，或者作为变体，使用照相平版印刷掩模：

-HCl(例如40％浓度)；

-或者HCl(例如4％浓度)；

-或者HCl(例如4％浓度)/HNO₃(例如7％浓度)混合物；

-或者HCl/FeCl₃混合物；或者

-HNO₃，浓度为10-18％。

用盐酸蚀刻得到非常均匀的蚀刻轮廓。用硝酸/盐酸混合物蚀刻也得到有用的结果。在为ITO的情况下，常规采用HCl/FeCl₃混合物。

使用所述两种酸的混合物并通过改变浓度，可以调节蚀刻轮廓、蚀刻时间和解析度。

因此，可以蚀刻宽度和间距随应用而改变的图案。

对于小的无源-阵列OLED屏幕(用于电子设备-移动电话、显示器、私人秘书、MP3阅读器等的显示器)，各蚀刻区的宽度可以典型地为10-20μm，各蚀刻区隔开10-50μm，例如35μm(相应于各电极区的宽度)。

在大的无源-阵列OLED屏幕的情况下，例如用于广告或者指示用显示器，各蚀刻区的宽度可以为约0.5mm并且各电极区的宽度可以为几毫米、几厘米或者更大。

用于均匀光照，各蚀刻区的宽度可以等于或小于100μm，更优选等于或小于50μm，而与屏幕的尺寸无关。

图3说明了用于制作和蚀刻所述电极的方法。

在已经沉积了基层2、电极3和金属电流源层6(不管是单层或者多层的)之后，采用不会蚀刻电极的溶液来蚀刻所述层6，所述溶液例如氢氧化钠(步骤E1)和，然后如已经解释的那样，在单一步骤中蚀刻底电极3(步骤E2)，然后在其上沉积OLED系统4和顶电极5，例如由Al制成thereon(步骤E3)。

图4说明了用于均匀(背)光照明的有机发光装置10的示意性截面图，其设置在许多区域中，并且包含本发明的第二实施方案的底电极。

在下述元件方面，所述第二装置不同于第一装置。

图4所示的装置10包含两个相邻的有机发光系统4和4b，它们各自优选发白光或者，作为变体，连续的三个有机发光系统，它们各自发红色，绿色和蓝色的光。系统4和4b是串联连接的。底电极主要分成两个长方形或者正方形3a、3b，其边长约为10cm，各自在OLED系统的一侧之上向外延伸(在图中的左边)。这些电极区域被蚀刻区310分开。蚀刻区320将第二电极区3b与“剩余的″底电极区分开(在图中的右边)。第一金属片部分地覆盖第一底电极区3，形成总线棒，得到总线电极结构61。

顶电极也被分开。第一顶电极区5向右侧延伸并且覆盖第二底电极区3b的左边边缘。第二顶电极区5b向右边缘延伸并且覆盖剩余的底电极区的左边边缘，并且被第二金属片覆盖，形成总线棒，得到总线电极结构62。

蚀刻区310、320例如为宽度20-50μm的带状物，因此肉眼几乎可见。

图5和6说明了示意性顶视图，其显示了用于连接与第二实施方案所用的电极相似的电极的两个方案。

在图5中，串联连接三个有机发光系统4-4c。蚀刻区310和320是宽度20-50μm的带状物，因此肉眼几乎可见。

底电极分成三个长方形，各自宽度边长为约10cm，各自在一侧之上延伸(在图中的左边)。它们被蚀刻区域310、320分开。顶电极5-5c也被分成三部分。第一金属片部分地覆盖第一底电极区，形成总线棒，得到总线电极结构61。

头两个顶电极区5a、5b向右侧延伸并且覆盖相邻的底电极区的左边边缘。第三顶电极区5c向右边缘延伸并且覆盖剩余的底电极区的左边边缘，并且被第二金属片覆盖，形成总线棒，得到总线电极结构62。

在图6中，以两个相互平行的串联方式连接六个有机发光系统4-4c，4′-4′c(一个连续的三个系统4-4c位于图的顶部，一个连续的三个系统4a′-4c′位于图的底部)。在蚀刻区310-330中，310、320都是横向的，并且330是纵向的，并且是宽度为20-50μm的条状物，从而肉眼几乎可见。

底电极分成六个正方形，边长约10cm，各自在一侧之上延伸(在图中的左边)。底电极区被蚀刻区310-330分开。切割形成总线棒的第一片，或者采用在图中左边的总线电极结构61、61′的两个片，从而形成集电器。

顶电极5-5c、5′-5′c也分成六部分。头两个顶顶电极区5和5b(位于图左边顶部)向右侧延伸，并覆盖相邻底电极的第三区的左侧边缘。

第三顶顶电极区5c向右边缘延伸并且覆盖剩余的底电极区的左边边缘，并且被金属片覆盖，形成总线棒，得到总线电极结构62，并在第三顶电极区5c与5c′之间形成电连接(位于图右边)。

头两个底顶电极区5′和5′b(位于图左边底部)右侧延伸并且覆盖相邻的底电极的第三底电极区3b的左边边缘。

图7用于能区分的光照的有机发光装置的示意性侧面图。

所述装置10首先包含平的透明基板1，优选由优选厚玻璃片构成，例如厚度为4mm或者6mm，其在可见光区的吸收系数为2.5m^-1或者更小。优选选择超透明钠钙石英玻璃，其在可见光区的吸收系数小于0.7m^-1。为该玻璃提供有第一和第二平行主表面12、11，并具有底面13。通过覆盖物在所述装置的底部将其封闭(这里未显示)。

OLED-型发光-装置10包括OLED系统4，所述OLED系统4在25nmSi₃N₄的基层之上具有ZnO:Al_20nm/Ag_12nm/Ti_1nm/ZnO:Al_20nm/ITO_20nm型底电极，所述基层置于第一主表面11之上。限定了基板1任一侧之上的第一直接光区71、72。

相对于基板1，第一直接光区71位于OLED系统4的相对侧，其覆盖了第二主表面12的中心部分。第二直接光区72，位于OLED系统4的同一侧，向整个第一主表面11之下延伸。

调节装置10的特性，从而第一直接光区71的亮度L1优选大于第二直接光区72的亮度L2(通过粗箭头F1和细箭头F2象征性地显示)。

因此，为了使L1大于L2，装置10主要通过底电极发光。例如，选择L1使其等于约1000cd/m²并且L2等于约500cd/m²，从而视觉舒适。

装置10也是在基板1厚度中通过全部内部反射导向的光源。通过扩散层7，从第二表面12的边缘提取被导向的光线，例如基于无机粘合剂中分散的无机散射颗粒。因此，定义了形成外围发光区域的第三光区73.作为变体，扩散层7仅仅形成横向带或者外围纵向带。

为了促进被导向的光线的提取，形成底面13的各边缘与第一主表面11成大于90°和约100°的内角，并且包括镜面，例如金属银或者铜层.

第三光区73的亮度L3优选大于第一直接光区71的亮度L1(通过非常粗的箭头F3象征性地示意)。

装置10可以用于建筑，作为照明窗户、照明门、温室墙或者玻璃顶，或者交通工具的侧窗或者照明顶。第二表面12是内表面(照明程度最高的面)。

当照亮装置10时间，在夜间或者在黑暗的环境中，中心直接光区71可以保护房间或者包房中的人的隐私。为了达到该目的，所有需要的就是通过玻璃传送的光束至少等于通过房屋反射和返回的光束。

装置10可以形成双玻璃单元，装置10优选位于基板1与任选更薄的另外的玻璃窗格之间的内部气体-填充的空间。

因此，将装置10设计成也可以用作照明透明架子、发光冰箱架子、两个房间之间的照明透明隔板或者鱼缸壁。因此，可以调节装置10的特性，从而使得第一直接光区71的亮度L1约等于第二直接光区72的亮度L2。

光区71、72是均匀的。作为变体，装置10也可以具有至少一种如下的直接光区，所述直接光区是不连续的和/或形成图案、标识或者指示。

附加功能

已经说明过，将载体基板1的第二表面(位于有机发光系统的相对侧)功能化是有利的。

因此，在表面之上沉积薄层，意指为这些薄层提供特定的性能，例如目的在于使基板保持尽可能清洁，而不受环境侵袭的影响，也就是说，用于长时间保持地表面性能和外观，特别是当灰尘在基板表面不断增加时，通过在去除灰尘方面取得成功，使得清洁操作可以进一步隔开进行，特别是有机源的灰尘，例如手印或者空气中的挥发性有机物质，或者甚至是汗或者污染尘埃类型的灰尘。

在具有玻璃功能的基板领域，已知在基板上使用光催化膜，具有显著的″防污″效果，并且可以工业规模进行生产。这些光催化膜通常在所述薄膜中以颗粒的形式含有至少部分结晶的钛氧化物，特别是尺寸为几(3或者4)nm至100nm，优选约50nm的颗粒，基本上以锐钛矿或者锐钛矿/金红石为结晶的的形式。

这是因为钛氧化物是半导体中的一种，在可见光或者紫外光范围内的光的作用下，它可以降解沉积在它们的表面上的有机物质。

因此，根据第一实施方案，具有光催化性能的膜得自基于TiO₂纳米颗粒和中孔二氧化硅(SiO₂)粘合剂的溶液。

根据第二实施方案，具有光催化性能的膜得自基于TiO₂纳米颗粒和无结构二氧化硅(SiO₂)粘合剂的溶液。

而且，与关于钛氧化物颗粒的光催化膜方案无关的是，已经基于至少部分结晶的钛氧化物选择了这些钛氧化物颗粒，因为已经显示出，在光催化性能方面，这些钛氧化物颗粒比无定形钛氧化物有效得多。优选地，所述氧化物以锐钛矿形式、金红石形式或者锐钛矿/金红石混合物的形式为结晶态的。

除了钛氧化物之外，具有光催化性能的膜也可以包括至少一种其它类型的无机材料，特别是无定形或者部分结晶的氧化物的形式，例如硅氧化物(或者氧化物的混合物)、钛氧化物、锡氧化物、锆氧化物或者铝氧化物。通过其自身具有一定的光催化效应，所述无机材料也可以参与结晶钛氧化物的光催化效应，虽然与结晶TiO₂相比，所述无机材料的光催化效应较小，这是无定形或部分结晶的钛氧化物的情形。

膜厚度可以在几nm和几μm之间变化，典型地为50nm-10μm。

事实上，可以根据各种参数选择厚度，特别是根据基板的期望应用，或者膜中TiO₂微晶的尺寸。也可以选择膜，使其具有相对较光滑的表面-这是因为如果低的表面粗糙度允许较大的活性光催化面积显影的话，低的表面粗糙度可以是有利的。然而，太显著地粗糙度会是有害的，因为它会促进灰尘的结壳和累积。

根据其它变体，可以通过抗反射膜形成在基板另一面上提供功能。

下面给出的是四个多层抗反射涂层的几何厚度和指数的优选范围，所述涂层称作A：

-n₁和/或n₃为2.00-2.30，特别是2.15-2.25，优选接近2.20；

-n₂和/或n₄为1.35-1.65；

-e₁为5-50nm，特别是10-30nm，或者为15-25nm；

-e₂为5-50nm，特别是等于或小于35nm或者30nm，特别是为10-35nm；

-e₃为40-180nm，优选45-150nm；和

-e₄为45-110nm，优选70-105nm。

用于形成抗反射涂层A的第一和/或第三层的最适合材料，即具有高指数的那些，是基于硅氮化物或者锆氮化物或者基于这些氮化物的混合物的。作为变体，这些高-指数层基于硅氮化物或者钽氮化物或者这些氮化物的混合物。可以任选掺杂所有这些材料，从而改善它们的化学耐性和/或机械耐性和/或电耐性。

用于形成层涂层A的第二和/或第四层的最适合材料，即具有低指数的那些，是基于硅氧化物、硅氧氮化物和/或硅碳氧化物或者基于混合硅铝氧化物。这种混合氧化物往往具有比纯SiO₂好的耐久性，特别是化学耐久性(专利EP791562中给出了其实施例)。可以调节这两种氧化物各自的比例，以便改善期望的耐久性，而不过分地增加层的折射指数。

所述抗反射涂层的优选方案是以下形式的：基板/Si₃N₄/SiO₂/Si₃N₄/SiO₂。

不用说，本发明可以同一方式用于采用不同于实施例中所述发光-装置的发光装置的的系统。

前面已经通过实施例描述了本发明。当然，本领域技术人员能够做出本发明的各种可选形式，而不会背离权利要求所限定的本专利的保护范围。

Claims

1.一种用于有机发光装置(10)的基板(1)，其包括，位于第一主面(11)之上的底电极膜(3)，所述电极膜(3)由薄膜多层涂层形成，所述多层涂层包括至少以下各层：

-基于金属氧化物的接触层(31)，该接触层(31)是任选掺杂的、任选亚化学计量的锌氧化物，或者是基于非化学计量的锌和锡混合氧化物、混合铟锡氧化物、混合铟锌氧化物；

-具有本征导电性能的金属功能层(32)，该功能层(32)基于选自银的纯材料，或者基于所述材料与选自以下的其它材料的合金或者掺杂物：Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co和Sn；和

-基于金属氧化物的覆盖层(34)，所述覆盖层(34)用于匹配所述电极膜的功函数，其基于至少一种以下任选掺杂的氧化物：钼氧化物、铟氧化物、混合铟锡氧化物(ITO)层或混合铟锌氧化物(IZO)层；

其特征在于，所述基板(1)包括基层(2)，所述基层(2)覆盖所述主面(11)，所述基板(1)包括位于基层(2)与接触层(31)之间的蚀刻停止层，或者其特征在于，蚀刻停止层形成基层(2)的一部分或者形成基层(2)，并且所述蚀刻停止层基于硅氮化物、或者基于硅氧化物、或者基于硅氧氮化物、或者基于硅碳氧化物、或者基于硅氧碳氮化物，形成所述基层的蚀刻停止层任选与锡掺杂，所述金属功能层(32)直接位于至少一种下阻挡膜(31′)之上和/或直接位于至少一种上阻挡膜(32′)之下。

2.如权利要求1所述的基板(1)，其特征在于，所述基层(2)是由基于硅氧化物或硅碳氧化物或基于硅氮化物、硅氧氮化物或硅氧碳氮化物的材料制成的层，任选掺杂所述基层的材料，并且所述基层厚度为10-150nm。

3.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，将由所述接触层(31)、所述覆盖层(34)和位于这两层之间的所有层组成的层的组合蚀刻在同一蚀刻图案中，所述位于所述接触层(31)与所述覆盖层(34)之间的层包括功能层(32)。

4.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述基板(1)的光传导T_L等于或大于50％，所述基板(1)的定义为1-R_L-T_L的吸收等于或小于15％，或者其特征在于，所述基板(1)的光反射R_L等于或大于70％，或者其特征在于，所述基板(1)的T_L/R_L比为0.1-0.7。

5.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述覆盖层(34)上的RMS粗糙度等于或小于3nm。

6.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述功能层(32)的厚度为3-20nm。

7.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述接触层的厚度为3-30nm。

8.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述覆盖层(34)的厚度为3-50nm。

9.如权利要求8所述的基板(1)，其特征在于，至少一种阻挡膜(31′，32′)包含金属层、金属氮化物层和/或金属氧化物层，其中，这些层基于以下金属中的至少一种：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta和W，或者基于至少一种所述材料的合金。

10.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述基板(1)在基层(2)与接触层(31)之间包括由混合氧化物制成的非晶平滑层(30)，所述平滑层(30)紧邻所述接触层(31)并直接置于所述接触层(31)之下，并且所述平滑层(30)由不同于接触层材料的材料制成。

11.如权利要求10所述的基板(10)，其特征在于，所述平滑层(30)是基于一种或多种以下元素的氧化物的混合氧化物层：Sn、Si、Ti、Zr、Hf、Zn、Ga、In。

12.如权利要求11所述的基板(10)，其特征在于，所述混合氧化物层是基于锌和锡的任选掺杂的混合氧化物层，或者是混合铟锡氧化物(ITO)层，或者是混合铟锌氧化物(IZO)层。

13.如权利要求11所述的基板(10)，其特征在于，所述平滑层的厚度为0.1-30nm。

14.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，将以下结构在基层(2)和任选存在的蚀刻停止层上沉积n次：接触层(31)和功能金属层(32)，其中，n是等于或大于1的整数，在所述结构之上有包括以下连续层的层列，所述连续层至少由接触层(31)/功能金属层(32)/覆盖层(34)构成。

15.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述基板(1)包括位于所述底电极膜(3)之上的底部总线电极结构(61，61′)，所述总线电极结构(61，61′)与所述电极膜(3)电接触。

16.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述基板(1)包括位于电极膜(3)之上的OLED系统(4)。

17.如权利要求16所述的基板(1)，其特征在于，所述基板(1)包括位于所述OLED系统(4)之上的顶电极膜(5)。

18.如权利要求17所述的基板(1)，其特征在于，所述基板(1)包括位于所述顶电极膜(5)之上的顶部总线电极结构(62)，所述总线电极结构(62)与所述顶电极膜(5)电接触。

19.如权利要求1或2所述的基板(1)，其特征在于，所述基板(1)包括位于第二主表面(12)之上的功能膜，所述功能膜选自：抗反射多层、防雾层或者防污层、紫外滤光片、磷层、镜层和光提取散射区(73)。

20.一种顶部发光的和/或底部发光的有机发光装置(10)，其包括权利要求1-19任一项所述的基板(1)。

21.如权利要求20所述的有机发光装置(10)，其整合在玻璃单元中。

22.如权利要求20或21所述的有机发光装置(10)，其特征在于，所述有机发光装置(10)包括多个相邻的各自发白光的有机发光系统，或者包括一连串的分别发红光、绿光和蓝光的三个系统，所述这些系统串联连接。

23.如权利要求20或21所述的有机发光装置(10)，其特征在于，所述有机发光装置(10)形成一个或多个反射和/或透明发光表面。

24.如权利要求20或21所述的有机发光装置(10)，其特征在于，所述有机发光装置：

-用于建筑；

-用于交通工具；

-用于城市家具或者专业家具；

-用于室内陈设；

-用于电子设备的背光；和

-照明镜。

25.用于制作如权利要求1-19任一项所述基板(1)的方法，其特征在于，至少所述基层(2)和所述底电极膜(3)沉积在所述基板上。

26.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述沉积至少部分地通过溅射型真空技术来进行，并且，其特征在于，然后将所述基板进行蚀刻。

27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述真空技术为磁电管溅射。

28.如权利要求25或26所述的方法，其特征在于，所述蚀刻是酸蚀刻操作，所述蚀刻在一个步骤中并且采用选自以下的酸溶液来进行：纯硝酸HNO₃、或者硝酸与盐酸HCl的混合物、或者纯盐酸、或者盐酸与三氯化铁FeCl₃的混合物。

29.如权利要求25或26所述的方法，其特征在于，在至少一种金属电流源带的存在下进行所述蚀刻，所述金属电流源带是基于以下一种金属或者合金的单层的形式：所述金属是Mo、Al、Cr，所述合金为MoCr，或者是多层的形式，所述多层为MoCr/Al/MoCr。