CN101533879B - 可增加发光效率的发光二极管 - Google Patents
可增加发光效率的发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101533879B CN101533879B CN2008100849395A CN200810084939A CN101533879B CN 101533879 B CN101533879 B CN 101533879B CN 2008100849395 A CN2008100849395 A CN 2008100849395A CN 200810084939 A CN200810084939 A CN 200810084939A CN 101533879 B CN101533879 B CN 101533879B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- luminous efficiency
- backlight unit
- optical layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 210000002683 foot Anatomy 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- -1 GaAs Chemical class 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明是有关于一种可增加发光效率的发光二极管，该发光二极管包含一个发光二极管晶片及一个设于该发光二极管晶片底部的光学层，该光学层可为一个光层、一个光反射层或一个能量转换层，以增加该发光二极管的发光效率，另更于该发光二极管晶片与该光学层间设置一个粗化层，以增加发光二极管晶片的表面积，使发光二极管晶片所发出的光线容易进入光学层，更能增加发光二极管的发光效率。
Description
技术领域：
本发明是有关于一种发光二极管，尤指一种可增加发光效率的发光二极管。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting DiodeLED)是由半导体材料所制成的发光组件，组件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般白炽灯泡，发光二极管是属冷发光，具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的组件，目前发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要组件。
发光二极管依发光波长分为可见光发光二极管(波长450～680nm)与不可见光发光二极管(波长850～1550nm)两大类。若以其使用的磊晶层材料可进一步分为二元化合物(如GaAs、GaSb、GaN等)、三元化合物(如AlxGa1-xAs、AlxGa1-xP、In1-xGaxAs等)、四元化合物(如AlInGaP、InAlGaAs、AlxGa1-xAsyP1-y等)及GaN系化合物四大类。以亮度区分，发光二极管可分为高亮度发光二极管及一般亮度发光二极管两大类。不过由于发光二极管具有指向性，各厂商衡量标准也不一，直接衡量发光二极管亮度并无法正确区分出高亮度发光二极管及一般亮度发光二极管。再加上发光二极管发光亮度、发光效率与磊晶层材料直接相关，因此以使用磊晶层材料种类作为区分高亮度发光二极管的标准，高亮度发光二极管是指以四元化合物及GaN系化合物所制成的发光二极管，一般亮度发光二极管是指以GaN系以外二元化合物及三元化合物所制成的发光二极管。
自1968年HP(Hewlett-Packard)开发出全球第一颗商用发光二极管，随着材料与制程的改进，使得发光二极管产品特性有达大幅度的提升，根据Haitz’s定律指出发光二极管所产生的亮度，大致是以每18-24个月提升一倍的轨迹在成长。在亮度成长的同时，产品单价以每十年的价格下降到只有十分之一的趋势下滑。在发光二极管产品价值大幅提升下，近年来高亮度发光二极管的应用领域不断的被开发，除用于户外各种显在应用市场持续成长示器及交通号志灯外，在汽车用光源、可携式产品的LCD显示器背光源亦有亮丽的成绩。分析2003年全球高亮度发光二极管市场，可携式产品为主要的应用市场，其中又以手机的市场占有率最高。近年来由于手机彩色化的比重大幅增加，及照相手机装置闪光灯趋于普遍，对于高单价白光发光二极管的需求大幅增加，使得2003年手机市场在高亮度发光二极管的市占率成长至41％，较2002年成长3％。展望未来全球高亮度发光二极管市场发展，在发光效率及亮度等产品特性不断提升，以及2006年欧盟地区禁用「汞」化学物质、全球能源成本持续提高等经营环境的改变，高亮度发光二极管在照明、汽车及中大型显示器市场中，有机会与现有的光源产品产生明显的替代效果。一般照明市场高亮度发光二极管仍属利基产品照明是人类文明的标志，一如衣食般，首求其应足够，再求其品质。照明不足，亮度不够，将会影响工作效率及个人视力正常发展，戕害身心健康。因此本发明提供一种可增加发光效率的发光二极管，以符合发光二极管未来市场发展。
发明内容：
本发明的主要目的，是在于提供一种可增加发光效率的发光二极管，于发光二极管芯片的底部设置光学层，光学层如导光层、光反射层或能量转换层，以增加发光二极管的发光效率。。
本发明的次要目的，是在于提供一种可增加发光效率的发光二极管，于发光二极管芯片与光学层间设置粗化层，以增加发光二极管芯片的表面积，使发光二极管芯片所发出的光线容易进入光学层，更能增加发光二极管的发光效率。
为实现本发明的目的及解决其技术问题，本发明是通过以下技术方案来实现的。本发明是提供一种可增加发光效率的发光二极管，该发光二极管包含一个发光二极管芯片及一个光学层，该光学层设于该发光二极管芯片的底部，而该光学层可为一个光层、一个光反射层或一个能量转换层，以增加该发光二极管的发光效率。另更于该发光二极管芯片与该光学层间设置一个粗化层，以增加发光二极管芯片的表面积，使发光二极管芯片所发出的光线容易进入光学层，更能增加发光二极管的发光效率。
为实现本发明的目的及解决其技术问题，本发明还通过以下技术方案来实现。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中更设置于一个封装结构内，其中该封装结构包含：一个承载座，包含二导脚，并承载该发光二极管，该发光二极管芯片以导线与该二导脚电性连接；以及一个罩体，覆盖于该承载座，其中该罩体更包含一个能量转换层。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中该光学层的最小厚度为5um。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中更包含：一个粗化层，设于该发光二极管芯片与该光学层的间，该粗化层的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中该光学层更设有多个热传导通道，该些热传导通道更分别填入导热材料。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中更包含：一个选择性反射层，设于该发光二极管芯片，并与该光学层相对，该选择性反射层为布拉格光栅。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中该光学层由旋转涂布、喷墨、电子枪蒸镀、溅镀或网版印刷制作。
为实现本发明的目的及解决其技术问题，本发明还通过以下技术方案来实现。本发明提供一种可增加发光效率的发光二极管，其包含：一个发光二极管芯片；以及一个光学层，设于该发光二极管芯片的底部，以增加该发光二极管芯片的发光效率，其中该光学层为一个能量转换层，该光学层更延伸包覆该发光二极管芯片的侧边。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中该能量转换层由旋转涂布、喷墨、电子枪蒸镀、溅镀或网版印刷制作。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中更设置于一个封装结构内，其中该封装结构包含：一个承载座，包含二导脚，并承载该该发光二极管，该发光二极管芯片以导线与该二导脚电性连接；以及一个罩体，覆盖于该承载座。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中该光学层的最小厚度为5um。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中更包含：一个粗化层，设于该发光二极管芯片与该光学层的间，该粗化层的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中该能量转换层更设有多个热传导通道，该些热传导通道更分别填入导热材料。
前述的可增加发光效率的发光二极管，其中更包含：一个选择性反射层，设于该发光二极管芯片，并与该光学层相对，该选择性反射层为布拉格光栅。
与以前技术相比，本发明的有益效果是：提供了一种可增加发光效率的发光二极管，于发光二极管芯片的底部设置光学层，光学层如导光层、光反射层或能量转换层，以增加发光二极管的发光效率，更于发光二极管芯片与光学层间设置粗化层，以增加发光二极管芯片的表面积，使发光二极管芯片所发出的光线容易进入光学层，更能增加发光二极管的发光效率。另发光二极管更设置能量转换层，以转换发光二极管芯片所发出的光波长，更于能量转换层或光学层设置多个热传导通道，以传导发光二极管芯片所产生的热能，更于该些热传导通道分别设置导热材料，提升发光二极管的导热效果，或者于光学层或能量转换层底部设置散热层，以提升发光二极管的散热效果，然而亦可于发光二极管芯片顶部设置选择性反射层，可选择特定的光波长通过或被反射，以有效提升发光二极管的光转换效果，综观上述，本发明提供一种可增加发光效率的发光二极管。
附图说明：
图1是本发明的一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图2是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图3A是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图3B是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图4A是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图4B是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图5是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图6是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图7是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图8是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图9是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图10是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图11是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图；
图12是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图
图13是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管的封装结构示意图。
图号说明：
1 发光二极管 10 发光二极管芯片
12 光学层 121 热传导通道
14 粗化层 16 能量转换层
161 热传导通道 18 散热层
19 选择性反射层 2 封装结构
21 承载座 211 导脚
22 罩体 23 能量转换层
24 导线
具体实施方式：
为使审查委员对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例及配合详细的说明，说明如后：
请参阅图1，是本发明的一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本发明提供一种可增加发光效率的发光二极管，该发光二极管1包含一个发光二极管芯片10及一个光学层12，该光学层12设于该发光二极管芯片1的底部，该光学层12将增加该发光二极管芯片1的发光效率，其中该光学层12是可为一个导光层、一个光反射层或一个能量转换层，其中该光学层12的最小厚度为5um。请一并参阅图2，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本发明的发光二极管1更包含一个粗化层14，该粗化层14设于该发光二极管芯片10与该光学层12之间，该粗化层14的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间，如此可有效增加该发光二极管1的表面积，以提升散热效果，并降低该发光二极管芯片10的光线产生全反射的现象，且使该光线容易进入该光学层12，进而增加发光效率。
请参阅图3A及图3B，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图及本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例是提供一种可增加发光效率的发光二极管，该发光二极管1是包含一个发光二极管芯片10及一个光学层12，该光学层12设于该发光二极管芯片10的底部，其中该光学层12是一个导光层，而该发光二极管1更包含一个能量转换层16，该能量转换层16设于该发光二极管芯片10与该光学层12之间，或者设于该光学层12，并与该发光二极管芯片10相对，该能量转换层16可转换该发光二极管芯片10所发出的光波长，而作为该导光层的该光学层12可导引经能量转换层16转换的光线的方向，以增加该发光二极管1的发光效率。
请一并参阅图4A图4B，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图及本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例提供一种可增加发光效率的发光二极管，本实施例与图3A及图3B的实施例不同在于，于该发光二极管芯片10与该能量转换层16之间设有一个粗化层14(如图4A)，或者于该发光二极管芯片10与该光学层12之间设有该粗化层14(如图4B)，其中该粗化层14的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间，如此更能提升该发光二极管1的发光效率。
请参阅图5，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例是提供一种可增加发光效率的发光二极管，本实施例改良图4B实施例，该能量转换层16延伸包覆该发光二极管芯片10的侧边，该发光二极管芯片10透过作为该导光层的该光学层12导引该发光二极管体芯片10所发出的光线方向，而该能量转换层16包覆该发光二极管芯片10的侧边，以提升该发光二极管1的光转换效率。
请参阅图6，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例提供一种可增加发光效率的发光二极管，本实施例与图5不同在于，该能量转换层16设有多个热传导通道161，该些多个热传导通道161中分别设有导热材料(图中未示)，或者于该能量转换层16的底部设有一个散热层18，该发光二极管芯片10所产生的热能透过该些热传导通道161传导至该散热层18进行散热，如此提升该发光二极管1的散热效率。本实施例亦可应用于图5实施例。
请参阅图7，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例是提供一种可增加发光效率的发光二极管，该发光二极管1是包含一个发光二极管芯片10、一个光学层12及一个能量转换层16，该光学层12设于该发光二极管芯片10的底部，该光学层12是一个光反射层，所以该能量转换层16设于该光学层与该发光二极管芯片10之间，该能量转换层16可转换该发光二极管芯片10所发出的光波长，而作为该光反射层的该光学层12可反射经能量转换层16转换的光线的方向，以增加该发光二极管1的发光效率。
请一并参阅图8，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例提供一种可增加发光效率的发光二极管，本实施例与图7的实施例不同在于，于该发光二极管芯片10与该能量转换层16之间设有一个粗化层14，该粗化层14的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间，因该粗化层14可增加该发光二极管芯片10的表面积，使该发光二极管芯片10所发出的光线容易进入该能量转换层16，以提升该发光二极管1的光转换效率，并经该光学层12将经该能量转换层16转换的光线反射出去，如此更能提升该发光二极管1的发光效率。
请参阅图9，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例提供一种可增加发光效率的发光二极管，本实施例与图8实施例不同在于，该光学层12为光反射层，该光反射层的材料选择高反射导热材料，然后于该能量转换层16设有多个热传导通道161，该发光二极管芯片10所产生的热能经该些热传导通道161传至该光反射层进行散热，而该能量转换层16转换该发光二极管芯片10所发出的光线，该光反射层亦可反射经转换的光线，如此使该发光二极管10达到散热及高发光效率的功效。
请参阅图10，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例是提供一种可增加发光效率的发光二极管，该发光二极管1是包含一个发光二极管芯片10、一个粗化层14及一个光学层12，该光学层12设于该发光二极管芯片10的底部，该光学层12是一个能量转换层，该光学层12是由旋转涂布、喷墨、电子枪蒸镀、溅镀或网版印刷制作而成，该粗化层14设于该光学层12与该发光二极管芯片10之间，该粗化层14的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间，该粗化层14增加该发光二极管芯片10的表面积，并使该发光二极管芯片10所发出的光线容易进入该光学层12进行光转换，有效提升该发光二极管1的光转换效率及发光效率。该光学层12更可延伸包覆该发光二极管芯片10，以提升该发光二极管1的光转换效率。
请一并参阅图11，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例是提供一种可增加发光效率的发光二极管，本实施例与图10实施例不同在于，该光学层12设置多个热传导通道121，使该发光二极管芯片10所产生的热能经由该些热传导通道121传出，该些热传导通道121可分别设置导热材料(图中未示)，或者该光学层12设有一个散热层18，该散热层18与该发光二极管芯片10相对，该发光二极管芯片10所产生的热能经由该些热传导通道121传至该散热层18进行散热，以提升该发光二极管1的散热效率。
请参阅图12，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管示意图。如图所示，本实施例是提供一种可增加发光效率的发光二极管，本实施例与图11实施例不同在于，该光学层12延伸包覆该发光二极管芯片10，并于该发光二极管芯片10设置一个选择性反射层19，该选择性反射层19为一个布拉格光栅，可让特定波长的光线通过或被反射，如此该发光二极管芯片10所发出的光线经该选择性反射层19反射至该光学层12进行光转换，经转换的光线将传至该选择性反射层19发射出，以提升该发光二极管1的光转换效率，进而提升该发光二极管1的发光效率。本实施例的选择性反射层19可应用于上述具有该能量转换层的该发光二极管1中。
请参阅图13，是本发明的另一个较佳实施例的发光二极管的封装结构示意图。如图所示，上述图1所提供的发光二极管更可设置于一个封装结构2内，该封装结构2包含一个承载座21及一个罩体22，该承载座21是承载该发光二极管1，而该承载座21包含二导脚211，该罩体22覆盖于该承载座21，该发光二极管芯片10以导线24与该承载座21的该二导脚211电性连接，另更可于该罩体22内设有一个能量转换层23，以转换该发光二极管1所发出的光波长。而本实施例的发光二极管1可替换为上述实施例所提供的发光二极管，于此不再赘述。
以上所述，仅为本发明的一个较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。
Claims (14)
1.一种可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，其包含：
一个发光二极管芯片；
一个光学层，设于该发光二极管芯片的底部，以增加该发光二极管芯片的发光效率，其中该光学层为一个导光层、一个光反射层及一个能量转换层中选择其一；以及
一个粗化层，设于该发光二极管芯片与该光学层间。
2.如权利要求1所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，更设置于一个封装结构内，其中该封装结构包含：
一个承载座，包含二导脚，并承载该发光二极管，该发光二极管芯片以导线与该二导脚电性连接；以及
一个罩体，覆盖于该承载座，其中该罩体更包含一个能量转换层。
3.如权利要求1所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该光学层的最小厚度为5um。
4.如权利要求1所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该粗化层的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间。
5.如权利要求1所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该光学层更设有多个热传导通道，该些热传导通道更分别填入导热材料。
6.如权利要求1所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，更包含：一个选择性反射层，设于该发光二极管芯片，并与该光学层相对，该选择性反射层为布拉格光栅。
7.如权利要求1所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该光学层由旋转涂布、喷墨、电子枪蒸镀、溅镀或网版印刷制作。
8.一种可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，其包含：
一个发光二极管芯片；以及
一个光学层，设于该发光二极管芯片的底部，以增加该发光二极管芯片的发光效率，其中该光学层为一个能量转换层，该光学层更延伸包覆该发光二极管芯片的侧边；以及
一个粗化层，设于该发光二极管芯片与该光学层间。
9.如权利要求8所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该能量转换层由旋转涂布、喷墨、电子枪蒸镀、溅镀或网版印刷制作。
10.如权利要求8所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，更设置于一个封装结构内，其中该封装结构包含：
一个承载座，包含二导脚，并承载该该发光二极管，该发光二极管芯片以导线与该二导脚电性连接；以及
一个罩体，覆盖于该承载座。
11.如权利要求8所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该光学层的最小厚度为5um。
12.如权利要求8所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该粗化层的中心线平均粗糙度是介于0.5nm与150nm之间。
13.如权利要求8所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，该能量转换层更设有多个热传导通道，该些热传导通道更分别填入导热材料。
14.如权利要求8所述的可增加发光效率的发光二极管，其特征在于，更包含：一个选择性反射层，设于该发光二极管芯片，并与该光学层相对，该选择性反射层为布拉格光栅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100849395A CN101533879B (zh) | 2008-03-10 | 2008-03-10 | 可增加发光效率的发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100849395A CN101533879B (zh) | 2008-03-10 | 2008-03-10 | 可增加发光效率的发光二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101533879A CN101533879A (zh) | 2009-09-16 |
| CN101533879B true CN101533879B (zh) | 2012-08-22 |
Family
ID=41104359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100849395A Active CN101533879B (zh) | 2008-03-10 | 2008-03-10 | 可增加发光效率的发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101533879B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101859842A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 璨扬投资有限公司 | 增加发光效率的发光二极管 |
| CN101740706B (zh) * | 2009-12-14 | 2013-02-06 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 高亮度白光led及其制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472765B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-10-29 | Sanken Electric Co., Ltd. | Plastic encapsulated semiconductor light emitting device with a cover of fluorescent particles |
| CN1812141A (zh) * | 2005-01-27 | 2006-08-02 | 先进开发光电股份有限公司 | 白光发光二极管组件及其制造方法 |
-
2008
- 2008-03-10 CN CN2008100849395A patent/CN101533879B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472765B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-10-29 | Sanken Electric Co., Ltd. | Plastic encapsulated semiconductor light emitting device with a cover of fluorescent particles |
| CN1812141A (zh) * | 2005-01-27 | 2006-08-02 | 先进开发光电股份有限公司 | 白光发光二极管组件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101533879A (zh) | 2009-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5153783B2 (ja) | 照明デバイスおよび照明方法 | |
| JP5166085B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| US6465961B1 (en) | Semiconductor light source using a heat sink with a plurality of panels | |
| US6634770B2 (en) | Light source using semiconductor devices mounted on a heat sink | |
| JP5351034B2 (ja) | 照明装置、および、その製造方法 | |
| US8283684B2 (en) | LED semiconductor body and use of an LED semiconductor body | |
| CN106662308B (zh) | 转向信号灯 | |
| CN104253205B (zh) | 半导体发光器件和其制造方法 | |
| US20030039119A1 (en) | Semiconductor light source for providing visible light to illuminate a physical space | |
| US20030040200A1 (en) | Method for making a semiconductor light source | |
| US20030038291A1 (en) | Semiconductor light source | |
| US20090159915A1 (en) | Led insert module and multi-layer lens | |
| US8604679B2 (en) | LED light source lamp having drive circuit arranged in outer periphery of led light source | |
| JP2014146750A (ja) | 発光モジュール | |
| US9013097B2 (en) | Light-emitting module, lighting device, and lighting fixture | |
| US20100296536A1 (en) | Lighting device using a laser diode as a source of light emission | |
| JP2005159262A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 | |
| CN107289342A (zh) | 发光二极管灯泡 | |
| CN101533879B (zh) | 可增加发光效率的发光二极管 | |
| TWI354385B (zh) | ||
| JP5828100B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いる照明装置 | |
| JP2008244469A (ja) | 発光装置 | |
| US20070075346A1 (en) | Light emitting diode and the package structure thereof | |
| TW200901504A (en) | Lighting device and lighting method | |
| CN106257666B (zh) | Led灯丝 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20161031 Address after: Taiwan, China Hsinchu Science Park Road No. five, No. 5 Patentee after: Jingyuan Optoelectronics Co., Ltd. Address before: China Longtan Taiwan Taoyuan County Rural Science and Technology Park Longtan Dragon Garden Road No. 99 Patentee before: Formosa Epitaxy Incorporation |