CN101517893B - 弹性边界波装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种无论占空比的大小如何都能降低插入损耗的弹性边界波装置。一种弹性边界波装置(1)，其特征在于，包括：由以使Y轴旋转15°±10°的面为主面的LiNbO3构成的压电体(2)，层叠在上述压电体(2)上、由氧化硅构成的电介质(3)，及配置在上述压电体(2)和电介质(3)的边界、含IDT的电极结构(4)；在利用在该边界传播的弹性边界波的弹性边界波装置中，当设上述IDT的密度为ρ(kg/m3)、膜厚为H(μm)、由IDT的电极指的周期决定的波长为λ(μm)、占空比为x时，H/λ和ρ的乘积、与x满足下述式(1)的范围。(数1)(H/λ)×ρ＞70.7924(x+0.055)(-2.0884)+797.09 …(式1)
Description
技术领域
本发明涉及一种利用在声速不同的第1、第2介质间的边界传播的弹性边界波的弹性边界波装置，更详细地，涉及一种具有层叠由LiNbO3构成的压电体、和由氧化硅构成的电介质的结构的弹性边界波装置。
背景技术
近年来，作为便携式电话机的RF段的带通滤波器，提案有各种弹性表面波滤波装置和弹性边界波滤波装置。在弹性边界波滤波装置中，利用在压电体和电介质之间的边界传播的弹性边界波。因此，由于不需要具有空腔(cavity)的封装(package)，所以能在弹性边界波滤波装置中推进小型化。
在下述的专利文献1中，公开了一种这种弹性边界波装置的一个实例。在专利文献1所述的弹性边界波装置中，在压电体和电介质的边界形成含IDT的电极，利用在该边界传播的SH型的弹性边界波。
在此，决定IDT的厚度，以使SH型弹性边界波的声速比在电介质中传播的慢的横波的声速及在压电体中传播的慢的横波的声速更降低。此外，在作为上述压电体使用LiNbO3，作为电介质使用SiO2的情况下，示出传播损耗为0的电极膜厚范围及无用虚假响应变小的LiNbO3的割角(cut angle)范围。
专利文献1 WO2004/070946号公报
发明内容
在弹性边界波滤波装置中，常要求按照用途使因温度变化而引起的频率特性的变化非常小，即，使TCF的绝对值更小。在专利文献1所述的弹性边界波装置中，示出了作为压电体使用LiNbO3，作为电介质使用SiO2的结构。LiNbO3的频率温度系数TCF是负的值，SiO2的频率温度系数TCF是正值。因此，在使用LiNbO3和SiO2的情况下，能够减小频率温度系数TCF的绝对值。
一方面，SH型弹性边界波的传播损耗为0的电极膜厚因IDT的占空比(duty ratio)不同而不同。例如，在减小占空比的情况下，在专利文献1所述的IDT的膜厚范围中，还存在传播损耗不变为0而比较大的情形。这样的情形，即使能减小TCF，也不能使损耗不增大。
另一方面，在增大IDT的占空比的情况下，有可能使传播损耗为0。但是，在增大IDT的占空比的情况下，TCF的绝对值变大，就会损害频率温度特性。此外，在占空比大的情况下，存在使因线宽离散而引起的频率的变动减小、成品率提高的优点。
本发明的目的在于，提供一种消除上述现有技术的缺点，在占空比小的情况下减小频率温度系数TCF及插入损耗，在占空比大的情况下很难产生成品率的下降、并且低损耗的弹性边界波装置。
根据本发明，提供一种弹性边界波装置，其特征在于，包括：由以使Y轴旋转15°±10°的面为主表面的LiNbO3构成的压电体，层叠在上述压电体上、由氧化硅构成的电介质，及配置在上述压电体和电介质的边界、含IDT的电极结构；在利用在该边界传播的弹性边界波的弹性边界波装置中，当设上述IDT的密度为ρ(kg/m3)、膜厚为H(μm)、由IDT的电极指的周期决定的波长为λ(μm)、占空比为x时，H/λ和ρ的乘积、与x满足下述式(1)的范围。
(数1)
(H/λ)×ρ＞70.7924(x+0.055)(-2.0884)+797.09 …(式1)
再有，关于上述IDT的膜厚的上限，虽然在达成本发明的课题上没有特别地限定，但由于制造上的制约，希望上限为0.35λ以下。
优选构成上述电介质的氧化硅是SiO2，此情况下优选弹性边界波的声速是SiO2的横波的声速即3757m/秒的93％以下。此情况下，能进一步减小插入损耗。
此外，在本发明中，虽然IDT可由各种各样的金属或合金形成，但在本发明的某一特定的局面中，上述IDT由Au或主成份为Au的合金构成，当设Au或主成份为Au的合金的膜厚为HAu时，膜厚HAu满足下述式(2)的范围。在此情况下，由于膜厚HAu满足式(2)，所以在选择小的占空比的情况下，能减小TCF的绝对值及插入损耗，在选择大的占空比的情况下，成品率良好、能实现低损耗化。
再有，在本说明书中，所谓小的占空比是指比0.5小的占空比，所谓大的占空比是指比0.5大的占空比。即，IDT的占空比通常设为0.5是普通的，以此0.5为基准，设比0.5小的占空比为小的占空比，设超过0.5的占空比为大的占空比。
(数2)
HAu/λ＞0.003668(x+0.055)(-2.0884)+0.0413 …(式2)
在本发明的另一特定的局面中，上述IDT由Cu或主成份为Cu的合金构成，当设Cu或主成份为Cu的合金的膜厚为HCu时，膜厚HCu满足下述式(3)的范围。
(数3)
HCu/λ＞0.007927(x+0.055)(-2.0884)+0.08926 …(式3)
在此情况下，由于HCu为上述式(3)所式的范围，所以在选择小的占空比的情况下，能实现TCF绝对值及插入损耗的降低，在选择大的占空比的情况下，能实现成品率的改善及插入损耗的降低。
再有，H是IDT的膜厚(μm)，λ是由IDT的电极指的周期决定的波长(μm)。因此，H/λ是IDT的规格化膜厚，HAu/λ及HCu/λ分别表示使用Au或Cu作为IDT时的IDT的规格化膜厚。
在本发明中，优选上述IDT结构为，由层叠多个金属层的叠层金属膜构成，当设与层叠的各金属层的膜厚比对应的平均密度为上述ρ(kg/m3)、叠层金属膜的合计膜厚为上述H时，H和ρ的乘积满足上述式(1)。如此，也可以由叠层金属膜形成IDT，通过选择各种各样的构成叠层金属膜的金属层的材料，就能或提高压电体和电介质的密合性，或提高耐电力性。
优选地，上述IDT具有由Au或主成份为Au的合金构成的Au类金属层，并且，由叠层金属膜构成，其中，该叠层金属膜由频率调整用膜/Ti/Pt/Au类金属层/Pt/Ti构成。能够抑制Au和Ti的扩散，并且利用Ti膜可提高相对于压电体和电介质的密合性。因此，能提高弹性边界波滤波装置的可靠性。优选Pt的膜厚处于3～10nm的范围。此情况下，能确实地抑制来自Au类金属层的Au的扩散，并且能使电极指电阻变小、进一步减小插入损耗。
在本发明中，优选上述IDT的占空比为0.3～0.7的范围，更优选为0.3～0.4的范围。在IDT的占空比为0.3～0.7的范围的情况下，IDT的形成是容易的，并且，在为0.3～0.4的范围的情况下，IDT的形成变得容易，并且能降低TCF及损耗。
(发明效果)
根据本发明相关的弹性边界波装置，在由以使Y轴旋转15°±10°的面为主表面的LiNbO3构成的压电体和由氧化硅构成的电介质的边界配置含IDT的电极结构，在该IDT中，由于规格化膜厚H/λ和密度ρ的乘积、与占空比x满足上述的式(1)的范围，所以能实现损耗的降低。
IDT占空比越小、TCF的绝对值也变得越小，能改善频率温度特性。
另一方面，由于占空比越大、频率的线宽依赖性变得越小，所以能减小因线宽的离散而引起的频率变动。因此能改善成品率。
因此，占空比按照使用的用途选择最佳的值即可。但是，传播损耗变得非常小的IDT的膜厚因占空比不同而不同。由于还要考虑上述占空比x决定IDT的膜厚，所以在满足上述式(1)的情况下，当占空比比较小的时候，能降低频率温度系数TCF及插入损耗双方，能实现频率温度特性的改善、低损耗化。此外，在选择比较大的占空比的情况下，能提供成品率良好、且低损耗的弹性边界波装置。
附图说明
图1(a)及(b)是本发明的一实施方式相关的弹性边界波滤波装置的示意性正面剖面图及表示电极结构的示意性平面图。
图2是表示占空比为0.30、0.40、0.50及0.60时的Au膜的厚度和弹性边界波的声速的关系的图。
图3是表示IDT的占空比、和封闭弹性边界波的IDT的规格化膜厚HAu/λ的关系的图。
图4是表示由含各种各样的厚度的Au层的NiCr/Ti/Pt/Au/Pt/Ti叠层金属膜构成的IDT的规格化膜厚H/λ、和频率温度系数TCF的关系的图。
图5是表示构成IDT的Au的膜厚、和薄膜电阻的关系的图。
图6是表示封闭弹性边界波时的规格化膜厚H/λ和密度ρ的乘积、与占空比的关系的图。
图7是表示封闭弹性边界波时的占空比、和由Cu构成的IDT的规格化膜厚HCu/λ的关系的图。
图8是表示由NiCr/Ti/Pt/Au/Pt/Ti叠层金属膜构成、且规格化膜厚H/λ为6.6％的IDT的占空比、和频率温度系数TCF的关系的图。
图9是表示占空比和弹性边界波的声速的关系的图。
图10是示意性地表示在本发明的弹性边界波滤波装置中使用的IDT由叠层金属膜构成时的电极结构的局部放大剖面图。
符号说明
1…弹性边界波滤波装置
2…压电体
3…电介质
4…电极结构
5...IDT
6…反射器
11...IDT
11a…Ti层
11b…Pt层
11c…Au层
11d…Pt层
11e…Ti层
11f…NiCr层
具体实施方式
下面，通过一面参照附图一面说明本发明的具体的实施方式，来使本发明明确。
图1(a)是示意性地表示本发明的一实施方式相关的弹性边界波滤波装置的正面剖面图，图1(b)是表示含IDT的电极结构的示意性平面图。
弹性边界波滤波装置1具有压电体2和电介质3。压电体2由以使Y轴旋转15°±10°的面为主表面的LiNbO3构成。此外，电介质3由氧化硅构成，在本实施方式中，作为氧化硅使用SiO2。但是电介质3也可以由SiO2以外的氧化硅形成。在压电体2和电介质3的边界形成图1(b)所示的电极结构4。即，形成多个IDT5、5、5和配置在IDT5、5、5的弹性边界波传播方向两侧的反射器6、6。由此，构成纵耦合谐振器型的弹性边界波滤波装置。
在本实施方式的弹性边界波滤波装置中，在由LiNbO3构成的压电体2和由SiO2构成的电介质3的边界使用密度大的金属形成含IDT5的电极结构4。由此，通过使在边界部分传播的SH型边界波的声速为压电体2的横波的声速及电介质3的横波的声速以下，来将SH型弹性边界波封闭在边界内。
在IDT5的膜厚薄的情况下，弹性边界波的声速未充分降低，难以封闭弹性边界波。由此，损耗增大。因此，在封闭弹性边界波上，不得不使IDT5的膜厚成为一定的值以上，即在IDT5的膜厚中存在下限。设此下限的膜厚为所谓截止(cut-off)膜厚。截止膜厚可由弹性边界波的声速决定。图2是表示SiO2/Au/LiNbO3结构的弹性边界波滤波装置中的SH型弹性边界波的声速和由Au构成的IDT的规格化膜厚HAu/λ的关系图。再有，由SiO2/Au/LiNbO3表示的叠层结构是指在SiO2和LiNbO3的边界形成由Au构成的IDT的结构。
图2示出的SH型弹性边界波的声速是用有限要素法求出的阻带(stopband)下端的声速。此声速相当于弹性边界波滤波装置1的通带的低频侧的端部。如图2所表明的可知，即使在IDT的占空比为0.30、0.40、0.50及0.60任意一个的情况下，随着Au的膜厚变薄，声速也会上升，难以封闭弹性边界波。此外，基于图2，在各占空比中，可得到弹性边界波的声速为3210m/秒的Au膜的膜厚值。同样地，在占空比是0.1～0.9的情况下，求出弹性边界波的声速为3210m/秒的Au膜的膜厚值。图3中示出结果。图3示出在占空比0.1～0.9中，由弹性边界波的声速为3210m/秒的Au构成的IDT膜的规格化膜厚HAu/λ。如图2所示，在各占空比中，如果由Au构成的IDT的膜厚比成为3210m/秒的声速的膜厚更厚的话，则弹性边界波的声速比3210m/秒更慢，能在边界部分封闭弹性边界波。因此，通过设为用图3的虚线表示的膜厚以上的膜厚，就能够将弹性边界波封闭在边界内。
另一方面，图4是表示使由含各种各样的厚度的Au层的NiCr/Ti/Pt/Au/Pt/Ti叠层金属膜构成的IDT的膜厚发生各种变化时的弹性边界波滤波装置1中的IDT的规格化膜厚H/λ和频率温度系数TCF(ppm/℃)的关系图。Au层以外的NiCr、Ti、Pt、Pt、Ti各层的膜厚被固定为10nm。
如图4所表明的，在IDT的膜厚薄的区域中，即在H/λ×100(％)为6.5％以下的区域中，Au层的膜厚越厚、TCF变得越大、越恶化。但是可知，虽然Au层的膜厚成为7.0％左右的膜厚时TCF成为最坏的值，但Au层的膜厚增加为其之上时，则相反TCF会变小、良化。
另一方面，图5是表示仅用Au形成IDT、使Au的膜厚(nm)变化时的薄膜(sheet)电阻值的变化的图。如图5表明的可知，IDT的膜厚越变厚，电极的薄膜电阻越变小、IDT的电极指的电阻越变小。由此可减小插入损耗。因此，由于IDT的膜厚厚时可改善插入损耗及TCF，所以可知在得到良好的特性方面并不是特别限定IDT的膜厚的上限。
但是，存在来自工艺上的制约的上限。例如，在LiNbO3上形成IDT后，通过溅射(sputtering)等成膜SiO2的时候，如果IDT的厚度变厚，则常常会在SiO2内产生空隙，覆盖性劣化。为此，IDT的膜厚，基于工艺上的制约希望为0.35λ以下。
如上所述可知，IDT的膜厚的下限由上述截止膜厚决定，在改善特性上不存在特别上限。而且可知，截止膜厚取决于占空比，由于占空比越小、相同膜厚中的质量负载越小，所以增厚截止膜厚。
引起截止的IDT的膜厚基本上由电极材料的密度决定，密度和截止膜厚成反比例关系。因此可知，有必要使IDT的密度和膜厚的乘积为一定值以上。
根据作为IDT使用由Au构成的IDT的时候的截止膜厚的占空比的变化如前所述，在图3中示出。因此，通过在图3中得到的截止膜厚上乘以Au的密度＝19300(kg/m3)所得到的值为在使用由一般的金属构成的IDT的时候的截止膜厚上乘以IDT的密度ρ的值。此值相当于下述式(1A)。
(数4)
(H/λ)×ρ＝70.7924(x+0.055)(-2.0884)+797.09 …(式1A)
因此，可知比由式(1A)表示的线更厚的膜厚范围即图6中付与斜线的阴影表示的范围是可减小TCF及损耗的范围。
因此，在本实施方式中，IDT的膜厚H/λ和IDT的密度的乘积满足下述式(1)的范围。
(数5)
(H/λ)×ρ＞70.7924(x+0.055)(-2.0884)+797.09 …(式1)
再有，在式(1)中，虽然设IDT的密度为ρ，但在IDT由Au构成的情况下，由于ρ＝19300(kg/m3)，所以代替式(1)，成为满足下述式(2)的膜厚HAu/λ。
(数6)
HAu/λ＞0.003668(x+0.055)(-2.0884)+0.0413…(式2)
即，也可以设为图3所示的虚线上的膜厚以上的膜厚范围。
另一方面，由于在使用Cu作为IDT的情况下，Cu的密度为8930(kg/m3)，所以可以用Cu的密度的值去除式(1)。因此可以设为满足下述的式(3)的范围的膜厚HCu/λ。
(数7)
HCu/λ＞0.007927(x+0.055)(-2.0884)+0.08926…(式3)
即，也可以设为图7所示的虚线上的膜厚以上的膜厚范围。
图8示出了使IDT的占空比变化的时候的频率温度系数TCF的变化，示出IDT为NiCr/Ti/Pt/Au/Pt/Ti的叠层结构，膜厚为规格化膜厚H/λ的6.6％的时候的结果。如图8所表明的可知，在占空比是比0.5小的占空比的情况下，TCF的绝对值变小，能得到良好的频率温度特性。
此外，图9是表示用Au构成IDT时的占空比和弹性边界波的声速的关系图。
由图9可知，在占空比比0.5大、即占空比大的范围中，弹性边界波的声速的占空比的依赖性变小，即相对于频率特性的电极指线宽的依赖性变小。因此，可知很难因制造时的电极指的宽度的离散而产生特性的差异，能改善成品率。因此，如图8及图9所示表明的可知，根据本实施方式可知，无论是在占空比比0.5小的情况下还是在占空比比0.5大的情况下，由于在各自中都能得到上述这样的效果，所以可以按照作为目的的用途选择占空比。即可知，通过使占空比比0.5小就能降低TCF及损耗双方，另一方面，在使占空比比0.5大的情况下，可实现损耗的降低和成品率的改善。因此，根据本实施方式，在满足上述(1)、式(2)或式(3)的范围内，如果按照使用的目的选择占空比就能降低损耗。
再有，在设IDT电极的占空比和膜厚为使用密度ρ的材料的上述(1)、使用Au的上述(2)或使用Cu的上述(3)的任何一个的情况下，在SiO2和LiNbO3的边界传播的弹性边界波的传播损耗变为零、且设通带的低频侧的端部中的弹性边界波的声速为3210m/秒以下。即，在通带的低频侧中设弹性边界波的声速为SiO2横波声速即3757m/秒的85.4％以下。设通带的低频端中的弹性边界波的声速为SiO2横波声速即3757m/秒的85.4％以下的理由如下。
将在SiO2和LiNbO3的边界配置的IDT电极的膜厚，在占空比小的时候比在占空比大的时候设定得厚，以便SH型弹性边界波的声速比在SiO2中传播的慢的横波声速即3757m/秒及在LiNbO3中传播的慢的横波声速4031m/秒足够慢。
在带通滤波器的情况下，有必要使通带整体的弹性边界波的声速(波长×频率)比在SiO2中传播的慢的横波声速3757m/秒足够小。
但是，便携式电话中使用的带通滤波器的通带宽度即使大也为中心频率的7％左右。另一方面，IDT电极的电极指间距即波长是固定的。因此，通带的低频侧的端部中的弹性边界波的声速为通带的高频侧的端部中的弹性边界波的声速的7％以下。
并且，在通带的高频侧的端部中的弹性边界波的声速和在SiO2中传播的慢的横波声速3757m/秒之间设定7％的余量(margin)。利用此余量就能在SiO2和LiNbO3的边界封闭弹性边界波。
因此，可以设通带的高频侧的端部中的弹性边界波的声速为在SiO2中传播的慢的横波声速的93％即3495m/秒以下。此外，可以设通带的低频侧的端部中的弹性边界波的声速为在SiO2中传播的慢的横波声速的85.4％即3210m/秒以下。
再有，在本发明的弹性边界波装置中，IDT不必由单一的金属层形成，也可以是层叠多个金属层的叠层金属膜。例如，在图10所示的IDT11中，在由LiNbO3构成的压电体2上层叠6层金属层。此6层金属层从LiNbO3侧起顺序为Ti层11a、Pt层11b、Au层11c、Pt层11d、Ti层11e及NiCr层11f。
如此，也可以层叠多个金属层形成IDT11。此情况下，作为IDT11的密度ρ，可使用通过用各金属层的膜厚的总和去除各金属层的膜厚和构成各金属层的金属的密度的乘积的总和求出的平均密度。
像IDT11那样，在由上述叠层金属膜形成IDT11的情况下，能提高相对于LiNbO3和SiO2的密合性。即，有可能Au相对于LiNbO3和SiO2的密合性不充分。相对于此，在上述叠层金属膜中，由于设置Ti层11a，所以能够提高相对于LiNbO3的密合性。此外，通过设置Ti层11e就能提高与形成在上面的NiCr层11f的密合性。在使Ti层11e与SiO2直接密接的情况下，即在不设置NiCr层11f的情况下，由此还能提高相对于SiO2的密合性。
此外，为了进行频率调整而设置在最上部设置的NiCr层11f。在成膜NiCr膜后，进行频率调整以便减薄其膜厚，或者通过加厚成膜NiCr层的膜厚就可以调整频率。即，通过调整NiCr层的膜厚就能抑制电极的线宽和膜厚引起的频率的离散。
再有，为了防止Au的扩散而设置Pt层11b、11d。即，当Au层11c和Ti层11a、11e直接接触时，则有可能由于加热等引起Au及Ti相互扩散。为此，为了防止扩散，插入Pt层11b、11d。
再有，由于Pt的密度大，所以不改变Au层的膜厚层叠Pt层时，相对于IDT11的膜厚的影响变大，特性发生变化。因此，希望减薄那部分的Au层11c的厚度。
但是由于Pt比Au电阻率高，所以当加厚Pt层的厚度、减薄Au层11c时，电极指的电阻就会增加、损耗会增大。因此，希望设Pt层11b、11d的膜厚为可防止Au和Ti的扩散的厚度以上、且不增大损耗的厚度以下。根据本申请发明者的试验，确定了通过设Pt层的厚度为3nm以上，就能防止Au和Ti的扩散，通过设为10nm以下就并不那么导致插入损耗的增大。因此优选Pt层11b、11d的厚度为3～10nm的范围。
此外，优选IDT的占空比为0.30～0.70，更优选为0.30～0.40的范围。在实际制造弹性边界波滤波装置时，容易使IDT接近电极指的线宽和电极指间的间隙(gap)的宽度。即，占空比接近0.50的容易制造。因此，通过使占空比为距0.5近的范围、即0.30～0.70的范围，就能不导致IDT的制造工序的复杂，根据本发明可实现损耗的降低。
更优选通过设占空比为0.30～0.40的范围，使制造容易、并且能实现TCF及损耗的降低。
再有，在本发明中，虽然IDT可由各种各样的金属材料形成，但优选由Au或以Au为主体的合金、即含Au类金属层形成。此情况下，不仅可以用仅由Au类金属构成的单一的金属膜形成IDT，还可以如图10所示，用含Au类金属层的叠层金属膜形成IDT。
再有，本发明的弹性边界波滤波装置，不限于具有上述图1(b)所示的电极结构的滤波装置，能应用于具有各种各样的电极结构的弹性边界波滤波装置。
Claims (11)
1.一种弹性边界波装置，包括：
由以使Y轴旋转15°±10°的面为主面的LiNbO3构成的压电体；
层叠在上述压电体上且由氧化硅构成的电介质；及
配置在上述压电体和电介质的边界且含IDT的电极结构；
上述弹性边界波装置利用在该边界传播的弹性边界波，
当设上述IDT的密度为ρ(kg/m3)、膜厚为H(μm)、由IDT的电极指的周期决定的波长为λ(μm)、占空比为x时，H/λ和ρ的乘积、与x满足下述式(1)的范围：
(H/λ)×ρ＞70.7924(x+0.055)(-2.0884)+797.09…(式1)，
上述IDT具有由Au或主成份为Au的合金构成的Au类金属层，并且，由叠层金属膜构成，其中该叠层金属膜由频率调整用膜/Ti/Pt/Au类金属层/Pt/Ti构成。
2.根据权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述氧化硅是SiO2，上述弹性边界波的声速在SiO2的横波声速即3757m/秒的93％以下。
3.根据权利要求1或2所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述IDT由Au或主成份为Au的合金构成，当设Au或主成份为Au的合金的膜厚为HAu时，膜厚HAu满足下述式(2)的范围：
HAu/λ＞0.003668(x+0.055)(-2.0884)+0.0413…(式2)。
4.根据权利要求1或2所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述IDT由层叠多个金属层的叠层金属膜构成，当设与层叠的各金属层的膜厚比对应的平均密度为上述ρ(kg/m3)、叠层金属膜的合计膜厚为上述H时，H和ρ的乘积满足上述式(1)。
5.根据权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述Pt的膜厚处于3～10nm的范围。
6.根据权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述IDT的占空比是0.3～0.7的范围。
7.一种弹性边界波装置，包括：
由以使Y轴旋转15°±10°的面为主面的LiNbO3构成的压电体；
层叠在上述压电体上且由氧化硅构成的电介质；及
配置在上述压电体和电介质的边界且含IDT的电极结构；
上述弹性边界波装置利用在该边界传播的弹性边界波，
当设上述IDT的密度为ρ(kg/m3)、膜厚为H(μm)、由IDT的电极指的周期决定的波长为λ(μm)、占空比为x时，H/λ和ρ的乘积、与x满足下述式(1)的范围：
(H/λ)×ρ＞70.7924(x+0.055)(-2.0884)+797.09…(式1)，
上述IDT的占空比处于0.3～0.4的范围。
8.根据权利要求7所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述氧化硅是SiO2，上述弹性边界波的声速在SiO2的横波声速即3757m/秒的93％以下。
9.根据权利要求7所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述IDT由Au或主成份为Au的合金构成，当设Au或主成份为Au的合金的膜厚为HAu时，膜厚HAu满足下述式(2)的范围：
HAu/λ＞0.003668(x+0.055)(-2.0884)+0.0413…(式2)。
10.根据权利要求7所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述IDT由Cu或主成份为Cu的合金构成，当设Cu或主成份为Cu的合金的膜厚为HCu时，膜厚HCu满足下述式(3)的范围：
HCu/λ＞0.007927(x+0.055)(-2.0884)+0.08926…(式3)。
11.根据权利要求7所述的弹性边界波装置，其特征在于，
上述IDT由层叠多个金属层的叠层金属膜构成，当设与层叠的各金属层的膜厚比对应的平均密度为上述ρ(kg/m3)、叠层金属膜的合计膜厚为上述H时，H和ρ的乘积满足上述式(1)。
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