CN101487979B - 工作台系统、包括这种工作台系统的光刻设备及校正方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种工作台系统、包括该工作台系统的光刻设备及一种校正方法。在本发明中，测量工作台位置的位置测量系统包括：参考板；多个传感器，其被设置成依据工作台相对于参考板的位置，多个传感器的至少一个子集与参考板协作，为子集内的每个传感器提供分别代表各个传感器相对于参考板的位置的各个传感器信号；和用来从传感器信号确定工作台位置的处理器，其配置成当工作台处于这样一个位置时，即在该位置上，由与参考板协作的传感器的至少一个子集提供超过确定用数目的传感器信号，(a)从超过确定用数目的传感器信号的子集确定工作台位置，并且(b)由确定的工作台位置与剩余的传感器信号之间的偏差，校正一个或多个传感器的传感器信号。
Description
技术领域
本发明涉及工作台系统、包括这种工作台系统的光刻设备、以及在双工作台区光刻设备中校正位置测量系统的校正方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
为了能够测量衬底台(也称作衬底工作台)的位置，光刻设备内可以设置测量系统。同样，还可以设置位置测量系统来测量掩模台或图案形成装置支撑结构(也称作掩模台)的位置，该掩模台或图案形成装置支撑结构设置用来保持图案形成装置或掩模。对于这样的位置测量系统，可以利用很多测量原理，诸如干涉仪、编码器等。在这样的测量系统中，可以使用基准板，如编码器板。由此，测量系统的传感器可以连接在工作台上，从而传感器随着工作台移动并跟随工作台的位置，同时传感器被设置用来实施测量，因此，从该测量可以确定传感器相对于基准板的位置或位移或距离信息。在这些解决方案中，可以在工作台上设置多个传感器，例如设置在工作台的各个边缘、各个侧面上。根据工作台相对于基准板中某个基准板的位置，传感器的一个子集可能是有效的，这是由于在一些位置处，一个或多个传感器可能位于所讨论的基准板的有效范围外，或者传感器的子集可能位于相邻基准板之间的范围内，等等。因此，依据工作台相对于基准板的位置，可以使用传感器的不同子集来确定工作台的位置。同时，由于干扰形成的多种原因，用传感器得到的位置测量可能不一致。举例来说，这样的传感器相对于工作台的位置可能会受到容差、温度漂移等的影响，一个或多个板的位置可能会受到漂移或其他干扰的影响，板本身可能会受到像热膨胀等这类波动的影响。
因为这些干扰，传感器的读出会出现不一致。而由于这样的不一致，可能会看到几种现象。举例来说，假设给出带有4个传感器的工作台，在第一位置，传感器1-3被用来测量工作台的位置，在第二位置，传感器1、2和4被用来测量工作台的位置，同时传感器4出现一定漂移。那么，用传感器1-3获得的第一位置的位置确定可能与用传感器1、2和4获得的位置确定不一致，这样会引起控制系统(如反馈控制系统)控制工作台的位置，以基于从(部分)传感器确定的位置校正工作台的位置，从而使第二位置处的工作台用这样的反馈操作不同地校正，结果导致偏移、旋转等，换句话说，导致第二位置处的工作台位置相对于第一位置处的工作台位置失配。结果，可能出现偏移误差、对准误差、重叠误差等。
发明内容
因此，期望改善工作台的工作台位置测量精度。
根据本发明的一个实施例，提供一种工作台系统，其包括：可移动工作台；和测量所述工作台的位置的位置测量系统。所述位置测量系统包括参考板；多个传感器，其中依据所述工作台相对于所述参考板的位置，所述传感器的至少一个子集被配置成与所述参考板协作，提供各个传感器相对于所述参考板的位置的各个传感器信号；和设置用来从所述传感器信号确定工作台位置的处理器，其中在由与所述参考板协作操作的所述传感器的所述至少一个子集提供超过确定用数目的传感器信号的位置，所述处理器被配置成从所述超过确定用数目的传感器信号的子集确定所述工作台位置，并且由所述确定了的工作台位置与剩余的传感器信号之间的偏差，校正其中一个或多个传感器的传感器信号。
依照本发明的另一个实施例，提供一种光刻设备，其包括：照射系统，其被配置成调整辐射束；支撑结构，其被构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够给辐射束在横截面内赋予图案以形成图案化的辐射束；衬底支撑结构，其被构造成保持衬底；及投影系统，其被配置成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分，其中所述支撑结构和衬底台中的一个包括这种工作台系统。
依照本发明的另一个实施例，提供一种在具有双工作台区的双工作台区光刻设备内校正位置测量系统的方法，在所述双工作台区内，一个或多个工作台在曝光区和测量区是可移动地，所述位置测量系统被配置成在所述工作台区的每一个内测量工作台的位置，所述方法包括：将工作台定位在所述测量区内；用所述位置测量系统测量所述工作台的位置，以获得第一位置测量；使移动所述工作台移动第一预定距离；用所述位置测量系统测量所述工作台的位置，以获得第二位置测量；将所述工作台定位在所述曝光区内；用所述位置测量系统测量所述工作台的位置，以获得第三位置测量；使移动所述工作台移动第二预定距离；用所述位置测量系统测量所述工作台的位置，以获得第四位置测量；由所述第一和第二位置测量之间的差以及所述第一预定距离，为所述位置测量系统确定测量区校正因数；由所述第三和第四位置测量之间的差以及所述第二预定距离，为所述位置测量系统确定曝光区校正因数；从所述测量区校正因数和所述曝光区校正因数确定比例因数；以及用所述比例因数将所述曝光区内的位置测量与所述测量区内的位置测量联系起来。
在本发明的一个实施例中，提供一种用在光刻系统内的工作台系统，所述工作台系统包括：可移动工作台，其被配置成在参考板之上移动；多个传感器，其被设置在所述可移动工作台上，使得依据所述可移动工作台相对于所述参考板的位置，所述传感器的至少一个子集被配置成与所述参考板协作，在所述子集内的传感器的每一个都提供代表着该传感器相对于参考板的位置的传感器信号；以及处理器，其被配置成从所述子集内的传感器信号确定所述可移动工作台的位置；其中当所述工作台相对于所述参考板被定位，使得所述处理器能够从所述传感器信号的一部分计算出所述可移动工作台的位置时，所述计算器被配置成基于所述确定了的工作台位置和剩余的传感器信号校正所述传感器中至少一个的传感器信号。
附图说明
下面结合附图，仅以示例的方式描述本发明的实施例，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，在附图中：
图1描绘包括本发明一个实施例的光刻设备；
图2a-2c每一个都描绘依照本发明一个实施例的工作台系统的高度示意性的俯视图；
图3示意性描绘依照本发明一个实施例的工作台系统的控制器；
图4a和4b示意性描绘用工作台的传感器分别实施位置测量的工作台的顶视图；以及
图5描绘双工作台系统的示意性顶视图。
具体实施方式
根据本发明的一个实施例，图1示意地示出了一种光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的辐射)；掩模支撑结构或图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。光刻设备还包括衬底台(例如晶片台)WT或衬底支撑结构，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连。光刻设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
图案形成装置支撑结构MT以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台或“衬底支撑结构”(和/或两个或更多的掩模台或“掩模支撑结构”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台或支撑结构，或可以在将一个或更多个其它台或支撑结构用于曝光的同时，在一个或更多个台或支撑结构上执行预备步骤。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将图案形成装置支撑结构MT或掩模支撑结构和衬底台WT或衬底支撑结构保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT或衬底支撑结构沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对图案形成装置支撑结构MT(例如掩模台)或掩模支撑结构和衬底台WT或衬底支撑结构同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT或衬底支撑结构相对于图案形成装置支撑结构MT(例如掩模台)或掩模支撑结构的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的图案形成装置支撑结构MT(例如掩模台)保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT或衬底支撑结构进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT或衬底支撑结构的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2a示出定位在参考板之上(或之下)的晶片台WT的顶视图，在该例中具有4个参考板：参考板RPL 1-参考板RPT 4。晶片台WT设有4个传感器，每个传感器定位在晶片台WT的各个边缘。在晶片台WT相对于参考板PRL 1-PRL 4的位置中，位于晶片台第一边缘处的传感器SENS 1与参考板RPL 1协作，位于晶片台WT第二边缘处的传感器SENS2与参考板RPL 2协作，位于晶片台WT第三边缘处的传感器SENS 3与参考板RPL 3协作，位于晶片台WT第四边缘处的传感器SENS 4与参考板RPL 4协作。借此，每个传感器提供分别代表各自传感器相对于各自参考板的位置的各自传感器信号。这些参考板可以设有朝着4个参考板的组件的中心的切口，该切口为投影系统制造空间，以将图案化的束投射到衬底的目标部分上。
对传感器信号的校正可以用许多方式实现，例如通过向之前已校准过的传感器信号增加一个校正值(如呈偏移值的形式)。
在图2b中，示出的是晶片台WT的不同位置，传感器SENS 1和传感器SENS 2与第一参考板RPL 1协作，而传感器SENS 3和传感器SENS4与第第三参考板RPL 3协作。
在图2c中示出的又是不同的位置，所有传感器SENS 1-SENS 4与第二参考板RPL 2协作。
每个传感器SENS 1-SENS 4的传感器信号都提供给处理装置PRC，例如微处理器、微控制器、专用模拟或数字电子装置、可编程集成电路装置、或任何其他合适的处理装置。处理装置可以用术语广义地称作“处理器”。该处理装置或处理器被设置(例如被编程)为从传感器信号或部分传感器确定工作台位置。在这里示出的例子中，每个传感器SENS 1-SENS 4都提供2维的位置信号，也就是提供沿垂直方向(即，与图2a-2c所绘平面垂直的方向)的位置信息和沿X方向或沿Y方向的位置信息。传感器SENS 1和SENS 4例如提供沿垂直(Z)方向和沿X方向的位置信息，而传感器SENS 2和SENS 3提供沿Y方向和沿垂直(Z)方向的位置信息。因而，在图2a-2c所示的位置中，可以提供超过确定用(over-determined)数目的传感器信号，这是由于6自由度的位置只需要来自例如其中3个传感器，即传感器SENS 1-SENS 4中的一部分的6个适当的所选传感器信号。
这种位置确定的例子将参看图4a和图4b进行描述。在图4a中，示出的是晶片台WT的顶视图，这类似于或等同于图2a-2c所示的顶视图。如在图4b中象征性示出地，在该例中，工作台WT的位置由各个传感器SENS 1、SENS 2和SENS 3的位置信号P1、P2和P3(每个例如都包括2维位置信号)确定。依照本发明的一个方面，第四位置传感器SENS 4的位置信号P4被应用来校正传感器信号中的一个或多个传感器信号。在这些位置信号之间出现偏差的情况下，这些位置信号可能在它们相对于彼此的关系方面与它们各自的位置相对于晶片台WT所给出的预期相互关系不匹配。通过校正传感器信号中的一个或多个传感器信号，使其能够在读出时获得相一致的位置，这种偏差或不一致就可以解决，而无论被用来确定位置的位置信号子集如何。这种校正可以通过向一个或多个传感器信号增加各个偏移校正来形成。在例如处理器被设置用来校正传感器P4，即不形成子集那部分的剩余传感器的情况下，从该偏差能再次获得传感器信号之间的一致性。
在另一个实施例中，在工作台的位置由传感器信号P1、P2和P3确定，而传感器信号P4提供与传感器信号P1、P2和P3不一致的读出的情形中，代替校正传感器SENS 4(即，剩余传感器)，还可以校正那些被用来确定位置的传感器子集(在该情形中是传感器SENS 1-SENS 3)。通过对多个传感器计算偏差，校正很可能与导致该偏差的传感器物理漂移相符，这是由于偏差很可能是由多个传感器的漂移引起的，而不是由单单一个传感器(给出偏差的那一个)的偏移引起地。替代地，依照本发明这里描述的这个方面，由位置传感器所提供的位置信号的不一致可以通过将这种不一致仅分配给单单一个传感器、并以一种能再次提供一致性的方式提供校正来加以解决。
处理装置或处理器可以设置用来通过使用工作台的几何模型，校正一个或多个传感器的偏差(即不一致)。该几何模型可以依照要求为传感器之间的关系而设，例如传感器之间的标称位置关系。该几何模型可以存储在存储器内，例如电子存储器。通过校正一个或多个传感器信号，由传感器提供的位置信号之间的预期关系可以根据该几何模型被还原，即达到与这些位置信号之间的预期关系相一致。借此，通过相对容易地实施运算法则，可以获得一致性。
在另一个实施例中，该处理装置或处理器可以被设置用来至少两次确定它们的校正。每次，衬底台可以相对于参考板处于不同的位置。借此，该处理装置或处理器可以设置用来从不同位置处确定的校正之间的差来确定参考板的膨胀(或者其他光栅板的变形)，例如热膨胀。换句话说，当例如在处于或靠近参考板的传感器的晶片台位置时，校正已被实施，从而传感器产生一致性读出，同时晶片台朝参考板边缘移动越多，发现不一致就越大，这种依赖位置的不一致可以被转化成参考板的膨胀误差。
上述这些实施例不仅可以应用于晶片台，而且还可以在任何其他工作台上执行，像光刻设备的图案形成装置支撑结构(例如掩模台或掩模板台)。
现在，参看图5描述本发明的另一个方面。图5示出例如具有测量区ME和曝光区EX的双工作台光刻设备的双工作台系统的示意性顶视图。工作台WT 1和WT 2在测量区和曝光区是可移动的。测量区和曝光区每个都设置有参考板RPL，或多个参考板，如在图2a-2c中示意性示出的4个参考板。根据这种校正方法，用位置传感器SENS 1-SENS 4或其子集测量其中一个台(WT 1)的位置。然后，该工作台移动预定距离。再一次，用位置传感器SENS 1-SENS 4测量位置。在曝光侧重复相同的程序，即再次实施位置测量，然后将工作台移动预定距离，该预定距离可以与测量侧的预定距离相同或不同，再一次测量位置。在测量侧，测量区校正因数现在可以从两次位置测量之间的差和工作台在测量侧这两次测量之间移动的预定距离确定出，曝光区校正因数可以类似地从曝光区的两次测量和工作台在曝光侧这两次测量之间移动的预定距离确定出。现在，可以从测量侧和曝光侧的校正因数得出对曝光比例因素的测量。该校正因数可以用来将曝光区的位置测量与测量区的位置测量联系起来，由此在这两个区内获得一致的位置测量，换句话说，可以避免工作台从曝光区移动到测量区产生的不一致，或者反之亦然。
该预定距离可以通过使用曝光侧的现有位置传感器来提供，还可以使用工作台的传输图像传感器(容许与对准有关的测量的光学传感器)。由于工作台的两个传输图像传感器或TIS传感器之间的位置关系是已知的，因此通过在曝光侧分别用第一、第二TIS传感器定位工作台，可以得到用来移动工作台的预定距离。
在测量侧，可以使用工作台的对准标记。由于对准标记间的几何关系是已知的，因此预定距离上的移动可以通过首先利用第一个对准标记定位工作台来获得，而不是用第二个对准标记来定位工作台来获得。
参看图5描述的这种校正方法可以与参看图2-4所述的具有多个参考板和连接在工作台上的传感器的测量系统组合使用，然而，这种校正方法也可以与任何其他合适的定位系统组合使用。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”和“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(UV)(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应理解，本发明可以用所描述之外的方式实施。例如，本发明可以采用计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述上述方法的机器可读指令，或可以采用在其内存储有这样的计算机程序的存储介质(例如半导体存储器，磁盘或光盘)的形式。
上面的这些描述是示例性地，而非限制性地。因此，应当理解，本领域技术人员可以在不脱离下面所述权利要求的范围的情况下对本发明做出各种变形。
Claims (10)
1.一种工作台系统，包括：
可移动工作台；和
测量所述可移动工作台的位置的位置测量系统，所述位置测量系统包括：
4个相邻定位的参考板；
4个传感器，其中依据所述可移动工作台相对于所述参考板的位置，所述4个传感器的至少一个子集被配置成与所述参考板协作，以提供分别代表各个传感器相对于所述参考板的位置的各个传感器信号；和
设置用来从所述传感器信号确定工作台位置的处理器，所述处理器被配置成当所述工作台处于这样一个位置时，即在该位置上，由与所述参考板协作操作的所述传感器的所述至少一个子集提供超过确定用数目的传感器信号，(a)从所述超过确定用数目的传感器信号的子集确定所述工作台位置，并且(b)由所述确定了的工作台位置与剩余的传感器信号之间的偏差，校正一个或多个传感器的传感器信号；
所述处理器被设置用来确定所述校正至少两次，其中每一次，所述可移动工作台相对于所述参考板都处于不同的位置，所述处理器被设置用来从所述处于不同位置的确定了的校正之间的差，确定对所述参考板的膨胀的估计。
2.依照权利要求1的工作台系统，其中所述处理器被设置用来由所述偏差校正所述4个传感器中剩余的传感器的每个传感器信号。
3.依照权利要求1的工作台系统，其中所述处理器被设置用来由所述偏差校正所述超过确定用数目的传感器信号的子集的传感器信号。
4.依照权利要求1的工作台系统，其中所述处理器被设置用来通过使用所述可移动工作台的几何模型、确定所述确定了的工作台位置与所述剩余传感器信号之间的关系、并从该关系得出所述校正，而由所述偏差校正所述4个传感器中的一个或多个，其中所述几何模型存储在所述处理器的存储器内。
5.依照权利要求1的工作台系统，其中所述可移动工作台是光刻设备的衬底台。
6.依照权利要求1的工作台系统，其中所述可移动工作台是光刻设备的图案形成装置工作台。
7.一种光刻设备，包括：
照射系统，其被配置成调整辐射束；
图案形成装置支撑结构，其被构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够给辐射束在横截面内赋予图案以形成图案化的辐射束；
衬底支撑结构，其被构造成保持衬底；以及
投影系统，其被配置成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中
所述支撑结构中的一个包括一种工作台系统，该工作台系统包括：
可移动工作台；和
测量所述可移动工作台的位置的位置测量系统，所述位置测量系统包括：
4个相邻定位的参考板；
4个传感器，其中依据所述可移动工作台相对于所述参考板的位置，所述4个传感器的至少一个子集被配置成与所述参考板协作，以提供分别代表各个传感器相对于所述参考板的位置的各个传感器信号；和
设置用来从所述传感器信号确定工作台位置的处理器，所述处理器被配置成当所述工作台处于这样一个位置时，即在该位置上，由与所述参考板协作操作的所述传感器的所述至少一个子集提供超过确定用数目的传感器信号，(a)从所述超过确定用数目的传感器信号的子集确定所述工作台位置，并且(b)由所述确定了的工作台位置与剩余的传感器信号之间的偏差，校正一个或多个传感器的传感器信号；
所述处理器被设置用来确定所述校正至少两次，其中每一次，所述可移动工作台相对于所述参考板都处于不同的位置，所述处理器被设置用来从所述处于不同位置的确定了的校正之间的差，确定对所述参考板的膨胀的估计。
8.一种用在光刻设备内的工作台系统，所述工作台系统包括：
可移动工作台，其被配置成在参考板之上移动；所述参考板包括4个相邻定位的参考板；
4个传感器，其被设置在所述可移动工作台上，使得依据所述可移动工作台相对于所述参考板的位置，所述传感器的至少一个子集被配置成与所述参考板协作，在所述子集内的传感器的每一个都提供代表着该传感器相对于参考板的位置的传感器信号；以及
处理器，其被配置成从所述子集内的传感器信号确定所述可移动工作台的位置；
其中当所述工作台相对于所述参考板被定位，使得所述处理器能够从所述传感器信号的一部分计算出所述可移动工作台的位置时，所述处理器被配置成基于所述确定了的工作台位置和剩余的传感器信号校正所述传感器中至少一个的传感器信号；
所述处理器被设置用来确定所述校正至少两次，其中每一次，所述可移动工作台相对于所述参考板都处于不同的位置，所述处理器被设置用来从所述处于不同位置的确定了的校正之间的差，确定对所述参考板的膨胀的估计。
9.依照权利要求8的工作台系统，其中所述可移动工作台是光刻设备的衬底工作台。
10.依照权利要求8的工作台系统，其中所述可移动工作台是光刻设备的图案形成装置工作台。
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