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CN101460651B - 透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材 - Google Patents

透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材 Download PDF

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Abstract

本发明提供适合于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜的氧化锡类靶材。所述溅射靶材是用溅射法形成透明导电膜时所使用的溅射靶材，其特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。

Description

透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材
技术领域
本发明涉及适合于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜的氧化锡类溅射靶材。此外，本发明涉及适合用于平板显示器(FPD)的透明电极的透明导电膜及该透明导电膜的制造方法。本发明的透明导电膜可以良好地由上述的本发明的溅射靶材形成。
背景技术
一直以来，液晶显示装置(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、含有机EL的场致发光显示器(ELD)等FPD中，采用透明导电膜作为形成于基板上的透明电极。作为该透明导电膜的材料，已知氧化铟类、氧化锌类、氧化锡类。作为氧化铟类，ITO(掺锡氧化铟)非常有名且被广泛使用。作为ITO被广泛使用的理由，可以例举其低电阻性和良好的图案形成性。但是，已知铟的埋藏资源少，希望开发出替代其的材料。
氧化锡(SnO2)是被期待作为其替代材料的材料。然而，为了赋予氧化锡导电性，需采用毒性强的锑作为掺杂剂(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本专利特开平10-330924号公报
发明的揭示
作为除锑以外的掺杂剂，目前为止研究了钨、钽等(例如参照AppliedPhysics Letters，第78卷，第3号，350页(2001))。
然而，仅使用含钨或钽的氧化锡来制成溅射靶材的情况下，其烧结密度无法提高，因此形成透明电极时，存在无法使用生产性良好的DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法的问题。
另一方面，一直以来进行着可使用DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法的氧化锡类的靶材的研究，并得以实现(例如参照日本专利特开2005-154820号公报)。然而，现状是使用该文献中所示的靶材制成的膜显示高电阻值，无法获得实现一般作为ITO替代材料所要求的5E-2Ωcm以下的电阻率值的薄膜。
本发明的目的在于提供适合于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜的氧化锡类靶材。
此外，本发明的目的在于提供良好地由上述的氧化锡类靶材形成的透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法。
为了实现上述目的，本发明提供用溅射法形成透明导电膜时所使用的溅射靶材，其特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。
本发明的溅射靶材较好是在将所述A掺杂剂组的元素的总量记作MA、所述B掺杂剂组的元素的总量记作MB、所述透明导电膜所含的锡元素的量记作Sn时，满足下式(1)～(3)。
0.8<(Sn)/(Sn+MA+MB)<1.0…(1)
0.001<(MA)/(Sn+MA+MB)<0.1…(2)
0.001<(MB)/(Sn+MA+MB)<0.15…(3)
本发明的溅射靶材较好是相对密度在60％以上，表面的薄层电阻在9E+6Ω/□以下。
此外，本发明提供以氧化锡为主要成分的透明导电膜，其特征在于，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，实质上不含锑和铟，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。
本发明的透明导电膜中，较好是在将所述A掺杂剂组的元素的总量记作MA、所述B掺杂剂组的元素的总量记作MB、所述溅射靶材所含的锡元素的量记作Sn时，满足下式(4)～(6)。
0.8<(Sn)/(Sn+MA+MB)<1.0…(4)
0.001<(MA)/(Sn+MA+MB)<0.1…(5)
0.001<(MB)/(Sn+MA+MB)<0.15…(6)
本发明的透明导电膜较好是电阻率值在5E-2Ωcm以下。
本发明的透明导电膜较好是膜厚在1μm以下。
此外，本发明提供具有本发明的透明导电膜的显示器用构件。
此外，本发明提供使用上述的本发明的溅射靶材，通过溅射法，形成上述的本发明的透明导电膜的透明导电膜的制造方法。
本发明的溅射靶材由于烧结密度高，表面的薄层电阻值低，因此适合作为通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜时使用的溅射靶材。
使用本发明的溅射靶材所形成的透明导电膜的电阻率值、可见光透射率等FPD的透明电极所要求的特性不逊于以往的透明导电膜。
此外，所形成的透明导电膜由于不含高价的铟，能够以低成本提供透明导电膜。此外，由于不含具有毒性的锑、铟，因此在环境方面也是良好的。
实施发明的最佳方式
本发明的溅射靶材的特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。还有，“以氧化锡为主要成分”是指氧化锡的含量换算成锡元素在75摩尔％以上。更具体地，构成靶材的金属元素中，锡元素的比例较好是在75摩尔％以上，更好是在80摩尔％以上。
本发明的溅射靶材中，B掺杂剂组的元素(钨、钽、钼)是为了使通过溅射形成的膜具有导电性而作为掺杂剂包含于以氧化锡为主要成分的烧结体靶材(以下也称“氧化锡类靶材”)。
但是，作为B掺杂剂组的元素，以往被用作氧化锡类靶材的掺杂剂的In和Ga是不理想的。其原因在于，这些掺杂剂在膜中生成氧空穴而产生载流子，因此存在由于暴露在高温下而膜的电阻上升的问题。
然而，仅包含B掺杂剂组的元素的氧化锡类靶材因为以下的某一种原因，无法用于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成FPD的透明电极的用途。
(1)由于靶材的烧结密度低，因此得不到足够的机械强度，无法成形(机械加工)为溅射用的靶材。仅B掺杂剂组的元素时烧结密度低是因为氧化锡的粉体之间无法充分结合。
(2)即使可以成形为溅射用的靶材，也由于所得的靶材的薄层电阻值高而无法进行DC放电、DC脉冲放电和AC放电。仅B掺杂剂组的元素时膜表面的薄层电阻高还是因为氧化锡的粉体之间无法充分结合，在粉体和粉体的接合界面附近产生电荷损失。
采用本发明的溅射靶材的情况下，由于氧化锡类靶材除了B掺杂剂组的元素之外，还包含A掺杂剂组的元素(锌、铌、钛、镁、铝和锆)作为掺杂剂，因而具有可以用于DC溅射、DC脉冲溅射和RF溅射的特性。具体来说，靶材的烧结密度得到提高，因此具有足以成形为溅射用的靶材的机械强度。此外，靶材的表面电阻、具体为靶材的薄层电阻值足够低，可以用于DC溅射、DC脉冲溅射和AC溅射。
本发明的溅射靶材可以包含A掺杂剂组中的1种元素，也可以包含2种以上的元素。同样地，可以包含B掺杂剂组中的1种元素，也可以包含2种以上的元素。
A掺杂剂组的元素中，由于可以获得更高的烧结密度，较好是包含锌或铌。
另一方面，B掺杂剂组中，由于可以获得更低的电阻值，较好是包含钽。
本发明的溅射靶材中，较好是在将A掺杂剂组的元素的总量记作MA、B掺杂剂组的元素的总量记作MB、溅射靶材所含的锡元素的量记作Sn时，满足下式(1)～(3)。还有，本发明中，只要没有特别说明，MA、MB和Sn的量都以摩尔％基准表示。
0.8<(Sn)/(Sn+MA+MB)<1.0…(1)
0.001<(MA)/(Sn+MA+MB)<0.1…(2)
0.001<(MB)/(Sn+MA+MB)<0.15…(3)
通过使本发明的溅射靶材满足上式(1)～(3)，容易获得以下式(7)求得的相对密度达到60％以上的靶材。
相对密度(％)＝(体积密度/真密度)×100…(7)
在这里，体积密度(g/cm3)是指由制成的靶材的尺寸和重量求得的实测的密度，真密度是指由物质固有的理论密度计算求得的理论上的密度。
如果溅射靶材的相对密度在60％以上，则具有足以成形为溅射用的靶材的机械强度。
此外，通过使本发明的溅射靶材满足上式(1)～(3)，靶材表面的薄层电阻值容易达到9E+6Ω/□以下，因此是理想的。还有，“E+6”是指10的6次幂。如果靶材表面的薄层电阻值在9E+6Ω/□以下，则靶材的表面电阻足够低，因此适合作为DC溅射用、DC脉冲溅射用和RF溅射用的靶材。
溅射靶材的相对密度较好是在60％以上，更好是在80％以上。
溅射靶材表面的薄层电阻值较好是在9E+6Ω/□以下，更好是在1E+6Ω/□以下。
本发明的溅射靶材更好是上述的MA、MB和Sn满足下式(8)～(10)。
0.75<(Sn)/(Sn+MA+MB)<0.98…(8)
0.003<(MA)/(Sn+MA+MB)<0.08…(9)
0.05<(MB)/(Sn+MA+MB)<0.20…(10)
还有，式(8)较好是满足下式(8’)，特别好是满足下式(8”)。
0.75<(Sn)/(Sn+MA+MB)<0.95…(8’)
0.80<(Sn)/(Sn+MA+MB)<0.95…(8”)
本发明的溅射靶材可以通过制造氧化物烧结体靶材时的通常的步骤来制成。即，将原料按照所需的组成比配合，加压成形后，在大气气氛中于高温(例如1200℃)大气压下使其烧结即可。
高温时，必须在大气气氛下煅烧。减压下或氩气氛时，氧化锡分解，容易蒸发，靶材难以致密化，所以较好是在空气等含氧的气氛下烧结。例如，在空气中于1000～1600℃的温度条件下烧结。
在空气中烧结的情况下，例如可以如下制成靶材。准备SnO2粉末和各掺杂剂的氧化物粉末，将这些粉末以规定的比例混合。这时，将水作为分散剂，以湿式球磨机法进行混合。接着，将该粉末干燥后填充于橡胶模具，通过冷等静压装置(CIP装置)以1500kg/cm2的压力进行加压成形。然后，在大气中于1000～1600℃的温度下保持2小时来进行煅烧，获得烧结体。将该烧结体机械加工成规定的尺寸，制成靶材坯料。靶材坯料被金属粘接于铜等金属制的背板，制成靶材。
该SnO2粉末的粒度以平均粒度计较好是在10μm以下，更好是5μm以下，特别好是1μm以下。此外，各掺杂剂的氧化物粉末的粒径以平均粒径计较好是在30μm以下，更好是5μm以下。对通过上述步骤得到的烧结体使用SEM观察结晶粒径，确认为1～50μm以下的烧结体。还有，本发明中，平均粒度是指粉体粒径大小的分布的中心值。
本发明的透明导电膜的特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。还有，“以氧化锡为主要成分”是指氧化锡的含量换算成锡元素在75摩尔％以上，较好是在80摩尔％以上。本发明的透明导电膜适合作为如PDP等FPD的透明电极。
本发明的透明导电膜通过使用上述的本发明的溅射靶材实施DC溅射、DC脉冲溅射或RF溅射而良好地形成。
通常，容易获得均匀的薄膜且环境污染少的溅射法适合作为大面积的成膜法。溅射法中大致分为使用高频电源的高频(RF)溅射法、使用直流电源的直流(DC)溅射法、直流(DC)脉冲溅射法和使用交流电源的交流(AC)溅射法。RF溅射法在可以将电绝缘性的材料用于靶材这一点是优秀的，但高频电源的价格贵，结构复杂，不适合大面积的成膜。
与之相对，DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法虽然靶材局限于导电性良好的材料，但使用装置结构简单的直流电源或交流电源，所以是操作容易且在膜厚控制方面有利的成膜方法。因此，作为工业上的成膜法，较好是生产性良好的DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法。还有，作为溅射法，不使用RF溅射法而使用DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法是决定在生产性方面是否能够产业化的重要因素之一。
但是，本发明的透明导电膜只要满足上述的特征，其制造方法没有特别限定。因此，可以使用如RF溅射法等其它溅射法形成，也可以使用CVD法、溶胶凝胶法、PLD法等其它成膜法形成。
通过溅射法形成膜的情况下，较好是在氧化性气氛下进行溅射。氧化性气氛是指含氧化性气体的气氛。氧化性气体是指O2、H2O、CO、CO2等含氧原子的气体。氧化性气体的浓度对膜的导电性、透光率等膜的特性有较大影响。因此，氧化性气体的浓度必须以装置、基板温度、溅射压力等使用条件最适化。
作为溅射的气体，从制作透明且低电阻的膜时容易控制气体的组成的角度来看，较好是Ar-O2气体(Ar和O2的混合气体)类或Ar-CO2气体(Ar和CO2的混合气体)类。特别是Ar-CO2气体的控制性更好，是更优选的。
Ar-O2气体类中，因为可以获得透明且低电阻的膜，所以O2浓度较好是1～25体积％。如果不足1体积％，则膜着色而呈黄色，膜的电阻有可能升高。如果超过25体积％，则膜的电阻有可能升高。
此外，Ar-CO2气体类中，因为可以获得透明且低电阻的膜，所以CO2浓度较好是10～50体积％。如果不足10体积％，则膜着色而呈黄色，膜的电阻有可能升高。如果超过50体积％，则膜的电阻有可能升高。但是，根据用途的不同，有时要求着色的膜和高电阻。这样的情况下，并不局限于前述的浓度。
本发明的透明导电膜例如可以如下制成。使用磁控DC溅射装置，采用前述的靶材，将处理室抽真空至10-7～10-4Torr。如果处理室内的压力超过10-4Torr，则受到残留于真空中的残留水分的影响，所以难以控制电阻。此外，如果处理室内的压力不足10-7Torr，则抽真空需要时间，因此生产性变差。溅射时的功率密度(将输入功率除以靶材面的面积而得的值)较好是1～10W/cm2。如果不足1W/cm2，则放电不稳定。如果超过10W/cm2，则靶材可能会因产生的热量而破裂。溅射压力较好是10-4～10-1Torr。如果不足10-4Torr或超过10-1Torr，则存在放电不稳定的倾向。
本发明的透明导电膜较好是在将A掺杂剂组的元素的总量记作MA、B掺杂剂组的元素的总量记作MB、透明导电膜所含的锡元素的量记作Sn时，满足下式(4)～(6)。
0.8<(Sn)/(Sn+MA+MB)<1.0…(4)
0.001<(MA)/(Sn+MA+MB)<0.1…(5)
0.001<(MB)/(Sn+MA+MB)<0.15…(6)
如果满足上式(4)～(6)，则容易获得电阻率值在5E-2Ωcm以下的透明导电膜，适合作为FPD的透明电极。透明导电膜的电阻值更好是在1.0E-2Ωcm以下，特别好是在0.5E-2Ωcm以下。
本发明的透明导电膜较好是膜厚在1μm以下。如果膜厚在1μm以下，则透明导电膜不会存在浊雾等光学缺陷。本发明的透明导电膜更好是膜厚在0.4μm以下，特别好是在0.25μm以下。
本发明的透明导电膜较好是透明性良好。具体来说，可见光透射率较好是在80％以上，更好是在85％以上。
本发明的透明导电膜由于不含高价的铟，因此能够以低成本提供透明导电膜。此外，由于不含具有毒性的锑、铟，因此在环境方面也是良好的，且电阻率值低。透明导电膜所含的铟元素的含量较好是在0.1％以下。此外，透明导电膜所含的锑元素的含量较好是在0.1％以下。
为了使透明导电膜的电阻率值进一步降低，本发明的透明导电膜较好是满足下式(11)～(13)。
0.75<(Sn)/(Sn+MA+MB)<0.98…(11)
0.003<(MA)/(Sn+MA+MB)<0.08…(12)
0.05<(MB)/(Sn+MA+MB)<0.20…(13)
还有，式(11)较好是满足下式(11’)，特别好是满足下式(11”)。
0.75<(Sn)/(Sn+MA+MB)<0.95…(11’)
0.80<(Sn)/(Sn+MA+MB)<0.95…(11”)
此外，式(11)～(13)中的MA、MB和Sn与式(4)～(6)同义。
本发明的显示器用构件是被用作如PDP等FPD用的基板、特别是FPD的前基板的构件，例如在玻璃基板或树脂基板上形成有上述的本发明的透明导电膜作为透明电极。
玻璃基板没有特别限定，例如可以使用公知的各种玻璃基板(钠钙玻璃、无碱玻璃等)。作为优选的具体形态之一，可以例举PDP用高应变点玻璃。此外，其大小和厚度也没有特别限定。例如，作为纵横的长度，可以优选使用分别为400～3000mm左右的基板。此外，其厚度较好是0.7～3.0mm，更好是1.5～3.0mm。
除了PDP以外，本发明的显示器用构件还可以用作各种FPD用的基板。作为这样的FPD的具体例子，可以例举例如液晶显示装置(LCD)、含有机EL的场致发光显示器(ELD)、场致发射显示器(FED)等。
实施例
以下，基于实施例和比较例进行说明。本实施例仅是一例，本发明并不解释为受到这些例子的任何限制。即，本发明的包含范围由权利要求的范围所确定，包括除以下记载的实施例以外的各种变形。
(实施例1～8)
使用纯度99.9％左右、粒径在5μm以下的SnO2、Ta2O5、WO3、ZnO、Nb2O5的粉末，以各金属元素的组成比达到表1中记载的组成比的条件调合粉末。粉末使用球磨机混合，加压成形后，在大气气氛下于1450℃烧结4小时，将该氧化物烧结体通过机械加工形成靶材形状。得到的氧化物烧结体靶材的组成、相对密度、表面电阻(表面的薄层电阻值)如表1所示。靶材的表面的薄层电阻值使用表面电阻测定装置(三菱油化株式会社(三菱油化社)制：Loresta)测定。还有，靶材的相对密度使用下式(7)求得。
相对密度(％)＝(体积密度/真密度)×100…(7)
在这里，体积密度(g/cm3)是指由制成的靶材的尺寸和重量求得的实测的密度，真密度是指由物质固有的理论密度计算求得的理论上的密度。
准备厚度为2.8mm的高应变点玻璃(旭硝子株式会社(旭硝子社)制：PD200，基板的可见光透射率为91％)作为玻璃基板。将该玻璃基板清洗后，设置于溅射装置的基板支架。此外，将具有表1所示的组成的氧化物烧结体靶材安置于磁控DC溅射装置的阴极。将溅射装置的成膜室内排气至真空后，通过DC溅射法在该玻璃基板上形成厚度为约150nm的以氧化锡为主要成分的膜。溅射气体采用氩和氧的混合气体。基板温度为250℃。成膜时的压力为0.5Pa。
通过改变氩气和氧气的流量比，可以形成透明且电阻小的薄膜。表2表示将该气体比调整至电阻达到最低而得到时的膜的组成、可见光透射率、电阻率值。还有，膜的组成、可见光透射率、电阻率值通过下述的方法测定。
(1)组成：以与用于玻璃基板上的膜形成时同样的工艺条件制成300nm的膜。通过荧光X射线装置(理学电机工业株式会社(理学電機工業社)制RIX3000)测定从所形成的膜中的金属类元素放出的荧光量，通过基本参数理论计算算出各金属元素的量、组成比。
(2)可见光透射率：按照JIS-R3106(1998年)，使用分光光度计(株式会社岛津制作所(島津製作所)制：U-4100)，根据得到的带膜的玻璃基板的透射光谱计算带膜的玻璃基板的可见光透射率。
(3)电阻率值：使用表面电阻测定装置(三菱油化株式会社(三菱油化社)制：Loresta)测定。
由表1可知，确认实施例1～10所示的氧化物烧结体靶材都是相对密度在60％以上，表面电阻值在9E+6Ω/□以下，可用于DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法的溅射靶材。此外，由表2可知，实施例1～10中得到的膜都是可见光透射率85％以上、电阻率值在1E-2Ωcm以下，具有适合作为如PDP等FPD的透明电极的特性。
(比较例1～5)
使用与实施例同样的方法进行了表1所示组成的氧化物烧结体靶材的制作。还有，比较例4、5中，使用了纯度99.9％左右、粒径在5μm以下的粉末(In2O5、Ga2O3)。
然而，不含A掺杂剂组的元素的氧化物烧结体靶材(比较例1～3)都烧结密度低至60％以下，将烧结体机械加工成靶材形状时发生破裂，无法制成靶材。另一方面，作为B掺杂剂组的元素，包含铟或镓的靶材(比较例4、5)虽然烧结密度高，显示可用于DC溅射的薄层电阻值，但如表2所示，使用这些靶材形成的膜都电阻率值高，无法用作FPD的透明电极。
表1：靶材组成和密度、电阻
 
例 使用元素 (Sn)/(Sn+MA+MB) (MA)/(Sn+MA+MB) (MB)/(Sn+MA+MB) 靶材密度(％) 表面电阻(Ω/□)
实施例1 MA＝ZnMB＝Ta 0.961 0.009 0.029 60.3 0.3M
实施例2 MA＝ZnMB＝Ta 0.926 0.009 0.065 60.7 0.3M
实施例3 MA＝ZnMB＝Ta 0.887 0.0010 0.103 73 0.02k
实施例4 MA＝ZnMB＝W 0.950 0.010 0.040 99 0.3M
实施例5 MA＝ZnMB＝W 0.930 0.020 0.050 99 0.01
实施例6 MA＝ZnMB＝W 0.961 0.009 0.029 87.5 0.3M
实施例7 MA＝ZnMB＝W 0.926 0.009 0.01 88.3 0.3M
实施例8 MA＝ZnMB＝W 0.887 0.010 0.01 95.4 0.02k
 
实施例9 MA＝ZnMB＝Ta 0.950 0.010 0.040 99 0.01k
实施例10 MA＝ZnMB＝Ta 0.930 0.020 0.050 99 0.01
比较例1 MA＝未使用MB＝未使用 1.00 0.00 0.00 52.0 0.04M
比较例2 MA＝未使用MB＝W 0.970 0.00 0.03 43.0 20M
比较例3 MA＝未使用MB＝Ta 0.970 0.00 0.03 45.0 35M
比较例4 MA＝ZnMB＝In 0.67 0.25 0.08 96.0 0.02k
比较例5 MA＝ZnMB＝Ga 0.61 0.21 0.18 95.0 0.04k
表2：靶材组成和密度、电阻
 
例 使用元素 (Sn)/(Sn+MA+MB) (MA)/(Sn+MA+MB) (MB)/(Sn+MA+MB) 可见光透射率(％) 电阻率值(Ωcm)
实施例1 MA＝ZnMB＝Ta 0.961 0.009 0.029 84.9 0.0055
实施例2 MA＝ZnMB＝Ta 0.926 0.009 0.065 85.9 0.0032
实施例3 MA＝ZnMB＝Ta 0.887 0.0010 0.103 86.4 0.0051
实施例4 MA＝ZnMB＝W 0.950 0.010 0.040 86 0.0032
实施例5 MA＝ZnMB＝W 0.926 0.009 0.065 86.6 0.0053
实施例6 MA＝ZnMB＝W 0.887 0.010 0.103 87.2 0.0088
实施例7 MA＝NbMB＝Ta 0.955 0.035 0.01 86.2 0.0043
实施例8 MA＝NbMB＝W 0.955 0.035 0.01 87.7 0.0065
实施例9 MA＝ZnMB＝Ta 0.950 0.010 0.040 99 0.0032
实施例10 MA＝ZnMB＝Ta 0.930 0.020 0.050 99 0.0033
比较例4 MA＝ZnMB＝In 0.67 0.25 0.08 86.7 10.56
 
比较例5 MA＝ZnMB＝Ga 0.61 0.21 0.18 87.2 1293.22
产业上利用的可能性
本发明的溅射靶材适合于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜。
通过本发明得到的透明导电膜的透明性和导电性良好，作为FPD的透明电极具有良好的特性。此外，由于不含高价的铟，能够以低成本提供透明导电膜，由于不含具有毒性的锑，因此在环境方面也是良好的。此外，如果将近年来取得巨大发展的激光图案形成技术应用于该膜，则可以容易地在玻璃、塑料基板、薄膜基板、结晶基板上形成高精细的电极图案，是有用的。
另外，在这里引用2006年6月8日提出申请的日本专利申请2006-159526号的说明书、权利要求书和摘要的所有内容作为本发明说明书的揭示。

Claims (9)

1.溅射靶材，它是用溅射法形成透明导电膜时所使用的溅射靶材，其特征在于，
以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、钛、镁和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼，并且所述溅射靶材的相对密度在60％以上。
2.如权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，在将所述A掺杂剂组的元素的总量记作MA、所述B掺杂剂组的元素的总量记作MB、所述溅射靶材所含的锡元素的量记作Sn时，满足下式(1)～(3)：
0.8＜(Sn)/(Sn+MA+MB)＜1.0     …(1)；
0.001＜(MA)/(Sn+MA+MB)＜0.1   …(2)；
0.001＜(MB)/(Sn+MA+MB)＜0.15  …(3)。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶材，其特征在于，表面的薄层电阻在9E+6Ω/□以下。
4.透明导电膜，它是以氧化锡为主要成分的透明导电膜，其特征在于，
包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，实质上不含锑和铟，A掺杂剂组包括锌、钛、镁和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼，并且所述溅射靶材的相对密度在60％以上。
5.如权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，在将所述A掺杂剂组的元素的总量记作MA、所述B掺杂剂组的元素的总量记作MB、所述透明导电膜所含的锡元素的量记作Sn时，满足下式(4)～(6)：
0.8＜(Sn)/(Sn+MA+MB)＜1.0      …(4)；
0.001＜(MA)/(Sn+MA+MB)＜0.1    …(5)；
0.001＜(MB)/(Sn+MA+MB)＜0.15   …(6)。
6.如权利要求4或5所述的透明导电膜，其特征在于，电阻率值在5E-2Ωcm以下。
7.如权利要求4～6中的任一项所述的透明导电膜，其特征在于，透明导电膜的膜厚在1μm以下。
8.显示器用构件，其特征在于，具有权利要求4～7中的任一项所述的透明导电膜。
9.透明导电膜的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～3中的任一项所述的溅射靶材，通过溅射法，形成权利要求4～7中的任一项所述的透明导电膜。
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