CN101436647B - ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件 - Google Patents
ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101436647B CN101436647B CN200810240505XA CN200810240505A CN101436647B CN 101436647 B CN101436647 B CN 101436647B CN 200810240505X A CN200810240505X A CN 200810240505XA CN 200810240505 A CN200810240505 A CN 200810240505A CN 101436647 B CN101436647 B CN 101436647B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- zno
- zno nanorods
- vacuum ultraviolet
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 title abstract description 41
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 4
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 6
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 4
- -1 but in these studies Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，它是在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上，制备垂直其表面的ZnO纳米棒(2)，使ZnO纳米棒的长度保持在100～150nm；在ZnO纳米棒(2)上，制备有机发光层(3)，而后制备阴极铝(4)；用直流驱动，ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。有机发光材料为有机聚合物或小分子材料。利用ZnO纳米棒和有机发光层直接复合、而不需要中间绝缘层，这样可以减少器件制备的成本，并且提高ZnO纳米棒在真空紫外的发射。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光器件，特别适用于获得真空紫外发光二极管和激光器，属于光源领域。
背景技术
ZnO是一种新型环保的直接宽带隙半导体材料，室温下带隙为3.37eV，激子结合能高达60meV，是一种非常优良的真空紫外发射材料。与其他材料宽带隙材料相比，化学和热稳定性好，且原料易得，电子诱生缺陷较低，成膜性强和薄膜的外延生长温度较低，这些都有利于制作高性能的紫外发射器和探测器。虽然ZnO在光泵浦的情况下，已经观察和探测到它的真空紫外发射，但在电驱动下，ZnO的发光还是一个挑战，尤其是真空紫外发射，其发光亮度还很弱。低维的ZnO具有很好的载流子迁移特性和很好的物理化学特性，经常被用于照明、显示、激光等领域用于提高性能。很多科学工作者利用ZnO纳米线、纳米棒和有机发光材料的复合，在电驱动下，也观察到了ZnO在350-850nm之间的发射，但是在这些研究当中，都是先在ZnO纳米棒或者纳米线上首先旋涂一层有机绝缘层材料，而后才旋涂P型有机发光材料，并且ZnO在380nm附近的发射同ZnO的缺陷发射相比，都很弱。
发明内容
本发明的目的是提出一种在ZnO纳米棒上直接旋涂有机发光材料而制备的发光器件，在电驱动下，实现强于其他发射的ZnO的真空紫外发射。
本发明的技术方案：
一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，其结构是：
在阳极氧化铟锡导电层覆盖的玻璃上，制备垂直其表面的ZnO纳米棒，使ZnO纳米棒的长度保持在100～150nm；
在ZnO纳米棒上，制备有机发光层，使之覆盖ZnO纳米棒，有机发光层的材料为聚苯撑乙炔(PPV)或其衍生物聚〔2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)〕对苯乙炔(MEH-PPV)；
在有机发光层上，制备阴极铝(Al)；
用直流驱动，ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。
有机发光层或为小分子有机发光材料：8-羟基喹啉铝(Alq3)、8-羟基喹啉铝锌(Znq2)。
本发明的有益效果是：
本发明是在一层ZnO纳米棒上直接制备有机发光层而制备的发光器件，工艺简单，无需在ZnO纳米棒和有机发光层之间制备绝缘层材料；器件在直流电驱动下，实现很强的ZnO的真空紫外发射。
附图说明
图1为本发明的器件示意图。
具体实施方案
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步描述。
一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，该器件的结构，如图1所示。
实施例一
在阳极氧化铟锡导电层覆盖的玻璃1上，用溶胶凝胶方法制备ZnO纳米薄膜，作为种子，然后用水热法在ZnO纳米薄膜上垂直生长ZnO纳米棒2，通过控制反应温度和时间，控制ZnO纳米棒的长度，使ZnO纳米棒的长度控制在100nm。
在ZnO纳米棒2上，旋涂MEH-PPV，使MEH-PPV能填满ZnO纳米棒之间缝隙，并覆盖住ZnO纳米棒，形成有机发光层3。
然后，在有机发光层3上，蒸镀Al阴极4；
用直流驱动，ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机聚合物MEH-PPV作为电子注入层和传输层。
实施例二
在阳极氧化铟锡导电层覆盖的玻璃1上，用磁控溅射的方法制备ZnO纳米薄膜，作为种子，然后用水热法在ZnO纳米薄膜上垂直生长ZnO纳米棒2，通过控制反应温度和时间，控制ZnO纳米棒的长度，使ZnO纳米棒的长度控制在120nm。
在ZnO纳米棒2上，旋涂PPV，使PPV能填满ZnO纳米棒之间缝隙，并覆盖住ZnO纳米棒，形成有机发光层3。
然后，在有机发光层3上，蒸镀Al阴极4；
用直流驱动，ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机聚合物PPV作为电子注入层和传输层。
实施例三
在阳极氧化铟锡导电层覆盖的玻璃1上，用磁控溅射的方法制备ZnO纳米薄膜，作为种子，然后用水热法在ZnO纳米薄膜上垂直生长ZnO纳米棒2，通过控制反应温度和时间，控制ZnO纳米棒的长度，使ZnO纳米棒的长度控制在150nm。
在ZnO纳米棒2上，用热蒸发的方法制备Alq3，使Alq3能填满ZnO纳米棒之间缝隙，并覆盖住ZnO纳米棒，形成有机发光层3。
然后，在有机发光层3上，蒸镀Al阴极4；
用直流驱动，ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机发光层Alq3作为电子注入层和传输层。
Claims (2)
1.一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，其特征是：
在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上，制备垂直其表面的ZnO纳米棒(2)，使ZnO纳米棒的长度保持在100～150nm；
在ZnO纳米棒(2)上，制备有机发光层(3)，使之覆盖ZnO纳米棒，有机发光层(3)的材料为聚苯撑乙炔或其衍生物聚〔2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)〕对苯乙炔；
在有机发光层(3)上，制备阴极铝(4)；
用直流驱动，ZnO纳米棒(2)作为空穴注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。
2.根据权利要求1所述的一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，其特征是：有机发光层或为小分子有机发光材料：8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉铝锌。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810240505XA CN101436647B (zh) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810240505XA CN101436647B (zh) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101436647A CN101436647A (zh) | 2009-05-20 |
| CN101436647B true CN101436647B (zh) | 2010-10-27 |
Family
ID=40710966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810240505XA Expired - Fee Related CN101436647B (zh) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101436647B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102024910A (zh) * | 2010-10-20 | 2011-04-20 | 北京交通大学 | 修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件 |
| CN102617831B (zh) * | 2012-03-22 | 2013-09-18 | 合肥工业大学 | 一种硫属半导体/羧基化ppv电致发光复合材料的制备方法 |
| CN104311142B (zh) * | 2014-09-30 | 2016-10-12 | 东南大学 | 一种垂直生长TiO2纳米片及其制备方法 |
| CN104393193B (zh) * | 2014-12-09 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、oled显示装置 |
| CN106935723B (zh) * | 2017-04-28 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及制备方法、显示面板、干燥及电场发生装置 |
| CN113948654B (zh) * | 2021-10-26 | 2024-03-01 | 湖南恒显坤光电科技有限公司 | 一种oled器件及其制备方法 |
-
2008
- 2008-12-23 CN CN200810240505XA patent/CN101436647B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101436647A (zh) | 2009-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102610725B (zh) | 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法 | |
| KR101620870B1 (ko) | 표면 개질된 산화아연을 전자전달층 물질로 포함하는 발광 다이오드 | |
| CN105552185B (zh) | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN101436647B (zh) | ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件 | |
| CN108046314A (zh) | 一种全无机钙钛矿纳米棒的制备方法及其应用 | |
| CN103972416B (zh) | 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN103346221A (zh) | 一种无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN105140358B (zh) | 一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法 | |
| CN105261709A (zh) | 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法 | |
| CN109950412B (zh) | 一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法 | |
| CN111403616A (zh) | 一种溴无机盐钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN103872254A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN111326664A (zh) | 量子点发光二极管器件及用于制作其的墨水 | |
| CN114242923A (zh) | 一种硫醇类化合物界面修饰磷化铟量子点提高电致发光器件性能的方法 | |
| CN100469205C (zh) | 基于并五苯为空穴传输层的电致发光器件 | |
| CN1976070A (zh) | 白光量子点电致发光器件及其制备方法 | |
| Dong et al. | Improved performance of organic light-emitting devices based on 1, 4-bis (5-phenylthiophen-2-yl) benzene single crystals by using an anodic buffer layer | |
| CN111326660A (zh) | 应用于电致发光器件的高离散纳米晶发光层及基于其的电致发光器件 | |
| CN110391354A (zh) | 一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法、其应用和顶发射蓝光量子点led | |
| CN105449114B (zh) | Cs2CO3掺杂石墨烯为电子注入层的有机电致发光器件 | |
| CN113161501B (zh) | 具有高热稳定性的OLEDs器件及其制备方法 | |
| CN1711000A (zh) | 柔性白色有机电致发光器件及其制备方法 | |
| JP2002056983A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| CN100456516C (zh) | 顶出光电极及其制备方法 | |
| CN108511627A (zh) | 一种修饰氧化铟锡电极表面的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101027 Termination date: 20121223 |