[go: up one dir, main page]

CN101369545B - 加热块及利用其的引线键合方法 - Google Patents

加热块及利用其的引线键合方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101369545B
CN101369545B CN2007101436056A CN200710143605A CN101369545B CN 101369545 B CN101369545 B CN 101369545B CN 2007101436056 A CN2007101436056 A CN 2007101436056A CN 200710143605 A CN200710143605 A CN 200710143605A CN 101369545 B CN101369545 B CN 101369545B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum
hole
lead frame
heat block
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007101436056A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101369545A (zh
Inventor
陈强
刘一波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd, Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd
Priority to CN2007101436056A priority Critical patent/CN101369545B/zh
Publication of CN101369545A publication Critical patent/CN101369545A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101369545B publication Critical patent/CN101369545B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787—Means for aligning
    • H01L2224/78703—Mechanical holding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787—Means for aligning
    • H01L2224/78703—Mechanical holding means
    • H01L2224/78704—Mechanical holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787—Means for aligning
    • H01L2224/78743—Suction holding means
    • H01L2224/78744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于引线键合工艺的加热块以及一种利用该加热块的键合方法。所述加热块包括：加热孔，形成在加热块的中心部分，用于对所要键合的引线框架进行加热；真空吸孔，对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围并贯穿整个加热块，用于吸附引线框架。所述加热块能够使引线框架更牢固地固定在加热块上，从而消除引线框架的引脚部分在引线键合过程中的振动和不稳定现象。

Description

加热块及利用其的引线键合方法
技术领域
本发明涉及一种用于引线键合工艺的真空型加热块及一种利用该真空型加热块的引线键合方法，更具体地讲，涉及一种用以改善引线框架引脚在引线键合过程中的振动和不稳定现象的真空型加热块以及一种利用该真空型加热块的引线键合方法。
背景技术
芯片的封装是为了使芯片免受机械应力、热应力、湿气、有害气体以及放射线等外部环境的影响，这样做，一方面保证了半导体器件最大限度地发挥它的电学特性而正常工作，另一方面通过封装壳体将会使应用更加方便。
封装中必要的装配工艺包括：滑片(管芯分割)、芯片粘贴、引线键合和模压塑封等。
近来，微电子超大规模集成电路设计与制造工艺不断进步，芯片尺寸越来越小型化，这样也就推进封装技术的不断改进和提高。而封装技术中的引线键合工艺也成为了整个封装技术提高的关键。引线键合是指将大规模集成电路芯片上的压焊区和引线框架上的内引脚部位用金属丝通过键合的方式连接起来的工序。
在引线键合过程中，传送部件将引线框架载入至持续加热的加热块和压板位置之间。当引线框架的位置对准后，将压板下压，使引线框架固定在加热块上。然后，通过超声热压焊来执行引线键合过程。键合结束后，松开压板，通过传送部件将引线框架导出，从而完成引线键合工艺。
然而，随着芯片焊盘的小型化，促使与之配套的引线框架的引脚和键合间距越做越小。引线键合过程中引脚顶端的振动对引线键合过程的影响非常大，这就对引线键合过程中压板和加热块提出了更高的要求。
图1是传统的加热块结构的剖面示意图。
如图1所示，在封装工艺的引线键合过程中，为了保证引线框架4在键合过程中的稳定性，在加热块2对引线框架4进行加热的同时对引线框架4起到支撑作用，并且通过压板1下压使引线框架4固定在加热块2上，并且暴露出引线框架4的引脚部分4’。加热设备(未示出)通过加热孔3对引线框架4进行加热。然后，利用超声热压焊原理，执行引线键合工艺。
在如图1所示的传统的引线键合过程中，引线框架4是通过压板1下压的方法被固定在加热块2上。然而，在实际的生产工艺中，仅利用压板压合来固定引线框架的效果并不好，并不能将引线框架牢固地固定在加热块上。在现代化的生产工艺中，由于引线键合设备的工作频率快，所以在实际的生产中容易造成引线框架的引脚部分产生小幅度振动。在引脚尺寸非常小的情况下，这种振动很容易影响整个工艺，并导致产品良率下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以能够使引线框架更牢固地固定在加热块上的加热块以及利用该加热块的引线键合方法。
本发明的目的在于提供一种能够消除引线框架的引脚部分在引线键合过程中的振动和不稳定现象的加热块及利用该加热块的引线键合方法。
为了实现上述目的，本发明提供了一种用于引线键合工艺的加热块，包括：加热孔，形成在加热块的中心部分，用于对所要键合的引线框架进行加热；真空吸孔，对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围并贯穿整个加热块，用于吸附引线框架。
优选地，所述加热块的背面可设置有真空部分，所述真空部分与真空吸孔连通，用于使真空吸孔处于真空状态。
优选地，所述真空部分的背面可设置有真空泵接口，用于与真空泵连接，以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。
优选地，所述真空部分可呈环状。
优选地，所述真空吸孔可呈放射状分布。
优选地，所述真空吸孔的布局可由引线框架的引脚部分的布局确定。
优选地，在加热块的上表面上可形成有第一凸台和第二凸台，第一凸台形成在加热块的中心部分，用于支撑将被贴合的芯片，第二凸台形成在第一凸台的周围，用于支撑引线框架。
优选地，所述加热孔可形成在第一凸台上，所述真空吸孔可形成在第二凸台上。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种引线键合的方法，包括的步骤有：确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合；将压板下压，固定引线框架；利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分；执行引线键合过程；释放引线框架的引脚部分。
优选地，所述加热块的背面可设置有真空部分，所述真空部分与真空吸孔连通，用于使真空吸孔处于真空状态。
优选地，所述真空部分的背面可设置有真空泵接口，用于与真空泵连接，以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。
优选地，利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分的步骤可包括打开真空泵，使真空吸孔处于真空状态来吸附引线框架的引脚部分。
优选地，释放引线框架的引脚部分的步骤可包括关闭真空泵，去除真空吸孔的真空状态，从而释放引线框架的引脚部分。
优选地，可在释放引线框架的引脚部分之后，松开压板，去除对引线框架的固定。
优选地，可在松开压板之后，将引线框架载入到引线框架盒中。
优选地，该方法还可包括：在确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合的步骤之前，将引线框架从引线框架盒载入至芯片键合区域。
优选地，确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合的步骤可包括确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔是否重合，如果重合，则将压板下压；如果不重合，则继续调整位置直到重合为止。
优选地，所述真空吸孔可呈放射状分布。
优选地，所述真空吸孔的布局可由引线框架的引脚部分的布局确定。
优选地，所述真空部分可呈环状。
优选地，所述引线键合过程可利用金属线进行键合。
优选地，所述金属线可为金线。
附图说明
通过结合附图对实施例进行下面的描述，本发明这些和/或其他方面和优点将会变得清楚和更易于理解，其中：
图1是传统的加热块结构的剖视图；
图2是根据本发明示例性实施例的真空型加热块的正面示意图；
图3是根据本发明示例性实施例的真空型加热块的剖面示意图；
图4是根据本发明示例性实施例的真空型加热块的背面示意图；
图5是根据本发明的示例性实施例的引线键合的方法。
将在接下来的描述中部分阐述本发明另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。
具体实施方式
现在将详细地描述本发明的实施例，其例子显示在附图中，其中，相同的标号始终表示同一部件。以下，通过参考附图来描述实施例以解释本发明。为了清晰，省略对公知结构和功能的详细描述。
图2是根据本发明示例性实施例的真空型加热块的正面示意图。图3是根据本发明示例性实施例的真空型加热块的剖面示意图。
参照图2和图3，根据本发明示例性实施例的加热块2包括加热孔3和真空吸孔5。在加热块2的上表面上，形成有凸台2a和2b。凸台2b形成在加热块2的上表面的中心部分处，用于支撑将被贴合的芯片(未示出)。凸台2a形成在凸台2b的周围，用于支撑引线框架4。加热块2的加热孔3位于加热块2的中心部分处，即，形成在凸台2b上，而加热块2的真空吸孔5位于加热孔3的周围，即形成在凸台2a上。并且，优选地，真空吸孔5呈放射状分布。更具体地讲，真空吸孔5的位置与压板1(见图3)下压后所暴露出来的引线框架4的引脚部分4’的位置相对应(见图3)。
由于真空吸孔5的作用是将引线框架4的引脚部分4’牢固地吸附在加热块2上，具体地讲，吸附在加热块2的凸台2a上，所以真空吸孔5的布局取决于引线框架4的引脚部分4’的布局。
从图3中可以清楚地看出，通过压板1的下压，引线框架4被固定在加热块2的凸台2a上并暴露出引脚部分4’。在加热块2对引线框架4进行加热的同时，加热块2的凸台2a支撑引线框架4。根据本发明示例性实施例的加热块2包括加热孔3和真空吸孔5。具体地讲，加热孔3形成在加热块2的中心部分处，真空吸孔5形成在加热孔3的周围并与压板1下压后所暴露出来的引线框架4的引脚部分4’对应。
如图3所示，加热孔3和真空吸孔5在加热块2的厚度方向上贯穿整个加热块2形成。具体地讲，加热孔3和真空吸孔5的上端与加热块2的凸台2a和2b的上表面连通，加热孔3和真空吸孔5的下端与加热块2的下表面连通。真空部分6设置在加热块2的下部，更具体地讲，真空部分6对应于真空吸孔5设置在加热块2的下部。真空吸孔5的下端分别通过加热块2的下表面连通于真空部分6。在工作状态(即，在打线过程中)下，真空部分6内的空间处于真空状态，从而使真空吸孔5处于真空状态。
这样，在引线键合过程中，传送部件将引线框架4载入至持续加热的加热块3和压板1之间。当引线框架4的引脚部分4’与真空吸孔5对准后，将压板1下压，使引线框架4固定在加热块上。随后，在控制设备(未示出)的控制下，使真空部分6处于真空状态，从而使真空吸孔5也处于真空状态。这样，引线框架4的引脚部分4’在真空吸孔5的吸附力的作用下，被牢固地吸附在加热块2的凸台2a上。然后，通过超声热压焊来执行打线工艺。打线结束后，松开压板，通过传送部件将引线框架导出，从而完成引线键合工艺。
图4是根据本发明示例性实施例的真空型加热块的背面示意图。
如图4所示，加热块2背面的与真空吸孔5对应的区域与真空部分6连通，并在真空部分6的背部设置有真空泵接口7，用于与真空泵(未示出)连接。在执行打线工艺之前，在控制设备的控制下，打开真空泵，使真空部分6和真空吸孔5处于真空状态。真空部分6可呈环状，从而可以保证真空吸孔内真空度的一致性，以确保用于吸附引线框架的引脚的吸附力的强度和均匀性。
下面，通过参照图5来描述根据本发明的示例性实施例的引线键合的方法。
首先，在步骤101，通过载入系统将引线框架4从引线框架盒(未示出)中载入至芯片键合区域。
然后，在步骤102，通过识别设备(未示出)确认引线框架4的引脚部分4’是否与加热块2的真空吸孔5重合。如果引线框架4的引脚部分4’与加热块2的真空吸孔5重合，则该方法进行到下一个步骤103；如果没有重合，则返回到步骤101直到引线框架4的引脚部分4’与加热块2的真空吸孔5重合为止。引线框架4的引脚部分4’与加热块2的真空吸孔5的重合是为了保证在真空吸孔5处于真空状态时，对引脚部分4’具有吸附作用。
在确认引脚部分4’与真空吸孔5重合的情况下，将压板1下压，以固定引线框架4，如步骤103所示。
接下来，在步骤104，通过控制设备(未示出)来打开真空泵，使真空部分6内部的空间和真空吸孔5处于真空状态，从而使引线框架4的引脚部分4’牢固地吸附在加热块2上，即，吸附在加热块2的凸台2a上。在压板1的压力和真空吸孔5的吸附力的作用下，引线框架4的引脚部分4’可被更稳定和牢固地固定在加热块2上，即，固定在加热块2的凸台2a上。
在已经完成引脚部分4’的固定的情况下，在步骤105，执行打线过程。通常，打线过程中所使用的引线为金属线，优选地，可选用金线。由于打线过程为本领域技术人员所公知的，所以将省略对打线过程的详细描述。
在步骤106，打线过程结束后，通过控制设备关闭真空泵，通过使真空部分6和真空吸孔5恢复到初始状态来释放吸附引脚部分4’的吸附力。然后在步骤107，松开压板1，从而完全去除对引线框架4的固定。
接下来，利用载出系统，将已经完成打线过程的引线框架载出至引线框架盒中，从而完成引线键合工艺。
通过利用根据本发明示例性实施例的真空型加热块，可以消除引线框架的引脚部分在引线键合过程中的振动和不稳定的现象，从而能够提高引线键合工艺的作业性和作业品质。尤其是在引线框架的引脚宽度和引脚间距细小的情况下，改善尤为明显。
尽管已经结合示例性实施例示出和描述了本发明，但是本领域的技术人员应该清楚，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出修改和变换。

Claims (20)

1.一种用于引线键合工艺的加热块，包括：
加热孔，形成在加热块的中心部分，用于对所要键合的引线框架进行加热；
真空吸孔，对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围，并贯穿整个加热块，用于吸附引线框架的引脚部分，
其中，在加热块的上表面上形成有第一凸台和第二凸台，第一凸台形成在加热块的中心部分，用于支撑将被贴合的芯片，第二凸台形成在第一凸台的周围，用于支撑引线框架，
其中，所述加热孔形成在第一凸台上，所述真空吸孔形成在第二凸台上。
2.根据权利要求1所述的加热块，其中所述加热块的背面设置有真空部分，所述真空部分与真空吸孔连通，用于使真空吸孔处于真空状态。
3.根据权利要求2所述的加热块，其中，所述真空部分的背面设置有真空泵接口，用于与真空泵连接，以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。
4.根据权利要求2所述的加热块，其中，所述真空部分呈环状。
5.根据权利要求1所述的加热块，其中，所述真空吸孔呈放射状分布。
6.根据权利要求1所述的加热块，其中，所述真空吸孔的布局由引线框架的引脚部分的布局确定。
7.一种引线键合的方法，包括的步骤有：
确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合；
将压板下压，固定引线框架；
利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分；
执行打线过程；
释放引线框架的引脚部分，
其中，在加热块的上表面上形成有第一凸台和第二凸台，第一凸台形成在加热块的中心部分，用于支撑将被贴合的芯片，第二凸台形成在第一凸台的周围，用于支撑引线框架，所述真空吸孔形成在第二凸台上。
8.根据权利要求7所述的引线键合的方法，其中，所述加热块的背面设置有真空部分，所述真空部分与真空吸孔连通，用于使真空吸孔处于真空状态。
9.根据权利要求8所述的引线键合的方法，其中，所述真空部分的背面设置有真空泵接口，用于与真空泵连接，以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。
10.根据权利要求9所述的引线键合的方法，其中，利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分的步骤包括打开真空泵，使真空吸孔处于真空状态来吸附引线框架的引脚部分。
11.根据权利要求9所述的引线键合的方法，其中，释放引线框架的引脚部分的步骤包括关闭真空泵，去除真空吸孔的真空状态，从而释放引线框架的引脚部分。
12.根据权利要求7所述的引线键合的方法，还包括：在释放引线框架的引脚部分之后，松开压板，去除对引线框架的固定。
13.根据权利要求12所述的引线键合的方法，还包括：在松开压板之后，将引线框架载入到引线框架盒中。
14.根据权利要求7所述的引线键合的方法，还包括：在确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合的步骤之前，将引线框架从引线框架盒载入至芯片键合区域。
15.根据权利要求7所述的引线键合的方法，其中，确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合的步骤包括确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔是否重合，如果重合，则将压板下压；如果不重合，则继续调整位置直到重合为止。
16.根据权利要求7所述的引线键合的方法，其中，所述真空吸孔呈放射状分布。
17.根据权利要求7所述的引线键合的方法，其中，所述真空吸孔的布局由引线框架的引脚部分的布局确定。
18.根据权利要求8所述的引线键合的方法，其中，所述真空部分呈环状。
19.根据权利要求7所述的引线键合的方法，其中，所述引线键合过程利用金属线进行键合。
20.根据权利要求19所述的引线键合的方法，其中，所述金属线为金线。
CN2007101436056A 2007-08-14 2007-08-14 加热块及利用其的引线键合方法 Expired - Fee Related CN101369545B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101436056A CN101369545B (zh) 2007-08-14 2007-08-14 加热块及利用其的引线键合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101436056A CN101369545B (zh) 2007-08-14 2007-08-14 加热块及利用其的引线键合方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101369545A CN101369545A (zh) 2009-02-18
CN101369545B true CN101369545B (zh) 2011-07-20

Family

ID=40413286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101436056A Expired - Fee Related CN101369545B (zh) 2007-08-14 2007-08-14 加热块及利用其的引线键合方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101369545B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102054658B (zh) * 2009-10-30 2013-03-27 日月光封装测试(上海)有限公司 封装打线工艺的加热治具及其方法
CN102310262A (zh) * 2011-08-23 2012-01-11 南通富士通微电子股份有限公司 加热块装置
CN102842567B (zh) * 2012-08-20 2014-10-22 上海凯虹电子有限公司 引线框架固定装置以及封装方法
CN105470189B (zh) * 2014-09-05 2018-09-21 无锡华润安盛科技有限公司 一种双岛框架键合加热块及夹具
EP3550596B1 (en) * 2018-04-04 2024-09-04 Infineon Technologies AG Arrangements and method for providing a wire bond connection
CN109048028A (zh) * 2018-08-07 2018-12-21 航天恒星科技有限公司 引线键合方法和系统
CN115410969B (zh) * 2022-10-28 2023-01-24 宁波德洲精密电子有限公司 一种引线框架预热加工用输送装置
CN119133077B (zh) * 2024-09-11 2025-02-14 上海创贤半导体有限公司 一种引线键合机的压爪机构及使用方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4790897A (en) * 1987-04-29 1988-12-13 Lsi Logic Corporation Device for bonding of lead wires for an integrated circuit device
US6454158B1 (en) * 2000-03-01 2002-09-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wire bonding apparatus and wire bonding method of semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4790897A (en) * 1987-04-29 1988-12-13 Lsi Logic Corporation Device for bonding of lead wires for an integrated circuit device
US6454158B1 (en) * 2000-03-01 2002-09-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wire bonding apparatus and wire bonding method of semiconductor device

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2003-124248A 2003.04.25
JP特开2004-296649A 2004.10.21
JP特开平1-274440A 1989.11.02
JP特开昭64-4033A 1989.01.09

Also Published As

Publication number Publication date
CN101369545A (zh) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101369545B (zh) 加热块及利用其的引线键合方法
CN101697348B (zh) 一种小载体四面扁平无引脚封装件及其制备方法
JPH10275880A (ja) チップサイズパッケージ半導体
WO2000033379A1 (en) Semiconductor device, method of manufacture thereof, and electronic device
CN107548277B (zh) 一种tr组件压载装置及安装方法
CN103943573A (zh) 一种新型集成电路内部封装方法
KR102086889B1 (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
US20060012002A1 (en) Device for mounting a semiconductor package on a support plate via a base
US8299587B2 (en) Lead frame package structure for side-by-side disposed chips
CN109461667A (zh) 半导体芯片封装键合设备及实现方法
CN202633305U (zh) 具有半导体部件的层叠装置的组件
CN201904329U (zh) 一种引线框架
CN207637787U (zh) 一种新型to型引线框架
CN115274568B (zh) 一种射频前端三维集成结构
CN218849474U (zh) 一种基于多层凹嵌式基板的芯片天线单体化结构
JPS59181025A (ja) 半導体装置
US20050141107A1 (en) Optical device for optical semiconductor package and fabrication method
JP3014577B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5377807B2 (ja) 型、封入装置及び封入法
CN101325204A (zh) 具覆盖图样层的感测芯片结构、感测芯片构装及制作方法
JPS63114150A (ja) 混成集積回路
JP4075986B2 (ja) 樹脂封止装置及び金型
CN217316309U (zh) 封装焊线夹具
CN212074535U (zh) 一种晶圆贴膜机
JP3605895B2 (ja) スピーカの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110720

Termination date: 20160814