CN101369032B - 用于高强级反光膜生产的植珠工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及反光膜生产技术领域，尤其是一种用于高强级反光膜植珠工艺，采用静电植珠工艺，通过温度控制使玻璃微珠陷入植珠膜上胶粘剂层的深度为微珠直径的1/3～1/2，本发明可解决现有的植珠工艺中气流布珠中玻璃微珠表面带电引起植珠表面重叠浮珠的问题，可以大大提高玻璃微珠的密度，增强逆反射性能。
Description
技术领域
本发明涉及反光膜生产技术领域，尤其是一种用于高强级反光膜植珠工艺。
背景技术
反光膜按其不同的逆反射原理可分为玻璃珠型和微棱镜两大类。玻璃微珠型反光膜生产中最重要的工序是植珠环节，传统工艺多采用将植珠面直接与静止的玻璃微珠接触的办法，容易造成玻璃微珠分布不均匀，无法紧密排列，玻璃微珠层层重叠，严重浪费原材料，并影响反光亮度，另外，一般采用冷复合，玻璃微珠的陷入深度不容易掌握。植珠工序是玻璃微珠型反光膜生产中最重要的环节，而植珠工序的好坏直接决定高强级反光膜逆反射的性能。传统高强级产品植珠工艺多采用气流布珠，该工艺更适用于较小目数的玻璃微珠植珠。但该工艺实施过程中容易易造成玻璃微珠大小两级分化，大小分布不均匀，布珠后易发花；微珠受气流碰撞后布珠密度不够高，微珠之间易产生静电，珠层层重叠形成大量浮珠，浪费原材料，并影响产品的逆反射性能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：针对现有的植珠工艺中气流布珠中玻璃微珠表面带电引起植珠表面重叠浮珠的问题，本发明提供一种植珠工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于反光膜生产的植珠工艺，采用静电植珠工艺，通过温度控制使玻璃微珠陷入植珠膜上胶粘剂层的深度为微珠直径的1/3～1/2。
本发明的具体操作步骤为：
a.玻璃微珠在烘箱中预热至85～90℃；
b.将预热后的玻璃微珠匀速加入高位珠槽中，再从高位珠槽中匀速的转入植珠槽中；
c.采用静电装置使走膜辊子带正电荷，使植珠槽中玻璃微珠带负电荷：
d.植珠膜通过走膜辊子带上正电荷，植珠膜通过植珠槽时，植珠槽内的玻璃微珠通过电荷吸附作用均匀紧密分布于植珠膜表面；
e.植珠膜通过烘道在100℃～105℃温度下烘烤固化，陷入胶粘剂层的深度为微珠直径的1/3～1/2。
本发明中所述的玻璃微珠的粒径为60微米～90微米，折射率Nd＝1.93，当折射率Nd大于2.0时，反光膜上的聚焦层的厚度必须相应的增加，增加反光膜的整体厚度不宜于使用。
本发明中所述的植珠膜出珠槽时的角度与水平面成45°，可以增加植珠膜与玻璃微珠的接触面积，以达到单面共层紧密排布的目的。
本发明中所述的植珠槽中的走膜辊子距离植珠槽最低处的距离为120mm。
本发明中所述的植珠膜是涂布有25微米～45微米厚度的可剥离胶粘剂层的聚对苯二甲聚乙二醇酯膜，聚对苯二甲聚乙二醇酯膜的厚度为50微米。
本发明的有益效果是，本发明的可以大大提高玻璃微珠的密度，增强逆反射性能。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图。
图中1.进珠口，2.高位珠槽，3.植珠槽，4.出珠孔，。
具体实施方式
实例一：
选用粒径为60微米～90微米，折射率Nd＝1.93的玻璃微珠，对合格的玻璃微珠进行去静电处理，再放入烘箱内将玻璃微珠预热至85～90℃，后放入高位珠槽中，玻璃微珠匀速加入，再由高位珠槽落入到植珠槽中，玻璃微珠在植珠槽中通过静电装置带上负电荷。
选用50微米厚的聚对苯二甲聚乙二醇酯(BOPET)膜作为植珠基膜，在BOPET膜上涂布25微米厚的可剥离胶粘剂层形成植珠膜，经烘道烘干后，在烘道的走膜辊子上带有静电，植珠膜通过走膜辊子时带上正电荷。植珠膜通过植珠槽时，由于异性电荷互相吸引，将玻璃微珠分布到植珠膜的表面，植珠膜在出植珠槽时的角度与水平面成45°，增加吸附面积，实现单面共层紧密排布。
布珠后的植珠膜通过植珠装置后进入烘道在100～105℃的温度下烘烤固化，使玻璃微珠陷入胶粘剂层的深度为玻璃微珠直径的1/3～1/2。
Claims (2)
1.一种用于高强级反光膜生产的植珠工艺，其特征是具有以下步骤：
a.玻璃微珠在烘箱中预热至85～90℃；
b.将预热后的玻璃微珠匀速加入高位珠槽中，再从高位珠槽中匀速的转入植珠槽中；
c.采用静电装置使走膜辊子带正电荷，使植珠槽中玻璃微珠带负电荷：
d.植珠膜通过走膜辊子带上正电荷，植珠膜通过植珠槽时，植珠槽内的玻璃微珠通过电荷吸附作用均匀紧密分布于植珠膜表面；
e.植珠膜通过烘道在100℃～105℃温度下烘烤固化，玻璃微珠陷入植珠膜的胶粘剂层的深度为玻璃微珠直径的1/3～1/2。
2.根据权利要求1所述的用于高强级反光膜生产的植珠工艺，其特征是：所述的玻璃微珠的粒径为60微米～90微米，折射率Nd＝1.93。
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