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CN101360966B - 用于使瓷砖窑的管理最优化的方法和设备 - Google Patents

用于使瓷砖窑的管理最优化的方法和设备 Download PDF

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CN101360966B
CN101360966B CN2006800514225A CN200680051422A CN101360966B CN 101360966 B CN101360966 B CN 101360966B CN 2006800514225 A CN2006800514225 A CN 2006800514225A CN 200680051422 A CN200680051422 A CN 200680051422A CN 101360966 B CN101360966 B CN 101360966B
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Abstract

一种用于对烧制瓷砖的隧道窑进行管理和反馈调节的方法，该隧道窑包括布置在辊道平面上方和辊道平面下方的燃烧器，在窑的末端部分配强制冷空气的喷嘴，和在处理器控制下用于检测窑内部温度的装置，该方法包括以下操作：设定处理器用于期望的温度曲线；在第一存储器内存储与瓷砖形状和尺寸相关的标准缺陷；对于每个标准缺陷，在第二存储器内存储用于管理隧道窑以减少缺陷的修改；以一定的间隔对离开隧道窑的同一横向排列的瓷砖中的每个瓷砖进行平面度和尺寸控制，以便通过与包含在第一存储器内的数据相比较而确定检测到的缺陷类型；和将检测到的缺陷发送信号给处理器，该处理器通过将检测到的缺陷与包含在第一存储器内的数据相比较和根据包含在第二存储器内的数据指示修改向燃烧器和冷却空气喷嘴的供应来识别该缺陷。

Description

用于使瓷砖窑的管理最优化的方法和设备
技术领域
本发明涉及一种瓷砖窑，特别地涉及瓷砖窑的产品质量管理。
背景技术
在称为隧道窑的窑中瓷砖烧制阶段的成功几乎完全取决于严守在窑的整个横向截面上窑内部所保持的纵向温度曲线。
在本文中，术语“纵向曲线”表示在材料前进方向即平行于窑轴线的方向上的温度的曲线。
这里提到的窑包括布置在具有侧壁的隧道结构中用于材料传送的辊道平面，和两系列朝向窑中心并在窑整个长度上布置在侧壁上的燃烧器，一系列燃烧器在辊道平面上方排列，另一系列燃烧器在辊道平面下方排列，其中，每系列燃烧器包括被称为径向燃烧器的第一燃烧器以及与其交替布置的被称为轴向燃烧器的第二燃烧器，该第一燃烧器主要用于加热靠近侧壁的区域，该第二燃烧器主要用于加热窑的中心区域。
在窑的末端部，靠近材料的出口，设置有快速冷却装置，其包括不同定向的喷嘴，该喷嘴分配由产生加压空气的装置所产生的加压冷空气，该产生加压空气的装置例如是轴向或径向的通风机。
所有的产品质量参数取决于纵向温度曲线，例如离开窑的瓷砖的平面度和瓷砖尺寸的均匀度。
现有技术描述了即使在负载不连续的情况下也能够使纵向温度曲线自动保持恒定的方法，其目的是使产品质量保持在商业上可接受的限度内。
现有技术的方法通过作用在加热窑的燃烧器上来反馈地对温度曲线进行干预；也就是说，是在离开窑的产品中一发现缺陷，就在烧制瓷砖的窑道中进行干预。
已知的方法对于消除尺寸缺陷已经提供了一些效果，但是它们在平面度缺陷方面仍然是不充分的。
由于窑的横向尺寸增大，这些已知的方法还具有与尺寸缺陷相关的一些局限。
本发明的目的是提供用于根据在离开窑时所检测的产品质量来反馈地控制隧道窑的方法和设备。
尽管已经注意到，为了消除尺寸缺陷，控制位于窑的辊道平面上方和下方的温度提供了一些积极的效果，但是就平面度来说还没有提到过任何这样的积极效果。
这是因为：由于瓷砖在高烧制温度时的塑性，瓷砖会因其自重而倾向于在辊道平面上松弛，结果就会使得其对辊道平面上方和下方的温度差非常不敏感。
瓷砖容易随着烧制温度的升高而逐渐地收缩；该收缩是由于气体的扩展以及在局部烧结过程中间隙闭合而导致的，对窑横截面的温度控制对于使瓷砖尺寸保持在商业上可接受水平方面获得良好的效果，甚至在窑壁附近的瓷砖尺寸也是如此。
在窑出口显现的平面度缺陷还主要发生在快速冷却区，这是由于在靠近瓷砖上表面和下表面的瓷砖部分中材料的尺寸缩减有差异。
在上述部分中材料的热膨胀系数越大，在冷却过程中尺寸缩减也越大。
因此，本发明对材料的热膨胀系数进行干预，以在瓷砖平面度方面获得效果。
具有玻璃成分的材料例如陶瓷瓷砖材料的热膨胀系数随着冷却速度的减小而显著增大。
因此，本发明教导在快速冷却过程中对冷却速度进行干预，但是对于瓷砖的上表面和下表面进行不同干预。
通过组合如方法独立权利要求1和产品独立权利要求35所述的特征，使得本发明能够实现其目的。
从属权利要求涉及本发明的有利实施例。
发明内容
基本上，本发明的方法包括根据所用的材料以及根据每批被烧制瓷砖的尺寸和质量来以实验的方式确定烧制温度CT0的最佳纵向曲线。
根据上述曲线，在每批材料的烧制操作开始时，设定窑热设备的加热功能和冷却功能。
在材料烧制的整个过程中，在一系列离散的关键点监控窑内部的以下参数：不仅在辊道平面上方而且在下方，在窑轴线上并且优选在靠近其中一个侧壁的至少一个平行轴线上的温度TIST。
在窑的各个部分中，将监控到的温度TIST相对于存储的最佳曲线TC0的偏差ΔT存储起来，并发送给控制窑的处理器，该处理器对热设备进行第一校正，以使上述值保持在可接受的范围内。
在窑出口以预定的间隔对处于同一横向排列组中离开窑的瓷砖的每个瓷砖控制平面度和尺寸。
特别地，设置用于控制平面度的第一装置和用于控制尺寸的第二装置。
将检测到的数据与每种产品代表性的存储在存储器内的标准数据相比较，当该比较显示出与预定的间隔有偏差时，向处理器发送偏差类型的信号，然后根据处理器本身的程序，该处理器修改对偏差有影响的向燃烧器和用于产生冷却空气的装置的供应。
特别地，该处理器至少具有：包含了用统计学方式检测的瓷砖中最具普遍性的标准缺陷的第一存储器；包含了用于减少任何类型缺陷的对烧制温度和冷却温度的校正的第二存储器；以及程序，该程序用于使遇到的缺陷与在第一存储器中存储的那些缺陷相关联，并根据包含在第二存储器中的数据，用于快速指挥燃烧器和用于产生加压空气的装置，以实现充分减少检测到的缺陷。
本发明的设备包括所有实施构成该方法的步骤所需的装置。
附图说明
通过下面作为附图中非限制性实例示出的例子，瓷砖在烧制后的标准缺陷与对烧制曲线的修改之间的关系将更加清楚，其中：
图1是具有布置在辊道平面上方的燃烧器和用于产生冷却空气的装置的窑平面的平面图；
图2是具有布置在辊道平面下方的燃烧器和用于产生冷却空气的装置的窑平面的平面图。
具体实施方式
附图中示出了窑的辊道平面，用1表示，在该辊道平面上瓷砖从图中的右侧向左侧前进。
在辊道平面的上方和下方布置有已知的主要用于加热窑的中心区的轴向式燃烧器2、20、3和30以及已知的主要用于加热窑壁附近区域的径向式燃烧器4、40。
燃烧器设置成面对窑的侧壁，并且一个侧壁上的燃烧器相对于相对侧壁上的燃烧器交错。
靠近窑入口的轴向式燃烧器2、20用于预先烧制瓷砖，而燃烧器3、30、4和40用于烧制瓷砖。
瓷砖的快速冷却从燃烧器4、40的下游开始，冷空气(室温)通过喷嘴喷射，喷嘴面朝辊道平面并布置在两个横向的上部集管5和6、两个横向的下部集管50和60以及两个纵向集管70上，纵向集管70平行于窑轴线并布置在辊道平面下方。
优选地，每个集管与用于产生空气的装置连接，该用于产生空气的装置独立于其它集管的用于产生空气的装置。
燃烧器2、20、3、30、4和40单个地或者成对地与中央处理器P(未示出)连接，该中央处理器控制窑并指挥向每个燃烧器供给燃料和助燃空气。
集管5、50、6、60和70的用于产生空气的装置单独地与同一处理器P连接，该处理器也控制这些空气产生装置的操作压力。
窑内部温度的传感器11和11a布置在辊道平面上方，分别位于中心和靠近窑壁。
窑内部温度传感器110和110a布置在辊道平面下方，分别位于中心和靠近窑壁。
离开窑的横列瓷砖被连续地转移到运输装置8上，该运输装置的轴线垂直于窑轴线，在运输装置上形成单列的瓷砖81。
用于控制瓷砖平面度缺陷的第一装置10布置在运输装置8上方，已知类型的用于控制尺寸的第二装置9也布置在运输装置8的上方，并且还与中央处理器P连接，以向该中央处理器发送所遇到的每个缺陷的信号。
存储在处理器存储器内的标准缺陷和相关的补救措施如下。
A.大规格或小规格
这是当瓷砖的尺寸比所需的更大或更小时的缺陷。通过将布置在辊道平面上方和下方的燃烧器3、30、4和40的火焰温度提高或者降低1℃至5℃，来对上述缺陷进行修正。
火焰温度的提高导致瓷砖尺寸的减小。
B.靠近窑壁的长边梯形效应
通过提高布置在辊道平面上方和下方的径向燃烧器4、40的火焰温度来对该缺陷进行修正。
C.靠近窑壁的短边梯形效应
通过降低燃烧器4、40的火焰温度来对该缺陷进行修正。
D.均一的凹形-向上凹
通过在快速冷却区的干预对该缺陷进行修正。减小集管50和/或60中的冷却空气压力，并增大集管5和/或6中的冷却空气压力。协同地提高位于辊道平面下方的燃烧器30和40的火焰温度，同时在最终烧制区降低位于辊道平面上方的燃烧器3和4的火焰温度。
E.在垂直于辊道的平面中的凹形
根据材料以不同的方式对该缺陷进行修正。
对于一次烧成的白色和红色瓷砖以及玻化炻质瓷砖来说，在预烧制和开始烧制区降低位于辊道平面下方的燃烧器20和30的火焰温度，同时提高位于辊道平面上方的燃烧器2和3的火焰温度。协同地，在快速冷却区的开始，减小位于辊道平面下方的集管50和/或60中的压力，和增大位于辊道平面上方的集管5和/或6中的压力。
对于monoporosa或两次烧成的瓷砖来说，在烧制结束区降低(位于辊道平面上方的)燃烧器3和4的火焰温度，同时使(位于辊道平面下方的)燃烧器30和40的火焰温度提高相同的量。
协同地，在快速冷却区的开始从下方减小集管50和/或60中的压力，和从上方增大集管5和/或6中的压力。
F.在平行于辊道的平面中的凹形
根据材料进行不同的干预来对该缺陷进行修正。
对于白色和红色一次烧成的瓷砖以及玻化炻质瓷砖来说，(从下方)减小集管50和/或60中的压力，以及(从上方)使集管5和/或6中的压力增大相同的量。
对于monoporosa和两次烧成的瓷砖来说，在预烧制区降低(位于辊道平面下方)燃烧器20的火焰温度，和使(位于辊道平面上方)燃烧器2的火焰温度提高相同的量。
协同地，在快速冷却区的开始(从下方)增大集管50和/或60中的压力，同时(从上方)使集管5和/或6中的压力增大相同的量。
G.均一的凸形-向下凹
根据所用材料以不同的方式干预来对该缺陷进行修正。
对于白色和红色一次烧成的瓷砖以及玻化炻质瓷砖来说，在快速冷却区的开始从下方增大集管50和/或60中的压力，和从上方使集管5和/或6中的压力减小相同的量。
协同地，在烧制结束区降低位于辊道平面下方的燃烧器30和40的火焰温度，和使位于辊道平面上方的燃烧器3和4的火焰温度提高相同的量。此外，同样协同地，在开始烧制区提高位于辊道平面下方的燃烧器30的火焰温度，同时使位于辊道平面上方的燃烧器3的火焰温度降低相同的量。
对于monoporosa和两次烧成的瓷砖来说，在开始烧制区降低位于辊道平面上方的燃烧器3的温度，同时在烧制结束区提高燃烧器3和4的温度。
在辊道平面下方，在辊道平面开始处(开始烧制区)提高燃烧器30的温度，和在辊道平面末端(烧制结束区)降低燃烧器30和40的温度。
在快速冷却区开始处(从下方)增大集管50和/或60中的压力，同时协同地(从上方)减小集管5和/或6中的压力。
H.在垂直于辊道的平面中的凸形
为了减小该缺陷，在预烧制区和开始烧制区提高位于辊道平面下方的燃烧器20和30的火焰温度，同时降低位于辊道平面上方的燃烧器2和3的温度。协同地，增大位于辊道平面下方的集管50和/60中的压力，和减小位于辊道平面上方的集管5和/或6中的压力。
I.在平行于辊道的平面中的凸形
根据材料的类型以不同的方式对该缺陷进行修正。
对于白色和红色一次烧成的瓷砖和玻化炻质瓷砖来说，在快速冷却区的开始从下方增大集管50和/或60中的压力，和从上方使集管5和/或6中的压力减小相同的量。
对于monoporosa和两次烧成的瓷砖来说，在预烧制区降低(位于辊道平面上方)燃烧器2的火焰温度，和使(位于辊道平面下方的)燃烧器20的火焰温度提高相同的量。
在快速冷却区的开始(从下方)增大集管50和/或60中的压力，同时协同地(从上方)使集管5和/或6中的压力减小相同的量。
L.处干窑外部的瓷砖中的凸形
当凸面局限于在快速冷却区开始处靠近窑壁的瓷砖时，增大集管70中的压力。
优选地，对温度和压力的调节不管是向上或向下在每种情况下都是相同量，或者是该相同量的倍数，以便经过少量反复的干预，窑的调节稳定在期望的水平并且生产的瓷砖处于在商业上可接受的质量范围内。

Claims (38)

1.一种用于对烧制瓷砖的隧道窑进行管理和反馈调节的方法，该隧道窑包括用于传送瓷砖的辊道平面；一系列布置在辊道平面上方的燃烧器；一系列布置在辊道平面下方的燃烧器；一系列具有喷嘴的集管，喷嘴用于在隧道窑的末端部分配强制冷空气并且喷嘴布置在辊道平面的上方和下方；用于检测隧道窑内部温度的装置；以及用于指挥向单个的或成对的燃烧器供应燃料和空气和用于控制流入集管中的空气压力以把检测到温度的温度曲线保持在预定水平的处理器，其特征在于，该方法包括以下操作：
对于每批待烧制的瓷砖，设定处理器用于期望的温度曲线；
在处理器的第一存储器内存储与瓷砖的形状和尺寸相关的标准缺陷；
在处理器的第二存储器内为每个标准缺陷设定用于把燃烧器的火焰温度和/或冷却空气压力供应提高或降低到将会减少缺陷的量的修正；
在隧道窑的出口处，对离开隧道窑的同一横向排列瓷砖中的每个瓷砖，以一定的间隔对平面度和尺寸进行控制，以便通过与包含在第一存储器内的标准缺陷数据相比较而确定检测到的缺陷类型；
将检测到的缺陷发信号给处理器，处理器通过以下方式来识别该缺陷：将该检测到的缺陷与包含在第一存储器内的数据相比较，以及修改向燃烧器和/或冷却空气喷嘴的供应，瓷砖上侧和下侧的冷却速度被不同地调节；以便根据包含在第二存储器内的数据指示和根据处理器的程序对检测到的缺陷起作用。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，存储在第一存储器内的瓷砖尺寸的标准缺陷如下：规格；长边接近隧道窑窑壁的梯形效应；短边接近隧道窑窑壁的梯形效应。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，存储在第一存储器内的瓷砖形状的标准缺陷如下：均一的凹形和凸形；在平行于辊道的平面中的凹度和凸度；在垂直于辊道的平面中的凹度和凸度；接近隧道窑窑壁的瓷砖的凸度。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，同时对每一横向排列中的所有瓷砖执行瓷砖平面度的控制。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对每一横向排列中的每个瓷砖接连地执行瓷砖平面度的控制。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，同时对每一横向排列中的所有瓷砖执行瓷砖尺寸的控制。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对每一横向排列中的所有瓷砖接连地执行瓷砖尺寸的控制。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，为了校正工件尺寸比期望工件尺寸大的规格尺寸缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在辊道平面上方和下方使烧制温度提高1℃～5℃。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，为了校正工件尺寸比期望工件尺寸小的规格尺寸缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在辊道平面上方和下方使烧制温度降低1℃～5℃。
10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，为了校正长边接近隧道窑窑壁的梯形效应的尺寸缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在烧制结束区提高径向燃烧器(4、40)的火焰温度。
11.如权利要求2所述的方法，其特征在于，为了校正短边接近隧道窑窑壁的梯形效应的尺寸缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在烧制结束区降低径向燃烧器(4、40)的火焰温度。
12.如权利要求3所述的方法，其特征在于，为了校正均一凹面-向上凹的平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：减小位于辊道平面下方的集管(50和60)中的冷却空气压力，和增大位于辊道平面上方的集管(5和/或6)中的冷却空气压力。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在烧制结束区中，提高位于辊道平面下方的燃烧器(30和40)的火焰温度，和降低位于辊道平面上方的燃烧器(3和4)的火焰温度。
14.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于白色和红色一次烧成的瓷砖以及玻化炻质瓷砖来说，为了校正在垂直于辊道的平面中的凹面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在预烧制区和开始烧制区降低位于辊道平面下方的燃烧器(20和30)的火焰温度和提高燃烧器(2和3)的火焰温度。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却区的开始减小位于辊道平面下方的集管(50和/或60)中的压力，和增大位于辊道平面上方的集管(5和/或6)中的压力。
16.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于monoporosa瓷砖或两次烧成的瓷砖来说，为了校正在垂直于辊道的平面中的凹面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在烧制结束区降低位于辊道平面下方的燃烧器(30和40)的火焰温度，和在烧制结束区中把位于辊道平面上方的燃烧器(3和4)的火焰温度提高相同的量。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区减小辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力增大相同的量。
18.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于白色和红色一次烧成的瓷砖以及玻化炻质瓷砖来说，为了校正在平行于辊道的平面中的凹面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区减小辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力增大相同的量。
19.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于monoporosa瓷砖或两次烧成的瓷砖来说，为了校正在平行于辊道的平面中的凹面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在预烧制区降低位于辊道平面下方的燃烧器(20)的火焰温度，和使位于辊道平面上方的燃烧器(2)的火焰温度提高相同的量。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区减小辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力增大相同的量。
21.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于白色和红色一次烧成的瓷砖以及玻化炻质瓷砖来说，为了校正向下凹的均一凸面的平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区增大辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力减小相同的量。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在烧制区降低位于辊道平面下方的燃烧器(30和40)的火焰温度，和使位于辊道平面上方的燃烧器(3和4)的火焰温度提高相同的量。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：增大位于辊道平面下方的燃烧器(30)的火焰温度，和使位于辊道平面上方的燃烧器(3)的火焰温度降低相同的量。
24.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于monoporosa瓷砖或两次烧成的瓷砖来说，为了校正向下凹的均一凸面的平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：提高位于辊道平面下方的燃烧器(30)的火焰温度，和使位于辊道平面上方的燃烧器(3)的火焰温度降低相同的量。
25.如权利要求24所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区增大辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力减小相同的量。
26.如权利要求3所述的方法，其特征在于，为了校正在垂直于辊道的平面中的凸面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在预烧制区和开始烧制区提高位于辊道平面下方的燃烧器(20和30)的火焰温度，和使位于辊道平面上方的燃烧器(2和3)的火焰温度降低相同的量。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区增大辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力减小相同的量。
28.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于白色和红色一次烧成的瓷砖和玻化炻质瓷砖来说，为了校正在垂直于辊道的平面中的凸面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区增大辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力减小相同的量。
29.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于白色和红色一次烧成的瓷砖和玻化炻质瓷砖来说，为了校正在平行于辊道的平面中的凸面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区增大辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力减小相同的量。
30.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对于monoporosa瓷砖或两次烧成的瓷砖来说，为了校正在平行于辊道的平面中的凸面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：在预烧制区降低位于辊道平面上方的燃烧器(2)的火焰温度，和使位于辊道平面下方的燃烧器(20)的火焰温度提高相同的量。
31.如权利要求30所述的方法，其特征在于，第二存储器还包括向处理器发送的如下指令：在快速冷却开始区增大辊道平面下方集管(50和/或60)中的压力，和使辊道平面上方集管(5和/或6)中的压力减小相同的量。
32.如权利要求3所述的方法，其特征在于，为了校正接近隧道窑窑壁的工件中的凸面平面度缺陷，第二存储器包括向处理器发送的如下指令：增大纵向集管(70)中的压力。
33.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所有的修正中增大和减小温度和压力的修正是相同的量，以便经过少量反复的干预，隧道窑的调节稳定到期望值，以及生产的瓷砖属于在商业上可接受品质标准的范围内。
34.如权利要求33所述的方法，其特征在于，在所有的修正中增大和减小温度和压力的修正是相同量的倍数。
35.一种用于对烧制瓷砖的隧道窑进行反馈管理的设备，该隧道窑包括：
用于传送位于具有侧壁的隧道结构中的材料的辊道平面，该辊道平面中布置有：
两系列燃烧器，分别是一系列布置在辊道平面上方的燃烧器和一系列布置在辊道平面下方的燃烧器，所述燃烧器朝向隧道窑的中心以及沿隧道窑的长度分布；
两系列分别位于辊道平面上方和下方的集管，所述辊道平面上方和下方的集管具有用于将冷空气朝辊道平面引导的喷嘴，所述辊道平面上方和下方的集管布置在隧道窑的末端区，材料从该末端区离开；
与位于辊道平面上方和下方的所述集管相联的用于产生加压空气的装置；
用于控制在隧道窑整个长度上分布的温度的装置；
用于根据由温度传感器装置发送的信号控制燃烧器运行的处理器；
其特征在于，该设备包括：
用于控制离开隧道窑的瓷砖的平面度的第一装置；
用于控制离开隧道窑的瓷砖的尺寸的第二装置；
该处理器被预先设置成接受第一和第二装置的信号，并且该处理器包括
存储瓷砖尺寸和平面度的标准缺陷的第一存储器；和
包含有向燃烧器和用于产生加压空气的装置发送的指令以减少每个所存储的标准缺陷的第二存储器；
计算单元，根据从第一和第二装置接收的数据和包含在第一和第二存储器中的数据，该计算单元指挥单个燃烧器和用于产生加压空气的单个发生器的操作，以不同地调节瓷砖上侧和下侧的冷却速度。
36.如权利要求35所述的设备，其特征在于，辊道平面下方和上方的每个集管具有用于产生冷却空气的装置。
37.如权利要求35所述的设备，其特征在于，运输装置设置在隧道窑的出口，该运输装置的轴线垂直于隧道窑轴线，瓷砖离开隧道窑时在该运输装置的轴线上排列，用于控制瓷砖平面度和尺寸的所述第一和第二装置位于该运输装置上方。
38.如权利要求35所述的设备，其特征在于，该设备包括用于检测温度的传感器装置，其设置在隧道窑侧壁的附近。
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