CN101325403B - 射频信号放大装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种耗能较少并能在PA驱动放大设备中以高电压运行的射频(RF)信号放大装置，该PA驱动放大装置可应用于放大RF信号的功率的PA放大电路。RF信号放大装置包括：平衡-不平衡变压器，将不平衡RF信号转换为平衡射频信号；主放大器，差分地放大来自平衡-不平衡变压器的平衡射频信号；至少一个次级放大器，次级并差分地放大经主放大器放大后的平衡射频信号。

Description

射频信号放大装置

相关申请的交叉参考 

本申请要求与2007年6月13日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请第2007-57942号的优先权，其全部内容通过引用结合于此。 

技术领域

本发明涉及放大装置，更具体地，涉及耗能较少并可以高电压运行的功率放大器(PA)驱动放大设备中的射频(RF)信号放大装置，该功率放大器驱动放大装置可应用于放大RF信号的功率的PA放大电路。 

背景技术

近来，无线通信的发展也引起了各种无线通信收发机装置的发展。同样，在这些无线通信收发机装置中应用的射频(RF)信号放大器也得到了发展。 

下面将参考图1描述传统RF信号放大器。 

图1是示出了传统RF信号放大装置的电路图。 

参考图1，传统放大装置10包括放大部11，具有多个开关，彼此差动地导通/截止；以及电感器部12，向放大部11提供直流电(DC)。 

上述传统的放大装置10包括提供DC的电感器12a和12b，这增大了放大装置的尺寸。此外，放大装置10由于电感器的阻抗而消耗相当大的功率，从而导致效率降低。 

发明内容

本发明的一个方面提供了一种耗能较少并可以高电压运行的功率放大器(PA)驱动放大设备中的射频(RF)信号放大装置，该功率放大器驱动放大装置可应用于放大信号的功率的PA放大电路。 

根据本发明的一个方面，提供了一种RF信号放大装置，包括：平衡-不平衡变压器，将不平衡RF信号转换为平衡RF信号；主放大器，差分地放大来自平衡-不平衡变压器的平衡RF信号；以及次级放大组，包括次级并差分地放大经主放大器放大的平衡RF信号的至少一个次级放大器，其中，主放大器包括：第一放大单元，布置在提供预定驱动功率的驱动功率端和地之间，第一放大单元差分地放大平衡RF信号并输出具有预定电压电平的第一平衡RF信号；第二放大单元，串联连接在驱动功率端和第一放大单元之间，并与第一放大单元互补地导通/截止，第二放大单元差分地放大平衡RF信号并输出具有高于第一平衡RF信号的电压电平的电压电平的第二平衡RF信号，以及次级放大组包括第一次级放大器，其中第一次级放大器包括：第三放大单元，布置在驱动功率端和地之间，第三放大单元次级并且差分地放大来自主放大器的第一平衡RF信号，和第四放大单元，串联连接在驱动功率端和第三放大单元之间，并且与第三放大单元互补地导通/截止，第四放大单元次级并差分地放大来自主放大器的第二平衡RF信号。 

主放大器可以包括：第一至第四输入电容器，分别串联连接在第一和第二放大单元的信号输入端以及来自平衡-不平衡变压器的 平衡RF信号的输出端之间；以及第一至第四电阻器，分别串联连接在第一至第四输入电容器与第一和第二平衡RF信号的输出端之间，其中，第一至第四输入电容器分别消除来自平衡-不平衡变压器的平衡RF信号中的直流分量，以及第一至第四电阻器将平衡RF信号的输出端与第一和第二平衡RF信号的输出端彼此分开，并分别为第一和第二放大单元提供偏置功率。 

第一次级放大器可以包括：多个偏压，分别串联连接在驱动功率端与第一平衡RF信号的输入端之间，以及在地与第二平衡RF信号的输入端之间，偏压分别向第三和第四放大单元提供偏置功率；多个第一隔离电阻组，分别串联连接在第一和第二平衡RF信号的输入端与次级放大RF信号的输出端之间，第一隔离电阻组将输入信号和输出信号彼此分开；以及多个第二隔离电阻组，串联连接在彼此具有不同极性的次级放大的RF信号的相应输出端之间以将每个输出信号分开。 

第一放大单元可以包括多个放大元件，多个放大元件包括至少两组放大元件，其中，至少两个放大元件彼此串联连接，两组放大元件彼此并联连接以差分地放大平衡RF信号；第二放大单元包括多个放大元件，第二放大单元的多个放大元件包括至少两组放大元件，其中，第二放大单元的至少两个放大元件彼此串联连接，第二放大单元的两组放大元件彼此并联连接以与第一放大单元的两组放大元件互补地导通/截止，第一和第二放大单元的各自两组放大元件中的每一组都包括P沟道场效应晶体管和N沟道场效应晶体管，其中，P沟道场效应晶体管具有接收平衡RF信号的栅极，接收功率源的源极以及输出放大信号的漏极，以及N沟道场效应晶体管具有接收平衡RF信号的栅极，接收功率源的源极和输出放大信号并连接到P沟道场效应晶体管的漏极的漏极。 

第一放大单元的N沟道场效应晶体管可以具有连接在一起的各个源极端，以及第二放大单元的P沟道场效应晶体管可以具有连接到第一放大单元的N沟道场效应晶体管的各个源极端的各个源极端，从而形成虚地。 

次级放大器的第三放大单元可包括彼此并联连接的多个级联放大元件以差分地放大第一平衡RF信号；以及第四放大单元，串联连接在驱动功率端和第三放大单元之间，第四放大单元包括与第三放大单元的多个级联放大元件互补地导通/截止的多个级联放大元件，第四放大单元的多个级联放大元件彼此并联连接，以差分地放大第二平衡RF信号。 

第一次级放大器的第三放大单元可以包括彼此并联连接的第一和第二级联放大元件，其中，第一级联放大元件包括第一场效应晶体管，其具有接收第一平衡RF信号的栅极、连接到地的源极、和输出放大信号的漏极，以及第二场效应晶体管，其具有连接到第一场效应晶体管的漏极的源极、输出放大信号的漏极、和栅极；以及第二级联放大元件包括第三场效应晶体管，其具有接收第一平衡RF信号的栅极、连接到地的源极、和输出放大信号的漏极，以及第四场效应晶体管，其具有连接到第三场效应晶体管的漏极的源极、输出放大信号的漏极、和栅极；第一次级放大器的第四放大单元包括第三和第四级联放大元件，其中，第三级联放大元件包括第五场效应晶体管，其具有接收驱动功率的源极、接收第二平衡RF信号的栅极、以及漏极，以及第六场效应晶体管，其具有连接至第五场效应晶体管的漏极的源极、输出放大信号的漏极、和源极，以及第四级联放大元件包括第七场效应晶体管，其具有接收驱动功率的源极、接收第二平衡RF信号的栅极、和漏极，以及第八场效应晶体管，其具有连接到第七场效应晶体管的漏极的源极、输出放大信号的漏极、以及源极。 

第二和第四场效应晶体管可以各自具有连接到一起的栅极，以及第六和第八场效应晶体管可以各自具有与第二和第四场效应晶体管的各自的栅极连接在一起的栅极，从而形成虚地。 

次级放大组可以进一步包括：第二和第三次级放大器，其中的每一个都并联连接到第一次级放大器并且分别次级地放大第一和第二平衡RF信号；以及其中第二次级放大器包括第五放大单元，布置在驱动功率端和地之间，并具有彼此并联连接的多个级联放大元件以差分地放大第一平衡RF信号，以及第六放大单元，串联连接在驱动功率端和第五放大单元之间并具有与第五放大单元的多个级联放大元件互补地导通/截止的多个级联放大元件，以差分地放大第二平衡RF信号；以及第三次级放大器，包括第七放大单元，布置在驱动功率端和地之间，并具有彼此并联连接的多个级联放大元件以差分地放大第一平衡RF信号，以及第八放大单元，串联连接在驱动功率端和第七放大单元之间，并具有与第七放大单元的多个级联放大元件互补地导通/截止的多个级联放大元件，以差分地放大第二放大平衡RF信号。 

在第一至第三次级放大器的各个输出端，输出具有彼此相同相位的平衡RF信号的相应输出端可以被连接在一起。 

附图说明

通过下面结合附图的具体描述可以更清楚地理解本发明的上述和其他方面、特征以及其他优点，附图中， 

图1是示出了传统放大装置的电路图； 

图2是示出了根据本发明示例性实施例的放大装置的示意性结构图； 

图3A和3B是分别示出了应用于根据本发明示例性实施例的放大装置的主放大器和次级放大器的电路图；以及 

图4A和4B是分别示出了应用于根据本发明示例性实施例的放大装置的主放大器和次级放大器的输出信号的曲线图。 

具体实施方式

下面将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。 

图2是示出了根据本发明示例性实施例的放大装置的示意性结构图。 

参考图2，本实施例的放大装置100包括平衡-不平衡变压器110和放大部120。 

平衡-不平衡变压器110接收不平衡射频(RF)信号，并输出具有彼此相反相位的平衡信号。 

放大部120将来自平衡-不平衡变压器110的平衡RF信号的电压电平放大。 

放大部120可以包括多个放大器，以将平衡RF信号的电流放大至必要等级。相应地，放大部120可以包括主放大器121和次级放大器组122。 

主放大器121可以包括第一和第二放大单元121a和121b。第一和第二单元121a和121b分别输出具有彼此不同的电压电平的第一和第二平衡射频(RF)信号。第二放大器组可以包括多个次级放大器，用于次级地放大主要由主放大器121放大的平衡RF信号。 

根据本发明的示例性实施例，次级放大器组122可以包括第一至第三次级放大器122a，122b以及122c。第一至第三次级放大器122a，122b以及122c中的每一个都可以包括在驱动功率端和地之间彼此连接的两个放大单元。 

来自次级放大器组122的经次级放大的平衡RF信号可以被用作驱动在全球移动通信系统(GSM)或通用分组无线业务(GPRS)中采用的功率放大器(PA)的驱动信号。 

下面将参考图3A和3B详细描述主放大器121和次级放大器组122。 

图3A和图3B是示出了应用于本实施例的放大装置的主放大器和次级放大器的电路图。 

参考图3A，在本实施例的放大装置中采用的主放大器121可以包括第一放大单元121a，布置在驱动功率端Vdd和地之间；以及第二放大单元121b，在驱动功率端Vdd和第一放大单元121a之间串联连接到第一放大单元121a。 

第一放大单元121a可以由第一至第四场效应晶体管(FET)形成。在此，第一FET M1具有串联连接到第二FET M2的漏极的漏极，以及第三FET M3具有串联连接到第四FET M4的漏极的漏极。此外，第一至第四FET M1、M2、M3和M4中的每一个均具有来自平衡-不平衡变压器110的平衡射频(RF)信号。在此，从平衡RF信号中，正(+)平衡RF信号分量可以被分别输入到第一和第二FET M1和M2的栅极。相反，具有与正(+)平衡RF信号分量180°相差的负(-)平衡RF信号分量可以被分别输入到第三和第四FET M3和M4的栅极。第一和第二FET M1和M2与第三和第四FET M3和M4并联连接，从而形成第一放大单元121a。 

同样地，第二放大单元121b可以由第五至第八FET M5、M6、M7和M8形成。此处，第五FET M5具有串联连接到第六FET M6的漏极的漏极，以及第七FET M7具有串联连接到第八FET M8的漏极的漏极。此外，第五至第八FET M5、M6、M7和M8中的每一个都具有接收来自平衡-不平衡变压器110的平衡RF信号的栅极。正(+)平衡RF信号分量可以被分别输入至第五和第六FET M5和M6的栅极。同时，负(-)平衡RF信号分量可以被分别输入到第七和第八FET M7和M8的栅极。第五和第六FET M5和M6并联连接到第七和第八FET M7和M8，从而形成第二放大单元121b。 

在第一至第八FET中，第一、第三、第五和第七FET M1、M3、M5和M7可以被配置为P沟道FET。相反，第二、第四、第六和第八FET M2、M4、M6和M8可以被配置为N沟道FET。 

同样，通过分别连接到平衡RF信号的输入端以及第一和第二平衡RF信号的输出端RF输出高+、RF输出高-、RF输出低+、和RF输出低-的电阻器R将信号隔离，并且提供每个FET的偏置功率。同样，第一至第四输入电容器Ci1、Ci2、Ci3和Ci4中对应的电容器分别连接到平衡RF信号的输入端，以抑制平衡RF信号的DC分量的传送。 

主放大器121具有彼此串联连接在驱动功率端Vdd和地之间的第一放大单元121a和第二放大单元121b，以使其具有分配至其的驱动功率Vdd。因此，即使施加了例如3.4V的高驱动功率Vdd，每个FET也都可以具有允许施加至其的0.75V的电压，从而稳定运行。 

因此，由主放大器121的第一和第二放大单元121a和121b输出的第一和第二平衡RF信号RF输出高+、RF输出高-、RF输出 低+、以及RF输出低-分别具有彼此不同的电压电平。如所述，当施加3.4V的驱动电压时，每个FET均可具有大约0.75V的电压降。假设如此的话，第二平衡RF信号RF输出高+和RF输出高-具有大约2.48V的电压电平，以及第一平衡RF信号RF输出低+和RF输出低-具有大约0.78V的电压电平。 

参考图3B，在本实施例的放大装置中采用的次级放大器组122可以包括第一至第三次级放大器122a、122b和122c。当实现第一次级放大器的结构时，第一次级放大器122a包括第三放大单元122a1，布置在驱动功率端Vdd和地之间；以及第四放大单元122a2，布置在驱动功率Vdd和第三放大单元122a1之间，并串联连接到第三放大单元122a1。 

第三放大单元122a1包括第九至第十二FET M9、M10、M11和M12。第九FET M9具有串联连接到第十FET M10的源极的漏极，以形成第一级联放大元件。同样，第十一FET M11具有串联连接到第十二FET M12的源极的漏极，以形成第二级联放大元件。第一级联放大元件和第二级联放大元件彼此并联连接以形成第三放大单元122a1。 

同样地，第四放大单元122a2包括第十三至第十六FET M13、M14、M15和M16。第十三FET M13具有串联连接到第十四FETM14的源极的漏极，以形成第三级联放大元件。同样，第十五FETM15具有串联连接至第十六FET M16的源极的漏极，以形成第二级联放大元件。第三级联放大元件和第四级联放大元件彼此并联连接以形成第四放大单元122a2。 

第三放大单元122a1和第四放大单元122a2彼此串联连接在驱动功率端Vdd和地之间，从而能够在提供高电压的驱动功率Vdd时容易操作。第十FET M10具有连接到第十二FET M12的栅极的 栅极，以及第十四FET M14具有连接到第十六FET M16的栅极的栅极，以形成虚地，从而保证信号能够被稳定地放大。 

此外，通过分别连接到第一和第二平衡RF信号的输入端RF输出高+、RF输出高-、RF输出低+、和RF输出低-以及次级放大平衡RF信号的输出端的第一隔离电压Rds来隔离信号。通过偏置电压Rd来分布驱动功率Vdd，以为每个FET来提供必要的功率源。同样，通过电阻器Rf分别将DC偏置电压施加至第十FETM10、第十二FET M12、第十四FET M14的第十六FET M16的栅极。 

此外，第九至第十二FET可以被配置为N沟道FET，以及第十三至第十六FET可以被配置为P沟道FET。在第一和第二平衡RF信号中，正(+)第一和第二平衡RF信号RF输入高+和RF输入低+可被分别输入至第九和第十三FET M9和M13的栅极。同时，在第一和第二平衡RF信号中，负(-)第一和第二平衡RF信号RF输入高-和RF输入低-可以被分别输入至第十一和第十五FET M11和M15。此外，在次级放大的平衡RF信号中，次级放大的正(+)平衡RF信号分量RF输出+可以从第十和第十四FETM10和M14具有连接在一起的各个栅极的节点处输出。同时，在次级放大平衡RF信号中，次级放大的负(-)平衡RF信号分量RF输出-可以由第十二和第十六FET M12和M16具有连接到一起的各个漏极的节点处输出，以与次级放大的正(+)平衡RF信号分量RF输出+具有180°的相差。 

第二和第三次级放大器被构造成与第一次级放大器相同。简而言之，第二次级放大器122b包括第五放大单元122b1和第六放大单元122b2。第五放大单元122b1包括被构造成与第九至第十二FETM9、M10、M11和M12相同的第十七至第二十FET M17、M18、M19和M20。第六放大单元122b2包括被构造成与第十三至第十 六FET M13、M14、M15和M16相同的第二十一至第二十四FETM21、M22、M23和M24。 

类似地，第三次级放大器122c包括第七放大单元122c1和第八放大单元122c2。第七放大单元包括被构造成与第九至第十二FET M9、M10、M11和M12相同的第二十五至第二十八FET M25、M26、M27和M28。第八放大单元122c2包括被构造成与第十三至第十六FET M13、M14、M15和M16相同的第二十九至第三十二FET M29、M30、M31和M32。 

第一至第三次级放大器122a、122b、和122c彼此并联连接以次级地放大已由主放大器121放大的平衡RF信号的电压电平。此处，第一至第六输出电容器Co1、Co2、Co3、Co4、Co5和Co6中相应的电容器分别连接到第一至第三次级放大器122a、122b和122c的输出端，以阻止包括在次级放大平衡RF信号中的DC分量的输出。同样，输出具有彼此相同相位的平衡RF信号的相应输出端通常被连接在一起。 

这就使得由输出端输出的平衡RF信号在相位上平衡以减少谐波的发生，从而提高效率。 

此外，主放大器121和第一至第三次级放大器122a、122b和122c通过电流平衡电感器L被接地。 

图4A和4B是示出了本实施例的放大器中采用的主放大器和次级放大器的输出信号的曲线图。 

图4A示出了由在根据本实施例的放大器中采用的主放大器放大的平衡RF信号。平衡RF信号与输入RF信号相比被放大大约 10dB。因此，次级放大器需要能够将RF信号放大21dB或与用户通常需要的一致。 

图4B示出了由在根据本实施例的放大装置中采用的次级放大组次级放大的平衡RF信号。此处，由主放大器放大的平衡RF信号被次级放大21dB或用户要求的更高等级。次级放大平衡RF信号具有比主放大平衡RF信号更方的形状，以减少由FET的切换导致的电流损耗。 

本实施例的RF信号放大装置将不平衡RF信号转换为平衡RF信号，并将平衡RF信号的电压放大至可用的电平以作为可以连接到其后端的RF信号功率放大设备的驱动放大器。 

如上所述，根据本发明的示例性实施例的RF信号放大装置具有彼此串联连接在驱动功率和地之间的一对级联放大器和一对级联反相放大器，从而以具有大约3.4V的高电压的驱动功率稳定运行。同样，RF信号放大装置可以作为向在GSM/GPRS中采用的RF信号功率放大装置提供必要电压的驱动放大器。此外，输出具有彼此相同相位的平衡RF信号的输出端通常被连接在一起以减少谐波并增加效率。 

此外，一些放大器具有被虚接地的栅极以确保信号被稳定放大。 

尽管已经结合示例性实施例示出并描述了本发明，但是对于本领域技术人员来说，在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行修改和改变。 

Claims (10)

1.一种射频信号放大装置，包括：

平衡-不平衡变压器，将不平衡射频信号转换为平衡射频信号；

主放大器，差分地放大来自所述平衡-不平衡变压器的所述平衡射频信号；以及

次级放大组，包括至少一个次级放大器，用于次级并差分地放大经所述主放大器放大后的所述平衡射频信号，

其中，所述主放大器包括：

第一放大单元，布置在提供预定驱动功率的驱动功率端和地之间，所述第一放大单元差分地放大所述平衡射频信号并输出具有预定电压电平的第一平衡射频信号；

第二放大单元，串联连接在所述驱动功率端和所述第一放大单元之间，并与所述第一放大单元互补地导通/截止，所述第二放大单元差分地放大所述平衡射频信号并输出具有高于所述第一平衡射频信号的电压电平的电压电平的第二平衡射频信号，以及

所述次级放大组包括第一次级放大器，

其中，所述第一次级放大器包括：

第三放大单元，布置在所述驱动功率端和所述地之间，所述第三放大单元次级且差分地放大来自所述主放大器的所述第一平衡射频信号；以及

第四放大单元，串联连接在所述驱动功率端和所述第三放大单元之间，并且与所述第三放大单元互补地导通/截止，所述第四放大单元次级并差分地放大来自所述主放大器的所述第二平衡射频信号。

2.根据权利要求1所述的射频信号放大装置，其中，所述主放大器包括：

第一至第四输入电容器，分别串联连接在所述第一放大单元和所述第二放大单元的信号输入端与来自所述平衡-不平衡变压器的所述平衡射频信号的输出端之间；以及

第一至第四电阻器，分别串联连接在所述第一至第四输入电容器与所述第一平衡射频信号和所述第二平衡射频信号的输出端之间，

其中，所述第一至第四输入电容器分别消除来自所述平衡-不平衡变压器的所述平衡射频信号中的直流分量，以及

所述第一至第四电阻器将所述平衡射频信号的输入端和所述第一平衡射频信号和所述第二平衡射频信号的输出端彼此隔开，并将偏置功率分别提供给所述第一放大单元和所述第二放大单元。

3.根据权利要求2所述的射频信号放大装置，其中，第一次级放大器包括：

多个偏压，分别串联连接在所述驱动功率端与所述第一平衡射频信号的输入端之间，以及所述地与所述第二平衡射频信号的输入端之间，所述偏压分别向所述第三放大单元和所述第四放大单元提供偏置功率；

多个第一隔离电阻组，分别串联连接在所述第一平衡射频信号和所述第二平衡射频信号的输入端与次级放大的射频信号的输出端之间，所述第一隔离电阻组将输入信号和输出信号彼此分开；以及

多个第二隔离电阻组，串联连接在彼此具有不同极性的所述次级放大的射频信号的相应输出端之间以将每个输出信号分开。

4.根据权利要求2所述的射频信号放大装置，其中，所述第一放大单元包括多个放大元件，所述多个放大元件包括至少两组放大元件，其中，至少两个所述放大元件彼此串联连接，所述两组放大元件彼此并联连接以差分地放大所述平衡射频信号，

所述第二放大单元包括多个放大元件，所述第二放大单元的多个放大元件包括至少两组放大元件，其中，所述第二放大单元的至少两个所述放大元件彼此串联连接，所述第二放大单元的所述两组放大元件彼此并联连接以与所述第一放大单元的两组放大元件互补地导通/截止，

所述第一放大单元和所述第二放大单元的各自的两组放大元件中的每一组都包括P沟道场效应晶体管和N沟道场效应晶体管，

其中，所述P沟道场效应晶体管具有接收所述平衡射频信号的栅极，接收功率源的源极以及输出放大信号的漏极，以及

所述N沟道场效应晶体管具有接收所述平衡射频信号的栅极，接收功率源的源极以及输出放大信号并连接到所述P沟道场效应晶体管的所述漏极的漏极。

5.根据权利要求4所述的射频信号放大装置，其中，所述第一放大单元的多个所述N沟道场效应晶体管具有连接在一起的各个源极端，以及所述第二放大单元的多个所述P沟道场效应晶体管具有连接到所述第一放大单元的多个所述N沟道场效应晶体管的所述各个源极端的各个源极端，以形成虚地。

6.根据权利要求3所述的射频信号放大装置，其中，所述次级放大器的所述第三放大单元包括彼此并联连接的多个级联放大元件，以差分地放大所述第一平衡射频信号，以及

所述第四放大单元，串联连接在所述驱动功率端和所述第三放大单元之间，所述第四放大单元包括与所述第三放大单元的多个级联放大元件互补地导通/截止的多个级联放大元件，所述第四放大单元的多个级联放大元件彼此并联连接以差分地放大所述第二平衡射频信号。

7.根据权利要求6所述的射频信号放大装置，其中，所述第一次级放大器的所述第三放大单元包括彼此并联连接的第一级联放大元件和第二级联放大元件，

其中，所述第一级联放大元件包括第一场效应晶体管，具有接收所述第一平衡射频信号的栅极、连接到所述地的源极、和输出放大信号的漏极；以及所述第二场效应晶体管，具有连接到所述第一场效应晶体管的所述漏极的源极、输出放大信号的漏极、和栅极，以及

所述第二级联放大元件包括第三场效应晶体管，具有接收所述第一平衡射频信号的栅极、连接到所述地的源极、和输出放大信号的漏极；以及第四场效应晶体管，具有连接到所述第三场效应晶体管的所述漏极的源极、输出放大信号的漏极、和栅极，

所述第一次级放大器的所述第四放大单元包括第三和第四级联放大元件，

其中，所述第三级联放大元件包括第五场效应晶体管，具有接收驱动功率的源极、接收所述第二平衡射频信号的栅极、和漏极，以及第六场效应晶体管，具有连接至所述第五场效应晶体管的漏极的源极，输出放大信号的漏极、和源极，以及

所述第四级联放大元件包括第七场效应晶体管，具有接收所述驱动功率的源极、接收所述第二平衡射频信号的栅极、和漏极，以及第八场效应晶体管，具有连接到所述第七场效应晶体管的漏极的源极，输出放大信号的漏极，和源极。

8.根据权利要求7所述的射频信号放大装置，其中，所述第二场效应晶体管和所述第四场效应晶体管各自具有连接到一起的栅极，以及所述第六场效应晶体管和所述第八场效应晶体管各自具有与所述第二场效应晶体管和所述第四场效应晶体管各自的栅极连接在一起的栅极，以形成虚地。

9.根据权利要求6所述的射频信号放大装置，其中，所述次级放大组进一步包括：第二次级放大器和第三次级放大器，所述第二次级放大器和所述第三次级放大器中的每一个都并联连接到所述第一次级放大器，并且分别次级地放大所述第一平衡射频信号和所述第二平衡射频信号；以及

其中，所述第二次级放大器包括第五放大单元，布置在所述驱动功率端和所述地之间，并具有彼此并联连接的多个级联放大元件，以差分地放大所述第一平衡射频信号；以及第六放大单元，串联连接在所述驱动功率端和所述第五放大单元之间，并具有与所述第五放大单元的所述多个级联放大元件互补地导通/截止的多个级联放大元件，以差分地放大所述第二平衡射频信号；以及

所述第三次级放大器，包括第七放大单元，布置在所述驱动功率端和所述地之间，并具有彼此并联连接的多个级联放大元件，以差分地放大所述第一平衡射频信号；以及第八放大单元，串联连接在所述驱动功率端和所述第七放大单元之间，并具有与所述第七放大单元的所述多个级联放大元件互补地导通/截止的多个级联放大元件，以差分地放大所述第二放大平衡射频信号。

10.根据权利要求8所述的射频信号放大装置，其中，在所述第一次级放大器至所述第三次级放大器的各个输出端中，输出具有彼此相同相位的所述平衡射频信号的相应输出端被连接在一起。

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