CN101288120B - 用于共同光数据存储介质凹陷深度的介质、系统和方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于共同光数据存储介质凹陷深度的介质、系统和方法。光数据存储介质包括多个间隔层和数据盘面。识别如激光二极管的发射的辐射光束的波长。还识别第一间隔层或基板的折射率。基板被配置为透射辐射光束。还识别被配置为透射辐射光束的第二间隔层的折射率。ROM介质的多个凹坑的凹陷深度、或可记录介质的扇区头、或每个数据盘面上可记录介质的凹槽基本等于辐射光束波长除以每个间隔层的折射率的平均值的四倍。在一个实施例中，平均值是折射率的算术平均值。在替代实施例中，平均值是折射率的调和平均值。平均值还可以是折射率的几何平均值。

Description

用于共同光数据存储介质凹陷深度的介质、系统和方法

技术领域

本发明涉及光介质，并且更具体地涉及在光介质中制造的凹陷深度。

背景技术

如致密盘(“CD”)、数字多功能盘(“DVD”)、DVD只读存储器(“DVD-ROM”)、高清晰度DVD-ROM(“HD-DVD-ROM”)、可写DVD和HD-DVD介质、蓝光ROM、蓝光可写介质等的光数据存储介质，存储使用辐射光束(如激光二极管的发射)而取出(retrieve)的数字数据。图1是图示用于光数据存储介质130的光数据存储设备100的一个实施例的示意图。设备100包括光模块105、支臂100、光头115、箝位轴120、轴马达125、以及光数据存储介质130。

光数据存储介质130(此后称为“盘”)可移除地安装在箝位轴120上。轴马达125旋转盘130。支臂110定位光头115以从盘130取出数据。在一个实施例中，光模块105包括相对于盘130径向传送支臂110和光头115的音圈马达。盘130通过轴马达125的旋转和光头115的径向运动的组合可以将光头115定位在用于数据存储的盘130的任何部分上。

图2是图示图1的光数据存储设备100的光径200的一个实施例的示意图。图1的光头115、支臂100和光模块105可以包括光径200。光径200包括支架212、一个或多个透镜214、222、228、234、250，反射镜216、支臂路径218、一个或多个光检测器220、238、240、第一分束器224、圆化器(circularizer)226、激光二极管230、多个数据盘面(data surface)滤光器232、第二分束器244、半波片242、极化分束器236、散光透镜246、焦点致动马达256、以及四边形(quad)光检测器248。图1的盘130上还绘有多个数据盘面205和多个间隔层210。

激光二极管230可以是生成主辐射光束252的砷化镓铝激光二极管。在一个实施例中，辐射光束252在630nm到670nm的范围内。在替代实施例中，辐射光束252在385nm到425nm的范围内。辐射光束252由第三透镜228准直，并且由可以是圆化棱镜的圆化器226形成圆形。辐射光束252穿过第一分束器224。光束252的一部分由第一分束器224反射到第二透镜222和第一光检测器220。第一光检测器220监视辐射光束252的功率。

辐射光束252的剩余部分穿过支臂路径218到达反射镜216。支臂路径218可以是在图1的光模块105中驻留的第一分束器224与可在图1的光头115中驻留的反射镜216之间的可变长度光径。光束252由反射镜216反射，并且穿过第一透镜214和多个数据盘面像差补偿器250，并且聚焦在盘130的数据盘面205之一上。如所示，辐射光束252聚焦在第二数据盘面205b上。

第一透镜214安装在支架212中。支架212的位置由可以是音圈马达的焦点致动马达256相对于介质12调整。焦点致动马达256可以将第一透镜214相对于盘130定位，以将光束252聚焦在任何一个数据盘面205上。

辐射光束252的部分可以在数据盘面205反射作为反射光束258。反射光束258通过补偿器254和第一透镜214返回，并且由反射镜216反射。在第一分束器224，反射光束258通过多个数据盘面滤光器232反射。反射光束258穿过多个数据盘面滤光器222并且传到第二分束器244。

在第二分束器244，反射光束258的第一部分被导向散光镜246和四边形光检测器248。四边形光检测器248被划分为四个相等的部分。四边形光检测器248响应于反射光束258检测并提供焦点跟踪信息。当辐射光束252聚焦在数据盘面205上时，反射光束258聚焦在具有圆形截面部分的四边形光检测器248上，四边形光检测器248的各部分的每个接收基本相等的辐射。

如果辐射光束252没有聚焦在数据盘面205上，则反射光束258聚焦在具有椭圆截面部分的四边形光检测器248上。结果，一个或多个四边形光检测器248部分接收比其他部分更多的辐射。辐射光束252的焦点误差从由各部分接收的辐射的差估计，并且光模块105可校正该焦点。例如，焦点致动马达256可响应于四边形光检测器248上的反射光束258辐射模式，定位支架212和第一透镜214以聚焦辐射光束252。

反射光束258的第二部分从第二分束器244通过半波片242导向极化分束器236。极化分束器236将反射光束258分离为第一正交极化光分量260和第二正交极化光分量262。第五透镜250将第一正交极化光分量260聚焦在第三光检测器240上，而第四透镜250将第二正交极化光分量262聚焦在第二光检测器238上。第二和第三光检测器238、240检测反射光束258或反射光束258的不存在(两者在此被称作“检测”)。第二和第三光检测器238、240还响应于反射光束248的检测提供检测信号。

图3是图示图1和2的盘130的一部分的一个实施例的截面透视图。如所示，盘130可以是双层DVD-ROM介质。除了DVD-ROM介质外，盘130可以是HD-DVD-ROM介质，或蓝光ROM介质。作为替代，图3可以描述在可记录光介质中的可记录数据扇区的压印的头。

盘130包括一个或多个间隔层210和一个或多个数据盘面205。为了图示的目的，数据盘面205和间隔层210的厚度未按比例绘出。在一个实施例中，如第一间隔层210a的间隔层210还可被称作基板(substrate)。每个间隔层210被配置为透射如图2的辐射光束252的辐射光束252。此外，每个间隔层210具有作为间隔层210的物理属性的折射率。

第一数据盘面250a可以涂有半透明/半反射涂层，如金。辐射光束252可以在第一数据盘面205a反射或透射通过第一数据盘面205a到第二数据盘面205b。第二数据盘面205b典型地为高反射性的，并且涂有铝或另一高反射性涂层。在一个实施例中，对于具有三个或更多数据盘面205的盘130，除了是反射的内数据盘面205外所有数据盘面205是半透明/半反射的。

如图2的第一透镜214的透镜214将如图2的辐射光束252的辐射光束252聚集在外面的第一数据盘面205a或者里面的第二数据盘面205b。为了图示目的，第一透镜的第一和第二示例214a、214b被描述为将第一和第二辐射光束252a、252b聚集在第一和第二数据盘面205a和205b上。然而，典型地采用单个辐射光束252。

第一数据盘面205a由第二间隔层210b物理地与第二数据盘面205b分开。每个数据盘面205被绘有一个或更多凹坑305。凹坑305有导致光抵消的指定深度，使得凹坑对光径200看起来是黑暗的。在一个实施例中，凹坑305被压印到数据盘面205中。压印的数据盘面205可以与间隔层210物理连接。多个数据盘面205和间隔层210可以物理连接以形成盘130。

在某个实施例中，凹坑305被压印到数据盘面205的凹槽或反向凹槽中。可记录介质典型地具有这样的压印凹槽以及其间相邻的平台(land)，其中数据由用户记录。标记可记录介质的固定块架构的扇区头可用凹槽内和平台上的凹坑编码，因为扇区头意图为只读。凹槽或反向凹槽可以在数据盘面205上形成，以帮助跟踪和校正辐射光束252的焦点。

第一辐射光束252a聚焦在第一数据盘面205a的第五凹坑305a上。第二辐射光束252b聚集在第二数据盘面205b的第三凹坑305c上。凹坑305的深度被选择，使得当辐射光束252聚焦在凹坑305的基底(base)上时，如对第三和第五凹坑305c、305e描述的，辐射光束以进入凹坑305的辐射光束252的相位反相基本180度的相位从凹坑305反射。反射光束258和辐射光束252的干涉由检测凹坑305的第二和第三光检测器238、240检测。

凹坑305的深度d已经作为辐射光束252的波长λ和间隔层210的折射率n的函数而确定，如等式1中所示。

等式1 $d=\frac{\mathrm{\λ}}{4n}$

因为每个间隔层210可以具有唯一的折射率，所以每个数据盘面205可以具有不同的凹坑305深度。例如，等式2示出第一数据盘面205a的凹坑深度d₁和第一间隔层或基板210a的折射率n₁、以及第二数据盘面205a的凹坑深度d₂和第二数据盘面n₁的折射率n₂以及辐射光束252波长λ之间的关系

等式2 $d_1{n}_1=d_2{n}_2=\frac{\mathrm{\λ}}{4}$

不幸地是，为每个数据盘面205提供唯一的凹坑深度增加了制造盘130的复杂度，因为必须压印多个凹坑深度。增加的复杂度增加了制造盘130的成本。

从前面的描述应当明显的是，存在对计算共同盘130凹坑深度的装置、系统和方法的需要。有益地，这样的装置、系统和方法将通过允许每个ROM数据盘面205压印有共同凹坑深度的凹坑305、或每个可重写盘面压印有共同凹槽深度的凹槽而减少盘130的制造成本。

发明内容

响应于本领域现有技术状态，并且具体地响应于本领域中通过当前可用的确定光数据存储介质凹坑深度的方法还没有完全解决的问题和需要，已经开发了本发明。因此，已经开发了本发明以提供一种用于共同光数据存储介质(“盘”)凹坑深度的介质、系统和方法，其克服了本领域中许多或全部上述缺点。

本发明的介质呈现有共同凹坑深度。该介质包括一个或多个数据盘面以及一个或多个间隔层。在一个实施例中，第一间隔层被称作基板。基板被配置为用第一折射率透射辐射光束。多个数据盘面的第一数据盘面包括平台部分，该平台部分上布置有多个凹坑。每个凹坑具有指定的凹坑深度。该凹坑深度是平台部分的平面和凹坑的基底之间的垂直距离。凹坑或凹坑的不存在编码数字数据。在一个实施例中，凹坑编码只读数据。在替代实施例中，凹坑编码用于可记录盘的头部。

第二数据盘面还被配置有在平台表面上布置的指定凹坑深度的多个凹坑。第二间隔层维持第一和第二数据盘面之间的间隔距离。此外，第二间隔层被配置为用第二折射率透射辐射光束。指定的凹坑深度基本等于辐射光束波长除以第一和第二折射率的平均数的四倍。该介质通过允许所有凹坑压印到共同凹坑深度而减少了制造成本。

本发明的系统呈现为共同盘凹坑深度。该系统可以以如DVD、HD-DVD或蓝光系统的高容量光数据存储系统而体现。在一个实施例中，该系统包括盘、轴马达、光头、支臂、光模块和控制模块。

盘在多个数据盘面上编码数字数据。每个数据盘面使用多个凹坑编码数据。控制模块引导轴马达以旋转盘。此外，控制模块引导支臂以将光头定位在盘的指定部分上。光模块生成具有指定波长的辐射光束。光头将辐射光束导向盘，使光束聚集在多个数据盘面之一上。光头将反射的辐射光束或反射光束从数据盘面导向光模块。光模块检测数据盘面上凹坑和凹坑的不存在。控制模块从检测的凹坑和凹坑的不存在取出在盘上编码的数据。

盘包括多个间隔层。每个间隔层被配置为用一折射率透射辐射光束。每个数据盘面可以包括具有凹坑的平台部分，该凹坑编码平台部分上布置的数据。每个凹坑具有指定的凹坑深度。指定的凹坑深度基本等于辐射光束波长除以折射率的平均数的四倍。系统从具有共同凹坑深度的盘取出数据。采用共同凹坑深度可以减少盘的制造成本。

本发明的方法呈现为计算共同盘凹陷深度。公开的各实施例的方法基本包括执行上面呈现的关于描述的介质和系统的操作的功能所需的步骤。在一个实施例中，该方法包括识别辐射光束波长、识别多个折射率、计算平均折射率、并且计算凹陷深度。

操作者识别如激光二极管的辐射光束的波长。操作者还识别多个间隔层的每个的折射率。每个间隔层被配置为透射辐射光束。在一个实施例中，第一间隔层被称作基板。

操作者计算间隔层的多个折射率的平均折射率。在一个实施例中，平均数是折射率的算术平均。在替代实施例中，平均数是折射率的调和平均。平均数还可以是折射率的几何平均。在一个实施例中，操作者为每个间隔层选择具有基本相同折射率的材料。

操作者按照基本等于辐射光束波长除以折射率的平均数的四倍计算凹陷深度。在一个实施例中，凹陷是凹坑。在替代实施例中，凹陷是凹槽。该方法计算盘的所有数据盘面的共同凹陷。该方法通过允许用于压印盘的数据盘面的压模(die)的共同配置而可以减少制造成本。

遍及本说明书涉及特征、优点、或类似语言不暗示可以用本发明实现的所有特征和优点应当在或在本发明的任何单个实施例中。而是，涉及特征和优点的语言被理解为意味着描述的与实施例相关联的特定特征、优点或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，遍及本说明书对特征和优点以及类似语言的描述可以但不必指相同的实施例。

而且，本发明的上述特征、优点和特性可以在一个或多个实施例中以任何适当的方式组合。相关领域技术人员将认识到，可以没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点而实践本发明。在其他示例中，额外特征和优点可以在本发明的所有实施例中可能没有呈现的某些实施例中识别。

本发明计算凹坑的共同凹陷深度，该凹坑编码布置在盘上的多个数据盘面上的数字数据。此外，本发明可以通过允许所有数据盘面的凹坑被压印为共同凹坑深度而减少盘的制造成本。从下面的说明和权利要求书本发明的这些特征和优点将变得更加完整和明显，或可以通过如下面提出的本发明的实践而学习到。

附图说明

为了使本发明的优点将更容易理解，通过参照在附图中图示的特定实施例，将给出在上面简要描述的本发明的更具体的描述。理解到，这些附图仅描述了本发明的典型实施例，因此不被认为是对其范围的限制，将通过附图的使用以附加的特征和细节描述和解释本发明，附图中：

图1是图示光数据存储设备的一个实施例的示意块图；

图2是图示光数据存储设备的光径的一个实施例的示意块图；

图3是示出数据盘面中的凹坑的光数据存储介质的一部分的截面图；

图4示出光数据存储介质的一部分的截面的电子显微镜图像；

图5是图示根据本发明的光抵消的一个实施例的示意图；

图6是图示本发明的共同凹坑深度光抵消的一个实施例的示意图；

图7是图示本发明的控制模块的一个实施例的示意块图；

图8是图示本发明的共同凹坑深度计算方法的一个实施例的示意流程图；

图9是图示本发明的光数据存储介质制造方法的一个实施例的示意流程图；以及

图10是本发明的可记录光数据存储介质的一部分的截面图。

具体实施方式

本说明书中描述的许多功能单元已经被标记为模块，以便更具体地强调其实现独立性。例如，模块可以被实现为硬件电路，该硬件电路包括定制超大规模集成(“VLSI”)电路或门阵列、如逻辑芯片、晶体管或其他分立元件的现用半导体。模块还可以被实现为可编程硬件设备，如场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等。

各模块还可以以用于各种类型的处理器执行的软件实现。可执行代码的识别模块可以例如包括计算机指令的一个或多个物理或逻辑块，该物理或逻辑块可以例如组织为对象、过程或功能。然而，识别的模块的可执行指令不必物理地位于一起，而可以包括存储在不同位置的分离的指令，其当逻辑联合在一起时，包括该模块并实现该模块的所述的目的。

实际上，可执行代码的模块可以是单个指令或许多指令，并且甚至可以在不同的程序中的几个不同的代码段上、并且跨域几个存储器设备分布。类似地，操作数据可以在此在模块中识别和图示，并且可以以任何适当的形式体现并组织在任何适当类型的数据结构中。操作数据可以被集合为单个数据集，或可以在包括多个存储设备上的不同位置上分布，或可以至少部分地仅作为系统或网络上的电子信号而存在。

遍及本说明书，涉及“一个实施例”、“实施例”或类似语言意味着与实施例相联系描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，遍及本说明书，短语“在一个实施例中”、“在实施例中”以及类似语言的出现可以不必全部指相同的实施例。

此外，描述的特征、结构或特性可以以任何适当的方式在一个或多个实施例中组合。在下面的描述中，提供了许多特定的细节，如编程示例、软件模块、用户选择、网络事务、数据库查询、数据库结构、硬件模块、硬件电路、硬件芯片等，以提供对本发明的实施例的彻底公开。然而，相关领域技术人员将认识到，本发明的实施例可以没有一个或多个特定细节或用其他方法、组件、材料等实践。在其他示例中，公知结构、材料或操作没有详细示出或描述，以避免模糊本发明的实施例的各方面。

图4示出盘130(如图1-3的盘130)一部分的截面的电子显微镜图像。盘130包括第一间隔层或基板210a。基板210a被配置为以第一折射率透射辐射光束。盘130还包括第一数据盘面205a。第一数据盘面205a包括平台部分405。编码数据的凹坑305(如图3的凹坑305)布置在平台部分405上。每个凹坑305具有指定凹坑深度。凹坑深度是平台部分的平面和凹坑的基底之间的垂直距离。

图5是图示根据本发明的光抵消500的一个实施例的示意图。辐射光束252(如图2和3的辐射光束252)聚焦在凹坑305(如图3的凹坑305)的凹坑基底505上。凹坑305布置在盘130(如盘130)的数据表面205和图2和3的数据盘面205上。如果凹坑在里面的数据盘面205(如图3的第二数据盘面205b)中，则凹坑305可以涂有反射性涂层，如铝。作为替代，如果凹坑305在外数据盘面205(如图3的第一数据盘面205a)中，则凹坑305可以涂有半透明/半反射涂层，如金。

当从凹坑305的平台部分405的平面到凹坑基底505遍历凹坑305时，辐射光束252穿过间隔层210(如图2和3的间隔层210)。为了图示的目的，数据盘面205和间隔层210的厚度没有按比例绘制。间隔层具有折射率n。从平台部分405的平台到凹坑基底505的凹坑深度d通过等式1计算，其中λ是辐射光束252的波长，并且n是间隔层210的折射率。

因此，凹坑深度d等于辐射光束252的波长的四分之一。辐射光束252从凹坑基底505反射作为反射光束258(如图2的反射光束258)。辐射光束252和反射光束258具有基本相反的相位。这导致当凹坑305外的反射光束258大致为与辐射光束252的相位反相180度时出现光抵消。辐射光束252和反射光束258的叠加产生黑暗，其被光检测器238、240(如图2的第二和第三光检测器238、240)检测。

图6是图示本发明的共同凹坑深度光抵消600的一个实施例的示意图。第一和第二数据盘面205a和205b、第一间隔层或基板210a以及第二间隔层2 10b被描述为可以是图2和3的第一和第二数据盘面205、以及第一和第二间隔层210。在一个实施例中，选择了基板210a和第二间隔层210b的材料，使得基板210a和第二间隔层210b两者的折射率基本相等。

第一辐射光束252a穿过基板210a和第一数据盘面205a，并且从第一凹坑305a(如图3-5的凹坑305)的第一凹坑基底505a被反射为第一反射光束258a。安排在第一和第二数据盘面205a、205b上的每个凹坑305的凹坑深度d通过等式3计算，其中λ是辐射光束252的波长，并且na是基板210a和第二间隔层210b的平均折射率。

等式3 $d=\frac{\mathrm{\λ}}{4\mathrm{na}}$

第一反射光束258a基本与第一辐射光束252a反相位，使得第一反射光束258基本抵消，因此由检测器238、240检测为“黑暗”。

第二辐射光束252b穿过基板210a和第一数据盘面205a和凹坑505b，并且从第二数据盘面205b的第二平台部分405b被反射为第二反射光束258b。第二反射光束258b基本与第二辐射光束252b同相位。因此，第二反射光束258b基本不被抵消，并由检测器238、240检测为“亮的”。

第三辐射光束252c穿过基板210a，并且从第一数据盘面205a的第四凹坑305d的第四凹坑基底505d反射。从第一平台部分405a到第四凹坑基底505d的第四凹坑305d的凹坑深度也是每个数据盘面205的共同凹坑深度d。第三反射光束258c基本与第三辐射光束252c反相位。因此，第三反射光束258c基本被第一辐射光束252c的干涉抵消，因此由检测器238、240检测为“黑暗”。

图7是图示本发明的控制模块700的一个实施例的示意框图。模块700包括处理器模块705、存储器模块710、以及接口模块715。

处理器模块705、存储器模块710、和接口模块715可以由一个或多个半导体基板上的半导体门装配。每个半导体基板可以封装在电路板上安装的一个或多个半导体设备中。处理器模块705、存储器模块710、以及接口模块715之间的连接可以通过半导体金属层、基板到基板绕线、或连接半导体设备的电路板迹线(trace)或电线。

存储器模块710存储软件指令和数据。处理器模块705执行软件指令，并且如本领域技术人员所公知地操作数据。处理器模块705通过接口模块715，与轴马达125和光模块105(如图1的轴马达125和光模块105)通信。处理器模块705可引导轴马达125以旋转盘130(如图1和2的盘130)。此外，处理器模块可以引导光模块105从盘130取出数据。

在一个实施例中，处理器模块705从光检测器228、240(如图2的第二和第三光检测器238、240)接收检测信号。处理器705可以解码来自光检测器238、240的反射光束258(如图2的反射光束258)的检测。处理器模块705还可以调整检测的解码，以对在辐射光束252的路径中并与其接触的间隔层210与从其反射所反射的光束258的数据盘面210之间的折射率的差进行调整。在一个实施例中，处理器模块705通过通信模块720通信解码的数据。

下面的示意流程图通常作为逻辑流程图而提出。这样，描述的顺序和带标记的步骤指示本方法的一个实施例。可以构思在功能、逻辑上相等或对图示的方法的一个或多个步骤或其部分有影响的其他步骤和方法。此外，采用的格式和符号被提供来解释本方法的逻辑步骤，并且要理解不限制本方法的范围。尽管在流程图中可采用各种箭头类型和线类型，但是它们理解为不限制相应方法的范围。实际上，一些箭头或其他连接符可用来仅指示方法的逻辑流。例如，箭头可指示在描述的方法的列举步骤之间的未指定持续期的等待或监视时间段。此外，特定方法出现的顺序可以或可以不严格遵循示出的相应步骤的顺序。

图8是图示本发明的共同凹陷深度计算方法800的一个实施例的示意流程图。方法800基本包括执行上述呈现的关于图1-7的盘130和系统100的操作的上述功能所需的步骤。在一个实施例中，由方法800引用的元件是图1-7的元件。

方法800开始，并且操作者或如电子数据表、计算机程序等的自动处理(下文称作操作者)识别805如来自激光二极管220的辐射光束252的波长。操作者还识别810包括盘130的多个间隔层210的每个的多个折射率。在一个实施例中，操作者识别810第一和第二间隔层210a、210b的折射率。在一个实施例中，第一间隔层210a被配置为基板。每个间隔层210被配置为透射辐射光束252。

操作者还计算815多个间隔层210的平均折射率。在一个实施例中，平均折射率是折射率的算术平均。等式4图示了折射率的算术平均na的计算，其中n_i是第i个间隔层210的折射率，并且j是盘130中间隔层210的数目。

等式4 $\mathrm{na}=\frac{\underset{i=1}{\overset{j}{\mathrm{\Σ}}}{n}_i}{j}$

在替代实施例中，平均数是折射率的调和平均。图5图示折射率的调和平均na的计算，其中n_i是第i个间隔层210的折射率，并且j是盘130中间隔层210的数目。

等式5 $\mathrm{na}=\frac{1}{\left(\frac{\underset{i=1}{\overset{j}{\mathrm{\Σ}}}\frac{1}{n_i}}{j}\right)}$

平均数还可以是折射率的几何平均。等式6图示折射率的几何平均na的计算，其中n_i是第i个间隔层210的折射率，并且j是盘130中间隔层210的数目。

等式6 $\mathrm{na}={\left(\underset{i=1}{\overset{j}{\mathrm{\Π}}}{n}_i\right)}^{\frac{1}{j}}$

操作者计算820对多个数据盘面205的每个编码数据的凹陷深度。凹陷深度d基本等于辐射光束波长除以每个间隔层210的平均折射率的四倍，如等式3所示，其中λ是辐射光束252的波长，并且na是间隔层210的平均折射率。在计算凹陷深度后，方法800终止。方法800计算用于减少盘130制造成本的共同凹陷深度。

图9是图示本发明的盘制造方法900的一个实施例的示意性流程图。方法900基本包括执行上面呈现的关于图2-6所述的盘130的装配的功能所需的步骤。在一个实施例中，由方法900引用的元件是图2-6的元件。

方法900开始并且制造系统在第一数据盘面205a的平台部分405上以指定凹坑深度压印905凹坑305。在一个实施例中，平台部分405布置在数据盘面205上形成的凹槽之间。在替代实施例中，平台部分405布置在数据盘面205上形成的反向凹槽上。

此外，制造系统在第二数据盘面205b的平台部分405上以指定凹坑深度压印910凹坑305。指定凹坑深度基本等于指定辐射光束252的波长除以第一间隔层或基板210a的第一折射率和第二间隔层210b的第二折射率的平均数的四倍，如等式3所示。

在一个实施例中，第一和第二折射率的平均折射率是算术平均。等式7图示折射率的算术平均na的计算，其中n₁是第一折射率，并且n₂是第二折射率。

等式7 $\mathrm{na}=\frac{n_1+n_2}{2}$

在替代实施例中，平均数是折射率的调和平均。等式5图示折射率的调和平均na的计算，其中n₁是第一折射率，并且n₂是第二折射率。

等式8 $\mathrm{na}=\frac{2n_1{n}_2}{(n_1+n_2)}$

平均数还可以是折射率的几何平均。等式5图示折射率的几何平均na的计算，其中n₁是第一折射率，并且n₂是第二折射率。

等式9 $\mathrm{na}=\sqrt{n_1{n}_2}$

制造系统还将第二间隔层210b应用915到第二数据盘面205b。第二间隔层210b维持第一数据盘面205a和第二数据盘面205b之间的间隔距离，并且被配置为透射辐射光束252。

制造系统将第一数据盘面205a应用920到第二间隔层210b。此外，制造系统将基板210a应用925到第一数据盘面205a。在一个实施例中，制造系统将第二数据盘面205b、以及连接的基板210a和第一数据盘面205a应用930到基底，并且方法900终止。尽管方法900被描述为用两个数据盘面205制造盘130，但是方法900可以用任何数目的数据盘面205应用到盘130。

图10是可记录光数据存储介质1000的一部分的截面图。介质1000可以是图1和2的盘130。介质1000包括多个数据盘面205和多个间隔层210。尽管为了简单，介质1000被绘有两个数据盘面205和三个间隔层210，但是可以采用任何数量的数据盘面205和间隔层210。

每个数据盘面205包括多个凹槽1005和平台1010。数据可以记录在凹槽1005和平台1010上。平台1010和凹槽1005从盘130的中心径向布置。数据使用如图1和2描述的辐射光束252从介质1000恢复。

如从相邻平台1010的平面到凹槽1005的基底测量的每个凹槽1005的凹陷深度d由等式3计算，其中λ是辐射光束252的波长，并且na是间隔层210的平均折射率。当辐射光束252聚焦在平台1010上时，杂散到相邻凹槽1005中的任何辐射光束252将在从凹槽1005反射时散失，改进从平台1010反射的反射光束258(如图2的反射光束258)的信噪比。类似地，当辐射光束252聚集到凹槽1005中时，反射相邻平台1010的任何杂散光将在从平台1010反射时抵消。

本发明的各实施例计算对布置在盘130上的多个数据盘面205上的凹陷(如凹坑和凹槽)的共同凹陷深度。此外，本发明的各实施例可以通过允许每个数据盘面210的凹坑压印到共同凹坑深度而减少预先记录的盘130的制造成本。

Claims (28)

1.一种光数据存储介质，该介质包括：

基板，被配置为用第一折射率透射辐射光束，并且其中辐射光束具有指定波长；

第一数据盘面，被配置为存储数字数据，该第一数据盘面透射辐射光束并且具有平台部分，该平台部分上布置有凹坑，其中该凹坑的凹坑深度是平台部分的平面和凹坑的基底之间的垂直距离；

第二数据盘面，被配置为存储数字数据，该第二数据盘面具有平台部分，该平台部分上布置具有所述凹坑深度的凹坑；以及

间隔层，被置配为维持第一和第二数据盘面之间的间隔距离，并且用第二折射率透射辐射光束，使得辐射光束穿过基板并且聚焦在第一或第二数据盘面上，其中所述凹坑深度等于：辐射光束波长除以四倍的第一和第二折射率的平均数。

2.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中第一和第二折射率的平均数是算术平均。

3.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中第一和第二折射率的平均数是调和平均。

4.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中第一和第二折射率的平均数是几何平均。

5.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中辐射光束由激光二极管生成。

6.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中辐射光束波长在三百八十五纳米到四百二十五纳米的范围内。

7.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中辐射光束波长在六百三十纳米到六百七十纳米的范围内。

8.如权利要求1所述的光数据存储介质，还包括基底层。

9.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中第一和第二数据盘面的每个包括多个凹槽，其中平台部分布置在多个凹槽的两个之间，与凹槽间隔布置。

10.如权利要求1所述的光数据存储介质，其中第一和第二数据盘面还包括反向凹槽，并且平台部分布置在凹槽上。

11.一种用于光学地存储数据的系统，该系统包括：

光数据存储介质，包括：

基板，被配置为以第一折射率透射辐射光束，并且其中辐射光束具有指定波长；

第一数据盘面，被配置为存储数字数据，该第一数据盘面透射辐射光束并且具有平台部分，该平台部分上布置了凹坑，其中所述凹坑的凹坑深度是平台部分的平面和凹坑的基底之间的垂直距离；

第二数据盘面，被配置为存储数字数据，该第二数据盘面具有平台部分，该平台部分上布置了具有所述凹坑深度的凹坑；

间隔层，被配置为维持第一和第二数据盘面之间的间隔距离，并且以第二折射率透射辐射光束，使得辐射光束穿过基板并且聚焦在第一或第二数据盘面上，其中所述凹坑深度等于：辐射光束波长除以四倍的第一和第二折射率的平均数；

轴马达，被配置为旋转光数据存储介质；

光头，被配置为将辐射光束引导到第一或第二数据盘面，并且引导来自数据盘面的反射光束；

支臂，被配置为定位光头；

光模块，被配置为生成辐射光束并且从反射光束检测凹坑；以及

控制模块，被配置为控制光模块和轴马达，并且将检测的凹坑转换为数字数据。

12.如权利要求11所述的系统，其中第一和第二折射率的平均数是算术平均。

13.如权利要求11所述的系统，其中第一和第二折射率的平均数是调和平均。

14.如权利要求11所述的系统，其中第一和第二折射率的平均数是几何平均。

15.如权利要求11所述的系统，其中辐射光束波长在三百八十五纳米到四百二十五纳米的范围内。

16.一种用于计算光数据存储介质的共同凹陷深度的方法，该方法包括：

识别辐射光束的波长；

识别被配置为透射辐射光束的多个间隔层的第一折射率；

计算平均折射率；以及

按等于辐射光束波长除以四倍的平均折射率计算多个凹陷的凹陷深度，其中该凹陷布置在多个数据盘面上。

17.如权利要求16所述的方法，还包括按从算术平均、调和平均、和几何平均中选择的平均计算平均折射率。

18.如权利要求16所述的方法，其中凹陷被配置为凹坑。

19.如权利要求16所述的方法，其中凹陷被配置为凹槽。

20.如权利要求16所述的方法，其中辐射光束波长在三百八十五纳米到四百二十五纳米的范围内。

21.如权利要求16所述的方法，其中辐射光束波长在六百三十纳米到六百七十纳米的范围内。

22.一种用于制造光数据存储介质的方法，该方法包括：

在第一数据盘面的平台部分上将凹坑压印到指定的凹坑深度，其中凹坑深度是平台部分的平面和凹坑的基底之间的垂直距离，第一数据盘面以指定波长透射辐射光束；

在第二数据盘面上的平台部分上将凹坑压印到凹坑深度；

将间隔层放置到第二数据盘面上，该间隔层被配置为维持第一和第二数据盘面之间到第二数据盘面的间隔距离，其中间隔层以第二折射率透射辐射光束；

将第一数据盘面放置到间隔层上；以及

将基板放置到第一数据盘面上，其中基板以第一折射率透射辐射光束，使得辐射光束穿过基板，并且聚集在第一或第二数据盘面上，并且其中指定的凹坑深度等于：辐射光束波长除以四倍的第一和第二折射率的平均数。

23.如权利要求22所述的方法，还包括将第二数据盘面应用到基底层。

24.如权利要求22所述的方法，其中第一和第二折射率的平均数是算术平均。

25.如权利要求22所述的方法，其中第一和第二折射率的平均数是调和平均。

26.如权利要求22所述的方法，其中第一和第二折射率的平均数是几何平均。

27.如权利要求22所述的方法，还包括在第一和第二数据盘面上形成多个凹槽。

28.如权利要求27所述的方法，其中平台部分布置在多个凹槽之间，与凹槽间隔布置。

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