CN101241920A - 光学器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
在本发明的光学器件中,覆盖光学元件(3)的上面的光敏部(2)的透明构件(5)由:固定在光学元件(3)的上面的基材(8)、以及在基材(8)的外侧面与光学元件(3)的上面之间形成嵌条的树脂部(9)来构成。基材(8)与树脂部(9)在光学上形成一体化,外周面成为倾斜面(7)。通过这样,能够抑制来自倾斜面(7)的外侧的不需要的入射光到达光敏部(2)的情况,并且能够抑制来自倾斜面(7)的内侧的入射光成为反射光到达光敏部(2)的情况。另外,能够实现光学器件本身、以及由光学器件构成的组件的小型化。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学器件及其制造方法,特别涉及一种能够防止不需要的入射光及反射光侵入光敏部的光学器件以及制造方法。
背景技术
近些年,电子设备的小型化的发展速度越来越快,电子设备中所使用的光学器件也需要越来越小型化。因此,对于过去的光学器件是在凹形的组件(容器)中放置光学元件、并利用保护玻璃等(以下称为透明构件)密封开口的结构,开发出在光学元件的上面直接固定透明构件的结构的光学器件,试图实现更进一步的小型化、薄型化。
但是,对于在光学元件的上面直接固定透明构件的情况,因为透明构件的端面(外周面)与光学元件的光敏部之间的距离缩短,所以容易从透明构件的端面向光敏部侵入不需要的入射光,从而产生由于该影响而引起的反射光斑及重影等图像不良的情况。
为了防止不需要的入射光,提出一种为了使端面从光学元件的光敏部离开而将透明构件的尺寸增大的方法。另外,提出在透明构件的端面上形成遮光层、以及不仅在端面而且在上下面的外周边缘上也形成遮光层的方法。还提出通过使该端面倾斜、从而防止由遮光层的内侧反射的光侵入光敏部的方法(例如,特开2002-261260号公报)。
但是在使透明构件的尺寸增大的方式中,不得不将组件尺寸增大,器件的小型化则很困难。在形成遮光层的方式中,不仅需要遮光性材料,而且还必须有蒸镀、电沉积涂复、光刻蚀和薄膜工艺、涂覆等专用工序。在利用遮光性材料(例如遮光树脂)的涂覆形成遮光层的情况下,因为必需要有涂覆空间,所以不得不将组件尺寸增大,器件的小型化则很困难。任何一种原因都会使成本升高。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而设计的,目的在于提供一种虽然在光学元件上直接固定透明构件、但能够防止来自透明构件的端面的不需要的入射光及反射光侵入的光学器件。
为了达到上述目的,本发明的光学器件,是在具有在上面形成光敏部的光学元件、以及覆盖上述光敏部的透明构件的光学器件中,上述透明构件由固定在上述光学元件的上面的基材、以及在上述基材的外侧面与上述光学元件的上面之间形成嵌条的树脂部来构成。
这样的透明构件将基材与树脂部在光学上形成一体化,其外周面成为越靠近光学元件的上面与光敏部的距离越大的向上倾斜面。因此,到光敏部的距离变长,能够抑制来自倾斜面的外侧的不需要的入射光到达光敏部的情况,并且能够抑制来自倾斜面的内侧的入射光成为反射光并达到光敏部的情况。
另外,由于使透明构件的外周面成为上述的倾斜面,因此例如不需要考虑引线接合时的与毛细管之间的干涉,组件能够实现小型化。而且因为不是将这样形状的透明构件形成为单一构件,而是由基材和树脂部构成,所以基材本身的外侧面可以是相对于上下面的垂直面,而且只要在进行将基材固定在光学元件上的工序的同时形成树脂部即可,也比较容易。
将基材固定在光学元件上的粘接剂与树脂部最好由相同的透明树脂材料构成。树脂部最好用遮光性树脂覆盖。光学元件只要在上面与下面的至少一面上形成电极部即可。因为将光学元件本身形成为这样通用的形态,所以能够实现多种多样的组件及安装。
例如,光学元件也可以在没有用透明构件覆盖的上面的适当位置上形成电极部,在上述电极部上通过金属细线与导体的内部端子连接,并用密封树脂进行密封,从而使其在上述透明构件上具有开口。密封树脂最好具有遮光性。
另外,光学元件也可以在没有用透明构件覆盖的上面的适当位置上形成电极部,在上述电极部上,直接与和具有对应于上述透明构件的开放部的电路基板对向配置而形成的电极连接。
另外,光学元件也可以在用透明构件覆盖的上面的适当位置上形成凸状的电极部,在上述透明构件的基材上形成具有与上述电极部对向配置的电极的布线,并且直接连接上述光学元件的电极部与上述透明构件的电极。
本发明的光学器件的制造方法包括:在光学元件上面的透明构件区域的中央部上涂覆第1透明树脂材料的工序;在基材的边缘部上涂覆第2透明树脂材料的工序;以及在上述光学元件的上面安装上述基材并利用上述第1及第2透明树脂材料使其固定、同时在上述光学元件的上面与上述基材的外侧面之间形成由上述第2透明树脂材料构成的嵌条的工序。
或者,包括:在光学元件上面的透明构件区域的中央部上涂覆第1透明树脂材料的工序;在上述光学元件的上面安装基材并利用上述第1透明树脂材料使其固定的工序;以及在固定于上述光学构件上面的上述基材的外侧面上涂覆第2透明树脂材料、并且在上述光学元件的上面与上述基材的外侧面之间形成由上述第2透明树脂材料构成的嵌条的工序。
或者,包括:分别在上述光学元件上面的透明构件区域的中央部与边缘部上涂覆第1及第2透明树脂材料的工序;以及在上述光学元件的上面安装基材并利用上述第1及第2透明树脂材料使其固定、同时在上述光学元件的上面与上述基材的外侧面之间形成由上述第2透明树脂材料构成的嵌条的工序。
或者,包括:在光学元件上面的透明构件区域的中央部上涂覆透明树脂材料的工序;以及在上述光学元件的上面安装基材并利用上述透明树脂材料使其固定、同时在上述光学元件的上面与上述基材的外侧面之间形成由上述透明树脂材料构成的嵌条的工序。
附图说明
图1(a)(b)是表示本发明的第1实施形态的光学器件的图,
图2(a)(b)(c)是表示图1的光学器件的透明构件的入射光·反射光抑制效果的图,
图3是表示在图1的光学器件的透明构件上设置遮光树脂膜的状态的图,
图4(a)(b)(c)是表示图1的光学器件的制造方法的第1例子的图,
图5(a)(b)(c)是表示图1的光学器件的制造方法的第2例子的图,
图6(a)(b)(c)是表示图1的光学器件的制造方法的第3例子的图,
图7(a)(b)是表示封装图1的光学器件的第1例子的图,
图8(a)(b)是表示封装图1的光学器件的第2例子的图,
图9(a)(b)是表示封装图1的光学器件的第3例子的图,
图10(a)(b)是表示本发明的第2实施形态的光学器件的图,
图11(a)(b)(c)是表示本发明的第3实施形态的光学器件的图,
图12(a)(b)是表示本发明的第4实施形态的光学器件的图,
图13(a)(b)是表示封装图12的光学器件的第1例子的图,
图14(a)(b)是表示封装图12的光学器件的第2例子的图。
具体实施方式
下面参照附图来说明本发明的实施形态。
图1(a)是本发明的第1实施形态的光学器件的俯视图,图1(b)是沿着相同光学器件的图1(a)中的A-A′线的剖面图。
在图1(a)(b)中,光学器件1具有:在上面形成光敏部2的光学元件3、以及覆盖光敏部2并利用树脂粘接剂4固定在光学元件3的上面的透明构件5。在不用透明构件5覆盖的光学元件3的上面的边缘部上,形成与光敏部2导通的电极部6。光学元件3也可以是图像传感器等。作为树脂粘接剂4,可以采用丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂等透明树脂材料。
透明构件5大概是矩形平板状的,且上下面都形成为覆盖光敏部2的尺寸,同时四边的外周面分别形成为越接近光学元件3的上面与光敏部2之间的距离越大的向上的倾斜面7。换句话说,透明构件5是从下面侧向上面侧其前端变细的锥形。
详细地说,透明构件5由:固定在光学元件3的上面的矩形平板状的基材8、以及在基材8的四边外侧面与光学元件3的上面之间形成嵌条的树脂部9来构成,该树脂部9具有上述的倾斜面7。作为基材8,虽然一般采用平板状玻璃(保护玻璃),但是只要是切断或者成形为预先希望的形状的透明体(固体)即可。树脂部9可采用丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂等透明树脂材料。
在这样的透明构件5中,将基材8和树脂部9在光学上形成一体化,树脂部9的倾斜面7具有与由单一材料构成的透明构件的外周面形成作为倾斜面的情况相同的效果。参照图2对其进行说明。图中的WB表示用于引线接合的毛细管。
第1,能够抑制来自透明构件5的外周面外侧的不需要的入射光到达光敏部2。
如图2(a)所示,当只存在基材8时,当入射光(称为外侧光线)对于基材8的外侧面(相对于光学元件3的上面的垂直方向),在从光学元件3的上面的距离A的点相对于上述外侧面的法线呈角度θ1入射时,在基材8内以角度θ2前进,如果在光学元件3的上面到达距离L1的点,则该距离L1用Atanθ4来表示。
与上不同的是,如图2(b)所示,当存在树脂部9(嵌条)时,当与上述相同的方向的外侧光线对于嵌条角θ3的树脂部9的倾斜面7,在从光学元件3的上面的距离A的点入射时,相对于上述倾斜面7的法线呈角度θ11(<θ1),在树脂部9与基材8的一体化部分(即透明构件5)内以角度θ12前进,在光学元件3的上面到达距离L11的点。该距离L11用Atanθ14来表示。另外,因为光的折射率(空气中/玻璃)是一定的,所以具有θ1/θ2=θ11/θ12的关系。
由图2(a)(b)来理解,在θ2+θ4=90°、θ12+θ14=θ3的状态下,变为θ4>θ14,且L1>L11。即,树脂部9(嵌条)存在时,到达光学元件3的上面的到达点远离光敏部2。因此,能够抑制射入光敏部2。
第2,能够抑制来自透明构件5的外周面内侧的入射光变成反射光并到达光敏部2的情况。如图2(c)所示,当只存在基材8时,入射光(下面称为内侧光线)在其外侧面(端面)的位置上反射,得到用实线表示的光路,与上不同的是,当存在树脂部9(嵌条)时,如虚线所示,成为在倾斜面7的位置反射的光路。因此,能够抑制向光敏部2的入射。
另外,将基材8固定在光学元件3上的树脂粘接剂4与形成嵌条的树脂部9最好采用相同的透明树脂材料。因为两者具有相同的粘结特性及光学特性,所以能够使器件特性更加稳定化,且制造也容易。
如上所述,虽然因为将透明构件5的全部四边的外周面形成为倾斜面7,所以抑制不需要的入射光及反射光到达光敏部的效果较大,但是也可以将除去光线的入射角较小的位置、以及角落等离开有效像素的距离较长而不受端面反射的影响的位置的一部分形成为倾斜面。
也可以对透明构件5的外周面的全部或者至少一部分、例如在入射光较小的位置实施涂覆遮光树脂等的遮光处理。通过这样,能够提高抑制不需要的入射光·反射光的效果。图3表示在透明构件5的全部外周面、即树脂部9的全部倾斜面7上均匀地设置遮光树脂膜9′的状态。作为遮光树脂膜9′的材料,包括在热硬化型的丙烯树脂、环氧树脂、硅树脂等中添加碳以提高遮光性的材料等。涂覆方法能够采用浇灌、喷墨、印刷方式。外周面的[至少一部分]可以是厚度方向上的一部分、圆周方向上的一部分、没有设置倾斜面的部分等。
图4表示光学器件1的制造方法的第1例子。如图4(a)所示,在光学元件3的上面,在基材8的固定区域(透明构件区域)的中央部(这里也是光敏部2的中央部)上涂覆树脂粘接剂4a。另一方面,如图4(b)所示,在基材8的边缘部上涂覆树脂材料9a。
然后,如图4(c)所示,在光学元件3的上面放置基材8,通过按压,使基材8与光学元件3之间的树脂粘接剂4a均匀等厚地展开,同时使树脂材料9a向基材8的外侧露出,并在基材8的外侧面与光学元件3的上面之间形成嵌条。在该状态下通过使树脂粘接剂4a、树脂材料9a硬化,从而将基材8固定在光学元件3的上面,并得到树脂部9。
另外,当如上所述将基材8按压在光学元件3的上面时,通过利用搬运夹头等来保持规定的姿势,从而能够控制基材8与光学元件3的间隙、和平行度。树脂材料9a可以与树脂粘接剂4a的种类相同,最好是种类相同。
图5表示光学器件1的制造方法的第2例子。如图5(a)所示,在光学元件3的上面,在基材8的固定区域的中央部上涂覆树脂粘接剂4a。
接着,如图5(b)所示,采用搬运夹头等将基材8放置在光学元件3的上面,通过保持规定的姿势并进行按压,从而使基材8与光学元件3之间的树脂粘接剂4a均匀等厚地展开。在该状态下使树脂粘接剂4a硬化,将基材8固定在光学元件3的上面。
然后,如图5(c)所示,在基材8的外侧面与光学元件3的上面的边界部上涂覆树脂材料9a并形成嵌条,在该状态下使树脂材料9a硬化来得到树脂部9。
如果采用该方法,则比图2的方法能够更加正确地控制嵌条形状。也可以使基材8与光学元件3之间的树脂粘接剂4a与树脂材料9a同时硬化。树脂材料9a可以与树脂粘接剂4a的种类相同,最好是种类相同。
图6表示光学器件1的制造方法的第3例子。如图6(a)所示,在光学元件3的上面,在基材8的固定区域的中央部上涂覆树脂粘接剂4a。另外,如图6(b)所示,在基材8的固定区域的边缘部上涂覆树脂材料9a。
然后,如图6(c)所示,采用搬运夹头等将基材8放置在光学元件3的上面,通过保持规定的姿势并进行按压,从而使基材8与光学元件3之间的树脂粘接剂4a均匀等厚地展开,同时使树脂材料9a向基材8的外侧露出,在基材8的外侧面与光学元件3的上面之间形成嵌条。在该状态下通过使树脂粘接剂4a、树脂材料9a硬化,从而将基材8固定在光学元件3的上面,得到树脂部9。
如果采用该方法,则能够在比图5更短的时间内、且比图4的方法更加容易地形成嵌条。树脂材料9a可以与树脂粘接剂4a的种类相同,最好是种类相同。
虽然省略图示,但是也可以只在光学元件3的上面、在基材8的固定区域的中央部上涂覆树脂粘接剂4a,利用该树脂粘接剂4a在光学元件3的上面固定基材8,同时形成树脂部9。
图7(a)是表示封装光学器件1的第1例子的俯视图,图7(b)是沿着相同光学器件的图7(a)中的A-A′的剖面图。
光学器件1采用由凹形的壳体11及跨在其凹部的内外的引导部12构成的光学元件支持体来进行封装。即,将光学器件1(光学元件3及透明构件5)放置在壳体11的凹部内,使光学元件3的下面固定在壳体11的内底面上,并利用引线13将光学元件3上面的电极部6与引导部12的内部端子12a电连接起来,向凹部内填充密封树脂14,从而在透明构件5上具有开口。
这样即使是将光学器件1放置在壳体11的凹部内的结构,但因为在透明构件5上具有上述的倾斜面7,所以不需要考虑与用于引线13的连接(引线接合)的毛细管(未图示)之间的干涉。因此,可以是与过去相同的芯片尺寸,即不需要设计光学元件3,使得光敏部2·电极部6之间的距离变大,且能够实现整个组件的小型化,而且能够降低成本。
另外,壳体11用树脂及陶瓷等来形成,引导部12采用引导框体来形成。众所周知,引导框体至少具有多个引导部12与保持它们的外框部(因为已经切开,所以未图示)。引线13采用金线等。
虽然最好填充密封树脂14,从而如图所示覆盖透明构件5的外周面、即整个倾斜面7,但是也可以填充密封树脂14,从而只覆盖外周面的一部分。例如进行填充,从而只覆盖引线13一侧的外周面(用于防止来自引线13的反射光)以及靠近光敏部2的外周面。
作为密封树脂14,能够使用丙烯树脂、环氧树脂、硅树脂等。通过利用这样的密封树脂14来进行覆盖,则即使省略在透明构件5的外周面上涂覆遮光树脂等的上述遮光处理,也能够抑制不需要的入射光等。如果使用遮光树脂,则更加能够稳定光学特性。
图8(a)是表示封装光学器件1的第2例子的俯视图,图8(b)是沿着相同光学器件的图8(a)中的A-A′线的剖面图。
采用电路基板21来封装光学器件1。电路基板21是以树脂或陶瓷作为基材而形成电路的,在相互相反的面上形成内部电极22与外部电极23,同时形成使内部电极22与外部电极23电导通的通路孔24(也可以用内层布线等)。在该电路基板21的规定位置上固定光学元件3的下面,并且利用引线13将光学元件3的上面的电极部6与电路基板21的内部电极22电连接起来,用密封树脂14进行密封,从而在透明构件5的上面具有开口。
如果采用该结构,则因为透明构件5具有上述的倾斜面7,而且因为不存在上述框体11那样的侧壁,不需要考虑与用于用引线13的连接(引线接合)的毛细管(未图示)的干涉,所以整个组件能够实现更加小型化,并且低成本化。
也可以采用引导框体来代替电路基板21,同样能够进行封装。通过采用电路基板21或引导外框,能够实现多种多样的、通用的组件形态,并且也能够实现低成本化。
图9(a)是表示封装光学器件1的第3例子的俯视图,图9(b)是沿着相同光学器件的图9(a)中的A-A′线的剖面图。
电路基板31(31A、31B)是以树脂或陶瓷作为基材而形成电路的,电路基板31A、31B分别形成具有与光学元件3的电极部6对向配置的内部电极33的布线(未图示),并在相互之间形成与透明构件5对应的开放部32。当透明构件5位于电路基板31的开放部32内的状态下,光学器件1的电极部6直接与内部电极33连接。虽然省略图示,但是用层密封树脂来密封内部电极33、及电极部6的连接部分。
如果采用该结构,则不仅能够因为使透明构件5进入电路基板31的开放部32内而相应薄型化,而且由于透明构件5具有上述倾斜面7,所以能够将开放部32设计得小一些,能够实现安装部分的小型化、及薄型化。也能够实现低成本化。即使不是采用这样一分为二的电路基板31,而采用具有开口部的框状的电路基板,也能够得到相同的效果。
图10(a)是本发明的第2实施形态的光学器件的俯视图,图10(b)是沿着相同光学器件的图10(a)中的A-A′线的剖面图。
该光学器件1A与上述光学器件1的不同之处在于:在没有用透明构件5覆盖的光学元件3的边缘部上形成与光敏部2导通的通路孔10,并将其一端作为上述的电极部6,而在另一端上形成突起电极6a。如果采用该结构,则能够实现多引脚结构,同时能够实现光学器件1A的小型化、及薄型化。
图11(a)是本发明的第3实施形态的光学器件的俯视图,图11(b)是沿着相同光学器件的图11(a)中的A-A′线的剖面图,图11(c)是沿着相同光学器件的图11(a)中的B-B′线的剖面图。
该光学器件1B与上述光学器件1的不同之处在于:设置了代替上述透明构件5的透明构件42。透明构件42由:固定在光学元件3的上面的矩形平板状的基材8、以及在基材8的相反两方的外侧面与光学元件3的上面之间形成嵌条的树脂部9来构成。只有用树脂部9构成的两边的外周面是倾斜面7。另外,设定基材8的尺寸,从而使没有形成树脂部9的两边的端部比光学元件3向外侧突出,形成具有与光学元件3的上面的电极部6对向配置的内部电极43以及比光学元件3位于外侧的外部连接用电极44的布线45。光学元件3的凸状电极部6与这样的透明构件42的内部电极43直接连接。如果采用该结构,则能够实现光学器件1B的小型化、及薄型化。
在图12(a)(b)所示的光学器件1C中,代替上述的透明构件5,将与透明构件5形状相同但是由单一材料(与基材8相同的材料)构成的透明构件41固定在光学元件3的上面。其他的结构与图1的光学器件1相同。
如果采用这样的透明构件41,则当然能够得到关于透明构件5所述的效果。即,能够抑制来自倾斜面7的外侧的不需要的入射光到达光敏部2的情况,并且能够抑制来自倾斜面的内侧的入射光成为反射光到达光敏部2的情况。
图13(a)是表示封装光学器件1C的第1例子的俯视图,图13(b)是沿着相同光学器件的图13(a)中的A-A′线的剖面图。除了采用光学器件1C以外,与图7(a)(b)具有相同的结构。
图14(a)是表示封装光学器件1C的第2例子的俯视图,图14(b)是沿着相同光学器件的图14(a)中的A-A′线的剖面图。除了采用光学器件1C以外,与图8(a)(b)具有相同的结构。
如上所述,如果采用本发明,则在具有将透明构件直接固定在光学元件上面的结构的光学器件中,因为利用树脂嵌条而使得在透明构件的外周上具有倾斜面,所以能够防止不需要的入射光及反射光侵入光敏部的情况,并且也能够实现光学器件本身的小型化、低成本化。这样的光学器件对于小型的电子设备特别有用。
Claims (12)
1.一种光学器件,其特征在于,
所述光学器件是具有在上面形成光敏部的光学元件、以及覆盖所述光敏部的透明构件的光学器件,所述透明构件由固定在所述光学元件上面的基材、以及在所述基材的外侧面与所述光学元件上面之间形成嵌条的树脂部构成。
2.如权利要求1中所述的光学器件,其特征在于,
将基材固定在光学元件上的粘接剂与树脂部由相同的透明树脂材料构成。
3.如权利要求1中所述的光学器件,其特征在于,
树脂部用遮光性树脂覆盖。
4.如权利要求1中所述的光学器件,其特征在于,
光学元件至少在上面与下面的一面上形成电极部。
5.如权利要求4中所述的光学器件,其特征在于,
光学元件在没有用透明构件覆盖的上面的适当位置上形成电极部,并且在所述电极部上,通过金属细线与导体的内部端子连接,并用密封树脂进行密封,从而使得在所述透明构件的上面具有开口。
6.如权利要求4中所述的光学器件,其特征在于,
光学元件在没有用透明构件覆盖的上面的适当位置上形成凸状的电极部,在所述电极部上,直接与和具有对应于所述透明构件的开放部的电路基板对向配置而形成的电极连接。
7.如权利要求4中所述的光学器件,其特征在于,
光学元件在用透明构件覆盖的上面的适当位置上形成凸状的电极部,所述透明构件在其基材上形成具有与所述电极部对向配置的电极的布线,并且所述光学元件的电极部和所述透明构件的电极直接连接。
8.如权利要求5中所述的光学器件,其特征在于,
密封树脂具有遮光性。
9.一种光学器件的制造方法,其特征在于,
所述光学器件的制造方法是权利要求1中所述的光学器件的制造方法,
包括:
在光学元件上面的透明构件区域的中央部上涂覆第1透明树脂材料的工序;在基材的边缘部上涂覆第2透明树脂材料的工序;以及将所述基材安装在所述光学元件的上面并利用所述第1及第2透明树脂材料使其固定、同时在所述光学元件的上面与所述基材的外侧面之间形成由所述第2透明树脂材料构成的嵌条的工序。
10.一种光学器件的制造方法,其特征在于,
所述光学器件的制造方法是权利要求1中所述的光学器件的制造方法,
包括:
在光学元件上面的透明构件区域的中央部上涂覆第1透明树脂材料的工序;将基材安装在所述光学元件的上面并利用所述第1透明树脂材料使其固定的工序;以及在固定于所述光学元件上面的所述基材的外侧面上涂覆第2透明树脂材料、并在所述光学元件的上面与所述基材的外侧面之间形成由所述第2透明树脂材料构成的嵌条的工序。
11.一种光学器件的制造方法,其特征在于,
所述光学器件的制造方法是权利要求1中所述的光学器件的制造方法,
包括:
在光学元件上面的透明构件区域的中央部与边缘部上涂覆第1及第2透明树脂材料的工序;以及将基材安装在所述光学元件的上面并利用所述第1及第2的透明树脂材料使其固定、同时在所述光学元件的上面与所述基材的外侧面之间形成由所述第2透明树脂材料构成的嵌条的工序。
12.一种光学器件的制造方法,其特征在于,
光学器件的制造方法是权利要求1中所述的光学器件的制造方法,
包括:
在光学元件上面的透明构件区域的中央部上涂覆透明树脂材料的工序;以及将基材安装在所述光学元件的上面并利用所述透明树脂材料使其固定、同时在所述光学元件的上面与所述基材的外侧面之间形成由所述透明树脂材料构成的嵌条的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007026210 | 2007-02-06 | ||
JP2007026210A JP2008193441A (ja) | 2007-02-06 | 2007-02-06 | 光学デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101241920A true CN101241920A (zh) | 2008-08-13 |
Family
ID=39675904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200710167029.9A Pending CN101241920A (zh) | 2007-02-06 | 2007-10-25 | 光学器件及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080186583A1 (zh) |
JP (1) | JP2008193441A (zh) |
CN (1) | CN101241920A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106534652A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-03-22 | 努比亚技术有限公司 | 一种镜头模组、镜头以及终端 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011054925A (ja) * | 2009-01-14 | 2011-03-17 | Panasonic Corp | 光学デバイス、固体撮像装置、及び方法 |
JP5489543B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5658466B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2015-01-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP5930263B2 (ja) | 2011-02-18 | 2016-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6745815B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2020-08-26 | マイクロモジュールテクノロジー株式会社 | 光学装置及び光学装置の製造方法 |
TWI698012B (zh) * | 2018-09-27 | 2020-07-01 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
JP2020167422A (ja) * | 2020-06-03 | 2020-10-08 | キヤノン株式会社 | 光学センサー及びスキャナユニット、画像形成装置 |
US11942496B2 (en) * | 2020-06-04 | 2024-03-26 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Slanted glass edge for image sensor package |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6173368A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP3971087B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2007-09-05 | 株式会社リコー | 固体撮像装置 |
JP2002261260A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
JP4365743B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2009-11-18 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP4802491B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2011-10-26 | 大日本印刷株式会社 | センサーモジュールおよびこれを用いたカメラモジュール |
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JP2006295095A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Takuo Sakurai | 配線を有したガラスを受光面に貼り付けたイメージセンサ |
-
2007
- 2007-02-06 JP JP2007026210A patent/JP2008193441A/ja not_active Withdrawn
- 2007-10-25 CN CN200710167029.9A patent/CN101241920A/zh active Pending
- 2007-11-08 US US11/936,906 patent/US20080186583A1/en not_active Abandoned
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CN106534652A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-03-22 | 努比亚技术有限公司 | 一种镜头模组、镜头以及终端 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008193441A (ja) | 2008-08-21 |
US20080186583A1 (en) | 2008-08-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20080813 |
|
C20 | Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned |