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CN101091215B - 功率确定方法、记录方法、以及光盘装置 - Google Patents

功率确定方法、记录方法、以及光盘装置 Download PDF

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CN101091215B CN2006800016376A CN200680001637A CN101091215B CN 101091215 B CN101091215 B CN 101091215B CN 2006800016376 A CN2006800016376 A CN 2006800016376A CN 200680001637 A CN200680001637 A CN 200680001637A CN 101091215 B CN101091215 B CN 101091215B
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Abstract

公开了一种功率确定方法，用来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息时确定光源的发光功率，该方法包含：通过在光盘上记录测试数据，获得相对于最优记录功率的最优擦除功率。

Description

功率确定方法、记录方法、以及光盘装置
技术领域
本发明涉及用于确定在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息的激光束的发光功率的功率确定方法、可以使用该功率确定方法的单面多层光盘、使用该功率确定方法确定的发光功率来在光盘上记录信息的记录方法以及光盘装置、用于该光盘装置的功率确定程序、存储此类程序的计算机可读介质、以及包含此类计算机可读介质的计算机程序产品。
背景技术
近年以来，随着数字技术与数据压缩技术的进展，人们经常使用诸如CD(密致盘)与DVD(数字多用途盘)等光盘作为用来记录信息(例如音乐、照片、以及计算机软件，称为“内容”)的介质。另外，随着此类光盘价格的下降，被配置来在此类光盘上记录信息的光盘装置正在变得越来越普及。
可以配置光盘装置，以通过在光盘记录层上照射从光源发射的激光束、并且形成微光点，在光盘上/从光盘记录/擦除信息，其中光盘具有在其上形成的螺旋轨道或者同心圆轨道。也可以配置光盘装置，以基于从记录层反射的光来再现信息。光盘装置可以包括：物镜；光学系统，用来将从光源发射的光通量引导到记录层，以及将从记录层反射的反射光通量引导到预定受光位置；以及光拾取设备，例如包括置于受光位置的光学检测器。
可以基于具有不同反射率的标记/空白区域的长度和其组合将信息记录在光盘上。当使用光盘装置在光盘上记录信息时，控制光盘装置的光源的发光功率，以使之能够在光盘记录层的预定位置处形成标记区域与空白区域。
例如，在将信息记录在包含特殊合金于记录层中作为记录材料的可重写光盘(例如CD-RW(CD-可重写)、DVD-RW(DVD-可重写)、或者DVD+RW(DVD+可重写))上的情况下，通过将该特殊合金加热到第一温度、此后迅速冷却该特殊合金以建立非结晶状态，来形成标记区域。在另一方面，通过将该特殊合金加热到第二温度(＜第一温度)、此后逐渐冷却该特殊合金以建立结晶状态，来形成空白区域。通过这种方式，安排标记区域具有低于空白区域的反射率的反射率。通过控制光源的发光功率，可以实现如上所述的对特殊合金的温度控制。当建立标记区域时，可以将发光功率安排为多个脉冲，以阻止来自热量积聚的影响。此类控制发光功率的方法称为多脉冲记录方法。另外，多脉冲发光功率的最大值称为记录功率，而多脉冲发光功率的最小值称为偏置功率。另外，用于建立空白区域的发光功率称为擦除功率(记录功率＞擦除功率＞偏置功率)。
在光盘装置中，在光盘上记录信息之前，在预定测试写入区域(称为PCA(功率校准区域))上进行测试写入，以获得最优记录功率，从而可以用所希望的长度在所希望的位置上形成标记与空白(例如，参见日本专利第3259642号、日本专利第3124721号、以及日本公开专利公开号2005-190643)。此类过程称为OPC(最优功率控制)过程。
人们注意到近年以来，在光盘上记录的内容量正在增加，进而对具有增大的记录容量的光盘的需求也在增加。在这方面，作为增加光盘的记录容量的一种方法，正在开发一种光盘，其被安排从一面将光照射在其上，并且包括多个记录层(此后称为“单面多层光盘”)，并且还在开发被配置来对此类单面多层光盘进行处理的光盘装置。
人们注意到，在单面多层光盘中，必须以更高的精确性控制发光功率。随着对更高记录速度的需求的增长，预计可能无法基于通过常规的功率确定方法(例如日本专利第3259642号、日本专利第3124721号、或者日本公开专利公开号2005-190643中公开的方法)获得的最优记录功率，实现能够以良好的记录品质在单面多层光盘上稳定地记录信息的记录操作。
发明内容
响应于上述的一或多个问题完成了本发明，本发明提供了一种功率确定方法，用来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息时确定光源的适当的发光功率。
本发明还提供了一种记录方法与光盘装置，用来稳定地在具有多个可重写记录层的光盘上进行高品质记录。
本发明还提供了一种功率确定程序、存储此类程序的计算机可读介质、以及包含此类计算机可读介质的计算机程序产品，该功率确定程序由光盘装置的控制计算机执行，并且被配置来使之能够在具有多个可重写记录层的光盘上稳定地进行高品质记录。
本发明还提供了一种可以应用本发明的功率确定方法的单面多层光盘。
根据本发明的一种实施例，提供了一种用来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息时确定光源的发光功率的功率确定方法，该方法包含以下步骤：
通过在光盘上记录测试数据，获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，其中在记录层中不同于最远离记录层的至少一个记录层上记录测试数据，其中，所述最远离记录层位置最远离入射平面，所述入射平面上入射来自光源的光。
根据本实施例的一个方面，当在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息时，在光盘上记录测试数据，并且获得相对于最优记录功率的最优擦除功率。更具体地，确定用于在光盘上记录信息的最优记录功率与最优擦除功率两者。相应地，可以确定适当的发光功率，用来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息。
根据本发明的另一种实施例，提供了一种记录方法，用来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息，该记录方法包含以下步骤：利用通过根据本发明实施例的功率确定方法获得的最优擦除功率，在光盘上记录信息，该功率确定方法包含以下步骤：通过在光盘上记录测试数据，获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，其中在记录层中不同于最远离记录层的至少一个记录层上记录测试数据，其中，所述最远离记录层位置最远离入射平面，所述入射平面上入射来自光源的光。
根据本实施例的一个方面，可以在最优记录条件下在光盘上记录信息，由此，可以在具有多个可重写记录层的光盘上稳定地进行高品质记录。
根据本发明的另一个方面，提供一种计算机程序产品，包括计算机可读介质，其存储由被配置来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息的光盘装置的控制计算机执行的计算机可执行程序，该程序由控制计算机执行以实现以下步骤：通过在光盘上记录测试数据，获得相对于最优记录功率的最优擦除功率。
根据本实施例的一个方面，当将根据本发明实施例的功率确定程序装载在预定存储器中、并且将该程序的开始地址设置至程序计数器时，根据本实施例的光盘装置的控制计算机可以在光盘上记录测试数据，以获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，从而在光盘上记录信息。具体地，根据本实施例的程序可以控制光盘装置的控制计算机执行根据本发明实施例的功率确定方法。相应地，可以在具有多个可重写记录层的光盘上稳定地进行高品质记录。
根据本发明的另一方面，提供了一种存储根据本发明实施例的程序的计算机可读介质。
根据本实施例的一方面，将功率确定确定程序存储在计算机可读介质中，以由计算机执行，从而可以在具有多个可重写记录层的光盘上稳定地进行高品质记录。
根据本发明的另一实施例，提供了一种光盘装置，其被配置来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息，该装置包括：
最优功率获得单元，被配置来在光盘上记录测试数据，并且获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，其中在记录层中不同于最远离记录层的至少一个记录层上记录测试数据，其中，所述最远离记录层位置最远离入射平面，所述入射平面上入射来自光源的光；以及
记录单元，被配置来利用最优功率获得单元获得的最优擦除功率，在光盘上记录信息。
根据本实施例的一方面，最优功率获得单元被配置来获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，以在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息，并且进而记录单元可以在光盘上稳定地进行高品质记录。
根据本发明的另一实施例，提供了一种单面多层光盘，其包括：多个可重写记录层；
其中在至少一个记录层中预先格式化设置值信息，该设置值信息用来按照根据本发明实施例的功率确定方法获得最优擦除功率。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，可以看出本发明的以上与其他目的、特征、以及优点，其中：
图1为显示根据本发明一个实施例的光盘装置的配置的方框图；
图2为根据本发明一个实施例的单面多层光盘的剖面图；
图3为显示图1的光盘装置的光拾取设备的配置的图示；
图4为描述关于本发明实施例的调制电平以及非对称性的图示；
图5为显示根据一个实施例的图1的光盘装置上进行的记录处理的第一部分的流程图；
图6为显示图1的光盘装置上进行的记录处理的第二部分的流程图；
图7为显示在图5与图6的记录处理中获得的目标调制电平与目标记录功率之间的对应关系的图示；
图8为显示在图5与图6的记录处理中获得的目标非对称性与最优擦除功率之间的对应关系的图示；
图9为显示根据图5与图6的记录处理的第一修改实施例的记录处理的第一部分的流程图；
图10为显示根据第一修改实施例的记录处理的第二部分的流程图；
图11为显示在图9与图10的记录处理中获得的目标伽码值与目标记录功率之间的对应关系的图示；
图12为显示根据图5与图6的记录处理的第二修改实施例的记录处理的第一部分的流程图；
图13为显示根据第二修改实施例的记录处理的第二部分的流程图；
图14为显示用于本发明的示范性应用中的、作为记录策略的1T策略的图示；
图15为显示本发明的第一与第二示范性应用中获得的数据的图示；
图16为显示第一示范性应用中获得的数据的图示；
图17为显示本发明的第三与第四示范性应用中获得的数据的图示；
图18为显示第三示范性应用中获得的数据的图示；
图19为显示本发明的第五与第六示范性应用中获得的数据的图示；
图20为显示第五示范性应用中获得的数据的图示；
图21为显示本发明的第七示范性应用中获得的第一组数据的图示；
图22为显示第七示范性应用中获得的第二组数据的图示；
图23为显示第七示范性应用中获得的第三组数据的图示；
图24为显示第七示范性应用中获得的第四组数据的图示；
图25为显示第七示范性应用中获得的第五组数据的图示；
图26为显示本发明的第八示范性应用中获得的第一组数据的图示；
图27为显示第八示范性应用中获得的第二组数据的图示；
图28为显示依赖于不同的擦除功率设置条件的、1T策略记录中抖动特性差异的图示；
图29为显示依赖于不同的擦除功率设置条件的、1T策略记录中非对称性特性差异的图示；
图30为显示依赖于不同的擦除功率设置条件的、2T策略记录中抖动特性差异的图示；
图31为显示依赖于不同的擦除功率设置条件的、2T策略记录中非对称性特性差异的图示；
图32为显示擦除功率、记录功率、以及抖动之间的对应关系的图示；
图33为显示擦除功率、记录功率、以及调制电平之间的对应关系的图示；
图34为显示擦除功率、记录功率、以及非对称性之间的对应关系的图示
图35为更详细地显示图14的1T策略参数的另一图示；
图36为显示在于功率校准区域上分别记录一次、十次、以及一百次的情况下、依赖于不同擦除功率的、非对称性差异的图示；
图37为显示在不同于功率校准区域的区域上、针对最优擦除功率测量的记录特性(抖动)的图示；以及
图38为显示本实施例的光盘的靠近面信息层以及远离面信息层之间的记录特性差异。
具体实施方式
以下参照附图详细描述本发明的优选实施例。
图1为显示根据本发明实施例的光盘装置20的配置的方框图。
图1所示的光盘装置20例如包括：主轴马达22，用来旋转作为根据本发明一个实施例的单面多层光盘的光盘15；光拾取设备23；寻道马达21，用于沿滑架方向驱动光拾取设备23；激光控制电路24；编码器25；驱动控制电路26；再现信号处理电路28；缓冲RAM 34；缓冲器管理器37；接口38；闪存39；CPU 40；以及RAM 41。请注意：图1所示的箭头显示信号与信息的代表性流动方向；但是，图1所示方框组件之间的连接不限于所示箭头表示的那些。另外，假定本实施例的光盘装置20适用于单面多层光盘。
图1所示的光盘15为可重写单面双层光盘(此后称为“双层相变型光盘”)。在一个例子中，光盘15可以包括：第一基底15a、第一信息层15b、中间层15c、第二信息层15d、以及第二基底15e，如图2所示。在以下描述中，假定光盘15为DVD型信息记录介质；但是本发明不限于此类光盘。
如图2所示，第一信息层15b包括从第一基底15a一侧到中间层15c一侧按以下顺序排列的第一下保护层b1、第一记录层b2、第一上保护层b3、第一反射层b4、以及散热层b5。第二信息层15d包括从中间层15c一侧到第二基底15e一侧按以下顺序排列的第二下保护层d1、第二记录层d2、第二上保护层d3、以及第二反射层d4。
请注意：在单面多层光盘中，优选地安排非位置最远离激光束照射面的信息层的信息层具有高穿透性，并且采取措施来减少金属层上光吸收以及减少记录层的厚度。结果，在非放置最远离激光束照射面的信息层的信息层上，散热可能实现的不够。进而，当记录材料的结晶速度快时，可能难于通过在记录材料上建立非结晶状态来形成标记。考虑到此类问题，优选地使用包含近似70％Sb(锑)的Sb与Te(碲)的共晶组份，作为非最远离层的信息层的记录材料。例如，可以使用Ge-Sb-Te、In-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Ge-In-Sb-Te、Ge-Sn-Sb-Te、或者Ag-In-Ge-Sb-Te作为记录材料。另外，例如可以使用Ge-Te、In-Sb、Ga-Sb、或者Ge-Sb。
优选地，第一记录层b2的厚度为4-12nm。当第一记录层b2的厚度小于4nm时，可能有太多的光透过其中，从而第一记录层b2的记录敏感度可能退化，并且其对于反复记录的耐受性可能退化。在另一方面，当第一记录层b2的厚度大于12nm时，第一信息层15b的透光性可能太低，进而第二信息层15d的记录敏感度可能退化。
优选地，第二记录层d2的厚度为10-20nm。
优选地，第一反射层b4的厚度为5-12nm。当第一反射层b4的厚度小于5nm时，第一反射层b4的反射率可能退化，并且可能难于确保预定的信号幅度。当第一反射层b4的厚度大于12nm时，第一信息层15b的透光性可能太低，进而第二信息层15d的记录敏感度可能退化。请注意：优选地，第一反射层b4由Cu与Ag构成，以在第一记录层b2上获得良好的记录特性。在一个例子中，可以合金形式使用Cu与Ag。在另一个例子中，可以使用其中包含0.2-5.0重量百分比的少量杂质元素的Cu，该杂质元素为从以下组中选择的至少一种金属元素：例如，Mo、Ta、Nb、Zr、Ni、Cr、Ge、以及Au，从而可以提高第一信息层15b的再现稳定性以及可靠性。
第二反射层d4不一定要象第一反射层b4那样为半透明，并且可以由任何适当的金属反射膜构成。第二反射层d4的厚度可以近似等于常规单层相变型光盘的反射层的厚度，优选地在100-200nm的范围内。当第二反射层d4的厚度小于100nm时，可能无法获得散热效果，并且抖动可能退化。当第二反射层d4的厚度大于200nm时，在形成第二反射膜d4时可能产生基底的实质性弯曲，并且光盘的机械特性可能退化。
上保护层被配置来(例如)防止记录层的退化与变化，加强与记录层的结合，并且改进记录特性。优选地，用于上保护层的材料为具有良好透光性、以及熔点高于记录层的透明材料。请注意：在常规单层相变型光盘中，一般使用ZnS-SiO2用于上保护层，并且在此类情况下，混合比例优选为ZnS∶SiO2＝80∶20。但是，在双层相变型光盘中，因为安排第一反射层为薄，所以散热可能实现不足，并且可能难于在第一记录层上记录信息。由此，优选地使用具有良好导热性的材料作为第一上保护层；即，优选地使用导热性好于ZnS-SiO2的材料。具体地，可以使用(例如)金属氧化物，例如ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2、TaO、以及Ta2O5；氮化物，例如Si3N4、AlN、TiN、BN、以及ZrN；硫化物，例如ZnS、IN2S3、以及TaS4；碳化物，例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrC；金钢石状碳；及其组合。但是请注意：在使用Ag作为第一反射层的情况下，优选地，要避免在其上沉积硫化物，这是因为Ag与S可能相互作用造成不便。
优选地，第一上保护层b3的厚度在3-30nm范围内。当第一上保护层b3的厚度小于3nm时，第一信息层15b的光反射率可能太高，从而可能难于确保预定的调制电平。当第一上保护层b3的厚度大于30nm时，第一信息层15b的光反射率可能太低，从而可能难于确保预定的信号幅度。
关于第二上保护层d3的材料，在单层相变型光盘中，可以使用ZnS-SiO2，或者也可以使用其他氧化物、氮化物、以及硫化物。因为安排第二上保护层d3具有足够的厚度，所以当在第二记录层d2上记录信息时，可以充分地实现散热，而与第二反射层d4的材料无关。但是请注意：在使用Ag作为第二反射层d4的情况下，优选地要避免在第二上保护膜d3上沉积硫化物，这是因为Ag与S可能相互作用造成不便。在一种优选实施例中，当使用Ag作为第二反射层d4时，可以在第二上保护层d3与第二反射层d4之间安排由TiOC(例如厚度为4nm)构成的界面层。
优选地第二上保护层d3的厚度在3-30nm的范围内。当第二上保护层d3的厚度小于3nm时，记录敏感度可能退化。在另一方面，当第二上保护层d3的厚度大于30nm时，例如可能会聚热，从而导致抖动退化。
下保护层被配置来(例如)防止记录层的退化与变化，加强与记录层的结合，并且改进记录特性。优选地，用于下保护层的材料为具有良好透光性、以及熔点高于记录层的透明材料。请注意：经常使用金属氧化物、氮化物、硫化物、以及碳化物。例如，可以使用(例如)金属氧化物，例如ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2、TaO、以及Ta2O5；氮化物，例如Si3N4、AlN、TiN、BN、以及ZrN；硫化物，例如ZnS、IN2S3、以及TaS4；碳化物，例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrC；金钢石状碳；及其组合。请注意：这些材料可以单独使用，或者可以使用其混合物。另外，如果必要或者希望，可以在这些材料中包含杂质。请注意：经常使用ZnS-SiO2(为ZnS与SiO2的混合物)作为下保护层的材料，并且在这种情况下，混合比例优选为ZnS∶SiO2＝80∶20。ZnS-SiO2具有高折射率n、以及基本等于0的消光系数，从而可以改进记录层的吸收效率。另外，ZnS-SiO2的导热系数为小值，从而可以适当地控制从光吸收产生的热的散发。通过这种方式，可以将记录层的温度提高到其熔融温度。
优选地，第一下保护层b1的厚度在40-80nm范围内。当第一下保护层b1的厚度小于40nm时，第一信息层15b的透光性可能增加，并且其对反复记录的耐受性可能退化。在另一方面，当第一下保护层b1的厚度大于80nm时，虽然可以获得对反复记录的良好的耐受性，但是第一信息层15b的透光性可能退化，并且在沉积第一下保护层b1时可能会产生基底的实质性弯曲，从而光盘的机械特性可能退化。
优选地，第二下保护层d1的厚度在110-160nm范围内。当第二下保护层d1的厚度小于110nm时，第二信息层15d的反射率可能减少，并且在再现时可能无法获得预定的信号幅度。在另一方面，当第二下保护层d1的厚度大于160nm时，第二信息层15d的透光性可能下降，并且在沉积第二下保护膜d1时可能会在基底上产生实质性弯曲，从而光盘的机械特性可能退化。
优选地，散热层b5具有大导热系数，从而当光照射其上时，迅速冷却第一记录层b2。另外，优选地，散热层b5相对于照射光的波长具有低吸收率；即，优选地，安排散热层b5对于照射光为透明，从而可以在第二记录层d2上进行记录与再现。在这方面，优选地，散热层b5包含以下中的至少一个：氮化物、氧化物、硫化物、碳化物、或者氟化物。例如，散热层b5可以包含AlN、Al2、SiC、SiN、IZO、ITO(IN2O3-SnO2)、DLC(金刚石状碳)、或者BN。请注意：尤其优选IZO或ITO，并且在使用ITO的情况下，优选地，按1-10的重量百分比在ITO中包含氧化锡。当氧化锡的比例大于或大于以上范围时，散热层b5的导热性以及透光性可能退化。另外，为了提高可靠性，可以按0.1-5.0的重量百分比范围添加另一元素。当所添加元素的比例小于以上范围时，可能无法获得可靠性的提高。当所添加元素的比例大于以上范围时，吸光率可能增加，并且透光性可能减少。
另外，在替换ITO使用IZO的情况下，可能减少光盘内的内应力，从而可以基本防止随时间的薄膜厚度变化。在一个优选实施例中，优选地按大约90％的摩尔比在IZO与ITO中包含IN2O3。
优选地，散热层b5的厚度在40-80nm范围内。当散热层b5的厚度小于40nm时，第一信息层15b的透光性可能下降，并且散热性可能实现不足。当散热层b5的厚度大于80nm时，第一信息层15b的的透光性可能下降。
优选地，安排第一基底15a以允许充分地透过用于记录与再现信息的照射光。第一基底15a可以由常规使用的材料构成，例如玻璃、陶瓷、或者树脂。请注意：考虑到其可塑性与成本，树脂尤其优选。作为树脂的特定例子，可以使用聚碳酸酯树脂、丙烯树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯酸腈-苯乙烯共聚树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅树脂、氟树脂、ABS树脂、或者聚氨酯树脂。请注意：考虑到其可塑性、光学特性与成本，诸如聚碳酸酯树脂与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸树脂尤其优选。其上沉积第一信息层15b的第一基底15a的表面在其上形成有凹凸模式，例如螺旋槽或者同心圆槽。该凹凸模式例如可以通过喷射模塑法或者光敏聚合物工艺形成。优选地，安排第一基底的厚度在10-600μm范围内。
请注意：对于第二基底15e，可以使用第一基底15a的相同的材料。可替换地，可以使用对用于记录或再现信息的照射光不透明的材料；即，例如第一基底15a与第二基底15e可以由不同材料构成，并且具有不同的槽模式。第二基底15e的厚度未被具体地限定到特定范围；但是，优选地，安排第二基底15e的厚度使得第一基底15a与第二基底15e的总厚度可以近似为1.2mm。
优选地，安排中间层15c具有对于用于记录与再现信息的照射光的波长的低吸光率，并且考虑到其可塑性与成本，优选地使用树脂作为中间层15c的材料。例如，可以使用UV硬化树脂、延缓树脂、或者热可逆树脂。第二基底15e与中间层15c例如可以通过喷射模塑法或者光敏聚合物工艺，在其上形成有凹凸模式，例如螺旋槽或者同心圆槽。中间层15c用来实现第一信息层15b与第二信息层15d之间的光学隔离，并且其厚度优选地安排为在10-70μm范围内。当中间层15c的厚度小于10μm时，在信息层之间可能会发生串扰。在另一方面，当中间层15c的厚度大于70μm时，在第二记录层d2上/从第二记录层d2记录/再现信息时可能发生球面像差，从而妨碍记录操作或者再现操作。
根据本实施例，安排光盘15的槽，从而以与DVD+RW的槽类似的方式，按预定的周期摆动，并且可以通过相位调制将信息记录在光盘15上作为ADIP信息。在本实施例中，假定ADIP信息包括以下描述的记录处理中使用的各种信息。换言之，在光盘15的导入区域或者导出区域的至少一个中，预先格式化用于获得最优记录功率与最优擦除功率的设置值信息。
在下文中，描述制造光盘15的方法。制造光盘15的方法包括薄膜沉积工艺、初始化工艺、以及黏合工艺。在以下描述的示范性制造工艺流中，假定按照以上顺序执行以上工艺(即，薄膜沉积、初始化、以及黏合)。
在薄膜沉积工艺中，在其上形成凹凸模式的第一基底15a的表面上，按照以下顺序沉积第一下保护层b1、第一记录层b2、第一上保护层b3、第一反射层b4、以及散热层b5。此后，将通过在第一基底15a上放置第一信息层15b而实现的结构称为“第一记录构件”。另外，在其上形成凹凸模式的第二基底15e的表面上，按照以下顺序沉积第二反射层d4、第二上保护层d3、第二记录层d2、以及第二下保护层d1。此后，将通过在第二基底15e上放置而第二信息层15d实现的结构称为“第二记录构件”。请注意：各个层可以通过各种汽相生长工艺(例如真空汽化工艺、溅射工艺、等离子CVD工艺、离子电镀工艺、电子束汽化工艺)来沉积。在这些示范性工艺中，溅射工艺尤其优选，这是因为(例如)其可以实现良好的生产率以及良好的薄膜质量。一般地，在溅射工艺中，在进行薄膜沉积的同时，引入惰性气体，例如氩。在一种实施例中，例如可以将氧或氮混合到此类惰性气体中，以实现所谓的反应溅射工艺。
在初始化工艺中，在第一记录构件与第二记录构件上照射能量光，例如激光束，并且实现初始化，即记录层表面的结晶。在由于激光束的能量、在该初始化工艺中一个层可能剥离(剥落)的情况下，例如可以执行保护涂层工艺，其中分别在散热层b5与第二下保护层d1上旋转涂敷(spin coat)UV树脂，此后在UV树脂上照射紫外线。
在黏合工艺中，第一记录构件、第二记录构件、与中间层15c相互黏合。例如，可以在散热层b5的表面或第二下保护层d1的表面中的一个上涂以UV树脂，并且可以安排散热层b5与第二下保护层d1相互面对，以将第一记录构件与第二记录构件黏合在一起。然后，可以照射紫外线以固化UV树脂。通过这种方式，可以通过中间层15c将第一记录构件与第二记录构件黏合在一起，以形成光盘15。
请注意：在一个可替换实施例中，可以在初始化工艺之前执行黏合工艺。在这种情况下，可以通过中间层15c将第一记录构件与第二记录构件黏合在一起，此后从第一基底15a一侧开始在记录层上执行初始化工艺。
回头参照图1，光拾取设备23被配置来将激光束照射在光盘15的两个记录层b2与d2中的要访问的记录层上(此后称为“访问记录层”)，并且接收从光盘15反射的光。如图3所示，光拾取设备23包括：光源单元51、耦合透镜52、分光器54、物镜60、会聚透镜58、受光器PD、以及用来驱动物镜60的例如包括聚焦致动器与跟踪致动器的驱动系统(未显示)。
如图3所示，光源单元51包括半导体激光器LD作为光源，其发射例如波长为660nm的激光束。在本实施例中，假定从光源单元51发出的激光束的最大强度发射方向为图3所示的+X方向。准直透镜52被安排在光源单元51的+X一侧，并且被配置来使从光源单元51发出的光基本平行。
分光器54被安排在准直透镜52的+X一侧。分光器54被配置来允许来自准直透镜52的光通过，并且在-Z方向上分出从光盘52反射的光。在分光器54的+X一侧安排NA＝0.65的物镜，并且该物镜60被配置来将通过分光器54的光会聚到光盘15的访问记录层上。
检测透镜58被安排在分光器54的-Z一侧，并且被配置来将在分光器54处被在-Z方向上分出的反射光会聚到受光器PD的受光表面上。受光器PD包括多个受光元件，其输出包含(例如)摆动信号信息、再现数据信息、聚焦误差信息、以及轨道误差信息的信号。受光器PD的受光元件被配置来根据通过光电转移收到的光量生成信号，并且将所生成的信号输出到再现信号处理电路28。
聚焦致动器(未显示)被配置来相对于与物镜60的光轴方向对应的聚焦方向、细微地驱动物镜60。在本实施例中，当第一记录层b2对应于访问记录层时、物镜60相对于聚焦方向的最优位置被称为“第一透镜位置”，并且当第二记录层d2对应于访问记录层时、物镜60相对于聚焦方向的最优位置被称为“第二透镜位置”。
跟踪致动器(未显示)被配置来相对于与正交于轨道切线的方向对应的跟踪方向、细微地驱动物镜60。
在下文中描述从光盘15反射的光。
当第一记录层b2对应于访问记录层时，将物镜60置于第一透镜位置。通过这种方式，可以通过物镜60将从光源单元51发射的光会聚在第一记录层b2上。然后，从第一反射层b4反射的光通量入射在物镜60上作为信号光。
当第二记录层d2对应于访问记录层时，将物镜60置于第二透镜位置。通过这种方式，可以通过物镜60将从光源单元51发射的光会聚在第二记录层d2上。然后，从第二反射层d4反射的光入射在物镜60上作为信号光。
回头参照图1，再现信号处理电路28基于受光器PD的输出信号(即多个光电转移信号)，获取(例如)侍服信号(例如聚焦误差信号、轨道误差信号)、地址信息、同步信息、RF信号、调制信息、伽码值信息、非对称性信息、以及和信号的幅度信息。
例如，在再现信号处理电路28处获取的侍服信号被输出到驱动控制电路26，地址信息被输出到CPU 40，并且同步信号被输出到编码器25与驱动控制电路26。另外，再现信号处理电路28被配置来对RF信号执行诸如解码处理与误差检测处理等处理。另外，当检测到误差时，再现信号处理电路28对RF信号执行误差纠正处理。然后，再现信号处理电路28通过缓冲器管理器37将处理后的信号存储在缓冲RAM 34作为再现数据。另外，在再现数据中包含的地址信息被输出到CPU 40。
再现信号处理电路28向CPU 40发送调制信息、伽码信息、非对称信息、以及和信号幅度信息。
参照图4，设14T结晶空白的反射率表示为I14H，并且14T非结晶标记的反射率表示为I14L，则调制电平M由以下公式(1)定义：
调制电平M＝(I14H-I14L)/I14H                        (1)
另外，设3T结晶空白的反射率表示为I3H，并且3T非结晶标记的反射率表示为I3L，则非对称性A由以下公式(2)定义：
非对称性A＝(I14H+I14L-I3H-I3L)/2(I14H-I14L)        (2)
回头参照图1，驱动控制电路26基于来自再现信号处理电路28的伺服信号，生成用于驱动系统的驱动信号，并且将生成的信号输出到光拾取设备23。通过这种方式，可以实现跟踪控制以及聚焦控制操作。另外，驱动控制电路26基于来自CPU 40的命令，生成用于驱动寻道马达21的驱动信号，以及用于驱动主轴马达22的驱动信号。驱动控制电路26生成的马达驱动信号被分别输出到寻道马达21与主轴马达22。
缓冲RAM 34暂时存储诸如要记录在光盘12上的数据(记录数据)以及从光盘15再现的数据(再现数据)等数据。缓冲器管理器37管理缓冲RAM 34中数据的输入/输出。
编码器25基于来自CPU 40的命令，通过缓冲器管理器37检索在缓冲RAM 34中存储的记录数据，并且执行诸如调制所检索的信号、以及向该信号附接误差纠正码等处理，以生成用于光盘15的写入信号。在本实施例中，所生成的写入信号被输出到激光控制电路24。
激光控制电路24控制半导体激光器LD的发光功率。例如，在记录操作中，激光控制电路24基于写入信号、记录条件、以及半导体激光器LD的发光特性，生成用于半导体激光器LD的驱动信号。
接口38为双向通信接口，用来实现与高级装置90(例如个人计算机)的接口，并且可以符合标准接口方案，ATAPI(AT附接分组接口)、SCSI(小型计算机系统接口)、或者USB(通用串行总线)。
闪存39存储(例如)由可由CPU 40读取的代码描述的程序、以及半导体激光器LD的发光特性。
CPU 40根据在闪存39中存储的程序，控制光盘装置20的各个单元的操作，并且在RAM 41与缓冲RAM 34中存储用于实现此类控制的数据。
(记录处理)
在下文中，将参照图5与图6描述当高级装置90发出记录请求时、在光盘装置20处执行的记录处理。请注意：图5与图6为显示CPU 40执行的处理算法序列的流程图。
响应于收到来自高级装置90的记录请求，将对应于图5与图6的流程图的程序的开始地址设置到CPU 40的程序计数器，并且开始记录处理。
首先，在步骤401，向驱动控制电路26发出命令，以按照预定的线速度(或者角速度)旋转光盘15，并且向再现信号处理电路发出信号以报告已经收到来自高级装置90的记录请求。
接着，在步骤403，从记录请求信号中提取所指定的地址，并且确定访问记录层为第一记录层b2还是第二记录层d2。
接着，在步骤405，从光盘检索ADIP信息，并且获得擦除功率Pe与记录功率Pp之间的比例ε、目标调制电平Mtarget、用于获得最优记录功率Ppo的乘法系数ρ、以及目标非对称性Atarget，并且将其存储在RAM 41中。
接着，在步骤407，设置记录功率Pp的初始值，并且通知激光控制电路24该设置值。
接着，在步骤409，计算使得擦除功率Pe与记录功率Pp之间的比例可以等于ε的擦除功率Pe，并且通知激光控制电路24该计算的擦除功率Pe。
接着，在步骤411，发出命令信号以指示在访问记录层处预先安排的测试写入区域上记录测试数据。进而，通过激光控制电路24与光拾取设备23，在测试区域上记录测试数据。
接着，在步骤413，确定测试写入是否完成。如果测试写入未完成，则进行否定确定，并且该处理移动到步骤415。
在步骤415，将预定的变量Δ加到记录功率Pp上，此后该处理返回到步骤409。
请注意：重复步骤409、411、413、以及415，直至在步骤413获得肯定确定。
当完成了利用多个预定记录功率Pp的测试数据写入时，在步骤413获得肯定确定，并且该处理移动到步骤417。
在步骤417，通过再现信号处理电路28，再现其上记录测试数据的测试写入区域，以获取调制信息。
接着，在步骤419，确定图7所示的记录功率Pp与调制电平M之间的对应关系。
接着，在步骤421，基于图7所示的记录功率Pp与调制电平M之间的对应关系，获得对应于目标调制电平Mtarget的记录功率值(Ptarget)。
接着，在步骤423，基于下示公式(3)，计算记录功率最优值(Ppo)：
Ppo＝ρ×Ptarget                (3)
接着，在步骤431，将记录功率设置为最优值Ppo，并且通知激光控制电路24所设置的记录功率最优值Ppo。
接着，在步骤433，设置比例ε的初始值。
接着，在步骤435，计算ε×Ppo，并且通知激光控制电路24所计算的值，作为擦除功率Pe。
接着，在步骤437，发出命令信号，以指示在访问记录层处预先安排的测试写入区域上记录测试数据。进而，通过激光控制电路24与光拾取设备23，在测试区域上记录测试数据。
接着，在步骤439，确定测试写入是否完成。如果测试写入未完成，则进行否定确定，并且该处理移动到步骤441。
在步骤441，将预定的变量Δe加到比例ε上，此后该处理返回到步骤435。
请注意：重复步骤435、437、439、以及441，直至在步骤439获得肯定确定。
当完成了利用相互不同的ε的多个预定值的测试数据写入时，在步骤439获得肯定确定，并且该处理移动到步骤443。
在步骤443，通过再现信号处理电路28，再现其上记录测试数据的测试写入区域，以获取非对称性信息。
接着，在步骤445，基于非对称性信息，确定擦除功率Pe与非对称性A之间的对应关系，该关系的例子在图8中显示。将该擦除功率Pe设置为擦除功率最优值。
接着，在步骤447，基于图8所示的擦除功率Pe与非对称性A之间的对应关系，获得对应于目标非对称性Atarget的擦除功率Peo。
接着，在步骤501，向驱动控制电路26发出命令信号，从而可以在对应于所指定的地址的目标位置的附近形成光束光点。进而进行寻道操作。请注意：在不需要寻道操作的情况下，可以跳过该步骤。
接着，在步骤503，设置记录条件。例如，将记录功率设置为最优记录功率Ppo，将擦除功率设置为最优记录功率Peo。
接着，在步骤505，允许记录，由此，可以通过编码器25、激光控制电路24、以及光拾取设备23，利用最优记录条件，在所指定的地址上记录数据。
接着，在步骤507，确定记录是否完成。如果记录未完成，则获得否定的确定结果，并且在预定时间段之后，再次进行该确定。如果记录已完成，则获得肯定的确定结果，并且由此结束记录处理。
请注意：在上述记录处理中，使用调制电平M来获得记录功率Pp的最优值。但是，本发明不限于此类实施例，例如，在另一实施例中，可以利用伽码值γ而非调制电平M，获得记录功率Pp的最优值，如图9与图10所示。请注意：在图9与图10的流程图中，与参照图5与图6描述的相同的处理步骤具有相同的附图标记，并且省略其描述。在下文中，描述本实施例的不同于先前描述的实施例的记录处理的特征。
在本实施例中，在步骤405A，从光盘15检索ADIP信息，并且获得擦除功率Pe与记录功率Pp之间的比例ε、目标伽码值γtarget、乘法系数ρ、以及目标非对称性Atarget。请注意：在光盘15中预先格式化了目标伽码值γtarget作为ADIP信息的一部分。
在步骤417A，通过再现信号处理电路28，再现其上记录测试数据的测试写入区域，以获取伽码值信息。
接着，在步骤419A，基于伽码值信息，确定记录功率Pp与伽码值γ之间的对应关系，该关系的例子在图11中显示。
接着，在步骤421A，基于图11所示的记录功率Pp与伽码值γ之间的对应关系，获得对应于目标伽码值γtarget的目标记录功率值Ptarget。
另外，请注意：在根据上述实施例的记录处理中，利用非对称性获得擦除功率Pe的最优值。但是，本发明不限于此类实施例，例如，在另一实施例中，可以利用从受光PD的输出信号获得的和信号的幅度，获得擦除功率Pe的最优值，如图12与图13的流程图所示。请注意：在图12与图13的记录处理中，与关于先前描述的实施例描述的相同的处理步骤具有相同的附图标记，并且省略其描述。在下文中，描述本实施例的不同于先前描述的实施例的记录处理的特征。
在本实施例中，在步骤405B，从光盘15检索ADIP信息，并且获得擦除功率Pe与记录功率Pp之间的比例ε、目标调制电平Mtarget、乘法系数ρ、以及诸如σ和β等系数。请注意：在光盘15中预先格式化了系数σ和β作为ADIP信息的一部分。
在步骤451，将记录功率最优值设置为记录功率Pp，并且通知激光控制电路24所设置的记录功率Pp。
接着，在步骤453，发出命令信号，以指示在访问记录层处预先安排的测试写入区域上记录测试数据。通过这种方式，可以用最优记录功率Ppo记录测试数据。
接着，在步骤455，确定ε的初始值。
接着，在步骤457，计算ε×Ppo，并且通知激光控制电路24所计算的值，作为擦除功率Pe。
接着，在步骤459，发出命令信号，以指示擦除其上记录了测试数据的测试写入区域的一部分。在该步骤中，利用擦除功率Pe，进行所谓的DC擦除。
接着，在步骤461，确定擦除操作是否完成。如果擦除操作未完成，则进行否定确定，并且该处理移动到步骤463。
在步骤463，将预定的变量Δε加到值ε上，并且该处理返回到步骤457。
请注意：重复步骤457、459、461、以及463，直至在步骤461获得肯定确定。
当完成了利用相互不同的ε的多个预定值的擦除操作时，在步骤461获得肯定确定，并且该处理移动到步骤465。
在步骤465，再现其上进行了擦除操作的测试写入区域，并且获取和信号的幅度信息。
接着，在步骤467，确定和信号的幅度Wdc与擦除功率之间的对应关系。
接着，在步骤469，通过再现信号处理电路28，获得来自未记录区域的和信号的幅度Wo。
接着，在步骤471，基于和信号的幅度Wdc与擦除功率之间的对应关系，获得对应于α×Wo的擦除功率Pedc。
接着，在步骤473，计算β×Pedc，并且将计算结果设置为擦除功率最优值Peo。然后，该处理移动到步骤501。
请注意：可以基于光盘的类型或者测试数据擦除操作结果，在光盘装置20一侧设置系数α与β。
(示范性应用)
在下文中将描述本发明的示范性应用；但是，请注意本发明不限于这些例子。在以下描述中，假定使用所谓的1T策略(参见图14)，并且记录线性速度为9.2m/s，再现记录线性速度为3.83m/s，并且再现功率为1.4mW。另外，假定使用Balzers的DVD sprinter(片料供应溅射装置)为溅射装置。
1、第一应用
在作为第一基底15a的、直径12cm、厚度0.565mm、并且一面在其上按轨道间距0.74μm形成有连续摆动槽的聚碳酸酯树脂层上，通过磁控管喷射，按照以下顺序在Ar气体中沉积：作为第一下保护层b1的、厚度60nm的ZnS(80％摩尔比)-SiO2(20％摩尔比)，作为第一记录层b2的、厚度8nm的Ag0.5In4.5Sb69Te24Ge2，作为第一上保护层b3的、厚度7.5nm的SnO2(90％摩尔比)-Ta2O5(10％摩尔比)，作为第一反射层b4的、厚度10nm的Cu(98.9％重量比)-Mo(1.1％重量比)，以及作为散热层b5的、厚度60nm的In2O3(90％摩尔比)-ZnO(10％摩尔比)。
在作为第二基底的、直径12cm、厚度0.6mm、并且一面在其上按轨道间距0.74μm形成有连续摆动槽的聚碳酸酯树脂层上，通过磁控管喷射，按照以下顺序在Ar气体中沉积：作为第二反射层的、厚度140nm的Ag，作为第二上保护层d3、厚度15nm的SnO2(90％摩尔比)-Ta2O5(10％摩尔比)，作为第二记录层d2的、厚度15nm的Ag0.5In4.5Sb69Te24Ge2，以及作为第二下保护层d1、厚度140nm的ZnS(80％摩尔比)-SiO2(20％摩尔比)。
将UV固化树脂(例如Nippon Kayaku有限公司的KAYARAD DVD-576M)涂到散热层b5的表面，并且将第二下保护层d1黏合到散热层b5。然后从第一基底15a一侧照射紫外线以固化UV固化树脂，并且将UV固化树脂层安排到中间层15c中。通过这种方式，制造双层相变型光盘。在本例子中，安排中间层15c的厚度为55μm。
然后，使用用来进行初始化处理的专用装置，从第一基底15a一侧照射激光束，并且按照以下顺序在第二记录层d2与第一记录层b2上执行初始化处理。在本例子中，初始化处理涉及利用NA＝0.55的物镜，将从半导体激光器(振动波长：810±10nm)照射的激光束会聚到相应记录层上。设置第二记录层d2的初始化条件，使得在CLV(恒定线性速度)模式下旋转光盘，具有3m/s的线性速度、36μm/转的馈送量、在23-58mm的径向位置(与旋转中心的距离)上、以及1050mW的初始化功率。设置第一记录层b2的初始化条件，使得在CLV(恒定线性速度)模式下旋转光盘，具有3m/s的线性速度、50μm/转的馈送量、在23-58mm的径向位置上、以及700mW的初始化功率。请注意：在其上进行了初始化处理之后，第一信息层的透光性为37.4％。
在本例子中，当Ttop＝Tmp＝0.188T、dTop＝0.6T、dTera＝0.3T、并且使用1T策略来在第一信息层15b上进行测试写入时，获得如图15所示的调制电平与记录功率Pp之间的对应关系。当目标调制电平与乘法系数被确定为Mtarget＝0.47以及ρ＝1.36时，则Ptarget＝22mW，Ppo＝29.2mW。当将记录功率固定为以上记录功率最优值Ppo、并且分配ε来测量非对称性时，获得图16所示的数据。当目标非对称性被确定为Atarget＝0.05时，可以在相应的擦除功率值上，获得适当的抖动值7.6％。请注意：抖动表示当利用切片电平(slice level)将标记与空白的反射率二进制化为二进制信号时、相对于时钟的二进制信号的边界的时间变化。
2、第二应用
使用第一例子中描述的双层相变型光盘，并且以与第一例子中的描述类似的方式在第一信息层15b上进行测试写入。通过这种方式，获得如图15所示的伽码值与记录功率Pp之间的对应关系。当目标伽码值与乘法系数被确定为γtarget＝1.9以及ρ＝1.36时，Ptarget＝22mW，Ppo＝29.2mW，并且如第一例子一样获得适当的抖动值7.6％。
3、第三应用
在本例子中，安排第一下保护层b1的厚度为75nm，安排第一记录层b2的厚度为7.5nm，安排第一上保护层b3的厚度为3nm，安排第一反射层b4的厚度为7nm。请注意：本实施例中使用的双层相变型光盘的其他结构特征与先前描述的例子中使用的光盘的相同。请注意：在其上进行了初始化处理之后，第一信息层15b的透光性为43.7％。
在本例子中，当Ttop＝Tmp＝0.2T、dTop＝0T、dTera＝0.3T、并且使用1T策略来在第一信息层15b上进行测试写入时，获得如图17所示的调制电平与记录功率Pp之间的对应关系。当目标调制电平与乘法系数被确定为Mtarget＝0.46以及ρ＝1.29时，则Ptarget＝24mW，Ppo＝31.0mW。当将记录功率固定为以上记录功率最优值Ppo、并且分配ε来测量非对称性时，获得图18所示的数据。当目标非对称性被确定为Atarget＝-0.07时，可以在相应的擦除功率值上，获得适当的抖动值8.1％。
4、第四应用
在本例子中，使用与第三例子中使用的相同的双层相变型光盘，并且以与第三例子中的描述类似的方式在第一信息层15b上进行测试写入。通过这种方式，获得如图17所示的伽码值与记录功率Pp之间的对应关系。当目标伽码值与乘法系数被确定为γtarget＝1.7以及ρ＝1.29时，则Ptarget＝24mW，Ppo＝31.0mW，并且获得适当的抖动值7.6％。
5、第五应用
在本例子中，安排第一下保护层b1的厚度为75nm，安排第一记录层b2的厚度为7.5nm，安排第一上保护层b3的厚度为5nm，安排第一反射层b4的厚度为7nm。请注意：本实施例中使用的双层相变型光盘的其他结构特征与第一例子中使用的光盘的相同。请注意：在其上进行了初始化处理之后，第一信息层15b的透光性为43.4％。
在本例子中，当Ttop＝Tmp＝0.2T、dTop＝0T、dTera＝0.3T、并且使用1T策略来在第一信息层15b上进行测试写入时，获得如图19所示的调制电平与记录功率Pp之间的对应关系。当目标调制电平与乘法系数被确定为Mtarget＝0.48以及ρ＝1.26时，则Ptarget＝23mW，Ppo＝29.0mW。当将记录功率固定为以上记录功率最优值Ppo、并且分配ε来测量非对称性时，获得图20所示的数据。当目标非对称性被确定为Atarget＝-0.05时，可以在相应的擦除功率值上，获得适当的抖动值8.6％。
6、第六应用
在本例子中，使用与第五例子中使用的相同的双层相变型光盘，并且以与第五例子类似的方式在第一信息层15b上进行测试写入。通过这种方式，获得如图19所示的伽码值与记录功率Pp之间的对应关系。当目标伽码值与乘法系数被确定为γtarget＝1.7以及ρ＝1.26时，则Ptarget＝23mW，Ppo＝29.0mW，并且获得适当的抖动值8.6％。
7、第七应用
在本例子中，在作为第一基底15a的、直径12cm、厚度0.6mm、并且一面在其上按轨道间距0.74μm形成有连续摆动槽的聚碳酸酯树脂层上，通过磁控管喷射，按照以下顺序在Ar气体中沉积：作为第一下保护层b1的、厚度60nm的ZnS(80％摩尔比)-SiO2(20％摩尔比)，作为第一记录层b2的、厚度8nm的Ag2In4Sb69Te23Ge2，作为第一上保护层b3的、厚度5nm的In2O3，作为第一反射层b4的、厚度8nm的Cu95Ag5，以及作为散热层b5的、厚度60nm的In2O3(90％摩尔比)-ZnO(10％摩尔比)。
在作为第二基底15e的、直径12cm、厚度0.6mm、并且一面在其上按轨道间距0.74μm形成有连续摆动槽的聚碳酸酯树脂层上，通过磁控管喷射，按照以下顺序在Ar气体中沉积：作为第二反射层d4的、厚度120nm的Ag，作为界面层的、厚度4nm的TiOC，作为第二上保护层d3、厚度15nm的SnO2(90％摩尔比)-Ta2O5(10％摩尔比)，作为第二记录层d2的、厚度17nm的Ag2In4Sb69Te23Ge2，以及作为第二下保护层d1、厚度140nm的ZnS(80％摩尔比)-SiO2(20％摩尔比)。请注意：以与第一例子类似的方式进行黏合与初始化处理。
在本例子中，当Ttop＝Tmp＝0.22T、dTop＝0T、dTera＝0.3T、并且使用1T策略来在第一信息层15b上进行测试写入时，Ppo＝28mW。依次地，通过将记录功率设置为Ppo(＝28mW)来进行测试写入，在测试写入区域上进行DC擦除、同时在所确定的擦除功率Pe的±10％的预定范围内改变由ε＝0.196确定的擦除功率Pe。然后，测量从自测试写入区域反射的光获得的、来自受光PD的输出信号的和信号的幅度Wdc。通过这种方式，可以获得图21与图22所示的数据。请注意：对应于写入区域的未记录部分的和信号的幅度Wo为8mV。在本例子中，设在信号幅度Wdc等于2×Wo(α＝2)的情况下对于ε(＝0.186)的对应的擦除功率表示为Pedc(＝5.22mW)，则将通过将擦除功率Pedc乘以1.1(β＝1.1)而获得的值设置为最优擦除功率Peo(＝5.7mW(ε＝0.204))。当在这些条件下在多个轨道上重复进行十次记录操作时，可以获得适当的抖动值8％，如图23与24所示。
图25显示在称为条件A的Pe恒定(即Pe＝5.7)的情况下、以及在称为条件B的Pe等于Pp×ε(即ε＝0.0)的情况下的相应的记录功率裕量。从图中可以看出，在条件A与B两者下，当记录功率偏离记录功率最优值Ppo(＝28mW)时，抖动加剧。
8、第八应用
在本例子中，使用与第一例子中使用的相同的双层相变型光盘。当Ttop＝Tmp＝0.188T、dTop＝0.6T、dTera＝0.3T、并且使用1T策略来在第一信息层15b上进行测试写入时，Ppo＝29.2mW。依次地，通过将记录功率设置为Ppo(＝29.2mW)来进行测试写入，在测试写入区域上进行DC擦除、同时在所确定的擦除功率Pe的±10％的预定范围内改变由ε＝0.226确定的擦除功率Pe。然后，测量幅度Wdc，以获得图26所示的数据。请注意：对应于写入区域的未记录部分的和信号的幅度Wo为8mV。在本例子中，设在信号幅度Wdc等于2×Wo(α＝2)的情况下对于ε(＝0.212)的对应的擦除功率表示为Pedc(＝5.22mW)，则将通过将擦除功率Pedc乘以1.1(β＝1.1)而获得的值设置为最优擦除功率Peo(＝5.7mW(ε＝0.204))。当在这些条件下在多个轨道上重复进行十次记录操作时，可以获得适当的抖动值7.8％，如图27所示。
9、第九应用
在本例子中使用以下双层相变型光盘，其中第一记录层b2由Ag0.2In3.5Sb69.8Te22Ge4.5构成，厚度为7.5nm，第一上保护层厚度为3nm，第一反射层b4的厚度为7.5nm。请注意：本实施例中使用的双层相变型光盘的其他结构特征与第一例子中使用的光盘的相同。在Ttop＝Tmp＝0.188T、dTop＝0.375T、dTlast＝-0.438T、dTera＝0.375T的条件下，并且使用1T策略来在第一信息层15b上进行测试写入。请注意：dTlast值前面的负号“-”表示相对于标准时钟在时间上延迟信号(参见图35)。
利用最优记录功率Ppo(＝38mW)，在测试写入区域(PCA)内的三个轨道上执行记录操作一次，此后利用基于预先在盘的预定区域上格式化(记录)的值ε(＝0.182)计算的擦除功率Pe，在已记录区域上进行擦除操作。然后，可以在轨道执行记录(例如)一次、十次、或者一百次，同时依次改变擦除功率Pe，以在记录操作中测量结果的非对称性。图36为显示在记录操作中通过在测试区域上分别进行记录一次、十次、以及一百次所获得的测试结果的图示。从图36中可以看出，依赖于记录操作中在测试区域上进行记录的次数，确立了非对称性的差异。图37为指示对于非对称性基本等于0(零)的情况、通过利用对应的ε值、在不同于测试区域的区域上进行记录操作而产生的相应抖动的图示。从图37中可以看出，当Ppo＝38mW、并且ε＝0.172与0.182(Peo＝6.5mW与6.9mW)时，可以获得希望的抖动值，而无关于为了获得适当的ε值而在记录操作中在测试区域上进行的记录的次数。
在上述示范性应用中，可以获得希望的抖动值，并且可以在光盘上稳定地进行高品质记录。
图28为显示当利用1T策略连续在第一信息层15b上进行记录十次时、对于情况A与B的相应记录功率裕量的图示，其中情况A对应于Pe恒定(＝6mW)的情况，情况B对应于Pe等于Pp×ε(ε＝0.214)的情况。图29为显示情况A与B中获得的相应非对称性的图示。从这些图中可以看出，当记录功率Pp偏离最优记录功率Ppo(＝28mW)时，情况B与情况A相比，抖动恶化的程度更大。另外，当记录功率Pp大于最优记录功率Ppo(＝28mW)时，情况B与情况A相比，非对称性恶化的程度更大。
图30为显示当利用2T策略连续在第一信息层15b上进行记录十次时、对于情况A与B的相应记录功率裕量的图示，其中情况A对应于Pe恒定(＝6mW)的情况，情况B对应于Pe等于Pp×ε(ε＝0.214)的情况。图31为显示情况A与B中获得的相应非对称性的图示。从这些图中可以看出，与上述使用1T策略的例子一样，当记录功率Pp偏离最优记录功率Ppo(＝28mW)时，情况B与情况A相比，非对称性与抖动恶化的程度更大。
如上所述，无关于使用1T还是2T策略，与在Pe等于Pp×ε的条件下进行记录的情况相比，在利用恒定擦除功率Pe进行记录的情况下，可以确保更宽的记录功率裕量，并且可以获得希望的记录品质。换言之，例如当确定了固定最优擦除功率Pe时，即使在最优记录功率Ppo有轻微偏离的情况下，也可以进行稳定的信息记录(参见图28与图30)。
图32为显示记录功率Pp、擦除功率Pe、以及抖动之间对应关系的图示。如图所示，其上Pe等于Pp×ε的点与其上实现最小抖动的点不对应。图33为显示记录功率Pp、擦除功率Pe、以及调制电平之间对应关系的图示。图34为显示记录功率Pp、擦除功率Pe、以及非对称性之间对应关系的图示。
从以上描述可以看出，在根据本发明一种实施例的光盘装置20中，CPU 40以及由CPU 40执行的程序实现了根据本发明一种实施例的最优功率获取单元。但是，例如，在其他实施例中，由CPU 40执行的程序所实现的处理的至少一部分可以由硬件实现，或者全部处理都可以由硬件实现。
另外，在上述实施例中，编码器25、激光控制电路24、以及光盘拾取设备23实现了根据本发明一种实施例的记录单元。
另外，在上述实施例中，闪存39实现了根据本发明一种实施例的计算机可读介质，其存储例如包括用来执行图5与图6、图9与图10、或者图12与图13所示的处理步骤的程序(功率确定程序)的各种程序。请注意：根据本发明一种实施例，此类程序可以被实现为计算机程序产品。
另外，上述的记录处理步骤可以实现根据本发明实施例的功率确定方法以及记录方法。
根据一种实施例，在上述光盘装置20中，首先通过以使记录功率以及擦除功率之间的比例ε等于预定值的方式改变记录功率以及擦除功率、同时记录测试数据，在光盘15上进行测试写入。然后，根据测试写入结果，获得对应于目标调制电平Mtarget(预定调制电平)或目标伽码值γtarget(预定伽码值)的记录功率，此后，将所获得的记录功率乘以乘法系数ρ(预定系数)，以获得最优记录功率Ppo。
然后，将最优记录功率Ppo设置为所使用的记录功率，并且通过改变擦除功率Pe、同时记录测试数据来进行测试写入。然后，根据测试写入结果，获得对应于目标非对称性(预定对称性)的擦除功率Peo，并且将所获得的擦除功率Peo设置为最优擦除功率。
可替换地，在利用最优记录功率Ppo在光盘15的测试写入区域上记录了测试数据之后，利用不同的擦除功率从测试写入区域擦除所记录的测试数据。然后，根据从测试写入区域获得的和信号幅度Wdc，获得对应于α×(从未记录区域获得的和信号幅度Wo)的擦除功率Pedc，并且将β×Pedc设置为最优擦除功率Peo。
然后，使用所获得的最优记录功率Ppo与最优擦除功率Peo，在光盘15上记录用户数据。通过这种方式，可以在具有多个可重写记录层的光盘上稳定地进行高品质记录。请注意：通过利用本发明，可以获得有益的效果，尤其在以下情况下：访问记录层对应于位置更靠近从光源单元51发出的激光束的入射平面的第一记录层b2。
请注意：在以上描述中，使用双层相变型光记录介质作为从一侧在其上照射光的单面多层光盘。例如，可以通过堆积两个信息层(每个都至少包含记录层与金属反射层)、并且利用UV固化树脂来将这两个信息层结合在一起，来制造双层相变型光记录介质。用来实现信息层之间的结合的结合部分可以对应于在光学上隔离这两个信息层的隔离层(在以上描述中被称为“中间层”)。优选地，安排在相对于光盘的光照射面的靠近侧的信息层(例如第一信息层)，使其由适当的材料构成，具有适当的厚度，以使足够的光(用于记录/再现信息的激光束)能够穿透其中，以达到位于相对于光照射面的远离侧的信息层(例如第二信息层)。
请注意：在双层相变光记录材料中，除非所照射激光束的充分部分可以穿透靠近侧的信息层(第一信息层)，否则不能在远离侧的信息层(第二信息层)的记录层上/或者从其充分地记录/再现信息。在这方面，在第一信息层中，优选地使用薄的半透明反射层作为反射层，并且优选地在其上安排具有高导热性的透明材料。在另一方面，第二信息层不必具有高透光性，因此，例如，与在常规单层光记录介质中一样，可以使用相对较厚的金属反射层作为第二信息层的反射层。
请注意：通过在相变型记录介质上照射激光束、迅速冷却记录材料、并且将记录材料的相态从结晶状态改变为非结晶状态以建立标记，在相变型光记录介质的记录层上实现记录操作。通过在记录材料上照射连续光、并且缓慢地冷却记录材料以实现结晶状态，实现擦除操作。
在双层相变型光记录介质中，安排第二信息层以包括具有高导热性的金属层，例如Ag层，从而可以实现具有良好散热特性的层，并且可以精确地进行非结晶标记的形成/擦除。优选地，双层相变型光记录介质的第一信息层包括相对较薄的半透明金属层(例如近似10nm)，以实现良好的透光性。另外，优选地，第一信息层包括安排在半透明金属层上的透明散热层，以提高散热特性。通过这种方式，可以促进记录与擦除。但是，第一信息层的散热特性仍然劣于具有厚度足够的金属反射层的第二信息层的散热特性。具体地，废热不能被容易地散失，从而不能顺利地进行记录或者擦除(例如参见图38)。
图38为显示在对可重写光记录介质使用多脉冲记录方法的情况下的、靠近侧信息层以及远离侧信息层处的抖动的图示，其中通过发光功率的强度调制、由在记录功率Pp与偏置功率Pb之间交替的多脉冲来形成标记，通过照射具有擦除功率Pe的连续光来擦除标记(形成空白)，并且安排记录功率Pp与擦除功率Pe之间的比例(Pe/Pp＝ε)为恒定。在本例子中，假定在靠近侧信息层(第一信息层)处、ε＝0.18，而在远离侧信息层处(第二信息层)处、ε＝0.409。
从图38的例子可以看出，在第一信息层与第二信息层之间，由于其层结构的差异，具体为其金属层厚度的差异，其上可以获得良好抖动特性的功率范围(功率裕量)不同。具体地，在图38中，与第一信息层相比，在第二信息层中可以获得较宽的功率裕量。在这种情况下，在第二信息层中，一旦确定了最优记录功率Ppo，则可以通过公式Peo＝ε×Ppo，同时确定最优擦除功率Peo。但是，对于具有较窄功率裕量的第一信息层，不能通过仅确定最优记录功率Ppo，来达到良好的记录特性。相应地，在本发明的的实施例中，改变比例ε以获得最优擦除功率Peo。
请注意：根据本发明实施例的光盘15在其中预先格式化了用来获得最优记录功率与最优擦除功率的设置信息，从而可以迅速精确地获得最优记录功率与最优擦除功率。
另外，请注意：在以上描述中，本实施例的光盘15被描述为DVD型光盘。但是本发明不限于此类实施例，并且同样可以用做其他类型的光盘，例如利用405nm波长的光的下一代光盘。
另外，请注意：在上述本发明的实施例中，光盘15被描述为具有两个记录层(信息层)。但是本发明不限于此类实施例，并且可以在用于本发明的光盘中包含三或更多个记录层(信息层)。在这种情况下，可以获得有益效果，尤其当访问记录层对应于不同于位置最远离从光源单元51发出的激光束的入射平面的记录层时。
另外，请注意：在以上描述中，根据本发明实施例的功率确定程序被存储在闪存39中；但是，此类程序可以被存储在其他类型的存储介质中，例如CD、磁光盘、DVD、存储卡、USB存储器、或者软盘。在这种情况下，可以通过用于对应存储介质的再现装置(或者专用接口)，在闪存39中装载根据本实施例的程序。在另一个例子中，可以通过网络，例如LAN、内部网、或者因特网，将本实施例的程序传送到闪存39。换言之，可以在任何介质中存储或者承载本实施例的程序，以装载在闪存39中。
另外，请注意：在上述实施例中，光拾取设备23包括一个半导体激光器；但是本发明不限于此类实施例，并且例如可以在光拾取设备中包括多个半导体激光器，其发射具有不同波长的光通量。在这种情况下，例如可以在光拾取设备中包括以下中的至少一个：发射波长近似405nm的光通量的半导体激光器，发射波长近似660nm的光通量的半导体激光器，以及发射波长近似780nm的光通量的半导体激光器。换言之，根据本发明一种实施例的光盘装置可以为用于符合不同标准的多种类型的光盘的光盘装置。在这种情况下，光盘装置可以至少用于具有多个可重写记录层的单面多层光盘。
从以上描述可以看出，本发明范围内的实施例包括功率确定方法、记录方法、光盘装置、单面多层光盘、以及功率确定程序。根据本发明实施例的功率确定方法可以适当地用于确定在记录信息于具有多个可重写记录层的光盘上时的适当的发光功率。根据本发明实施例的记录方法与光盘装置可以使之能够在具有多个可重写记录层的光盘上稳定地进行高品质记录。根据本发明实施例的单面多层光盘可以为可以对其应用本实施例的功率确定方法的适当介质。根据本发明实施例的功率确定程序使光盘装置能够在具有多个可重写记录层的光盘上稳定地进行高品质记录。该功率确定程序可以实现在任何计算机可读介质中，用来承载或者在其中存储计算机可执行指令或者数据结构。该功率确定程序也可以实现在包括此类计算机可读介质的计算机程序产品中。计算机可读介质可以为可以由通用或者专用计算机访问的任何可用的介质。作为例子而非限定地，此类计算机可读介质可以包括物理存储介质，例如RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM、其他光盘存储设备、或者其他磁存储设备，或者可以用来以计算机可执行指令或者数据结构的形式承载或者存储所希望的程序代码部件的、并且可以由通用或者专用计算机访问的任何其他介质。例如此类介质可以包括无线载波信号。当通过网络或者其他通信连接(或者硬连线、无线或者其组合)将信息传送或者提供给计算机时，计算机适当地将这些连接视为计算机可读介质。由此，任何此类连接都被适当地称为计算可读介质。以上的组合情况也应被包含在计算可读介质的范围内。计算机可执行指令包括(例如)使通用计算机、专用计算机、或者处理设备执行特定功能或者功能组的指令与数据。
虽然参照优选实施例显示与描述了本发明，但是对于本领域技术人员来说，在阅读与理解了本说明书后，显然可以想到各种等价物与修改。本发明包含所有此类的等价物与修改，并且仅由权利要求书限定。
本发明基于2005年9月30日提交的日本专利申请第2005-285715号、2005年11月24日提交的日本专利申请第2005-338801号、以及2005年12月9日提交的日本专利申请第2005-364190号，并且要求其优先权，其全部内容通过引用融入本文。

Claims (8)

1.一种用来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息时确定光源的发光功率的功率确定方法，该方法包含以下步骤：
通过在光盘上记录测试数据，获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，其中
在记录层中不同于最远离记录层的至少一个记录层上记录测试数据，其中，所述最远离记录层位置最远离入射平面，所述入射平面上入射来自光源的光。
2.如权利要求1所述的功率确定方法，其中：
所述获得最优擦除功率的步骤包括：在利用最优记录功率在光盘上记录测试数据之后，利用不同的擦除功率，擦除测试数据；以及根据自光盘的从其擦除测试数据的区域获得的信号的幅度，获得最优擦除功率。
3.如权利要求2所述的功率确定方法，其中：
最优擦除功率等于当所述自从其擦除测试数据的区域获得的信号的幅度确立与自光盘的未记录区域获得的信号的幅度的预定比例时使用的擦除功率。
4.如权利要求1所述的功率确定方法，其中：
所述获得最优擦除功率的步骤包括：利用最优记录功率记录测试数据、同时改变所使用的擦除功率；基于记录测试数据的结果，获得对应于预定非对称性的擦除功率；以及设置所获得的擦除功率为最优擦除功率。
5.如权利要求1所述的功率确定方法，进一步包含要在所述获得最优擦除功率的步骤之前执行的步骤，包括：
在光盘上进行测试写入、同时以使得所使用的记录功率与擦除功率之间的比例等于预定值的方式改变所使用的记录功率与擦除功率；
基于测试写入的结果，获得对应于预定调制电平的记录功率；以及
通过将所获得的记录功率乘以预定系数，获得最优记录功率。
6.如权利要求1所述的功率确定方法，进一步包含要在所述获得最优擦除功率的步骤之前执行的步骤，包括：
在光盘上进行测试写入、同时以使得所使用的记录功率与擦除功率之间的比例等于预定值的方式改变所使用的记录功率与擦除功率；
基于测试写入的结果，获得对应于预定伽码值的记录功率；以及
通过将所获得的记录功率乘以预定系数，获得最优记录功率。
7.一种用来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息的记录方法，该记录方法包含以下步骤：
利用通过功率确定方法获得的最优擦除功率，在光盘上记录信息，该功率确定方法包含以下步骤：通过在光盘上记录测试数据，获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，其中
在记录层中不同于最远离记录层的至少一个记录层上记录测试数据，其中，所述最远离记录层位置最远离入射平面，所述入射平面上入射来自光源的光。
8.一种光盘装置，被配置来在具有多个可重写记录层的光盘上记录信息，该装置包括：
最优功率获得单元，被配置来在光盘上记录测试数据，并且获得相对于最优记录功率的最优擦除功率，其中在记录层中不同于最远离记录层的至少一个记录层上记录测试数据，其中，所述最远离记录层位置最远离入射平面，所述入射平面上入射来自光源的光；以及
记录单元，被配置来利用最优功率获得单元获得的最优擦除功率，在光盘上记录信息。
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