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CN101040384A - 制造存储栅像素设计的方法 - Google Patents

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CN101040384A CNA2005800352071A CN200580035207A CN101040384A CN 101040384 A CN101040384 A CN 101040384A CN A2005800352071 A CNA2005800352071 A CN A2005800352071A CN 200580035207 A CN200580035207 A CN 200580035207A CN 101040384 A CN101040384 A CN 101040384A
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Abstract

一种制造具有快门栅结构的像素单元的方法。在光电二极管与第一电荷存储区之间以及第一存储区与浮动扩散区之间分别构建第一和第二电荷势垒。形成全局快门栅以控制电荷势垒，并通过有效地降低第一电荷势垒来将电荷从光电二极管转移到第一电荷存储区。转移晶体管执行操作以通过降低第二电荷势垒来将电荷从第一存储区转移到浮动扩散区。

Description

制造存储栅像素设计的方法
技术领域
本发明一般涉及半导体装置领域，更具体地涉及制造包括存储栅的像素的方法。
背景技术
CMOS成像器包括像素单元的焦平面阵列，每个单元包括用于在衬底的掺杂区中产生光生电荷的铺设在衬底上的光传感器，例如光电栅、光电导体或发光二极管。在CMOS成像器中，像素单元的活动部件、例如四晶体管(4T)像素执行如下必要的功能：(1)光子至电荷的转换；(2)将电荷转移到浮动扩散区；(3)在将电荷转移到浮动扩散区之前将浮动扩散区复位到已知状态；(4)选择像素单元以用于读出；以及(5)基于光子转换的电荷来输出和放大表示复位电压和像素信号电压的信号。由源极跟随器输出晶体管将位于浮动扩散区处的电荷转换成像素或复位输出电压。
示范CMOS成像电路、其处理步骤和成像电路的多种CMOS部件的功能的详细描述在如下专利中有描述，例如美国专利号6140630、美国专利号6376868、美国专利号6310366、美国专利号6326652、美国专利号6204524和美国专利号6333205，它们全部转让给Micron Technology有限公司。前述专利的每个公开通过引用全部结合于本文。
图1A和图1B中图示了常规CMOS四晶体管(4T)像素单元10的示意图。图1A是单元10的俯视图；图1B是图1A中单元10沿直线A-A’的截面图。图示的单元10包括铰接(pinned)光电二极管13作为光电传感器。或者，CMOS单元10可以包括光电栅、光电导体或其他光子至电荷转换装置来取代铰接光电二极管13作为光生电荷的初始累积区域。光电二极管13包括在p型半导体衬底层2中形成的p+表面累积层5和下面的n-累积区14。
图1的像素单元10具有用于将n-累积区域14中生成的光电荷转移到浮动扩散区域3(即存储区域)的转移栅7。浮动扩散区域3还连接到源极跟随器输出晶体管的栅27。源极跟随器输出晶体管将输出信号提供到具有栅37的行选择访问晶体管，栅37用于选择性地选通至端子(未示出)的输出信号。在每个电荷从光电二极管13的n-区域14转移之前，具有栅17的复位晶体管将浮动扩散区域3复位到指定的电荷级。
图示的铰接光电二极管13在p型衬底2上形成。例如还有可能在n型外延层中具有p型衬底基极。光电二极管13的n-累积区13和p+累积区5被分隔在绝缘区9和电荷转移栅7之间。图示的常规铰接光电二极管13具有p+/n-/p-结构。
包括CMOS成像器像素10的成像器像素通常具有低信噪比以及窄动态范围，因为它们无法充分地收集、转移和存储光电传感器的光敏区域所收集的电荷。此外，这些像素还承受kTC噪声的影响，这种噪声是像素复位期间生成的一种热相关噪声。kTC噪声涉及扩散区域或存储电容器复位期间电压的随机变化。
因为像素电信号的大小非常小，所以像素的信噪比和动态范围应该尽可能高。此外，客户需求越来越倾向于要求更高动态范围的应用。使用附加的栅来增加像素的功能操作(例如电子快门)，然而会增加像素的大小或降低像素的填充系数。
为解决缩放的像素中的白噪声同时提供电子快门而提出的一个发明是快门栅。当在像素设计中实现快门栅时，还添加存储节点，以便将光电二极管13内累积的电荷通过快门栅转移到存储节点。附加的存储节点能够在电荷转移到浮动扩散节点之前使浮动扩散节点复位和读出，由此能够实现相关的双取样和kTC噪声的降低。像素可以存储的电荷量也增加了，因为选通的存储节点具有比光电二极管节点更大的电荷存储容量。引入快门栅的像素的示例是转让给MicronTechnology有限公司的美国申请号10/721191，它通过引用结合于本文。
此外，在常规像素单元中，当电荷从光转换装置转移到读出电路时，在光生电荷的路径中可能存在势垒。这种势垒可能阻止一部分光生电荷达到读出电路，由此降低像素单元的电荷转移效率，同时也降低最终图像的质量。因此，所需要的是一种相对简单的方法，用于利用具有电荷丢失低的良好电荷转移特征的电子快门制造像素单元。
发明内容
本发明的示范实施例提供一种制造具有全局快门栅结构的像素单元的方法，其中在光电传感器与第一电荷存储区之间提供第一选通电荷势垒，在第一电荷存储区与浮动扩散区之间提供选通第二电荷势垒。全局快门栅控制第一电荷势垒，而转移栅控制第二电荷势垒。
根据本发明的一个修改的示范实施例，还在像素传感器单元上形成电容性结构以便提供整体增加的电荷存储容量。
附图说明
参考附图通过下文对提供的示范实施例的详细描述，将使本发明的前述和其他优点及特征更为显而易见。
图1A是常规像素传感器单元的俯视图；
图1B是图1A中常规像素传感器单元沿直线A-A’的截面图；
图2A是根据本发明构造的示范像素传感器单元的俯视图；
图2B是图2A中示范像素传感器单元沿直线B-B’的截面图；
图3A是根据第一示范实施例的初始制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图3B是根据第二示范实施例的初始制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图4是图3A和3B中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图5是图4中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图6是图5中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图7是图6中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图8是图7中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图9是图8中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图10是图9中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图11是图10中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图12是图11中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图13是图12中所示的制造阶段之后的制造阶段截取的图2A中示范像素传感器单元的截面图；
图14图示包括根据本发明构造的示范像素传感器单元的成像装置的框图；以及
图15示出包括根据本发明构造的至少一个成像器装置的处理器系统。
具体实施方式
在下文的详细描述中，参考了构成其一部分的附图，以及其中通过说明的方式示出可以实施本发明的特定实施例。这些实施例给予充分详细的描述，以使本领域技术人员能够实施本发明，并且要理解可以利用其他实施例，以及在不背离本发明精神和范围的前提下可以进行结构、逻辑和电气方面的更改。
术语“衬底”应理解为基于半导体的材料，包括硅、绝缘体上覆硅(SOI)或蓝宝石上覆硅(SOS)技术、掺杂和非掺杂半导体、基极半导体基础支持的硅的外延层以及其他半导体结构。而且，当下文描述中涉及到“衬底”时，可能利用了先前的过程步骤来形成基极半导体结构或基础中的区域或结。此外，半导体无需是硅基的，但是可以基于硅-锗、锗或砷化镓。
术语“像素”涉及包含用于将光辐射转换成电信号的光电传感器和晶体管的图片元素单元。为了说明的目的，附图和本文的描述中图示了代表性的像素，通常成像器中所有像素的制造将以相似的方式同时进行。
虽然在本文中本发明是参考一个像素单元的体系结构和制造来描述的，但是应该理解到这是成像器装置的阵列(例如(图14)成像器装置308的阵列240)中多个像素单元的代表。现在参考附图，其中相似附图标记表示相似部件，图2A和图2B分别示出示范像素单元100的俯视图和截面图。像素单元100具有构建电荷势垒的掺杂区，该电荷势垒既用于阻止电荷从光电传感器(例如光电二极管124)经快门晶体管110到存储区域114，又用于将电荷有效地从光电传感器(例如光电二极管124)经快门晶体管110转移到存储区域114，并从此处经转移晶体管130到浮动扩散区134，并从此处经转移晶体管130到浮动扩散区134，其将像素信号提供到源极跟随器晶体管137的栅以用于输出。
像素单元100在p型衬底101中形成。像素单元100在衬底101中具有三个大的p阱，如图2B所示。两个掺杂区104、124形成光电二极管结构。表面掺杂区124作为说明是掺杂的p型。位于第一掺杂区124下方的第二掺杂区104作为说明是n型。第二掺杂区是电荷累积区104。这两个掺杂区104、124在衬底101中构成p/n/p光电二极管。位于累积区104任何一侧的是p型掺杂区150、151。掺杂区151在例如累积区104和第一电荷存储区114之间构建受控电荷势垒并缓解这些区之间的泄漏。掺杂区150在绝缘区109边缘处缓解泄漏。
电荷存储区114在衬底101中、在p阱161的至少部分内部形成。部分位于第一电荷存储区114上方的是电荷存储栅110。在操作中，电荷存储栅110通过降低两个区104、114之间的电荷势垒来将电荷从光电二极管的累积区104转移到电荷存储区114。应该理解到当将像素单元100并入像素阵列240中(图14)时，必须通过导线将快门存储栅110的每一个电气连接在一起，以便同时打开和关闭每个存储栅110以执行全局快门。
接下来，在电荷存储栅110附近形成转移晶体管栅堆叠130。与电荷存储栅110一样，转移晶体管栅堆叠130规定将电荷从电荷存储区114转移到浮动扩散区134。浮动扩散区134是在衬底101中至少部分在p阱162内部形成的轻微掺杂的n型区。附加p型掺杂区152位于电荷存储区114和浮动扩散区134之间。此p型掺杂区152提供这两个区114、134之间的电荷流的受控电荷势垒。
如图2B所示，将浮动扩散区134电气连接到源极跟随器晶体管137的栅以用于读出操作。复位晶体管127还连接到浮动扩散区134，并且用于将扩散区134的电荷复位。像素单元100还具有行选择晶体管147，它将源极跟随器晶体管137的输出连接到像素阵列的相关联的列线路125。
像素单元100还具有位于单元100的任何一侧上的浅槽绝缘区109。每个绝缘区109位于p阱内。在绝缘区109上方形成的是电容器结构119，它用于进一步增加单元100的电荷容量。应该理解的是电容性结构119还可以在像素单元100上其他位置处形成，包括电气连接到电荷存储区114或浮动扩散区134的任何一个的位置。
在像素单元100作为成像器装置308的一部分(图14)的操作中，像素单元100中的存储节点114使浮动扩散区134能够被复位，并在通过存储区114之后光电二极管累积区104处始发的光生电荷向浮动扩散区134进行电荷转移之前被读出。这还允许对像素单元100双重取样，并减少kTC噪声。像素100可以存储的电荷的总量增加了，因为选通存储节点114具有比浮动扩散节点134更大的电荷存储容量。
此外，还提高了像素单元100的电荷转移效率，因为存储栅110和转移栅130有效地控制电荷累积区104、电荷存储区域114和浮动扩散区134之间的电荷势垒，以确保将光电二极管累积区104中生成的电荷完全转移，然后将其移动到浮动扩散区134。具体来说，当控制电路250将存储栅110开启时，电荷存储区104、114之间的势垒被降低，因为p型区151被有效地反转，由此使累积的电子能够从累积区104流到电荷存储区114。相似地，当转移栅130开启时，电荷存储区114、134之间的势垒被降低，由此允许累积的电子从电荷存储区114流到浮动扩散区134。
现在参考图3A-13，描述根据第一示范实施例制造像素单元100的方法。制造的初始阶段(图3A)过程中，在半导体衬底101中形成绝缘区109。浅槽绝缘是一种用于形成绝缘区109的技术，当然还可以采用本领域中公知的其他技术。在衬底101的顶面上形成牺牲氧化层102。氧化层102帮助保护衬底表面在如下处理期间免受损坏和污染。可以通过将硅衬底101表面氧化以形成一层氧化硅102来形成牺牲氧化层102，该层氧化硅通常具有范围约为50到150埃厚的厚度。
接下来，如图4所示，在牺牲氧化层102上形成一层光阻。根据需要对光阻布图和显影，以形成掺杂物将被植入衬底101的开口。接下来，使用任何适合的n型掺杂物，形成n型掺杂区104(电荷累积区)和114(电荷存储区)。n型掺杂区104、114可以具有每cm3约为1e16到约1e18个基本单位的范围内，优选地在每cm3约为5e16到约5e17个基本单位的范围内的浓度。然后从衬底101表面剥离光阻层和牺牲氧化层。此后，在衬底101上形成栅氧化层102。栅氧化层103可以由任何适合的栅电介质材料形成。
作为制造的前两个阶段的备选，图3B图示根据本发明第二示范实施例制造像素单元100的备选方法。具体而言，参考图3B，通过将衬底101的上表面氧化来形成牺牲氧化层102，但是在形成之后立即移除牺牲氧化层102。在此位置中，在衬底101的表面形成栅氧化层103。栅氧化层103可以由任何适合的栅氧化材料形成，包括但不限于二氧化硅。完成此步骤之后，余下的制造步骤对于每种方法均是完全相同的。因此，应该理解余下的附图图示用于制造最初根据刚刚描述的示范方法制造的像素单元100的余下步骤。
转到图5，在栅氧化层103上沉积多晶硅层105。接下来，如图6所示，覆盖层阈值电压(Vt)调整植入将p型掺杂物沉积到衬底101中。图7图示掩蔽的Vt调整植入，这是通过沉积光阻层并对其布图以形成选择性的掺杂物开口来实现的。可以利用任何适合的p型掺杂物。执行该步骤以便调整后续形成的晶体管的阈值电压并构建电子流出累积区104和流进第一存储区114和浮动扩散区134的受控电荷势垒(图2B)。所形成的p型区150、151、152以虚线图示。这些p型掺杂区150、151、152可以具有每cm3约为1e16到约1e18个基本单位的范围内，优选地在每cm3约为5e16到5e17个基本单位的范围内的p型掺杂物浓度。
接下来，如图8所示，在衬底上沉积多个层。在多晶硅层105上形成绝缘层107。然后在绝缘层107上沉积第二多晶硅层108。在所有的层103、105、107、108上形成基于原硅酸四乙酯(TEOS)的氧化层以形成TEOS基氧化罩(oxide cap)。如图9所示，接下来采用适合的光阻，并选择性地移除大多数绝缘层107、第二多晶硅层108和TEOS罩层。在绝缘区109上方的区域中，保留层103、105、107、109、TEOS的每一个，由此形成电容性结构119。在像素单元100的余下部分之上，仅保留栅氧化103和第一多晶硅层105。
然后，蚀刻栅氧化103和多晶硅105层以形成如图10所示的栅堆叠。接下来，沉积另一个光阻层并对其布图，以形成用于掺杂物植入的开口。然后将适合的p型掺杂物植入到衬底101以形成p阱160、161、162。这些p阱可以具有每cm3约为5e15到约1e18个基本单位的范围内，优选地在每cm3约为1e16到1e17个基本单位的范围内的p型掺杂物浓度。接下来，剥离光阻层，并在衬底101的表面上生长氧化层120(图11)。氧化层120在每个电容性结构119上以及围绕栅堆叠110、130形成绝缘罩和侧壁。
如图12所示，形成光阻层并对其布图，以使之存在于掺杂区104的区域上以外的任何位置。在此区域中，将p型掺杂物植入到衬底101以形成p型表面区124。表面区124的掺杂浓度可以在每cm3约为2e17到约5e19个基本单位的范围内，优选地在每cm3约为5e17到约5e18个基本单位的范围内。然后剥离光阻层，并在单元100上的衬底101上形成另一个光阻层并对其布图，如图13所示。通过光阻上布图的开口植入N型掺杂物，以便在衬底101中构建浮动扩散区134。浮动扩散区134具有每cm3约为1e17到约2e20个基本单位的范围内，优选地在每cm3约为5e17到5e18个基本单位的范围内的n型掺杂物浓度。浮动扩散区134位于p阱162内。
在此阶段，示范像素传感器单元100的形成基本完成。可以根据需要使用附加处理步骤形成绝缘光电装置屏蔽层以及互连金属化层。
图14图示具有像素阵列240的示范CMOS成像器308的框图，该像素阵列240包括按预定数量的列和行安排的多个像素100，其中每个像素单元作为上文描述的图示实施例的其中之一来构造。连接到阵列240的是信号处理电路，如上所述，它的至少一部分可以在衬底中形成。由行选择线路同时将阵列204中的每个行的像素全部开启，由各个列选择线路选择性地输出每个列的像素。提供多个行和列线路以实现整个阵列240。由行驱动器245响应行地址解码器255选择性地激活行线路。由列驱动器260响应列地址解码器270选择性地激活列选择线路。由此，为每个像素提供一个行和列地址。
由定时和控制电路250操作CMOS成像器，该电路控制地址解码器255、270以选择适合的行和列线路来执行像素读出。控制电路250还控制行和列驱动器电路245、260，以便它们将驱动电压施加到被选择的行和列线路的驱动晶体管。由样本和保持电路261读取像素列信号，通常包括像素复位信号(Vrst)和像素图像信号(Vsig)。在复位栅127将浮动扩散区134复位之后立即从像素100读取Vrst。Vsig表示像素单元100的光敏部件响应施加的光生成的电荷的量。由差分放大器262为每个像素生成差分信号(Vrst-Vsig)，并由模数转换器275(ADC)将其数字化。模数转换器275将数字化的像素信号提供到图像处理器280，其形成并输出数字图像。
图15图示一种基于处理器的系统1100，包括具有根据本文描述的方法构造的像素的成像装置308。例如，像素可以是根据上文描述的本发明的示范实施例构造的示范像素单元100。基于处理器的系统1100是具有可以包括图像传感器装置的数字电路的系统的示范。在不作限制的情况下，此类系统可以包括计算机系统、摄像机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监视系统、自动聚焦系统、星跟踪器系统、运动检测系统、图像稳定系统和数据压缩系统。
基于处理器的系统1100，例如摄像机系统一般包括如微处理器的中央处理单元(CPU)1102，它通过总线1104与输入/输出(I/0)装置1106通信。成像装置308还通过总线1104与CPU 1102通信，可以包括具有如上文论述构造的示范像素单元100的CMOS像素阵列。基于处理器的系统1100还包括也通过总线1104与CPU 1102通信的随机存取存储器(RAM)1110，并可以包括例如闪速存储器的可拆卸存储器1115。成像装置308可以与诸如CPU、数字信号处理器或微处理器的处理器组合，可以具有或不具有单个集成电路上的存储器或在与处理器不同的芯片上的存储器。基于处理器的系统1100中的存储器装置的任何一个可以存储采用上文描述的方法的软件。
上文描述和附图仅视为实现本发明特征和优点的示范实施例的说明。在不背离本发明精神和范围的前提下可以对特定过程条件和结构作修改和替代。因此，本发明并不视为局限于上面描述和附图，而是仅由所附权利要求的范围内限定。

Claims (34)

1.一种形成图像传感器像素结构的方法，所述方法包括：
在第二传导性类型的衬底中形成第一传导性类型的第一和第二掺杂区，所述第一和第二掺杂区对应于电荷存储区；
在所述衬底中形成第三和第四掺杂区，以使所述第一掺杂区位于所述第三掺杂区下方以形成光传感器，并且所述第四掺杂区至少部分地位于所述第一和第二掺杂区之间以在所述第一和第二掺杂区之间形成电荷势垒；
在所述第二和所述第四区的至少一部分上方形成栅结构，以使所述栅结构操作性地降低所述电荷势垒并将电荷从所述第一掺杂区选通到所述第二掺杂区。
2.如权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：
与所述第二掺杂区横向布置地形成所述第一传导性类型的第五掺杂区；以及
形成栅结构以用于将电荷从所述第二掺杂区选通到所述第五掺杂区。
3.如权利要求1所述的方法，还包括形成所述第五掺杂区位于其中的所述第二传导性类型的阱。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第四掺杂区在所述第二传导性类型的掺杂阱内形成。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第三掺杂区至少部分地耦合到所述衬底。
6.如权利要求3所述的方法，还包括在所述衬底中形成所述第二传导性类型的第六掺杂区并且位于所述第二和第四掺杂区之间的步骤。
7.如权利要求1所述的方法，其中，通过形成所述第二传导性类型的第七掺杂区和所述第二传导性类型的第八掺杂区来形成所述第三掺杂区。
8.如权利要求1所述的方法，其中，通过形成所述第二传导性类型的第九掺杂区和所述第二传导性类型的第十掺杂区来形成所述第四掺杂区，所述第十掺杂区形成至少部分位于所述第一和第二掺杂区之间的所述第二传导性类型的阱。
9.一种形成成像器像素传感器单元的方法，所述方法包括如下步骤：
在衬底中形成光敏部件，所述光敏部件包括电荷累积区；
形成用于从所述电荷累积区接收电荷的第一电荷存储区；
在所述电荷累积区与所述电荷存储区之间形成第一可控电荷势垒；
至少部分地在所述第一电荷存储区和可控电荷势垒上形成第一栅结构，所述第一栅结构可操作地通过降低所述第一电荷势垒将电荷从所述电荷累积区转移到所述第一电荷存储区；
形成用于从第一电荷存储区接收电荷的第二电荷存储区；
在所述第一电荷存储区与所述第二电荷存储区之间形成第二可控电荷势垒；
形成第二栅结构，所述第二栅结构可操作地通过降低所述第二电荷势垒将电荷从所述第一电荷存储区转移到所述第二电荷存储区；以及
形成电容性结构以用于提供用于所述像素单元的额外电荷存储容量。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述形成光敏部件的步骤包括形成p/n/p光电二极管。
11.如权利要求9所述的方法，其中，所述形成电容性结构的步骤包括在绝缘区上形成电容器。
12.如权利要求9所述的方法，其中，所述形成电容性结构的步骤包括，形成电气连接到所述第一和所述第二电荷存储区中的至少一个的电容器。
13.如权利要求9所述的方法，还包括在所述衬底中形成掺杂阱的步骤。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述掺杂阱是p阱。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述第一和所述第二电荷存储区中的至少一个至少部分地位于p阱内。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第二存储区位于p阱内。
17.如权利要求14所述的方法，其中，至少一个p阱位于所述第一栅结构下方。
18.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二存储区包括浮动扩散区。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述浮动扩散区还电气连接到复位晶体管，所述复位晶体管用于将所述浮动扩散区处的电荷复位。
20.如权利要求9所述的方法，其中，所述形成第一和第二电荷存储区的步骤包括，将n型掺杂物植入到所述衬底的预定区域中的步骤。
21.如权利要求20所述的方法，其中，所述电荷累积区和所述第一电荷存储区是n型掺杂区，其掺杂物浓度在每cm3约1e16到每cm3约1e18个基本单位的范围内。
22.一种形成图像传感器单元的方法，所述方法包括如下步骤：
提供具有第一掺杂物浓度的p型衬底；
在所述衬底中形成n型光生电荷累积区；
通过如下步骤在所述衬底中形成对电荷流出所述累积区的受控势垒：
形成具有第二掺杂物浓度的第一p型阱区；
形成至少部分地位于在所述第一p型阱区内且具有第三掺杂物浓度的第一p型沟道区。
23.如权利要求22所述的方法，还包括形成具有至少部分地在所述第一p型阱区上形成的栅的晶体管的步骤，其中所述晶体管能够控制所述受控势垒。
24.如权利要求22所述的方法，还包括形成与所述沟道区相邻的第一电荷存储区的步骤。
25.如权利要求24所述的方法，还包括形成与所述第一电荷存储区相邻的第二p型沟道区的步骤。
26.如权利要求25所述的方法，还包括形成与所述第二沟道区相邻地形成的第二电荷存储区的步骤。
27.如权利要求26所述的方法，其中，形成第一和第二电荷存储区的步骤包括对所述衬底的预定区域掺杂n型。
28.如权利要求26所述的方法，还包括形成具有栅堆叠的转移晶体管的步骤，所述栅堆叠能够将电荷从所述第一电荷存储区转移到所述第二电荷存储区。
29.如权利要求26所述的方法，其中，在第二p型阱区内形成所述第二电荷存储区。
30.如权利要求22所述的方法，其中，所述第一浓度在每cm3约5e17至约1e20个基本单位的范围内。
31.如权利要求30所述的方法，其中，所述第二浓度在每cm3约5e15至约1e18个基本单位的范围内。
32.如权利要求31所述的方法，其中，所述第二浓度在每cm3约1e16至约1e17个基本单位的范围内。
33.如权利要求30所述的方法，其中，所述第三浓度在每cm3约5e16至约1e18个基本单位的范围内。
34.如权利要求33所述的方法，其中，所述第三浓度在每cm3约1e16至约1e18个基本单位的范围内。
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