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CN101017839A - 单片射频电路及其制造方法 - Google Patents

单片射频电路及其制造方法 Download PDF

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CN101017839A
CN101017839A CNA2006101656564A CN200610165656A CN101017839A CN 101017839 A CN101017839 A CN 101017839A CN A2006101656564 A CNA2006101656564 A CN A2006101656564A CN 200610165656 A CN200610165656 A CN 200610165656A CN 101017839 A CN101017839 A CN 101017839A
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switch
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CNA2006101656564A
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宋寅相
权相旭
金哲秀
朴允权
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Samsung Electronics Co Ltd
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种单片射频(RF)电路以及一种制造该单片RF电路的方法。单片RF电路包括基础基底、滤波部分和开关部分。所述滤波部分包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上。所述开关部分包括：第三支撑层，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第一开关电极，形成在所述第二气隙和第三支撑层上；第二压电层，形成在所述第一开关电极上。

Description

单片射频电路及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种单片射频(RF)电路及其制造方法，更具体地讲，涉及一种能够提高生产率的单片RF电路及制造该单片RF电路的方法。
背景技术
双工器是作为应用于无线通信设备的射频(RF)元件的无线通信RF滤波器。双工器将从天线接收的信号提供给接收器，并将从发送器输出的信号提供给天线。换句话说，如果接收器和发送器共用天线，则这种双工器将接收的信号仅提供给接收器并将发送的信号仅提供给天线。
双工器包括发送滤波器和接收滤波器。发送滤波器是仅使将被发送的频带的信号通过的带通滤波器。接收滤波器是仅使将被接收的频带的信号通过的带通滤器。双工器不同地调节通过发送滤波器和接收滤波器的频带，从而通过天线进行发送和/或接收。
应用于双工器的滤波器的示例包括介质滤波器、声表面波(SAW)滤波器、薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器等。
具体地讲，FBAR滤波器可与其它有源元件集成在半导体基底上以形成单片微波集成电路(MMIC)形式的双工器。
按照这种方式，可使用薄膜工艺形成FBAR滤波器，因此，FBAR滤波器的尺寸可以是介质滤波器和集总常数(LC)滤波器尺寸的百分之一，此外，FBAR滤波器的介入损失低于SAW滤波器的介入损失。因此，FBAR滤波器非常稳定，因此，适合于需要高质量(Q)因子的MMIC。此外，可以以低制造成本将FBAR滤波器制造得更加紧凑。
使用薄膜工艺形成FBAR滤波器，所述FBAR滤波器包括上电极、压电体和下电极。FBAR滤波器利用压电现象产生特定频带的谐振，并利用所述谐振频率仅使特定频带的信号通过。
无线通信设备的RF电路包括使RF信号切换的RF开关。应用于高频的RF开关的示例包括同轴开关、正本征-负(PIN)二极管开关和RF微电子机械系统(MEMS)开关等。具体地讲，RF MEMS开关包括电极部分和压电层，并使用半导体工艺形成。因此，RF MEMS开关在工艺和结构上与FBAR滤波器类似。
然而，由于RF MEMS开关的压电层与FBAR滤波器的压电体不同，所以RF MEMS开关和FBAR滤波器形成在不同的基底上。因此，分别进行形成RF MEMS开关的工艺和形成FBAR滤波器的工艺。结果，可使RF电路的生产效率变低。
发明内容
本发明的示例性实施例可克服上述缺点以及上面没有描述的其它缺点。此外，本发明不需要克服上述缺点的话，本发明的示例性实施例也可不克服上述任何问题。
本发明提供一种单片射频(RF)电路以及一种制造该单片RF电路的方法。
根据本发明的一方面，一种单片射频(RF)电路包括基础基底、滤波部分和开关部分，所述滤波部分包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上，所述开关部分包括：第三支撑层，形成在所述基础基底上，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第一开关电极，形成在所述第二气隙和第三支撑层上；第二压电层，形成在所述第一开关电极上，其中，所述开关部分将从外部源输入的射频信号切换。
所述第一压电层和第二压电层可由相同的材料形成。
所述第一开关电极的一部分可形成在所述第二支撑层上，所述第二压电层的一部分可形成在所述第一开关电极的所述一部分上。
所述开关电极还可包括形成在所述第二压电层上的第二开关电极。所述第二开关电极的一部分可形成在所述第二支撑层的上方。
根据本发明的另一方面，一种单片RF电路包括基础基底、滤波部分和开关部分，所述滤波部分包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上，所述开关部分包括：第三支撑层，形成在所述基础基底上，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第二压电层，形成在所述第二气隙和第三支撑层上，开关电极，形成在所述第二压电层上，其中，所述开关部分将从外部源输入的RF信号切换。
所述第一压电层和第二压电层可由相同的材料形成。
所述第二压电层的一部分可形成在所述第二支撑层上，所述开关电极的一部分可形成在所述第二压电层的所述一部分上。
根据本发明的另一方面，一种制造单片射频电路的方法，所述方法包括：在基础基底上形成第一金属层；将所述第一金属层图案化以形成第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层；在所述第一支撑层和第二支撑层之间形成第一牺牲层，在所述第二支撑层和第三支撑层之间形成第二牺牲层；在所述第二支撑层和第一牺牲层上形成第一电极，在所述第三支撑层和第二牺牲层上形成第一开关电极；在所述基础基底上沉积压电材料，所述基础基底上形成有所述第一电极和第一开关电极；将所述压电材料图案化以在所述第一支撑层和第一电极上形成第一压电层以及在所述第一开关电极上形成第二压电层；在所述第一压电层上形成第二电极；去除所述第一牺牲层以形成第一气隙，去除所述第二牺牲层以形成第二气隙。
在所述第二支撑层和第一牺牲层上形成第一电极以及在所述第三支撑层和第二牺牲层上形成第一开关电极的步骤可包括：在所述基础基底上沉积第二金属层，在所述基础基底上形成有第一支撑层和第二支撑层；将所述第二金属层图案化以形成所述第一电极和第一开关电极。
在所述第一压电层上形成所述第二电极的步骤可包括：在所述基础基底上沉积第三金属层，在所述基础基底上形成有第一压电层和第二压电层；将所述第三金属层图案化以形成第二电极。
在所述第一压电层上形成第二电极的步骤还可包括：将所述第三金属层图案化以在所述第二压电层上形成第二开关电极。
根据本发明的另一方面，一种制造单片RF电路的方法，所述方法包括：在基础基底上形成第一金属层；将所述第一金属层图案化以形成第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层；在所述第一支撑层和第二支撑层之间形成第一牺牲层，在所述第二支撑层和第三支撑层之间形成第二牺牲层；在所述第二支撑层和第一牺牲层上形成第一电极；在所述基础基底上沉积压电材料，所述基础基底上形成有所述第一电极；将所述压电材料图案化以在所述第一电极和第一牺牲层上形成第一压电层以及在所述第三支撑层和第二牺牲层上形成第二压电层；在所述第一压电层上形成第二电极以及在所述第二压电层上形成开关电极；去除所述第一牺牲层以形成第一气隙，去除所述第二牺牲层以形成第二气隙。
在所述第一压电层上形成第二电极以及在所述第二压电层上形成开关电极的步骤可包括：在所述基础基底上沉积第二金属层，在所述基础基底上形成有第一压电层和第二压电层；将所述第二金属层图案化以形成所述第二电极和开关电极。
附图说明
通过下面结合附图对本发明特定示例性实施例进行的描述，本发明的上述和其它方面将会更加明显，其中：
图1是根据本发明示例性实施例的单片射频(RF)电路的横截面视图；
图2A至图2H是示出制造图1中所示的单片RF电路的方法的截面图；
图3是根据本发明另一示例性实施例的单片RF电路的横截面视图；
图4是根据本发明另一示例性实施例的单片RF电路的横截面视图；
图5A至图5D是示出制造图4中所示的单片RF电路的方法的截面图。
具体实施方式
现在将对本发明示例性实施例进行详细的描述，其示例表示在附图中，其中，相同的标号始终表示相同部件。下面通过参照附图对示例性实施例进行描述以解释本发明的各个方面。
提供在说明书中限定的内容，例如详细的结构和元件以帮助全面理解本发明。因此，本领域普通技术人员应该明白，不用这些限定的内容也可实现本发明。此外，由于公知功能或者结构可使本发明在不必要的细节上模糊，因此不对其进行详细描述。
图1是根据本发明示例性实施例的单片射频(RF)电路的横截面视图。参照图1，根据本发明示例性实施例的单片RF电路100包括基础基底110、绝缘层120、滤波部分130和开关部分140。
详细地讲，基础基底110是半导体绝缘基底，并可由硅片形成。
在基础基底110上，绝缘层120由绝缘材料，例如二氧化硅(SiO2)形成。
滤波部分130形成在绝缘层120的上表面上，并仅使特定频带的信号通过。滤波部分130包括第一支撑层131a、第二支撑层131b、第一电极132、第一压电层133和第二电极134。
第一支撑层131a和第二支撑层131b由金属材料形成在绝缘层120上。第一气隙AG1形成在第一支撑层131a和第二支撑层131b之间。
第一电极132形成在第二支撑层131b和第一气隙AG1上。第一电极132由导电金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)和钼(Mo)等形成。这里，第一电极132覆盖第二支撑层131b的一部分和第一气隙AG1的一部分。
第一压电层133形成在第一电极132和第一支撑层131a的上表面上。第一压电层133覆盖第一支撑层131a的上表面和第一电极132的一部分。第一压电层133还形成在第一气隙AG1的在第一电极132和第一支撑层131a之间暴露的部分上。第一压电层133由产生压电效应的压电膜形成，在压电效应中，电能转化成弹性形式的机械能。
第二电极134形成在第一压电层133上。第二电极134由导电金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)和钼(Mo)等形成。
如上所述，在滤波部分130中，第一压电层133形成在第一电极132和第二电极134之间。如果电源连接到第一电极132和第二电极134，则第一压电层133产生压电效应，这就产生谐振现象。这里，滤波部分130仅使与谐振频率相等频带的信号通过。
开关部分140形成在滤波部分130旁边，并将从外部源输入的RF信号切换。开关部分140包括第三支撑层141、第一开关电极142和第二压电层143。
第三支撑层141与第二支撑层131b相邻地布置，并由金属材料形成。第二气隙AG2形成在第二支撑层131b和第三支撑层141之间。第二气隙AG2还将第二支撑层131b和第三支撑层141分开。
第一开关电极142形成在第三支撑层141和第二气隙AG2上。第一开关电极142使第二气隙AG2的一部分暴露以与滤波部分130绝缘。第一开关电极142由导电金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)和钼(Mo)等形成。
第二压电层143形成在第一开关电极142的上表面上。第二压电层143由与形成第一压电层133的材料相同的材料形成。这里，在形成第一压电层133的工艺中，第二压电层143与第一压电层133一起形成。
开关部分140还包括在第二压电层143上形成的第二开关电极144。第二开关电极144由导电金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)和钼(Mo)等形成。
第二压电层143介于第一开关电极142和第二开关电极144之间。
如上所述，在单片RF电路100中，滤波部分130和开关部分140一起形成在基础基底110上以使双工器和开关部分140形成MMIC。
图2A至图2H是示出制造图1中示出的单片RF电路100的方法的截面图。参照图2A和图2B，使用RF磁控管溅射法或者蒸发法在基础基底110上形成绝缘层120。在绝缘层120上形成第一金属层150。
如图2B所示，将第一金属层150图案化以形成第一支撑层131a、第二支撑层131b和第三支撑层141。第一牺牲层161和第二牺牲层162形成在绝缘层120上，在所述绝缘层120上形成有第一支撑层131a、第二支撑层131b和第三支撑层141。这里，第一牺牲层161位于第一支撑层131a和第二支撑层131b之间，第二牺牲层162位于第二支撑层131b和第三支撑层141之间。
参照图2C和图2D，第二金属层170沉积在第一支撑层131a、第二支撑层131b、第三支撑层141、第一牺牲层161和第二牺牲层162上。
如图2D所示，将第二金属层170图案化以形成第一电极132和第一开关电极142。
参照图2E和图2F，压电膜180沉积在基础基底110上，在所述基础基底110上形成有第一电极132和第一开关电极142。
如图2F所示，将压电膜180图案化以在第一支撑层131a和第一电极132上形成第一压电层133以及在第一开关电极142的上表面上形成第二压电层143。
参照图2G和图2H，第三金属层190沉积在基础基底110上，在所述基础基底110上形成有第一压电层133和第二压电层143。
如图2H所示，将第三金属层190图案化以在第一压电层133上形成第二电极134以及在第二压电层143上形成第二开关电极144。
分别去除第一牺牲层161和第二牺牲层162以形成如图1所示的第一气隙AG1和第二气隙AG2。结果，完成滤波部分130和开关部分140。
如上所述，在单片RF电路100中，滤波部分130和开关部分140形成在基础基底110上。这里，在形成滤波部分130的工艺中，开关部分140与滤波部分130一起形成。因此，可将滤波部分130和开关部分140集成为MMIC。结果，可减少工艺时间，从而提高了生产率。
图3是根据本发明另一示例性实施例的单片RF电路的截面图。参照图3，根据本发明另一示例性实施例的单片RF电路200除开关部分210之外与图1中示出的单片RF电路100的结构相同。因此，单片RF电路200中与单片RF电路100的标号相同的标号表示相同的元件，因此将省略与其的详细描述。
单片RF电路200包括基础基底110、绝缘层120、滤波部分130和开关部分210。
详细地讲，绝缘层120形成在基础基底110的上表面上，滤波部分130和开关部分210形成在绝缘层120上。
滤波部分130形成在绝缘层120的上表面上，并仅使特定频带的信号通过。滤波部分130包括第一支撑层131a、第二支撑层131b、第一电极132、第一压电层133和第二电极134。
开关部分210将从外部源输入的RF信号切换。开关部分210包括第三支撑层141、第一开关电极211和第二压电层212。
使用与形成第一支撑层131a和第二支撑层131b相同的材料在绝缘层120的上表面上形成第三支撑层141。第二气隙AG2形成在第二支撑层131b和第三支撑层141之间。
第一开关电极211形成在第三支撑层141的上表面和第二气隙AG2上。具体地讲，第一开关电极211的一部分形成在第二支撑层131b的上表面上，并且第一开关电极211与第一电极132隔开。第一开关电极211由导电金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)和钼(Mo)等形成。
第二压电层212形成在第一开关电极211的上表面上，第二压电层212的一部分位于形成第二支撑层131b的区域上。在形成第一压电层133的工艺中，第二压电层212由与形成第一压电层133的材料相同的材料与第一压电层133一起形成。
开关部分210还包括在第二压电层212上形成的第二开关电极213。
第二开关电极213的一部分位于形成第二支撑层131b的区域上，第二开关电极213由导电金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)和钼(Mo)等形成。
这里，形成单片RF电路200的工艺与图2A至图2H中示出的形成单片RF电路100的工艺相同，因此，将省略对其的描述。
如上所述，在单片RF电路200中，滤波部分130和开关部分210形成在基础基底110上以使双工器和开关部分210形成MMIC。此外，减少了制造工艺时间，从而提高了生产率。
图4是根据本发明另一示例性实施例的单片RF电路的截面图。参照图4，根据本发明另一示例性实施例的单片RF电路300除开关部分310之外与图1中示出的单片RF电路100的结构相同。因此，单片RF电路300中与单片RF电路100的标号相同的标号表示相同的元件，因此将省略与其的详细描述。
单片RF电路300包括基础基底110、绝缘层120、滤波部分130和开关部分310。
详细地讲，绝缘层120形成在基础基底110的上表面上，滤波部分130和开关部分310形成在绝缘层120上。
滤波部分130形成在绝缘层120的上表面上，并仅使特定频带的信号通过。滤波部分130包括第一支撑层131a、第二支撑层131b、第一电极132、第一压电层133和第二电极134。
开关部分310将从外部源输入的RF信号切换。开关部分310包括第三支撑层141、第二压电层311和开关电极312。
使用与形成第一支撑层131a和第二支撑层131b相同的材料在绝缘层120上形成第三支撑层141。第二气隙AG2形成在第二支撑层131b和第三支撑层141之间。
第二压电层311形成在第三支撑层141的上表面和第二气隙AG2上。在形成第一压电层133的工艺中，第二压电层311由与形成第一压电层133的材料相同的材料与第一压电层133一起形成。
在本发明的示例性实施例中，第二气隙AG2的一部分在第一电极132和第二压电层311之间暴露。然而，第二压电层311可延伸到第二支撑层131b。在这种情况下，第二气隙AG2不被暴露。
使用导电金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)和钼(Mo)等在第二压电层311的上表面上形成开关电极312。
图5A至图5D示出了制造图4中示出的单片RF电路300的方法的截面图。
参照图5A，绝缘层120形成在基础基底110上，第一支撑层131a、第二支撑层131b、第三支撑层141、第一牺牲层161和第二牺牲层162形成在绝缘层120的上表面上。这里，形成绝缘层120、第一支撑层131a、第二支撑层131b、第三支撑层141、第一牺牲层161和第二牺牲层162的工艺参照图2A和图2B所述。因此，将省略对所述工艺的详细描述。
第二金属层170(参照图2C)形成在基础基底110上，然后将其图案化以形成第一电极132。
参照图5B和图5C，压电膜180沉积在基础基底110上，在所述基础基底110上形成有第一电极132。
如图5C所示，将压电膜180图案化以在第一支撑层131a和第一电极132上形成第一压电层133以及在第三支撑层141和第二牺牲层162的上表面上形成第二压电层311。
参照图4和图5D，第三金属层190沉积在基础基底110上，在所述基础基底110上形成有第一压电层133和第二压电层311。
将第三金属层190图案化以在第一压电层133上形成第二电极134以及在第二压电层311上形成开关电极312，如图4所示。
去除第一牺牲层161和第二牺牲层162以形成第一气隙AG1和第二气隙AG2(参照图1)。结果，完成滤波部分130和开关部分310。
如上所述，在单片RF电路300中，滤波部分130和开关部分310形成在基础基底110上。这里，在形成滤波部分130的工艺中，开关部分310与滤波部分130一起形成。因此，可将滤波部分130和开关部分310集成为MMIC。结果，可减少工艺时间，从而提高了生产率。
如上所述，在根据本发明示例性实施例的单片RF电路中，滤波部分和开关部分可形成在基础基底上。具体地讲，在形成滤波部分的工艺中，开关部分可与滤波部分一起形成。此外，可使用与形成滤波部分相同的工艺形成开关部分。结果，滤波部分和开关部分可形成为MMIC。此外，减少了工艺时间，从而提高生产率。
上述实施例仅是示例性的，并不应该解释为限制本发明。本教导可容易地应用于其它类型的设备。此外，本发明示例性实施例的描述旨在举例说明，并不限制权利要求的范围，对于本领域技术人员来说，许多替换、修改和更改是清楚的。

Claims (14)

1、一种单片射频电路，包括：
基础基底；
滤波部分，包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上；
开关部分，包括：第三支撑层，形成在所述基础基底上，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第一开关电极，形成在所述第二气隙和第三支撑层上；第二压电层，形成在所述第一开关电极上，
其中，所述开关部分将从外部源输入的射频信号切换。
2、如权利要求1所述的单片射频电路，其中，所述第一压电层和第二压电层由相同的材料形成。
3、如权利要求1所述的单片射频电路，其中，所述第一开关电极的一部分形成在所述第二支撑层上，所述第二压电层的一部分形成在所述第一开关电极的所述一部分上。
4、如权利要求1所述的单片射频电路，其中，所述开关电极还包括形成在所述第二压电层上的第二开关电极。
5、如权利要求4所述的单片射频电路，其中，所述第二开关电极的一部分形成在所述第二支撑层的上方。
6、一种单片射频电路，包括：
基础基底；
滤波部分，包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上；
开关部分，包括：第三支撑层，形成在所述基础基底上，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第二压电层，形成在所述第二气隙和第三支撑层上，开关电极，形成在所述第二压电层上，
其中，所述开关部分将从外部源输入的射频信号切换。
7、如权利要求6所述的单片射频电路，其中，所述第一压电层和第二压电层由相同的材料形成。
8、如权利要求6所述的单片射频电路，其中，所述第二压电层的一部分形成在所述第二支撑层上，所述开关电极的一部分形成在所述第二压电层的所述一部分上。
9、一种制造单片射频电路的方法，包括：
在基础基底上形成第一金属层；
将所述第一金属层图案化以形成第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层；
在所述第一支撑层和第二支撑层之间形成第一牺牲层，在所述第二支撑层和第三支撑层之间形成第二牺牲层；
在所述第二支撑层和第一牺牲层上形成第一电极，在所述第三支撑层和第二牺牲层上形成第一开关电极；
在所述基础基底上沉积压电材料，所述基础基底上形成有所述第一电极和第一开关电极；
将所述压电材料图案化以在所述第一支撑层和第一电极上形成第一压电层以及在所述第一开关电极上形成第二压电层；
在所述第一压电层上形成第二电极；
去除所述第一牺牲层以形成第一气隙，去除所述第二牺牲层以形成第二气隙。
10、如权利要求9所述的方法，其中，在所述第二支撑层和第一牺牲层上形成第一电极以及在所述第三支撑层和第二牺牲层上形成第一开关电极的步骤包括：
在所述基础基底上沉积第二金属层，在所述基础基底上形成有第一支撑层和第二支撑层；
将所述第二金属层图案化以形成所述第一电极和第一开关电极。
11、如权利要求9所述的方法，其中，在所述第一压电层上形成所述第二电极的步骤包括：
在所述基础基底上沉积第三金属层，在所述基础基底上形成有第一压电层和第二压电层；
将所述第三金属层图案化以形成第二电极。
12、如权利要求11所述的方法，其中，在所述第一压电层上形成第二电极的步骤还包括：
将所述第三金属层图案化以在所述第二压电层上形成第二开关电极。
13、一种制造单片射频电路的方法，包括：
在基础基底上形成第一金属层；
将所述第一金属层图案化以形成第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层；
在所述第一支撑层和第二支撑层之间形成第一牺牲层，在所述第二支撑层和第三支撑层之间形成第二牺牲层；
在所述第二支撑层和第一牺牲层上形成第一电极；
在所述基础基底上沉积压电材料，所述基础基底上形成有所述第一电极；
将所述压电材料图案化以在所述第一电极和第一牺牲层上形成第一压电层以及在所述第三支撑层和第二牺牲层上形成第二压电层；
在所述第一压电层上形成第二电极以及在所述第二压电层上形成开关电极；
去除所述第一牺牲层以形成第一气隙，去除所述第二牺牲层以形成第二气隙。
14、如权利要求13所述的方法，其中，在所述第一压电层上形成第二电极以及在所述第二压电层上形成开关电极的步骤包括：
在所述基础基底上沉积第二金属层，在所述基础基底上形成有第一压电层和第二压电层；
将所述第二金属层图案化以形成所述第二电极和开关电极。
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