CN101013715A

CN101013715A - 微热通量传感器阵列

Info

Publication number: CN101013715A
Application number: CNA2007100080025A
Authority: CN
Inventors: 俞裁旭; 任允赫
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2006-02-03
Filing date: 2007-02-05
Publication date: 2007-08-08
Anticipated expiration: 2027-02-05
Also published as: US7699520B2; US8104952B2; CN101013715B; US20100158069A1; JP2007208262A; KR100690926B1; US20070181650A1

Abstract

本发明提供了一种具有减小的热阻的微热通量传感器阵列。微热通量传感器阵列可以包括：基底；形成于基底的第一侧上的多个第一传感器；和形成于基底的第二侧上的多个第二传感器。多个第一和第二传感的每个包括：第一导电材料的第一布线图案层，接触第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层，和接触第一和第二布线图案的绝缘层。

Description

微热通量传感器阵列

技术领域

示范性实施方式可以涉及一种微热通量传感器阵列。更具体而言，示范性实施例可以涉及一种能够在所有方向测量热通量的微热通量传感器阵列。

背景技术

由于半导体芯片的日益增加的性能水平，半导体芯片的工作功率继续增加。在微处理器、存储器和微电子装置(半导体芯片)的情形，在半导体芯片的工作中产生的热必须被有效地辐射以减小/防止半导体芯片的恶化。为了有效地辐射来自包含半导体芯片的半导体封装的热，应当测量半导体芯片的每个元件的温度。

由此，由于对于准确地测量表示半导体芯片中的热传导的物理量的日益增加的需求，开发了各种热通量传感器。

然而，半导体芯片的表面上的常规的热通量传感器可以作为热阻；因此，可能难于准确地测量热通量。而且，可能难于准确地确定热传导路径，因为常规的热通量传感器可能在由热通量传感器改变了热传导路径之后来测量热通量。

发明内容

示范性实施方式可以提供具有减小的热阻的微热通量传感器阵列。

在示范性实施方式中，微热通量传感器阵列可以包括基底、形成于基底的第一侧上的多个第一传感器、和形成于基底的第二侧上的多个第二传感器。多个第一和第二传感器均可以包括第一导电材料的第一布线图案层；接触第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层；和夹置在第一和第二布线图案层之间的绝缘层，在其中具有通路孔，通过该通路孔第一和第二布线图案层分别接触。

在另一示范性实施方式中，微热通量传感器阵列可以包括基底、形成于基底的第一侧上的多个第一传感器、和形成于基底的第二侧上的多个第二传感器。多个第一和第二传感器的每个可以包括第一导电材料的第一布线图案层；接触第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层；夹置在第一和第二布线图案层之间的绝缘层，在其中具有通路孔，通过该通路孔第一和第二布线图案层分别接触；和多个凹槽，以期望的间距形成于绝缘层上。

在另一示范性实施方式中，微热通量传感器阵列可以包括基底、形成于基底的第一侧上的多个第一传感器、和形成于基底的第二侧上的多个第二传感器。多个第一和第二传感器的每个可以包括第一导电材料的第一布线图案层；接触第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层；具有多个突起的压纹绝缘层，多个突起有期望的间距并与第一和第二布线图案层接触；和多个凹槽，在绝缘层上形成于相邻突起之间。

附图说明

图1是示出根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列的分解透视图；

图2是示出图1的微热通量传感器阵列的组装透视图；

图3是沿图2的线III-III′所取的剖面图；

图4A到4E是顺序示出根据示范性实施方式制造微热通量传感器阵列的方法的剖面图；

图5是示出根据另一示范性实施方式的微热通量传感器阵列的透视图；

图6是示出根据另一示范性实施方式的微热通量传感器阵列的分解透视图；

图7是示出图6的微热通量传感器阵列的组装透视图；

图8是沿图7的线VIII-VIII′所取的剖面图；和

图9A到9C是顺序示出根据另一示范性实施方式制造微热通量传感器阵列的方法的剖面图。

具体实施方式

通过参考其以下的详细描述和附图，示范性实施方式的特征可以被更容易地理解。然而，示范性实施方式可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐述的说明书。而是，可以提供这些实施方式使得本公开充分，且向那些本领域的技术人员全面地传达示范性实施方式的构思。说明书通篇相似的附图标记指示相似的元件。

可以理解当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”和/或“耦合到”另一元件或层时，它可以直接在其他元件或层上或直接连接到、耦合到另一元件或层，或者可以存在中间的元件或层。相反，当元件被称为“直接”在其他元件“上”、“直接连接到”和/或“直接耦合到”另一元件或层时，则没有中间元件或层存在。这里所用的术语“和/或”包括相关列举项目的一个或更多的任何和所有组合。

可以理解虽然术语第一、第二和第三可以用于此来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与其他元件、部件、区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。在这里为了描述的方便，可以使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，来描述一个元件或特征和其他元件或特征如图中所示的关系。可以理解空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外的装置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在图中的装置被翻转，被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下方”可以包含下方和上方两个方向。装置也可以有其它取向(旋转90度或其它取向)且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。

这里所使用的术语是只为了描述特别的实施例的目的且不旨在限制本发明。如这里所用，单数形式也旨在包括复数形式，除非内容清楚地指示另外的意思。可以进一步理解当在此说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但是不排出存在或添加一个或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其组。

参考横截面图示在这里描述了示范性实施方式，该图示是本发明的理想实施例的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应解释为限于这里所示的特别的区域形状，而是包括由于例如由制造引起的形状的偏离。例如，被示为矩形的注入区将通常具有修圆或弯曲的特征和/或在其边缘具有注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。相似地，由注入形成的埋入区可以引起埋入区和通过其进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的且它们的形状不旨在示出区域的精确的形状且不旨在限制本发明的范围。

除非另有界定，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明属于的领域的普通技术人员共同理解的相同的意思。还可以理解诸如那些在共同使用的字典中定义的术语应解释为一种与在相关技术的背景中的它们的涵义一致的涵义，而不应解释为理想化或过度正式的意义，除非在这里明确地如此界定。

其后，将参考图1到4E描述示范性实施方式。

首先，根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列将参考图1到3来描述。图1是根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列的分解透视图；图2是示出图1的微热通量传感器阵列的组装透视图；且图3是沿图2的线III-II′所取的剖面图。

参考图1到3，微热通量传感器阵列100可以包括基底10；具有可以顺序堆叠在基底10的第一侧上的第一布线图案层20、绝缘层30和第二布线图案层40的上传感器；以及具有可以与上传感器对称且顺序堆叠在基底10的第二侧上的第一布线图案层20′、绝缘层30′和第二布线图案层40′的下传感器。

为了将微热通量阵列100应用于待测量的任何区域/装置，柔性膜可以被用作基底10。例如，聚酰亚胺(PI)可以用作基底10。而且，为了减小微热通量传感器阵列100的热阻，微热通量传感器阵列100的热导率可以通过进一步在基底10上提供导电金属球(未显示)来增加。

第一导电材料的第一布线图案层20可以形成于基底10的第一侧上。第一布线图案层20可以包括：第一测量图案22，其可以在每个温度测量位置提供；和将各第一测量图案22连接到外部热通量测量设备200的第一选路引线(routing wire)24。为了防止/减小腐蚀和增加强度，第一布线图案层20的表面可以用镀敷层来镀敷。例如，锡(Sn)可以被用作镀敷层。

第一布线图案层20和第一测量图案22可以形成于绝缘层30上。焊料抗蚀剂(SR)可以被用作绝缘层30。

第二导电材料的第二布线图案层40可以设置于绝缘层30上。第二布线图案层40可以包括：第二测量图案42，其可以在对应于第一测量图案22的位置提供；将各第二测量图案42连接到外部热通量测量设备200的第二选路引线44；和连接图案46，其可以从各第二测量图案42通过通路孔32突起，从而接触第一测量图案22。为了防止/减小腐蚀和增加强度，第二布线图案层40的表面可以用镀敷层来镀敷。例如，锡(Sn)可以被用作镀敷层。

第一布线图案层20的第一导电材料和第二布线图案层40的第二导电材料可以为彼此不同的材料，或可以为相同的材料。如果第一布线图案层20和第二布线图案层40为不同的材料，第一布线图案层20和第二布线图案层40可以形成热电偶，且可以通过热通量测量设备200测量第一布线图案层20和第二布线图案层40之间的势差，从而计算热通量。在后将详细描述热通量计算方法。

为了有助于第一选路引线24和第二选路引线44连接到热通量测量设备200，第一选路引线24和第二选路引线44可以在各个方向上被布线(route)。

如上所述，因为下传感器可以包括顺序堆叠在基底10上的第一布线图案层20′、绝缘层30′、和第二布线图案层40′，其可以相似于上传感器来构成，所以将省略其解释。为了有效地在垂直方向测量热通量，分别设置于基底10的两侧上的第一布线图案层20、20′和第二布线图案层40、40′的接合部分可以沿相同的垂直线设置。换言之，第一测量图案22、22′和第二测量图案42、42′可以优选地沿相同的垂直线设置。

其后，将参考图2和3描述根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列的操作。

在示范性实施方式中，第一布线图案层20、20′和第二布线图案层40、40′可以为不同的材料。

一般而言，在两种导电材料的接合部分的任一侧上具有两个区域的闭合电路中，通过将两个区域保持在不同的温度，可以在两个区域之间产生势差。根据导电材料的种类，温度和电动势之间的相关性变化，且已知由于塞贝克(Seebeck)效应在温度和电动势之间的相关性。因此，可以通过测量势差来计算温度。利用相互接触的两种导电材料测量温度的传感器被称为热偶传感器。

如图2和3所示，微热通量传感器阵列100可以包括基底10上的具有第一布线图案层20和第二布线图案层40的上热偶传感器，和基底10下的具有第一布线图案层20′和第二布线图案层40′的下热偶传感器。

上和下热偶传感器的每个可以如此构建，从而第一布线图案层20、20′的第一测量图案22、22′通过连接图案46、46′连接到第二测量图案层40、40′的第二测量图案42、42′。

其后，将描述一种测量区域/装置的热通量的方法，区域/装置的热通量以其中下热偶传感器的第二布线图案层40′连接到区域/装置的状态被测量。参考图3，由该区域/装置产生的热可以在水平和垂直方向通过微热通量传感器阵列100迁移。例如，如果测量了热偶传感器A的温度和热偶传感器B的温度，可以推知通过该区域/装置产生并在水平方向迁移的热通量。而且，如果测量了热偶传感器A的温度和热偶传感器C的温度，可以推知通过该区域/装置产生并在垂直方向迁移的热通量。

如上所述，根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列100，多个热通量热偶传感器可以形成于基底10的上侧和下侧，以测量水平和垂直热通量。而且，为了增加微热通量传感器阵列100的热导率以降低微热通量传感器阵列100的热阻，导电金属球可以设置于基底10上。

在另一示例中，第一布线图案层20、20′和第二布线图案层40、40′可以为相同的材料。

一般而言，导电材料的电阻可以正比于导电材料的温度。根据导电材料的类型，温度和电阻之间的相关性变化，其中通过测量电阻可以计算温度。基于导电材料的电阻测量温度的传感器被称为电阻温度探测器(RTD)。

如图2和3中所示，微热通量传感器阵列100可以包括在基底10上的具有第一布线图案层20和第二布线图案层40的上RTD；和在基底10下的具有第一布线图案层20′和第二布线图案层40′的下RTD。

上和下RTD的每个的元件可以通过连接图案46、46′连接，其可以分别将第一测量图案22、22′连接到第二测量图案42、42′。

将描述一种测量区域/装置的热通量的方法，区域/装置的热通量以其中下RTD的第二布线图案层40′连接到区域/装置的状态被测量。参考图3，由该区域/装置产生的热可以在水平和垂直方向通过微热通量传感器阵列100迁移。例如，如果测量了RTDA的温度和RTDB的温度，可以推知通过该区域/装置产生并在水平方向迁移的热通量。而且，如果测量了RTDA的温度和RTDC的温度，可以推知通过该区域/装置产生并在垂直方向迁移的热通量。

如上所述，根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列100，多个RTD可以设置于基底10的上侧和下侧，以测量水平和垂直热通量。而且，为了增加微热通量传感器阵列100的热导率以降低微热通量传感器阵列100的热阻，导电金属球可以设置于基底10上。

其后，将参考图3以及图4A到4E描述根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列的制造方法。图4A到4E是顺序示出根据示范性实施方式制造微热通量传感器阵列的方法的剖面图。

如图4A所示，第一导电层120可以形成于聚酰亚胺基底10上。第一导电层120可以在通过溅射方法形成籽层之后通过电镀方法形成于基底10上。

为了控制第一导电层120的厚度或移除在第一导电层120上的氧化层，可以进行软蚀刻工艺。

第一导电层120可以被构图以形成如图4B所示的第一布线图案层20。另外，可以进行用锡(Sn)或另一金属电镀第一布线图案层20的表面的电镀工艺(未显示)。

参考图4C，包括通路孔32的绝缘层30可以形成于第一布线图案层20上。绝缘层30可以通过丝网印刷方法来形成。

如图4D所示，第二导电层140可以形成于绝缘层30上。第二导电层140可以在通过溅射方法形成籽层之后通过电镀方法形成于基底10上。

第二导电层140可以被构图以形成如图4E所示的第二布线图案层40。另外，可以进行用锡(Sn)或另一金属电镀第二布线图案层40的表面的电镀工艺(未显示)。

如上所述，在上传感器形成于基底10的第一侧上之后，可以在基底10的第二侧上进行相同的工艺。例如，如图3所示，第一布线图案层20′、绝缘层30′和第二布线图案层40′可以形成于基底10的第二侧上以完成下传感器的制造。

其后，将参考图5描述另一示范性实施方式。图5是示出根据另一示范性实施方式的微热通量传感器阵列的透视图。具有与第一示范性实施方式的图(图4A-4E)中的元件相同功能的元件的描述用相同的参考标号代表，且因此将省略其解释。如图5所示，根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列500可以具有与第一示范性实施方式中的微热通量传感器阵列100相同的结构。然而，多个凹槽532、532′可以以预定的间隔形成于绝缘层530、530′上，如图5所示。例如，凹槽532、532′可以形成于相邻第一布线图案层20、20′之间的接合部分。

通过在绝缘层530、530′上形成凹槽532、532′可以进行准确的测量。将描述其中位于基底10下的第二布线图案层40′接触区域/装置的情形，该区域/装置的热通量将被测量。如图5所示，可以测量区域A的温度和区域B的温度以确定通过该区域/装置产生并在水平方向迁移的热通量。而且，可以测量区域A的温度和区域C的温度以确定通过该区域/装置产生并在垂直方向迁移的热通量。

因为该区域/装置在区域A和B直接接触第二布线图案层40′，采用示范性实施方式可以减小和/或避免区域A和B之间的水平热通量的不一致和不准确的测量。然而，在垂直热通量的情形，从区域A释放的热可能不垂直迁移，而是如轮子上的辐条般辐射，从而可以发生垂直热通量差异。换言之，从区域A的迁移热不仅达到区域C而且可能还到达区域D。因此，区域C的测量的温度可能低于真实的温度。

如上所述，为了减小水平热通量的测量误差，凹槽532、532′可以形成于绝缘层530、530′上。因为凹槽532、532′减小和/或防止热在水平方向迁移，垂直方向的热通量可以被准确地测量。

其后，将参考图6到9C描述另一示范性实施方式。

首先，将参考图6到8描述根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列。图6是示出微热通量传感器阵列的分解透视图。图7是示出图6的微热通量传感器阵列的组装透视图，且图8是沿图7的微热通量传感器阵列的线VIII-VIII′所取的剖面图。

参考图6到8，微热通量传感器阵列600可以包括基底610；具有可以顺序堆叠在基底610的第一侧上的绝缘层620、第一布线图案层630、和第二布线图案层640的上传感器；以及具有与上传感器对称且顺序堆叠在基底610的第二侧上的绝缘层620′、第一布线图案层630′和第二布线图案层640′的下传感器。

为了使微热通量传感器阵列600适应待测量的任何区域/装置的形状，柔性膜可以被用作基底610。例如，聚酰亚胺(PI)可以被用作基底610。为了减小微热通量传感器阵列600的热阻，微热通量传感器阵列600的热导率可以通过进一步在基底610上添加导电金属球(未显示)来升高。

形成于绝缘层610一侧上的绝缘层620可以被压纹。换言之，绝缘层620可以包括具有期望间隔的凹槽622。绝缘层620可以由焊料抗蚀剂(SR)形成。

第一导电材料的第一布线图案层630可以形成于绝缘层620上。第一布线图案层630可以包括：第一测量图案632，其可以在每个温度测量位置形成；和将第一测量图案632连接到外部热通量测量设备200的第一选路引线(routing wire)634。为了防止/减小腐蚀和增加强度，第一布线图案层630的表面可以用镀敷层来镀敷。例如，锡(Sn)可以被用作镀敷层。

可以包括第二导电材料的第二布线图案层640可以部分与第一布线图案层630重叠，且可以形成于绝缘层620上。第二布线图案层640可以包括：第二测量图案642，其重叠并接触第一测量图案632；和将第二测量图案642连接到外部热通量测量设备200的第二选路引线644。为了防止/减小腐蚀和增加强度，第二布线图案层640的表面可以用镀敷层来镀敷。例如，锡(Sn)可以被用作镀敷层。

接触可以测量热通量的区域/装置的第一测量图案632和第二测量图案642可以形成于绝缘层620的突起上。换言之，绝缘层620可以包括提供第一测量图案632和第二测量图案642的台阶区域(压纹)。而且，为了防止/减小由与待测量的区域/装置接触而导致的短路，可以与第一测量图案632连接的第一选路引线634和可以与第二测量图案642连接的第二选路引线644可以形成于凹槽622上。

第一布线图案层630的第一导电材料和第二布线图案层640的第二导电材料可以为彼此不同的材料，或可以为相同的材料。如第一示范性实施方式所述，当第一布线图案层630和第二布线图案层640为不同的材料时，第一布线图案层630和第二布线图案层640可以形成热电偶，且可以通过热通量测量设备200测量第一布线图案层630和第二布线图案层640之间的势差，从而计算热通量。而且，当第一布线图案层630和第二布线图案层640为相同的材料时，可以通过热通量测量设备200测量第一布线图案层630和第二布线图案层640之间的电阻，且测量的电阻可以被用来计算热通量。

为了有助于第一选路引线634和第二选路引线644到热通量测量设备200的连接，第一选路引线634和第二选路引线644可以在各个方向上被布线(route)。

如上所述，下传感器可以以与上传感器基本相同的方式包括顺序堆叠在基底610的第二侧上的绝缘层620′、第一布线图案层630′、和第二布线图案层640′，且包括凹槽622′，因此将不提供其解释。为了有效地在垂直方向测量热通量，设置于基底610的各侧上的第一布线图案层630、630′和第二布线图案层640、640′的接合部分可以沿相同的垂直线设置。

根据该示范性实施方式的微热通量传感器阵列的操作与第二示范性实施方式相似。换言之，该示范性实施方式不仅准确地测量水平热通量，而且还由形成于绝缘层620、620′上的凹槽622、622′减小了垂直热通量误差。

其后，将参考图8以及图9A到9C描述根据该示范性实施方式的微热通量传感器阵列的制造方法。图9A到9C是顺序示出根据示范性实施方式制造微热通量传感器阵列的方法的剖面图。

如图9A所示，绝缘层620可以形成于聚酰亚胺基底610上。绝缘层620可以包括以期望的间距彼此分开的多个凹槽622。绝缘层620可以通过丝网印刷方法形成。

接下来，参考图9B，第一导电层(未显示)可以形成于绝缘层620上，且第一导电层可以被构图以形成第一布线图案层630。第一导电层可以在通过溅射方法在绝缘层620上形成籽层之后通过电镀方法形成。另外，可以进行用锡(Sn)电镀第一布线图案层630的表面的电镀工艺(未显示)。

参考图9C，第二导电材料层(未显示)可以形成于第一布线图案层630上，且第二导电材料层可以被构图以形成第二布线图案层640，其可以重叠第一布线图案层630的期望的部分。第二导电层可以在通过溅射方法在基底610上形成籽层之后通过电镀方法形成。另外，可以进行用锡(Sn)电镀第二布线图案层640的表面的电镀工艺(未显示)。

如上所述，在上传感器形成于基底610的第一侧上之后，可以在基底610的第二侧上再次进行相同的工艺。因此，如图8所示，绝缘层620′、第一布线图案层630′和第二布线图案层640′可以形成于基底610的第二侧上以完成下传感器的制造。

虽然已经示出和描述了示范性实施例，但是对于本领域的技术人员明显的是，落在所附权利要求的范围内的所有变化和等同物旨在被包括在其中。因此可以理解以上的示范性实施方式不是限制性的，而在所有方面是示例性的。

如上所述，根据示范性实施方式的微热通量传感器阵列的结构和制造方法，可以减小微热通量传感器的热阻且准确地测量水平热通量以及垂直热通量。

Claims

1、一种微热通量传感器阵列，包括：

基底；

形成于所述基底的第一侧上的多个第一传感器；和

形成于所述基底的第二侧上的多个第二传感器，

其中所述多个第一和第二传感的每个包括：

第一导电材料的第一布线图案层，

接触所述第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层，和

夹置在所述第一和第二布线图案层之间的绝缘层，所述绝缘层在其中具有通路孔，通过所述通路孔所述第一和第二布线图案层分别接触。

2、根据权利要求1所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层包括设置于各个温度测量区域上的多个第一测量图案，和配置以将所述多个第一测量图案连接到外部热通量测量设备的多个第一选路引线。

3、根据权利要求2所述的微热通量传感器阵列，其中所述第二布线图案层包括设置于对应于所述第一测量图案的位置上的多个第二测量图案；设置于各个形成于所述绝缘层上的通路孔上以将所述多个第二测量图案连接到相应的所述多个第一测量图案的多个连接图案；和配置以将相应的所述多个第二测量图案连接到所述外部热通量测量设备的多个第二选路引线。

4、根据权利要求1所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层和所述第二布线图案层为不同的材料。

5、根据权利要求1所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层和所述第二布线图案层为相同的材料。

6、根据权利要求1所述的微热通量传感器阵列，其中所述基底包括柔性膜。

7、根据权利要求1所述的微热通量传感器阵列，其中所述基底包括导电金属球。

8、一种微热通量传感器阵列，包括：

基底；

形成于所述基底的第一侧上的多个第一传感器；和

形成于所述基底的第二侧上的多个第二传感器，

其中所述多个第一和第二传感器的每个包括：

第一导电材料的第一布线图案层，

接触所述第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层；

夹置在所述第一和第二布线图案层之间的绝缘层，所述绝缘层在其

中具有通路孔，通过所述通路孔所述第一和第二布线图案层分别接触；

和

多个凹槽，以期望的间距形成于所述绝缘层上。

9、根据权利要求8所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层包括设置于各个温度测量区域上的多个第一测量图案，和配置以将多个所述第一测量图案连接到外部热通量测量设备的多个第一选路引线。

10、根据权利要求9所述的微热通量传感器阵列，其中所述第二布线图案层包括设置于对应于所述第一测量图案的位置上的多个第二测量图案；设置于各个形成于所述绝缘层上的通路孔上以将所述多个第二测量图案连接到相应的所述多个第一测量图案的多个连接图案；和配置以将相应的所述多个第二测量图案连接到所述外部热通量测量设备的多个第二选路引线。

11、根据权利要求8所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层和所述第二布线图案层为不同的材料。

12、根据权利要求8所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层和所述第二布线图案层为相同的材料。

13、根据权利要求8所述的微热通量传感器阵列，其中所述基底包括柔性膜。

14、根据权利要求8所述的微热通量传感器阵列，其中所述基底包括导电金属球。

15、一种微热通量传感器阵列，包括：

基底；

形成于所述基底的第一侧上的多个第一传感器；和

形成于所述基底的第二侧上的多个第二传感器，

其中所述多个第一和第二传感器的每个包括：

第一导电材料的第一布线图案层，

接触所述第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层，

具有多个突起的压纹绝缘层，多个突起有期望的间距并与所述第一和第二布线图案层接触；和

多个凹槽，在所述绝缘层上形成于相邻突起之间。

16、根据权利要求15所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层和所述第二布线图案层在相应的所述多个突起上彼此接触。

17、根据权利要求15所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层包括设置于各个温度测量区域上的多个第一测量图案，和配置以将所述多个第一测量图案连接到外部热通量测量设备的多个第一选路引线。

18、根据权利要求17所述的微热通量传感器阵列，其中所述第二布线图案层包括设置于对应于所述多个第一测量图案的位置上的多个第二测量图案，和配置以将相应的所述多个第二测量图案连接到所述外部热通量测量设备的多个第二选路引线。

19、根据权利要求15所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层和所述第二布线图案层为不同的材料。

20、根据权利要求15所述的微热通量传感器阵列，其中所述第一布线图案层和所述第二布线图案层为相同的材料。

21、根据权利要求15所述的微热通量传感器阵列，其中所述基底包括柔性膜。

22、根据权利要求15所述的微热通量传感器阵列，其中所述基底包括导电金属球。