CN101007987A - 水基精密清洗剂 - Google Patents
水基精密清洗剂 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101007987A CN101007987A CN 200710072968 CN200710072968A CN101007987A CN 101007987 A CN101007987 A CN 101007987A CN 200710072968 CN200710072968 CN 200710072968 CN 200710072968 A CN200710072968 A CN 200710072968A CN 101007987 A CN101007987 A CN 101007987A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- cleaning agent
- based precise
- precise cleaning
- deionized water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-Trichlorotrifluoroethane Chemical compound FC(F)(Cl)C(F)(Cl)Cl AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明涉及一种水基精密清洗剂，由如下组分依次经混合、加热至80～100℃并保温1～2小时及冷却处理而得：改性醇，重量份为2～8份；去离子水，重量份为8～2份。所述改性醇的结构式为R1RX(OH)X，其中X范围为2～5，R基为丙基或丁基。本发明水基精密清洗剂中的改性醇与去离子水在清洗条件下生成复合相，利用复合相清洗原理进行清洗，高清洗效率；而且产品沸点高，不易燃易爆，使用方便、安全；清洗剂pH呈中性，不腐蚀清洗物表面；而且不含氟化物及表面活性剂，免冲洗，可节约大量冲洗水；本清洗剂易溶于水，但也易与水分离，可回收循环利用，使用寿命长，使用成本低。
Description
技术领域
本发明涉及一种清洗剂领域，尤其是指一种水基精密清洗剂。
背景技术
目前，在电子、半导体、机械零件、医疗设备等领域，CFC-113、三氯乙烷是广泛采用的精密清洗剂。然而，自70年代发现氯氟烃对大气臭氧层有破坏作用以来，国际社会制定出了多部国际公约，加快淘汰氯氟烃的进程。我国已加入了旨在保护臭氧层的国际公约《蒙特利尔议定书》，承诺于2010年前全国禁用氯氟烃。目前的国内外的ODS替代品是氟系溶剂和烃类溶剂。他们均属有机溶剂，不环保，有使用价格昂贵、沸点较低、易燃爆的缺点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种水基精密清洗剂，其清洗效果好，使用成本低且环保。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种水基精密清洗剂，由如下组分依次经混合、加热至80～100℃并保温1～2小时及冷却处理而得：改性醇，重量份为2～8份；去离子水，重量份为8～2份。
其中，所述改性醇的结构式为R1RX(OH)X，X范围为2～5，R基为丙基或丁基。
本发明的有益效果是：本发明水基精密清洗剂中的改性醇与去离子水在清洗条件下生成复合相，利用复合相清洗原理进行清洗，高清洗效率；而且产品沸点高，不易燃易爆，使用方便、安全；清洗剂pH呈中性，不腐蚀清洗物表面；而且不含氟化物及表面活性剂，免冲洗，可节约大量冲洗水；本清洗剂易溶于水，但也易与水分离，可回收循环利用，使用寿命长，使用成本低。
具体实施方式
本发明提供一种水基精密清洗剂，其包括如下组分：
组分A改性醇 重量比为2～8份；
组分B去离子水 重量比为8～2份。
其中，改性醇的结构式为：R1RX(OH)X，X的范围为2～5，R基通常可以是丙基或丁基。
本发明水基精密清洗剂的具体生产工艺流程如下：
称取一定量的改性醇类和去离子水→按配方混合→加热到80～100℃并保持1～2小时→冷却→密封包装，即得到成品。
本发明水基精密清洗剂的清洗机理是利用改性醇与去离子水在清洗条件下生成复合相，表面张力降低，在与清洗物接触的界面上出现暂时的极性改变和局部的界面附加压强改变，使有机和离子污染物进入复合相形成胶束，与清洗物界面分离；停止清洗，复合相消失，污染物悬浮在水中，而从清洗物表面上洗脱下来。本发明的清洗剂与CFC-113、三氯乙烷和氟系溶剂和烃类溶剂相比有清洗效率高、安全、环保的优点。
下面举几个实例进行说明。
实例一
取80kg改性醇类(结构式为R1R2(OH)2，R基为丁基的物质)，20kg去离子水，混合，加热到80～100℃保持1～2小时，冷却，密封包装，即得100kg水基清洗剂。
实例二
取50kg改性醇类(结构式为R1R3(OH)3，R基为丁基的物质)，50kg去离子水，混合，加热到80～100℃保挣1～2小时，冷却，密封包装，即得100kg水基清洗剂。
实例三
取20kg改性醇类(结构式为R1R5(OH)5，R基为丙基的物质)，80kg去离子水，混合，加热到80～100℃保持1～2小时，冷却，密封包装，即得100kg水基清洗剂。
本发明水基精密清洗剂可广泛应用于工业产品如LCD液晶屏、PCB电路板、SMT加工、LCM模块、半导体硅片、精密零件、光学镜片、音频磁头、磁性材料等残留离子、油污、合成树脂等产品的精密清洗，可有效去除表面的污染物。
Claims (2)
1、一种水基精密清洗剂，其特征在于，其由如下组分依次经混合、加热至80～100℃并保温1～2小时及冷却处理而得：改性醇，重量份为2～8份；去离子水，重量份为8～2份。
2、如权利要求1所述的水基精密清洗剂，其特征在于：所述改性醇的结构式为R1Rx(OH)x，其中X范围为2～5，R基为丙基或丁基。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200710072968 CN101007987A (zh) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 水基精密清洗剂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200710072968 CN101007987A (zh) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 水基精密清洗剂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101007987A true CN101007987A (zh) | 2007-08-01 |
Family
ID=38696647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200710072968 Pending CN101007987A (zh) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 水基精密清洗剂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101007987A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104293500A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-01-21 | 国家电网公司 | 一种用于清洗印制电路板的化学制剂 |
| CN106350326A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-01-25 | 诺而曼环保科技（江苏）有限公司 | 用于碳氢清洗剂的表面张力增大剂及其制备和使用方法 |
| CN106783577A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种采用湿法腐蚀工艺制作mems器件的方法 |
| CN113604292A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-11-05 | 常州智高化学科技有限公司 | 一种改性醇洗净剂及其制备方法 |
-
2007
- 2007-01-15 CN CN 200710072968 patent/CN101007987A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104293500A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-01-21 | 国家电网公司 | 一种用于清洗印制电路板的化学制剂 |
| CN106350326A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-01-25 | 诺而曼环保科技（江苏）有限公司 | 用于碳氢清洗剂的表面张力增大剂及其制备和使用方法 |
| CN106783577A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种采用湿法腐蚀工艺制作mems器件的方法 |
| CN113604292A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-11-05 | 常州智高化学科技有限公司 | 一种改性醇洗净剂及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5965907B2 (ja) | 電気機器や機械機器・光学機器用の基板の化学機械研磨用の水性研磨組成物と方法 | |
| EP2215203B1 (en) | High negative zeta potential polyhedral silsesquioxane composition and method for damage free semiconductor wet clean | |
| CN101007987A (zh) | 水基精密清洗剂 | |
| CN108121149A (zh) | TiN硬掩模和蚀刻残留物去除 | |
| JP2006505010A5 (zh) | ||
| EP0690483A2 (en) | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness | |
| CN103069049B (zh) | 结晶状硅晶圆的纹理蚀刻组成物及纹理蚀刻方法(1) | |
| KR102242951B1 (ko) | 실리콘 산화막 에칭액 | |
| KR20140086927A (ko) | 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물 | |
| CN114106934B (zh) | 一种蓝宝石晶圆清洗剂及其制备方法 | |
| KR101847208B1 (ko) | 평판표시장치용 세정제 조성물 | |
| CN106479761B (zh) | 印刷电路板用水性清洗剂组合物和清洗剂及其制备方法和应用 | |
| US11946148B2 (en) | Hafnium oxide corrosion inhibitor | |
| KR20110028239A (ko) | 평판표시장치 제조용 기판의 세정액 조성물 | |
| CN108998267A (zh) | 一种半导体器件防蚀剂清洗剂及制备方法 | |
| KR101673589B1 (ko) | 평판표시장치의 유리기판용 세정제 조성물 | |
| CN1995305B (zh) | 一种水溶性液晶清洗剂组合物及其制备方法 | |
| KR20080111268A (ko) | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
| KR102542260B1 (ko) | 칼라필터용 박리액 조성물 | |
| KR101341707B1 (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법 | |
| CN105527803B (zh) | 一种光刻胶清洗液 | |
| KR101880297B1 (ko) | 평판표시장치용 세정제 조성물 | |
| CN108531303A (zh) | 一种含有酰基氨基酸类表面活性剂的碳氢清洗剂及制备方法 | |
| KR101403716B1 (ko) | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
| CN109679771B (zh) | 包含多面体低聚倍半硅氧烷的水基清洗剂及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |