CN100594592C - 薄膜晶体管制造方法及基板结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管制造方法及基板结构，其中基板结构具有一基材及一自我对位光罩。该制造方法是通过将自我对位光罩制作在基材上，使其具有与基材同步热胀冷缩的特性，当提供一曝光源在基材非用以形成薄膜晶体管的一侧时，自我对位光罩可克服塑料基板非等距膨胀收缩而产生的偏位问题，且具有高准度的对位效果，因此可以准确的定义出薄膜晶体管源极及漏极位置。

Description

薄膜晶体管制造方法及基板结构

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管制造方法及基板结构，其特别涉及一种应用在制造薄膜晶体管的方法及基板结构。

背景技术

近年来，个人计算机被广泛的应用，再加上网络的普及，在很的大程度上，改变了人类使用纸张的传统阅读习惯。显示器成功开发后，将显示器连接在个人计算机，然后直接由显示器上，显示个人计算机所输出的信息画面，已成为人类阅读信息的重要方式。然而人们的阅读习惯是长久累积而成，因此纸张仍然是传播信息的一种重要载体。随着显示器技术的成熟，更轻、更薄、可携带、可挠曲的显示器，例如电子纸张，正吸引了全球众多投资人的关注，许多公司也纷纷加入这场“纸张革命”的技术开发行列之中。

有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor；OTFT)是利用有机分子材料以开发出适合应用于电子产品的薄膜晶体管，当面板弯曲时以有机分子材料作成的晶体管组件，其特性仍能维持不变，且能达到正常的显像品质效果，因此加速了可挠式电子产品，例如可挠式显示器的实现。又由于塑料基板具有透明、轻、薄、耐冲击、可挠曲的特性，及适用于滚轴对滚轴(Roll to Roll)喷印平台的高生产率工艺，所以将有机薄膜晶体管制作在塑料基板上，在可挠式显示器或逻辑组件上的应用，将是未来的主流的驱势。然而在塑料基板的工艺中，除了基板本身的透水透氧性需要改善外，在制作薄膜晶体管的过程中，会经过溶剂的浸泡以及高温工艺，而导致基板尺寸不安定无法精准的对位的现象，如此将会提高制作过程中的困难度以及造成良率的降低等问题。

如图1所示，是为一现有有机薄膜晶体管，使用塑料基板作为基材的配置图。为了提高生产的效能，因此在薄膜晶体管的生产工艺中，会在大面积的塑料基板上，同时生产大量的薄膜晶体管，此时为了工艺的控制及管理，又会将大面积的塑料基板，区分成若干区块，例如编号为…、P02、P03、…、P05、P06、…等区块，然后每一区块又区分为多数的单元，例如P06区块，又可进一步区分为编号A0、…、A8、…、G0、…、G8等单元。又每一次的工艺中，均会提供一对位区92，以作为制造时对位的产考基准。

如图2所示，为一现有塑料基板，在薄膜晶体工艺中，因受热而产生基材伸展不一致的对照图。以第P06区块为例，其中编号A0、A8、G0及G8的单元，分别位于该第P06区块的四个角落，通过虚拟的水平及垂直辅助对应线的观察，可以发现，当塑料基板受热后，该四个单元产生了明显的伸展不一致偏移现象，其垂直及水平偏移量分别为D1及D2。而伸展不一致造成的偏移，将会严重影响对位的精度，若不加以克服将会造成薄膜晶体管的特性不稳定或者多数薄膜晶体管间特性不一致问题。又因为不同的塑料基板其受热后的伸展量均不会一样，若为了克服相关偏移问题，而依据每一塑料基板的偏移量，加以量身制作可修正该偏移量的光罩，将会造成工艺的复杂度及提高成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管制造方法及基板结构，通过在基板正面或背面，制作一自我对位光罩的方式，使得能进行基板内的自我对准背面曝光，并将第二层电极，也就是源极(source)及漏极(Drain)或栅极(gate)曝显出来，如此便不需更改光罩设计以及驱动系统的设计。又因为本发明的对位光罩是以金属材料所制成，用其定义半导体层的信道，除了可以避免背光所造成的光电流外，还可将此处的背光反射至背光系统，因此将光线反射后再利用，因而使背光效率获得提升。

将原本用以制造薄膜晶体管源极及漏极的投射式光罩，改以一直接制作在基材上的自我对位光罩加以取代，通过自我对位光罩具有与基材同步热胀冷缩的特性，可自我对位的定义出薄膜晶体管的源极(Source)及漏极(Drain)的位置，因此使得本发明的薄膜晶体管制造方法，能克服薄膜晶体管制造时，因高温造成基材伸缩后，投射式光罩无法精确的定义出薄膜晶体管的源极及漏极位置的问题。

为实现上述的目的，本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤：一基材，基材具有一第一板面及一第二板面，第一板面上用以形成一薄膜晶体管，其具有一源极、一漏极及一栅极；形成一非透明薄膜在第二板面上；将非透明薄膜制作成第一光罩；制作栅极在第一板面上；制作一透明绝缘层在栅极及第一板面上；制作一透明电极层在透明绝缘层上；制作一光阻在透明电极层上；提供一曝光源在第二板面侧，又通过第一光罩的作用，以定义出源极及漏极位置，将透明电极层制作出源极及漏极；以及制作一半导体层(activelayer)，其设置且电性连接在源极及漏极之间。

本发明又提供一种薄膜晶体管制造方法，其包括下列步骤：一伸缩基材，该伸缩基材具有一第一板面及一第二板面，第一板面上用以形成一薄膜晶体管，其具有一源极、一漏极及一非透明栅极；制作出非透明栅极在第一板面上；制作一透明绝缘层在非透明栅极及第一板面上；制作一透明电极层在透明绝缘层上；制作一负型光阻在透明电极层上；提供一曝光源在第二板面侧，通过非透明栅极定义出薄膜晶体管的信道宽度；将透明电极层制作出源极及漏极；以及制作一半导体层，其设置且电性连接在源极及漏极之间。

最后为了使上述的方法达到最佳的功效，本发明也提供一种薄膜晶体管的基板结构，其应用在一薄膜晶体管的制造方法中，其包括：一基材，基材具有一个第一板面及一个第二板面；以及一自我对位光罩，其设置在基材的第一板面或第二板面上，且该自我对位光罩，设置在该基材其非用以形成该薄膜晶体管的一板面上，且其位置、面积及形状，与该薄膜晶体管的源极及漏极成互补或相同。

通过本发明的实施，至少可以达到下列的进步功效：一、可以增加工艺良率，当基材受热后，通过自我对位光罩能随着基材产生同步伸展的特性，因此将可提高薄膜晶体管源极及漏极的对准精度，因此可以增加工艺良率。

二、可提高背光利用率，因为自我对位光罩为一金属薄膜或一金属氧化物薄膜，因此当背光膜组提供一背光光源时，可产生光反射后再利用的效果，因此可提升液晶显示器的背光利用率。

三、获得较佳的半导体特性，当制造过程中的对位问题被克服后，源极及漏极将可被制作在正确的位置，使得半导体层制作时能更具一致性，因而能获得较佳的半导体特性。

四、可降低成本，除了可以提升良率外，也可避免为了要克服基材伸展不均匀的问题，而必须制作多数具修正偏移功能的特定光罩，因此可降低成本。

为使对本发明的目的、构造特征及其功能有进一步的了解，兹配合相关实施例及图式详细说明如下：

附图说明

图1为一现有有机薄膜晶体管，使用塑料基板作为基材的配置图；

图2为一现有塑料基板，在薄膜晶体工艺中，因受热而产生基材伸展不一致的对照图；

图3A为一基材的第二板面上形成有一非透明薄膜的实施例图；

图3B为以黄光方式制作一第一光罩实施例图；

图3C为第一光罩制作完成后，将基材予以反面后的实施例图；

图3D是在基材的第一板面上，以黄光方式制作一栅极的实施例图；

图3E是栅极制作完成后的实施例图；

图3F是制作一透明绝缘层在栅极及第一板面上的实施例图；

图3G是制作一透明电极层在透明绝缘层上及制作一负型光阻在透明电极层上的实施例图；

图3H是提供一曝光源在基板的第二板面侧，以定义出薄膜晶体管源极及漏极位置的实施例图；

图3I是将一透明绝缘层制作出源极及漏极的实施例图；

图3J是在薄膜晶体管的源极及漏极之间形成一半导体层的实施例图；

图3K为第一实施例的薄膜晶体管的制造方法，在半导体层制作完成后，又覆盖一层保护层的实施例图；

图4为本发明的一种薄膜晶体管制造方法的实施例流程图；

图5A为一基材的第二板面上形成有一非透明薄膜的实施例图；

图5B是以黄光方式制作一第二光罩实施例图；

图5C是第二光罩制作完成后，将基材予以反面后的实施例图；

图5D是在基材的第一板面上，以黄光方式制作一透明栅极的实施例图。

图5E是透明栅极制作完成后的实施例图；

图5F是制作一透明绝缘层在透明栅极及第一板面上的实施例图；

图5G是制作一透明电极层在透明绝缘层上及制作一正型光阻在透明电极层上的实施例图；

图5H是提供一曝光源在基板的第二板面侧，以定义出薄膜晶体管源极及漏极位置的实施例图；

图5I是将一半导体层制作出源极及漏极的实施例图；

图5J是在薄膜晶体管的源极及漏极之间形成一半导体层的实施例图；

图5K为第二实施例的薄膜晶体管的制造方法，在半导体层制作完成后，又覆盖一层保护层的实施例图；

图6为本发明的一种薄膜晶体管制造方法的实施例流程图；

图7A为一基材的第一板面上形成有一非透明栅极薄膜实施例图；

图7B是以黄光方式将非透明栅极薄膜制作出非透明栅极的实施例图；

图7C是非透明栅极制作完成后的实施例图；

图7D是制作一透明绝缘层在非透明栅极及第一板面上的实施例图；

图7E是制作一透明电极层在透明绝缘层上及制作一负型光阻在透明电极层上的实施例图；

图7F是提供一曝光源在基板的第二板面侧，以定义出薄膜晶体管源极及漏极位置的实施例图；

图7G是将透明电极层制作出源极及漏极后的实施例图；

图7H是在薄膜晶体管的源极及漏极之间形成一半导体层的实施例图；

图7I为第三实施例的薄膜晶体管的制造方法，在半导体层制作完成后，又覆盖一层保护层的实施例图；

图8为本发明的一种薄膜晶体管的制造方法的实施例流程图；

图9为自我对位光罩的第一实施态样图；

图10为自我对位光罩的第二实施态样图；

图11为自我对位光罩的第三实施态样图。

其中，附图标记：

P02、P03、P05、P06塑料基板区块编号

A0、A8、G0、G8塑料基板单元编号

D1：垂直偏移量

D2：水平偏移量

10：基材

11：第一板面

12：第二板面

20：非透明薄膜

21：第一光罩

22：第二光罩

23：第三光罩

24：第四光罩

25：第五光罩

26：自我对位光罩

30：光阻

40：栅极薄膜

41：栅极

42：透明栅极薄膜

43：透明栅极

44：非透明栅极薄膜

45：非透明栅极

50：透明绝缘层

60：透明电极层

61：源极

62：漏极

70：负型光阻

71：正型光阻

80：半导体层

90：保护层

91：曝光源

92：对位区

M10、M20、M30薄膜晶体管制造方法

S10：提供一基材

S11：形成非透明薄膜

S12：制作第一光罩

S13：制作栅极

S14：制作透明绝缘层

S15：制作透明电极层

S16：制作负型光阻

S17：提供一曝光源

S18：制作出源极及漏极

S19：制作一半导体层

S20：提供一基材

S21：形成非透明薄膜

S22：制作第二光罩

S23：制作一透明栅极

S24：制作透明绝缘层

S25：制作透明电极层

S26：制作正型光阻

S27：提供一曝光源

S28：制作出源极及漏极

S29：制作一半导体层

S30：提供一基材

S31：制作出非透明栅极

S32：制作透明绝缘层

S33：制作透明电极层

S34：制作负型光阻

S35：提供一曝光源

S36：制作出源极及漏极

S37：制作一半导体层

具体实施方式

<第一实施例>

本实施例的薄膜晶体管制造方法(M10)，特别适用于具有背光模块的显示器，为了使背光模块能有效的提供显示器显示面板所需的光源，因此本实施例的薄膜晶体管制造方法(M10)，使用与薄膜晶体管的源极61及漏极62在位置、面积及形状上均成互补的第一光罩21，再配合使用负型光阻70以定义出薄膜晶体管的源极61及漏极62。

如图3A所示，为一基材的第二板面上形成有一非透明薄膜的实施例图。本实施例首先提供一制作薄膜晶体管所需的一基材10，因为基材10为一平板，因此均具有一第一板面11及一第二板面12，又第一板面11上用以形成-薄膜晶体管，其具有一源极61、一漏极62及一栅极41。然后在基材10非用以制作薄膜晶体管的板面，也就是第二板面12上，形成一用以制造第一光罩21的非透明薄膜20。

如图3B所示，是以黄光方式制作一第一光罩的实施例图。其是在非透明薄膜20上，形成一光阻30，然后使用第三光罩23，经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以制造出第一光罩21，又第一光罩21的位置、面积及形状是与薄膜晶体管的源极61及漏极62成互补。当制造薄膜晶体管时，因高温的作用将使得基材10随之伸展，而第一光罩21设置在基材10上，因此将可随着基材10的伸展而同步的伸缩，故能产生同步自动对位出薄膜晶体管源极61及漏极62的功效。

如图3C所示，是第一光罩制作完成后，将基材予以反面后的实施例图。如图3D所示，是在基材的第一板面上，以黄光方式制作一栅极的实施例图。当第一光罩21制作完成后，接着将基材10予以反面，并在反面后的板面，也就是第一板面11上形成一栅极薄膜40。接着形成一光阻30在栅极薄膜40上，然后使用第五光罩25，经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以制造出栅极41。

如图3E所示，是栅极制作完成后的实施例图。如图3F所示，是制作一透明绝缘层在栅极及第一板面上的实施例图。如图3G所示，是制作一透明电极层在透明绝缘层上及制作一负型光阻在透明电极层上的实施例图。当栅极41制作完成后，接着制作一透明绝缘层50在栅极41及第一板面11上。然后又制作一透明电极层60在透明绝缘层50上及再制作一负型光阻70在透明电极层60上。因为本实施例第一光罩21的位置、面积及形状，是与源极61及漏极62成互补，因此本实施例制作源极61及漏极62所使用的光阻使用一负型光阻70。

如图3H所示，是提供一曝光源在基板的第二板面侧，以定义出薄膜晶体管源极及漏极位置的实施例图。以及如图3I所示，是将一透明绝缘层制作出源极及漏极的实施例图。当负型光阻70制作完毕后，接着在第二板面12侧提供一曝光源91，并借着第一光罩21的作用，同样的经过曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以将透明电极层60制造出薄膜晶体管的源极61及漏极62。

如图3J所示，是在薄膜晶体管的源极及漏极之间形成一半导体层的实施例图。当薄膜晶体管的源极61及漏极62形成后，在薄膜晶体管的源极61及漏极62上再形成一半导体薄膜，然后再在半导体薄膜上形成一光阻(半导体薄膜及光阻的图未示)。又经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以制造出一半导体层80，又半导体层80设置在薄膜晶体管的源极61及漏极62之间且与薄膜晶体管的源极61及漏极62电性连接。

如图4所示，为本发明的一种薄膜晶体管制造方法的实施例流程图。本实施例的薄膜晶体管制造方法(M10)，其包括下列步骤：首先提供一基材，基材具有一个第一板面及一个第二板面(步骤S10)；接着形成一非透明薄膜在基材的第二板面上(步骤S11)；接着将非透明薄膜制作成一第一光罩，当制作第一板面上的薄膜晶体管时，第一光罩可用以定义出薄膜晶体管的一源极及一漏极的位置(步骤S12)；又制作一栅极在第一板面上，其是设置在源极及漏极的预定位置之间(S13)；又制作一透明绝缘层在栅极及第一板面上(步骤S14)；又制作一透明电极层在透明绝缘层上(步骤S15)；又制作一负型光阻在透明绝缘层上(步骤S16)；接着提供一曝光源在第二板面侧，此时通过第一光罩的作用，可以定义出源极及漏极位置(步骤S17)；接着将透明电极层制作出源极及漏极(步骤S18)；以及制作一半导体层，其是设置且电性连接在源极及漏极之间(步骤S19)。

<第二实施例>

本实施例的薄膜晶体管制造方法(M20)，特别适用于反射式的显示器，为了增加显示器的反射面积，因此本实施例的薄膜晶体管制造方法(M20)，是使用与薄膜晶体管的源极61及漏极62在位置、面积及形状上为相同的第二光罩22，再配合透明栅极43及使用正型光阻71以定义出薄膜晶体管的源极61及漏极62。

如图5A所示，为一基材的第二板面上形成有一非透明薄膜的实施例图。本实施例首先提供一制作薄膜晶体管所需的一基材10，因为该基材10为一平板，因此均具有一第一板面11及一第二板面12，又第一板面11上用以形成一薄膜晶体管，其具有一源极61、一漏极62及一透明栅极43。然后在该基材10上非用以制作薄膜晶体管的板面，也就是第二板面12上，形成一用以制造第二光罩22的非透明薄膜20。

如图5B所示，是以黄光方式制作一第二光罩实施例图。其是在非透明薄膜20上，形成一光阻30，然后使用第四光罩24，经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以制造出第二光罩22，又该第二光罩22的位置、面积及形状，与薄膜晶体管的源极61及漏极62相同。当制造薄膜晶体管时，因高温的作用将使得基材10随之伸展，而第二光罩22设置在基材10上，因次将可随着基材10的伸展而同步的伸缩，故能产生同步自动对位出薄膜晶体管的源极61及漏极62的功效。

如图5C所示，是第二光罩制作完成后，将基材予以反面后的实施例图。如图5D所示，是在基材的第一板面上，以黄光方式制作一透明栅极的实施例图。当第二光罩22制作完成后，接着将基材10予以反面，并在该反面后的板面，也就是第一板面11上形成一透明栅极薄膜42。接着形成一光阻30在该透明栅极薄膜42上，然后使用第五光罩25，经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以制造出该透明栅极43。

如图5E所示，是透明栅极制作完成后的实施例图。如图5F所示，是制作一透明绝缘层在透明栅极及第一板面上的实施例图。如图5G所示，是制作一透明电极层在透明绝缘层上及制作一正型光阻在透明电极层上的实施例图。当透明栅极43制作完成后，接着制作一透明绝缘层50在该透明栅极43及该第一板面11上。然后又制作一透明电极层60在该透明绝缘层50上及再制作一正型光阻71在透明电极层60上。因为本实施例第二光罩22的位置、面积及形状，与该源极61及该漏极62成互补，因此本实施例制作源极61及漏极62所使用的光阻是使用一正型光阻71。

如图5H所示，是提供一曝光源在基板的第二板面侧，以定义出薄膜晶体管源极及漏极位置的实施例图。以及如图5I所示，是将一半导体层制作出源极及漏极的实施例图。当正型光阻71制作完毕后，接着在第二板面12侧提供一曝光源91，并借着第二光罩22的作用，同样的经过曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以将透明电极层60制造出薄膜晶体管的源极61及漏极62。

如图5J所示，是在薄膜晶体管的源极及漏极间形成一半导体层的实施例图。当薄膜晶体管的源极61及漏极62形成后，在薄膜晶体管的源极61及漏极62上再形成一半导体薄膜。然后再在该半导体薄膜上形成一光阻(半导体薄膜及光阻的图未示)。同样的经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以制造出一半导体层80。

如图6所示，为本发明的一种薄膜晶体管制造方法的实施例流程图。本实施例的薄膜晶体管制造方法(M20)，其包括下列步骤：首先提供一基材，该基材具有一个第一板面及一个第二板面(步骤S20)；接着形成一非透明薄膜在基材的第二板面上(步骤S21)；然后将该非透明薄膜制作成一第二光罩，当制作第一板面上的薄膜晶体管时，该第二光罩可用以定义该薄膜晶体管的一源极及一漏极位置(步骤S22)；又制作一透明栅极在该第一板面上(步骤S23)；制作一透明绝缘层在该透明栅极及基材的第一板面上(步骤S24)；制作一透明电极层在该透明绝缘层上(步骤S25)；制作一正型光阻在该透明电极层上(步骤S26)；提供一曝光源在该第二板面侧，又通过该第二光罩的作用，以定义出该源极及该漏极位置(步骤S27)；将该透明电极层制作出该源极及该漏极(步骤S28)；以及制作一半导体层，其设置且电性连接在该源极及该漏极之间(步骤S29)。

<第三实施例>

本实施例的薄膜晶体管制造方法(M30)，也是适用在具有背光模块的显示器，同样是为了使背光模块能有效的提供给显示器的显示面板所需的光源，但本实施例的薄膜晶体管制造方法，是将非透明栅极45同时当作一栅极电极及一用以制作源极61及漏极62的自我对位光罩使用的，又配合一负型光阻70以定义出薄膜晶体管的源极61及漏极62。

如图7A所示，为一基材的第一板面上形成有一非透明栅极薄膜实施例图。本实施例首先提供一制作薄膜晶体管所需的一基材10，接着在该基材10的一板面上，形成有一非透明栅极薄膜44。

如图7B所示，是以黄光方式将非透明栅极薄膜制作出非透明栅极的实施例图。其是在非透明栅极薄膜44上，形成一光阻30，然后然后使用第五光罩25，经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以制造出非透明栅极45。

如图7C所示，是非透明栅极制作完成后的实施例图。如图7D所示，是制作一透明绝缘层在非透明栅极及第一板面上的实施例图。如图7E所示，是制作一透明电极层在透明绝缘层上及制作一负型光阻在透明电极层上的实施例图。当非透明栅极45制作完成后，接着制作一透明绝缘层50在该非透明栅极45及该第一板面11上。然后又制作一透明电极层60在该透明绝缘层50上及再制作一负型光阻70在透明电极层60上。因为本实施例是将非透明栅极45作为光罩使用，因此本实施例制作源极61及漏极62所使用的光阻是使用一负型光阻70。

如图7F所示，是提供一曝光源在基板的第二板面侧，以定义出薄膜晶体管源极及漏极位置的实施例图。以及如图7G所示，是将透明电极层制作出源极及漏极后的实施例图。当负型光阻70制作完毕后，接着在第二板面12侧提供一曝光源91，同样的经过非透明栅极45的光罩作用及曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，以将透明电极层60制造出薄膜晶体管的源极61及漏极62。

如图7H所示，在薄膜晶体管的源极及漏极间形成一半导体层的实施例图。当薄膜晶体管的源极61及漏极62形成后，在薄膜晶体管的源极61及漏极62再形成一半导体薄膜。然后再在该半导体薄膜上形成一光阻(半导体薄膜及光阻的图未示)。同样的经过光罩、曝光、显影、蚀刻及去光阻等步骤，可以制造出一半导体层80。

如图8所示，是为本发明的一种薄膜晶体管的制造方法的实施例流程图。本实施例的薄膜晶体管的制造方法(M30)，其包括下列步骤：提供一基材，该基材具有一第一板面及一第二板面(步骤S30)；制作出一非透明栅极在该第一板面上(步骤S31)；制作一透明绝缘层在该非透明栅极及该第一板面上(步骤S32)；制作一透明电极层在该透明绝缘层上(步骤S33)；制作一负型光阻在该透明绝缘层上(步骤S34)；提供一曝光源在该第二板面侧，通过该非透栅极定义出该薄膜晶体管的信道宽度(步骤S35)；将该透明电极层制作出该薄膜晶体管的一源极及一漏极(步骤S36)；以及制作一半导体层，其是设置且电性连接在该源极及该漏极之间(步骤S37)。

<第四实施例>

本实施例的一种薄膜晶体管的基板结构，其是应用在一薄膜晶体管的制造方法中，其包括：一基材10，该基材10具有一第一板面11及一第二板面12；以及一自我对位光罩26，其是设置在该第一板面11或该第二板面12上。

当薄膜晶体管是设置在第一板面11时，则本实施例的自我对位光罩26，是设置在基材其非用以形成薄膜晶体管的一板面，也就是设置在第二板面12上，且自我对位光罩26就其位置、面积及形状而言，具有三种不同的实施态样。如图9所示，为自我对位光罩的第一实施态样图。第一实施态样的自我对位光罩26为一第一光罩21，其设置在未设有薄膜晶体管的一板面上，且其位置、面积及形状与薄膜晶体管的源极61及漏极62成互补。如图10所示，为自我对位光罩的第二实施态样图。第二种实施态样的自我对位光罩26为一第二光罩22，其也设置在未设有薄膜晶体管的一板面上，且其位置、面积及形状是与薄膜晶体管的源极61及漏极62相同。如图11所示，为自我对位光罩的第三实施态样图。第三种实施态样的自我对位光罩26为一薄膜晶体管的非透明栅极45。

当制造薄膜晶体管所使用的基板结构，其基材10上形成有一第一光罩21及第二光罩22时，因为第一光罩21及第二光罩22为一栅极薄膜40或一金属氧化物薄膜所制成，因此当显示器的背光膜组提供一背光光源时，通过第一光罩21及第二光罩22的反射，将可有效的提升液晶显示器的背光利用率。

<综合叙述>

在上述第一至第四实施例中，其共同适用的部分，将进一步详述如下：

上述各实施例的薄膜晶体管的制造方法(M10、M20、M30)或基板结构，其可应用于一般薄膜晶体管工艺中，但主要是应用于有机薄膜晶体管的工艺中。

薄膜晶体管的制造方法(M10、M20、M30)或基板结构，其所使用的基材10，可以为一玻璃基材或一伸缩基材。所谓伸缩基材是指受物理因素作用后，会造成基材10产生明显的伸缩现象，其具体的实施例是例如一塑料基材。因为塑料基材受温度影响后，会有明显的热涨冷缩现象，因此使用第一光罩21、第二光罩22及非透明栅极45，均能在基材伸缩后正确的定义出源极61及漏极62位置的功能，因此将更能显现其进步性。

薄膜晶体管的制造方法，其中非透明薄膜20可以为一金属薄膜或一金属氧化物薄膜。其中半导体层80为一有机或一无机半导体材料所制成。其中透明绝缘层50可以为一有机或一无机的材料所制成，又该透明绝缘层50，可以使用印刷方式或无机沉积方式加以制作。又其中半导体层80为一有机或一无机半导体材料所制成。

如图3K，图5K及图7I所示，为第一、二及三实施例的薄膜晶体管的制造方法，半导体层制作完成后，又覆盖一层保护层的实施例图。当上述各实施例的薄膜晶体管，为一有机薄膜晶体管时，为了避免有机物质受到湿气的侵害，因此可在半导体层80、源极61及漏极62上，进一步覆盖一保护层90。又该保护层90可以为一水系高分子或一水系与油系组合双层的高分子或一有机无机混合物的保护层90，且其制作方式可以使用旋转涂布或印刷方式加以制作。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属在本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基材，该基材具有一第一板面及一第二板面，该第一板面上用以形成一薄膜晶体管，其具有一源极、一漏极及一栅极；

形成一非透明薄膜在该第二板面上；

将该非透明薄膜制作成一光罩；

制作该栅极在该第一板面上；

制作一透明绝缘层在该栅极及该第一板面上；

制作一透明电极层在该透明绝缘层上；

制作一光阻在该透明电极层上；

提供一曝光源在该第二板面侧，又通过该光罩的作用，以定义出该源极及该漏极位置，又将该透明电极层制作出该源极及该漏极；以及

制作一半导体层，其设置且电性连接在该源极及该漏极之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该薄膜晶体管为一有机薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该光罩的位置、面积及形状，与该源极及该漏极成互补。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该透明绝缘层，使用印刷或无机沉积方式加以制作。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该半导体层由一有机或一无机半导体材料所制成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在该半导体层、该源极及该漏极上，进一步覆盖有一保护层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该保护层以旋转涂布或印刷方式加以制作。

8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一伸缩基材，该伸缩基材具有一第一板面及一第二板面，该第一板面上用以形成一薄膜晶体管，其具有一源极、一漏极及一非透明栅极；

制作出该非透明栅极在该第一板面上；

制作一透明绝缘层在该非透明栅极及该第一板面上；

制作一透明电极层在该透明绝缘层上；

制作一负型光阻在该透明电极层上；

提供一曝光源在该第二板面侧，通过该非透明栅极定义出该薄膜晶体管的信道宽度；

将该透明电极层制作出该源极及该漏极；以及

制作一半导体层，其设置且电性连接在该源极及该漏极之间。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该薄膜晶体管为一有机薄膜晶体管。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该透明绝缘层，使用印刷或无机沉积方式加以制作。

11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在该半导体层、该源极及该漏极上，进一步覆盖有一保护层。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该保护层以旋转涂布或印刷方式加以制作。

13.一种薄膜晶体管的基板结构，其是应用在一薄膜晶体管的制造方法中，其特征在于，包括：

一基材，该基材具有一第一板面及一第二板面；以及

一自我对位光罩，其设置在该第一板面或该第二板面上，且该自我对位光罩，设置在该基材其非用以形成该薄膜晶体管的一板面上，且其位置、面积及形状，与该薄膜晶体管的源极及漏极成互补或相同。

14.根据权利要求13所述的基板结构，其特征在于，该基材为一塑料基材。

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