CN100590503C - 液晶显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种液晶显示面板,包含:多数条扫描线与多数条数据线,交叉配置于一基板上;多数个薄膜晶体管,配置于基板上,其中,每一薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,栅极与扫描线其中之一电性连接,源极与数据线其中之一电性连接;多数个像素电极,每一像素电极与薄膜晶体管其中之一的漏极电性连接;以及一绝缘层,配置于数据线与像素电极之间,其中每一像素电极具有至少一延伸部,且部分延伸部设置于数据线的上方。此种液晶显示面板的修补方法是利用一激光熔接像素电极的延伸部与对应的数据线,以形成阶梯式的跨层连接,通过像素电极的导电特性而重构数据线的讯号路径。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示器,特别涉及一种液晶显示面板。
背景技术
目前,液晶显示器已朝向不同的应用领域发展,面板(panel)的尺寸大小也逐渐增加以符合科技趋势的需求,所以制程的复杂度与难度也随着尺寸不断地增加而升高,因此制程的精密度对面板显示品质的影响,是影响产能与良率的重要关键。
在液晶显示器生产过程中,容易受到制程污染或是静电破坏造成线缺陷(line defect)或点缺陷(pixel defect),所谓的线缺陷意指信号线(扫描线(gate line)或数据线(source line))断路(open)或短路(short);液晶显示器发生点缺陷或线缺陷时,若不进行修补的动作将会造成液晶显示器的良率大幅下降,影响产品品质。
请参阅图1,图1为现有的液晶显示面板线缺陷修补方式示意图。如图中所示,像素结构100包含多数条扫描线104、多数条数据线106,其中,扫描线104与数据线106交叉配置于一基板上并定义出多数个像素区域(pixel),多数个像素电极102以及多数个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)114分别设置于多数个像素区域内,其中,薄膜晶体管114具有一栅极电极(GateElectrode)与扫描线104电性连接、一漏极电极(Drain Electrode)与像素电极102电性连接及一源极电极(Source Electrode)与数据线106电性连接。若数据线106因灰尘(particle)、油渍、或静电破坏(ESD)导致断路(Open)108时,现有的修补方式直接在断路部分利用激光化学气相沉积方式(LaserChemical Vapor Deposition,Laser CVD)拉接金属线(如钨线)形成一连接段110修补此断路108,以重构数据的讯号路径。然而,此种修补方式只适用于小范围的线缺陷修补,当断路108的距离长时,激光化学气相沉积需花费较长的时间及较高的成本重构讯号路径。且在制程后端的洗净过程中,为了将导致断路108的异物冲洗掉时,容易将连接段110的金属抹去,导致修补率低,使得不良品流入下一阶段的制程。
为了提升修补率,现有液晶显示面板另一种修补方式如图2所示,是在数据线106的断路108a的两侧跨接一ㄇ型的金属线以形成一连接段110a,通过此连接段110a重构讯号路径。然而,此种修补方式虽提高了修补率,却需耗费相当长的时间及较高的成本方能达到重构讯号路径的目的。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的一个目的在于提供一种液晶显示面板,直接利用像素图案(pixel pattern)的材料导电特性来修补数据线断路,可节省修补时间。
本发明的另一目的在于提供一种液晶显示面板,连接数据线及像素电极(pixel electrode),利用像素电极的导电性重构数据线的讯号路径,不仅可应用既有的光罩制程,更可达到高修复率及大范围修补的目的。
为了达到上述目的,本发明的一实施例提供一种液晶显示面板,包含:多数条扫描线与多数条数据线,交叉配置于一基板上;多数个薄膜晶体管,配置于基板上,其中每一薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,栅极与扫描线其中之一电性连接,源极与数据线其中之一电性连接;多数个像素电极,每一像素电极与薄膜晶体管其中之一的漏极电性连接;以及一绝缘层,配置于数据线与像素电极之间,其中每一像素电极具有至少一延伸部,且部分延伸部设置于数据线的上方。此种液晶显示面板的修补方法是利用激光熔接像素电极的延伸部与对应的数据线,以形成阶梯式的跨层连接,通过像素电极的导电特性而重构数据线的讯号路径。
为了达到上述目的,本发明的另一实施例提供一种液晶显示面板,包含:多数条扫描线与多数条数据线,交叉配置于一基板上;多数个薄膜晶体管,配置于基板上,其中每一薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,该栅极与扫描线其中之一电性连接,源极与数据线其中之一电性连接;多数个像素电极,每一像素电极与薄膜晶体管其中之一漏极电性连接;以及一绝缘层,配置于数据线与像素电极之间,其中每一数据线具有至少一延伸部,且部分延伸部设置于像素电极上。此种液晶显示面板的激光修补方法是利用激光熔接数据线的延伸部与对应的像素电极,以形成阶梯式的跨层连接,通过像素电极的导电特性而重构数据线的讯号路径。
附图说明
以下借由具体实施例配合附图详加说明,以便使本领域技术人员更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。其中:
图1为现有技术的液晶显示面板线缺陷修补示意图。
图2为现有技术的液晶显示面板线缺陷修补示意图。
图3为根据本发明的一实施例的液晶显示面板示意图。
图4为根据本发明的又一实施例的液晶显示面板示意图。
图5为根据本发明的又一实施例的液晶显示面板示意图。
图6为根据本发明的再一实施例的液晶显示面板示意图。
具体实施方式
以下以一较佳实施例来说明本发明的液晶显示面板。
请参阅图3,图3为根据本发明的一实施例的液晶显示面板示意图。如图中所示,液晶显示面板上的像素结构200包含多数条扫描线204及多数条数据线206,其中,扫描线204与数据线206交叉配置于一基板上,并定义出多数个像素区域;多数条储存电容电极线214,沿着扫描线204方向设置并横跨像素区域,且与数据线206交叉配置;多数个薄膜晶体管216,分别对应设置于每一像素区域上,其中,薄膜晶体管216具有一栅极(图中未示)电性连接扫描线204、一漏极(图中未示)与像素电极202电性连接及一源极(图中未示)与数据线206电性连接;像素电极202分别设置于每一像素区域上,且与对应的薄膜晶体管216的漏极电性连接,其中,每一像素电极202具有至少一延伸部210,且部份延伸部210设置于对应的数据线206的上方;此外,薄膜晶体管阵列基板还包含一绝缘层(图中未示)配置于数据线206与像素电极202之间,使得延伸部210与数据线206电性绝缘。在此实施例中,若数据线206因灰尘、油渍、或静电破坏导致断路208,则利用激光熔接方式于断路208两侧熔接延伸部210,以连接数据线206与像素电极202,通过像素电极202既有的导电特性,形成一讯号路径212重构数据线206的讯号路径。
另外,数据线206也可包含至少一延伸部210,且部分延伸部210设置于对应的像素电极202上,而相对的,由于绝缘层(图中未示)是配置于数据线206与像素电极202之间,因此,延伸部210与像素电极202为电性隔绝。可以理解的是,修补时仅需熔接延伸部210与像素电极202重叠的部分,以连接数据线206与像素电极202,通过像素电极202既有的导电特性形成一讯号路径212重构数据线206的讯号路径。
请参阅图4,图4为根据本发明的又一实施例的液晶显示面板示意图。在此实施例中,若数据线306的断路308是位在相邻的像素电极302、302a之间或者是位于扫描线304的上方,则利用激光熔接延伸段310a、310b,使得延伸段310a、310b分别连接数据线306与像素电极302、302a,并利用激光沉积方式在相邻的两像素电极302、302a间形成至少一修补垫310c,其中,修补垫310c位于扫描线304的上层用以连接两相邻像素电极302、302a;因此,可以理解的,此实施例是利用两颗像素电极302、302a搭配延伸部310a、310b、修补垫310c及像素电极302、302a既有的导电特性,形成一讯号路径312以重构数据线306。
另外,利用连接数据线与像素电极且搭配像素电极的导电性重构数据线的讯号路径而达到修补数据线断路目的的方法也可适用于扫描线与数据线短路(Gate-line short with Source-line,GS short)、数据线与储存电容电极线短路(Source-line short with CS-line,SC short)及相邻的数据线间短路(Source-line short with Source-line,SS short)的线缺陷。
请参阅图5,图5为根据本发明的再一实施例的液晶显示面板示意图。在此实施例中,像素电极402两侧的数据线406因异物416而导致短路的状况,因此,先将数据线406上异物416两侧的切断处422切断(cutting),形成数据线406断路的情况之后,再进行修补。可以理解的,修补是利用激光熔接延伸部410,以连接数据线406与像素电极402,再通过像素电极402既有的导电特性,形成一讯号路径412以重构数据线406。
又,倘若像素电极402a范围内的数据线406a与储存电容电极线420因异物418而导致短路的状况,则先将数据线406a上异物418两侧的切断处422a切断(cutting),使得储存电容电极线420与数据线无短路状况且形成数据线406a断路的情况之后,再进行修补。同理,修补是利用激光熔接延伸部410a,以连接数据线406a与像素电极402a,通过像素电极402a既有的导电特性,形成一讯号路径412a以重构数据线406a。
请参阅图6,图6为根据本发明的再一实施例的液晶显示面板示意图。在此实施例中,像素电极502a的数据线506因异物516导致与扫描线504发生短路状况,因此,修补的方式与上述所有实施例相同,先将数据线506上异物516两侧的切断处522切断,形成数据线506断路的情况之后,再进行修补。同样的,修补是利用激光熔接延伸部510a、510b,使得延伸部510a、510b分别连接数据线506与像素电极502、502a,及利用激光沉积方式于相邻的两像素电极502、502a间形成一修补垫510c,其中,修补垫510c则位于扫描线504的上层用以连接两相邻像素电极502、502a;因此,可以理解的,此实施例是利用两颗像素电极502、502a搭配延伸部510a、510b、修补垫510c及像素电极502、502a既有的导电特性,重构数据线506的讯号路径512。
综合上述,利用像素电极的导电性重构数据线的讯号路径的方法,不仅可大幅提升修补率、节省修补时间且对于数据线的线阻抗并无太大的影响。
下面的表1为根据本发明实施的线缺陷激光修补的数据线的线阻抗列表。
表1
请参阅表1,一般无进行修补的面板的数据线的线阻抗约为17639欧姆,将数据线连接一像素电极进行修补则数据线的线阻抗降低为16600欧姆;若连接两像素电极,数据线的线阻抗上升至17500欧姆;若欲修补范围需利用连接三像素电极方能进行修补,则数据线的线阻抗略微上升至18400欧姆,与无修补面板的数据线的线阻抗只有细微的差异;因此,在导电性上并无差异,仍能准确且无失真地传递讯号。
另外,修补的位置并不限于上述实施例所示,只需要在数据线断路的两侧即可;修补方法除了上述实施例所述的沉积方式:沉积新的连接线段跨层连接数据线及像素电极之外,也可在液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板(array)布局(layout)时在像素电极层(Pixel Electrode Layer,PE Layer)或源极/漏极层(Source/Drain Layer,SD Layer)形成一修补图案(repair pattern),其中,此修补图案为像素电极层或源极/漏极层的延伸。倘若修补图案设置于像素电极层,只需利用切断激光(cutting laser)熔接修补图案,使修补图案与数据线之间具有一通道电性连接,形成一阶梯式的跨层连接,即可达到连接数据线及像素电极的目的;同理,倘若修补图案是设置于源极/漏极层,只需利用切断激光熔接修补图案至像素电极层,即可达到连接数据线及像素电极的目的。因此,修补图案也可连接数据线与像素电极,亦即,延伸部的材质例如可为钨线外,尚可根据修补图案的位置决定,例如若修补图案为像素电极层的延伸,则延伸部的材质为铟锡氧化物或为任何导电材料;又,若修补图案为源极/漏极层的延伸,则延伸部的材质为铬(Cr)或为任何导电金属皆可。可以理解的,修补垫的材质同为导电材料,例如:铬、钨或铟锡氧化物之任一。
综合上述,本发明提出一种液晶显示面板,利用激光熔接像素电极的延伸部与对应的数据线或数据线的延伸部与对应的像素电极,以形成阶梯式的跨层连接,搭配像素电极的导电特性,重构数据线的讯号路径。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点,其目的在使熟习此项技艺的人士能够了解本发明的内容并据以实施,当不能以之限定本发明的专利范围,即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰,仍应涵盖在本发明的专利范围内。
Claims (12)
1.一种液晶显示面板,其特征在于包含:
多数条扫描线与多数条数据线,交叉配置于一基板上;
多数个薄膜晶体管,配置于所述基板上,其中每一所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,所述栅极与所述扫描线其中之一电性连接,所述源极与所述数据线其中之一电性连接;
多数个像素电极,每一所述像素电极与所述薄膜晶体管其中之一的所述漏极电性连接;以及
一绝缘层,配置于所述数据线与所述像素电极之间,其中每一所述像素电极具有至少一延伸部,且部分所述延伸部设置于所述数据线的上方。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,还包含多数条储存电容电极线,沿着所述扫描线方向设置,且与所述数据线交叉配置。
3.一种液晶显示面板,其特征在于包含:
一基板;
多数条扫描线与多数条数据线,配置于所述基板上,其中所述扫描线与所述数据线于所述基板上定义出多数个像素区域;
多数个薄膜晶体管,配置于所述像素区域内;
多数个像素电极,配置于所述像素区域内,且与所述薄膜晶体管电性连接,其中每一所述像素电极具有至少一延伸部,部分所述延伸部设置于所述数据线的上方;
一绝缘层,配置于所述数据线与所述像素电极之间;以及
多数个修补垫,配置于所述扫描线上层,且每一所述修补垫连接相邻的每一所述像素电极。
4.如权利要求3所述的液晶显示面板,其特征在于,所述修补垫为一导电材料。
5.如权利要求4所述的液晶显示面板,其特征在于,所述导电材料包含铬、钨或铟锡氧化物。
6.如权利要求3所述的液晶显示面板,其特征在于,还包含多数条储存电容电极线,沿着所述扫描线方向设置,且与所述数据线交叉配置。
7.一种液晶显示面板,其特征在于包含:
多数条扫描线与多数条数据线,交叉配置于一基板上;
多数个薄膜晶体管,配置于所述基板上,其中每一所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,所述栅极与所述扫描线其中之一电性连接,所述源极与所述数据线其中之一电性连接;
多数个像素电极,每一所述像素电极与所述薄膜晶体管其中之一的所述漏极电性连接;以及
一绝缘层,配置于所述数据线与所述像素电极之间,其中每一所述数据线具有至少一延伸部,且部分所述延伸部设置于所述像素电极上。
8.如权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,还包含多数条储存电容电极线,其沿着所述扫描线方向设置,且与所述数据线交叉配置。
9.一种液晶显示面板,其特征在于包含:
一基板;
多数条扫描线与多数条数据线,配置于所述基板上,其中所述扫描线与所述数据线于所述基板上定义出多数个像素区域;
多数个薄膜晶体管,配置于所述像素区域内;
多数个像素电极,配置于所述像素区域内且与所述薄膜晶体管电性连接,其中,每一所述数据线具有至少一延伸部,且部分所述延伸部设置于所述像素电极上;
一绝缘层,配置于所述数据线与所述像素电极之间;以及
多数个修补垫,配置于所述扫描线上层,且每一所述修补垫连接相邻的每一所述像素电极。
10.如权利要求9所述的液晶显示面板,其特征在于,所述修补垫为一导电材料。
11.如权利要求10所述的液晶显示面板,其特征在于,所述导电材料包含铬、钨或铟锡氧化物。
12.如权利要求9所述的液晶显示面板,其特征在于,还包含多数条储存电容电极线,其沿着所述扫描线方向设置并横跨所述像素区域,且与所述数据线交叉配置。
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CN106206658A (zh) * | 2011-07-19 | 2016-12-07 | 群创光电股份有限公司 | 发光显示装置 |
CN103984132B (zh) * | 2014-05-31 | 2016-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板线路故障的修复方法 |
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CN111710301A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和修复方法、显示装置 |
CN114779545B (zh) * | 2022-04-02 | 2023-10-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其暗点修复方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5861635A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-19 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display including a coplanar line structure |
US20020085135A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Kim Jeom Jae | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
US20020180900A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Gee-Sung Chae | Forming method of liquid crystal layer using ink jet system |
JP2002373894A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tftアレイ基板の製造方法 |
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2007
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5861635A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-19 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display including a coplanar line structure |
US20020085135A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Kim Jeom Jae | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
US20020180900A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Gee-Sung Chae | Forming method of liquid crystal layer using ink jet system |
JP2002373894A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tftアレイ基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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