液晶显示器
技术领域
本发明是关于一种液晶显示器,特别是一种具多域配向的液晶显示器
背景技术
公知利用介电异向性(dielectric anisotropy)为负的负型液晶材料,构成垂直配向(vertical alignment)或同向式配向(homeotropic alignment)的液晶配向方式,因未施加电压时液晶分子即以垂直基板方式排列,故可提供良好的对比(contrast)表现。然而,通常垂直配向式液晶显示器(verticallyaligned LCD)为形成多域分割效果,其所匹配的结构会有些许漏光或是多域分割配置能力不足的情形。
图1A为剖面示意图,显示一公知多域垂直配向液晶显示器(multi-domainvertically aligned LCD;MVA LCD)的设计。如图1A所示,其是于上、下基板102、104上分别形成凸体(bump)106,其上再形成覆盖凸体(bump)106的垂直配向膜108,使垂直配向的液晶分子112于未施加电压时即具有朝不同方向倾斜的预倾角(pre-tilt angle),借以控制施加电压后的液晶分子112倾斜方向。当施加电压后,液晶层即可分割为多个分别具不同倾斜方向的液晶微域,以有效改善不同观察角度的灰阶显示状态下的视角特性。再者,作为提供预倾角的域边界规制结构(regulation structure)并不限定为凸体106,亦可如图1B所示,于基板114上形成凹面结构116亦可。
如图1A及图1B所示,形成凸体106或凹面结构116方式虽可达到制造多个液晶微域的效果,然而,在未施加电压(Voff)的状态下,比较穿透光I1及I2的光路可知,因该域边界规制结构会导致液晶配向并非完全垂直,故行经倾斜液晶分子的穿透光I2光路会具有多余的光程差值(Δnd≠0)而造成漏光。因此,另需透过外贴补偿膜方式将漏光消除以提高对比。
图2为一剖面示意图,显示另一多域垂直配向液晶显示器的设计。如图2所示,利用于基板202的透明电极204上所形成的开缝(slit)206,可控制液晶分子208于施加电压后的倾倒方向。然而,于电极204处形成开缝206的方式,须仔细考虑开缝206本身宽度以及两开缝206之间的距离等等,否则借由开缝206产生使液晶分子208倾倒的力量容易不足。再者,该形成开缝206的设计,造成液晶分子208往左右任一方向转动的能量相等,而使液晶分子208于空间中的配向分布产生不连续的错向缺陷(disclination)。该错向缺陷区域210于开缝206上方及两开缝206间皆容易形成,而降低整体光穿透率。
另一方面,当液晶显示器仅能运用在穿透模式时,因只能单纯地使用背光源来显示画面,若在阳光下或是强烈的环境光源下,因外在光源干扰,使用者无法轻易辨识出显示影像;反之,当液晶显示器仅能运用在反射模式时,因仅能在强烈的环境光源下才能使用,当离开此强烈光源环境后,即无法观看出清晰的影像。因此,如何设计一可同时利用环境光或背光显示、且具有避免上述公知设计缺点的多域配向结构的液晶显示器,实为一重要课题。
发明内容
因此,本发明的目的在提供一种液晶显示器,其能避免上述公知多域配向设计的种种问题。
依本发明的设计,一种液晶显示器包含多个第一及第二图案元件、与多个第一及第二辅助电极。第一及第二图案元件于一反转驱动时序控制的同一画面下具有相反的极性,且各该第一及第二图案元件均具有一反射区及一透射区。多个第一辅助电极连接所述第一图案元件,且多个第二辅助电极连接所述第二图案元件,其中各该第一及第二图案元件分别被该第二及该第一辅助电极至少部分围绕以形成边缘电场,以产生多个具不同液晶分子倾斜方向的液晶微域。
借由本发明搭配反转时序控制模式形成辅助电极的设计,仅需搭配一般薄膜晶体管制程再另形成一分布方式预先设计的辅助电极,即可利用辅助电极与其所围绕的像素电极间的相反极性获得多域配向效果。和公知利用凸体(bump)或凹面结构的域边界规制结构设计相较,本发明于未施加电压(Voff)的状态下各个液晶分子均呈垂直配向,故不会产生多余的光程差值(Δnd=0)而可避免漏光现象产生。另一方面,和公知于电极处形成开缝的方式相较,本发明借由辅助电极与像素电极的不同极性所产生的边缘电场效应,可提供较强的液晶分子倾倒力量,以增加显示区域有效面积且有效提升液晶显示器整体光穿透率。
附图说明
图1A为剖面示意图,显示一公知多域垂直配向液晶显示器的设计。
图1B为剖面示意图,显示另一公知多域垂直配向液晶显示器的设计。
图2为一剖面示意图,显示另一多域垂直配向液晶显示器的设计。
图3A及图3B为依本发明的一实施例,显示一液晶显示器的示意图,其中图3A为自阵列基板法线方向观察的俯视简图,图3B为沿图3A的A-A’线切割展开而得的剖面图。
图4A及图4B为依本发明的另一实施例,显示一液晶显示器的示意图,其中图4A为自阵列基板法线方向观察的俯视简图,图4B为沿图4A的B-B’线切割展开而得的剖面图。
图5为依本发明另一实施例的剖面示意图。
图6为依本发明另一实施例的剖面示意图。
图7为依本发明另一实施例的剖面示意图。
图8为依本发明另一实施例的剖面示意图。
图9为依本发明另一实施例的剖面示意图。
图10为依本发明另一实施例的示意图。
图11为依本发明另一实施例的示意图。
图12至图15为示意图,显示本发明图案元件切割设计的变化例。
图16为依本发明另一实施例的示意图。
符号说明:
10 液晶显示器 12、12A、12B、12C 图案元件
121 透射区 122 反射区
14 扫描线 16 数据线
18 辅助电极 18A、18B、18C 辅助电极区段
20 阵列基板 22 电极开缝
30 滤光片基板 31、32 透明基板
33 彩色滤光片 34 共享配线
35 共享电极 36 栅极绝缘层
38 数据线 40 液晶层
42 电容电极 44 保护层
46 平坦化层 48 像素电极
52 金属反射电极 58 垫高层
62 介电层 102、104 基板
106 凸体 108 配向膜
112 液晶分子 116 凹面结构
202 基板 204 电极
206 开缝 208 液晶分子
210 错向缺陷区域
具体实施方式
图3A及图3B为依本发明的一实施例,显示一半透式液晶显示器10的示意图,其中图3A为自阵列基板法线方向观察的俯视简图,图3B为沿图3A的A-A’线切割展开而得的剖面图。
图3A的俯视简图显示构成该半透式多域液晶显示器10的多个图案元件12(picture element)。于本说明书中,「图案元件」用语是指一液晶显示装置的显示区域中的最小寻址显示单元(addressable display unit)。举例而言,于一彩色液晶显示装置中,对应一像素的各个红色(R)、绿色(G)、或蓝色(B)子像素(sub-pixel)即为一图案元件。
如图3A所示,于一阵列基板上形成有多个道相互平行的扫描线(scanline)14、及相互平行的数据线(data line)16,且两相邻的扫描线14正交于两相邻的数据线16而界定出一图案元件分布区域。如图3A所示,多个图案元件12同时沿横向(列方向)及纵向(行方向)排列构成一图案元件数组。各个图案元件均包含一透射区121及反射区122(剖面影线所示部分),且透射区121周遭形成有辅助电极18及电极开缝22借以搭配产生多域配向效果。
依本实施例的设计,于一列极性反转(row polarity inversion)驱动模式下,图案元件12A及图案元件12B本身具正极性(positive polarity)且图案元件12C本身具负极性(negative polarity)。因此,当设置于图案元件12C透射区121右侧的辅助电极区段18A及左侧的辅助电极区段18B,分别连接至图案元件12A及图案元件12B时,具负极性图案元件12C及周围具正极性的辅助电极区段18A、18B即因具相反极性而产生边缘电场(infringe field),使具负介电异向性的液晶分子指向旋转为与倾斜电场方向垂直的方向,获得分割出不同倾斜方向的液晶微域的效果。再者,因位于图案元件12C的透射区121底侧的电极开缝22本身可带来边缘电场效应,且图案元件12C(负极性)与其顶侧的图案元件12A(正极性)间亦因相反极性产生边缘电场,故本实施例的设计可获得分割出四个具不同倾斜方向的液晶微域的效果。
图3B的剖面图清楚显示一图案元件12的膜层堆栈结构及搭配的辅助电极18的相对配置。如图3B所示,半透式液晶显示器10包含一阵列基板20、一滤光片基板30、及夹设于阵列基板20与滤光片基板30间的液晶层40。液晶层40采用负介电异向性(negative dielectric anisotropy)液晶材料,使未施加电压时液晶分子呈垂直配向(vertical-aligned)。另外,液晶层40中可添加助旋掺杂剂(chiral dopant),以加速液晶旋转并减小错向缺陷(disclination)。于滤光片基板30中,彩色滤光片33及一共享电极(commonelectrode)35形成于一透明基板31上。于阵列基板20中,一第一金属层(metal 1 layer)M1形成于一透明基板32上,且该第一金属层M1界定出共享配线(common lines)34。一具介电效果的栅极绝缘层(gate insulatorlayer)36形成于透明基板32上且覆盖第一金属层M1。一第二金属层(metal 2layer)M2形成于栅极绝缘层36上,该第二金属层M2界定出数据线38及电容电极42。一保护层44及一平坦化层46依序形成于栅极绝缘层36上并覆盖第二金属层M2。透明像素电极48及一第三金属层(Metal 3 layer)M3形成于平坦化层46上,且该第三金属层界定出围绕透明像素电极48的辅助电极18、及金属反射电极52。金属反射电极52形成于部分图案元件分布区域上,以构成半透式液晶显示器的反射区,而除该反射区外的透明像素电极48分布区域即构成半透式液晶显示器的透射区。依本实施例,第一金属层M1构成的共享配线34与第二金属层M2构成的电容电极42皆形成于金属反射电极52下方以提高开口率,且两者间隔栅极绝缘层36构成一储存电容(storagecapacitor)。透明像素电极48形成于平坦化层46上可垫高其形成位置以提高开口率。辅助电极18与透明像素电极48具有相反极性而可产生边缘电场,且透射区与反射区间具有一电极开缝22以产生边缘电场。
图4A及图4B为依本发明的另一实施例,显示一半透式液晶显示器的示意图,其中图4A为自阵列基板法线方向观察的俯视简图,图4B为沿图4A的B-B’线切割展开而得的剖面图。如图4A及图4B所示,辅助电极18可另延伸形成一辅助电极区段18C于透射区与反射区交界的电极开缝22上,借以进一步提高倾倒液晶分子力量以加强透射区121的配向性。
借由本发明搭配反转时序控制模式形成辅助电极18的设计,仅需搭配一般薄膜晶体管制程再另形成一分布方式预先设计的辅助电极18,即可利用辅助电极18与其所围绕的透明像素电极48间的相反极性,即可使一半透式液晶显示器的透射区获得多域配向的效果。和公知利用凸体(bump)或凹面结构的设计相较,本发明于未施加电压(Voff)的状态下各个液晶分子均呈垂直配向,故不会产生多余的光程差值(Δnd=0)而可避免漏光现象产生。另一方面,和公知仅于电极处形成开缝的方式相较,本发明借由辅助电极18与其所围绕的像素电极48间的相反极性所产生的边缘电场,可提供较强的液晶分子倾倒力量,以增加显示区域有效面积且有效提升整体光穿透率。
图5为依本发明另一实施例的剖面示意图。如图5所示,于前述实施例中设置的保护层44可省略,而直接形成平坦化层46于栅极绝缘层36上并覆盖第二金属层M2。再者,如图6所示,省略保护层44的设计同样可运用于电极开缝22上形成有辅助电极区段18C的结构。
图7为依本发明另一实施例的剖面示意图。如图7所示,保护层44形成于栅极绝缘层36上并覆盖第二金属层42,且透明像素电极48形成于该保护层上44后,可将一垫高层58形成于部分透明像素电极分布区域上,再将金属反射电极52形成于该垫高层58上,如此一液晶单元的透射区及反射区可获得不同间隙。
图8为依本发明另一实施例的剖面示意图。如图8所示,一具介电效果的栅极绝缘层36形成于透明基板32上。一第二金属层M2形成于栅极绝缘层36上,且该第二金属层M2界定出数据线38。一保护层44及一平坦化层46依序形成于栅极绝缘层36上并覆盖第二金属层M2。一第三金属层M3形成于平坦化层46上且界定出共享配线34及金属反射电极52,共享配线34与辅助电极18构成一储存电容,且共享配线34的形成位置与数据线38叠合以提高开口率。一介电层62覆盖共享配线34及金属反射电极52,且透明像素电极48及辅助电极18形成于该介电层62上。
图9为依本发明另一实施例的剖面示意图。如图9所示,共享配线34可由透明电极所构成且与所述辅助电极18构成一储存电容。共享配线34的形成位置与数据线38叠合以提高开口率。一介电层62覆盖共享配线34及透明像素电极48,且由第三金属层M3界定出的金属反射电极52及辅助电极18形成于该介电层62上。
再者,依本发明的设计,半透式液晶显示器的反射区的大小及分布并不限定,而可视实际需要调整,且辅助电极18可如图10所示由透明电极构成,或如图11所示由反射电极构成均可,且反射电极可由第一金属层M1、第二金属层M2或第三金属层M3构成均可,且可借此任意变化调配半透式液晶显示器的反射区分布。
图12至图15显示本发明将一图案元件切割为数个子图案元件的设计。如图12至图15所示,透射区121及反射区122可选择性分布于该子图案元件中,且辅助电极18及电极开缝22的分布方式及位置可任意变化,
仅需达到围绕子图案元件以利用不同极性产生边缘电场效果即可。再者,虽然图上例示的切割出的子图案元件数目为三个,但其并不限定而可视实际需要调整。
图16显示本发明的另一种实施例。辅助电极18本身为金属层或在其上覆盖有一层金属层,使得该辅助电极区域具有反射板功能。
以上所述仅为举例性,而非为限制性,例如该发明可应用于半透式或微反射式液晶显示器。任何未脱离本发明的精神与范畴,而对其进行的等效修改或变更,均应包含于申请专利范围中,而非限定于上述的实施例。