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CN100536082C - 等离子体处理装置 - Google Patents

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CN100536082C
CN100536082C CNB2006800193351A CN200680019335A CN100536082C CN 100536082 C CN100536082 C CN 100536082C CN B2006800193351 A CNB2006800193351 A CN B2006800193351A CN 200680019335 A CN200680019335 A CN 200680019335A CN 100536082 C CN100536082 C CN 100536082C
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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置(100)具有构成为气密并接地的大致圆筒状的腔室(1)，在腔室(1)的上部配设有天线部件(30)。该腔室(1)由大致圆筒形的壳体(2)，和从上方与壳体(2)接合、围绕处理空间的圆筒形的腔壁(3)构成分割结构，腔壁(3)装卸自由。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及等离子处理装置，详细地说，涉及使用等离子体用于处理半导体基板等被处理体的等离子体处理装置。
背景技术
作为等离子体处理装置，已知通过径向线隙缝天线(Radial LineSlot Antenna)向处理室内导入微波生成等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(例如，专利文献1)。该RLSA方式的等离子体处理装置包括：在内部具备载置被处理体的载置台的圆筒容器；和由隙缝板以及电介质波导构成、用于放射微波的天线部，在圆筒容器的上端载置上述天线部，通过由密封部件密封接合部构成真空腔室。
专利文献1：WO98/33362号(例如，Fig.1等)
RLSA方式的等离子体处理装置中，为了实施最优的处理，必须根据作为被处理体的半导体晶片(以下，仅称为“晶片”)的大小变更天线尺寸，根据目的处理内容改变天线尺寸、晶片与天线的距离(间隔(gap))。
例如，近年来晶片尺寸有大型化的倾向，因为现状是混合存在有6～12英寸大小的晶片的状况，所以产生必须对不同尺寸的晶片进行同一处理的情况。此外，由于半导体器件的高集成化和微细化，处理条件也变得复杂化，必须根据处理内容变更间隔等。此外，不限于半导体晶片，近年来，平板显示器(FPD)的制造中使用的玻璃基板也具有大型化的倾向。
上述专利文献1的RLSA方式的等离子体处理装置中，因为是由容器与天线的固定组合构成等离子体处理装置，所以难以变更天线尺寸、间隔，现实中必须根据晶片直径、处理内容准备另外的等离子体处理装置进行处理。这样，现有的等离子体处理装置具有天线尺寸、间隔的变更的自由度低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，能够更容易地进行天线尺寸的变更、间隔的变更。
为了解决上述课题，根据本发明的第一观点，提供一种等离子体处理装置，包括：能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置被处理体的载置台；和与上述处理容器的上部接合、密闭上述处理容器的盖部，
上述处理容器包括围绕上述载置台的第一壳体(housing)，和装卸自由地在上述第一壳体和上述盖部之间介入配置的第二壳体。
此外，根据本发明的第二观点，提供一种等离子体处理装置，包括：能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置被处理体的载置台；与上述处理容器的上部接合、向上述处理容器内导入电磁波的电磁波导入部；和在上述处理容器内导入等离子体激发用的气体的气体导入部，
上述处理容器包括围绕上述载置台的第一壳体，和装卸自由地在上述第一壳体和上述电磁波导入部之间介入配置的第二壳体。
在上述第二观点中，从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状部件中，根据被处理体的大小而进行上述第二壳体的选择和安装。此外，在上述第二观点中，从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状部件中根据等离子体处理的内容而进行上述第二壳体的选择和安装。此外，根据被处理体的大小而选择上述电磁波导入部的大小，并进行安装。
此外，在上述第二观点中，能够在上述第二壳体的多个位置设置上述气体导入部。在该情况下，上述气体导入部包括：朝向上述处理容器内的空间开口的气体导入口；和连接在该气体导入口上的气体导入通路，为了在多个上述气体导入部中均等地分配气体，优选上述气体导入通路和在上述第一壳体的上端与上述第二壳体的下端的边界处形成的气体分配单元相连接。其中，上述气体分配单元也可以为形成于上述第一壳体的上端的台阶部和形成于上述第二壳体的下端的台阶部之间的间隙。
此外，上述第二观点中，上述电磁波为微波，上述电磁波导入部可以具有用于导入微波的天线，上述天线也可以为形成有多个隙缝(slot)孔的平面天线。
此外，根据本发明的第三观点，提供一种等离子体处理装置，包括：能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置被处理体的载置台；与上述处理容器的上部接合、密闭该处理容器的盖部；和围绕上述载置台的第一壳体，
其构成为：第二壳体能够安装于上述第一壳体和上述盖部之间，并且在卸下上述第二壳体的状态下，能够直接接合上述第一壳体和上述盖部。
根据本发明，因为采用在对被处理体进行等离子体处理的处理容器中，包括装卸自由地在第一壳体和盖部(或电磁波导入部)之间介入配置的第二壳体的结构，通过安装形态不同的单元作为第二壳体，能够根据半导体晶片等被处理体的大小、处理目的容易地变更间隔、盖部(或电磁波导入部)的种类、大小等。即，不需要根据被处理体的大小、处理的内容等整体更换等离子体处理装置，能够仅通过更换第二壳体和盖部(或电磁波导入部)与被处理体的大小、处理目的相对应。
因此，能够减少等离子体处理装置的开发工时，节省材料费。此外，用于与设置后的升级和新的应用相对应的改造也更容易。而且，因为伴随着改造、故障的部件更换也变少，还能够减少维持管理成本。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的概略结构的分解立体图。
图2是等离子体处理装置的概略截面图。
图3A是用于腔壁的说明的外观立体图。
图3B是用于腔壁的说明的主要部分截面图。
图4是用于平面天线部件的说明的图。
图5A是气体导入口的附近的截面图。
图5B是表示气体导入口的附近的另一个例子的主要部分截面图
图5C是表示气体导入口的附近的又一个例子的主要部分截面图。
图6是表示更换腔壁的例子的等离子体处理装置的概略截面图。
图7A是图6中使用的腔壁的外观立体图。
图7B是图6中使用的腔壁的主要部分截面图。
图8是表示更换腔壁的另一个例子的等离子体处理装置的概略截面图。
图9A是图8中使用的腔壁的外观立体图。
图9B是图8中使用的腔壁的主要部分截面图。
图10是表示更换腔壁的又一例子的等离子体处理装置的概略截面图。
图11是图10中使用的腔壁的外观立体图。
图12是图10中使用的腔壁的主要部分截面图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。
图1是示意地表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置100的概略结构的分解立体图，图2是等离子体处理装置100的概略截面图。该等离子体处理装置100构成为通过具有多个隙缝的平面天线，例如RLSA(Radial Line Slot Antenna：径向线隙缝天线)向处理室内导入微波、产生等离子体，产生高密度且低电子温度的微波等离子体的等离子体处理装置。
上述等离子体处理装置100具有构成为气密、搬入晶片W并接地的大致圆筒状的腔室1。而且，腔室1的形状也可以为截面为四边形等的方筒状。该腔室1具有：作为“第一壳体”的大致圆筒形的壳体2(腔室基部)；和从上方与该壳体2接合、围绕处理空间的作为“第二壳体”的圆筒形的腔壁3(能够装卸部)。此外，在腔室1的上部配置有作为向处理空间导入微波等电磁波的“电磁波导入部”的天线部30。
壳体2的底壁2a的大致中央部形成有圆形的开口部10，在底壁2a上连接设置与该开口部10连通，朝向下方突出的用于对腔室1内部进行均匀排气的排气室11。
用于水平支持作为被处理体的晶片W的石英、陶瓷(AlN、Al2O3)等材质构成的载置台(基座5)，被支承于排气室11的底部，设置在壳体2内。该基座5由从排气室11的底部中央向上方延伸的圆筒状的支承部件4支承，该支承部件4被支承在排气室11上。支承部件4和基座5均由热传导性优异的AlN等陶瓷材料构成。在基座5的外缘部设置有用于引导晶片W的导向环8。此外，在基座5中埋设有电阻加热型的加热器(未图示)，通过由加热电源6供电，加热基座5，作为被处理体的晶片W通过该热而被加热。基座5的温度能够由热电偶(TC)20进行测量，能够在例如室温到1000℃的范围内控制温度。此外，基座5也可以是具有静电夹盘功能，能够电气装卸晶片W的结构。
此外，在基座5上设置有用于支承晶片W并使其升降的晶片支承销(未图止)，该晶片支承销能够相对基座5的表面突出没入。在基座5的外周侧上，环状设置用于对腔室1内进行均匀排气的、具有未图示的多个贯通孔的折流板7，该折流板7由多个支柱7a支承。而且，在腔室1的内周上设置有由石英构成的圆筒状的衬里(未图示)，防止由腔室构成材料引起的金属污染，维持洁净的环境。
在上述排气室11的侧面上连接有排气管23，在该排气管23上连接有包括高速真空泵的排气装置24。通过排气装置24的动作，腔室1内的气体向排气室11的空间11a内均匀地排出，通过排气管23排气。从而能够将腔室1内高速减压至规定的真空度，例如0.133Pa。
在壳体2的侧壁上设置有用于搬入搬出晶片W的搬入搬出口，和用于开闭该搬入搬出口的闸阀(均未图示)。
在腔室1的侧壁上形成有用于向腔室1内导入处理气体的气体导入通路。具体而言，在壳体2的侧壁的上端形成有台阶部18，在其与后述的形成于腔壁3的下端的台阶部19之间形成环状通路13(参照图5A)。
腔壁3整体为环状(也可以为方筒状)，构成为例如由铝、不锈钢等金属材料构成的能够安装和拆卸的部件。该腔壁3的上端部与天线部30的上板27的下端部卡合。即，腔壁3是支承天线部30的天线部支承部件。此外，腔壁3的下端部与壳体2的上端相接合。图3A和图3B表示腔壁3的概略结构。图3A为外观立体图，图3B为主要部分截面图。在本实施方式中，腔壁3为与壳体2的形状配合的环状，在其内部形成有作为气体流路的气体通路14、气体导入通路15b。
此外，在腔壁3的内周面的下端部环状形成向下方裙状(skirt状)垂下的突出部17。该突出部17以覆盖腔壁3和壳体2的边界(接触面部)的方式设置，具有下述功能：防止等离子体直接作用于暴露在等离子体中时会受到等离子损伤而产生劣化的O形环等密封部件9b，该O形环例如由氟类橡胶材料[例如，Chemraz(商品名，Greene，Tweed&Co.，制造)、Viton(商品名，Dupont Dow Elastomers制造)等构成。
在腔壁3的上下的接合部上配设有例如O形环等密封部件9a、9b、9c，以保证接合部的气密状态。在腔壁3的下端以与壳体2的台阶部18共同形成环状通路13的方式设置台阶部19(参照图5A)。
在本实施方式中，不一体形成腔室1，分割形成壳体2和腔壁3。由此，通过后述的将腔壁3更换为高度、直径不同的形态的单元，能够自由度高地应对等离子体处理装置100的间隔L的调整、根据晶片W的尺寸对平面天线部件31的尺寸的变更。例如，即使是处理气体流量、压力、温度、微波功率等的条件发生变化的情况，也能够通过调整间隔L，进行与变更前相同内容的处理。
作为腔壁3的其他变形，以能够更换的方式准备例如图7A、图9A、图11A所示的，为大致圆筒状，外径大致相同，部件的高度、内径不同的腔壁3a、3b、3c。这些腔壁3a、3b、3c也是支承天线部30的天线部支承部件。
而且，可以在卸下腔壁3的状态下，直接接合壳体2和天线部30。
腔室1的上部为开口部，以堵塞该开口部的方式气密地配置天线部30。即，天线部30的整体作为上方开口的腔室1的盖体起作用。因此，天线部30的上板27与腔壁3、3a、3b、3c抵接，具有作为通过进行隔离，在腔室1上装卸自由地连接盖体(天线部30)的连接部的功能。
在天线部30上从基座5一侧开始依次配置有透过板28、平面天线部件31、滞波件33。上述这些由例如铝、不锈钢等金属材料构成的屏蔽(shield)盖体34、按压环36和上板27覆盖，由环状的按压环35固定。按压环35例如截面视图呈L字形。腔室1的上端与上板27通过密封部件9c以密封的状态卡合。
透过板28由电介质，例如石英、Al2O3、AlN、蓝宝石、SiN等陶瓷构成，作为透过微波并向腔室1内的处理空间导入微波的微波导入窗起作用。透过板28的下面(基座5一侧)不限于平坦状，为了均匀化微波、使等离子体稳定，也可以形成例如凹部或槽。该透过板28通过密封部件29，以气密状态支承于环状配设在天线部30的外周下方的上板27的内周面的突起部27a上。从而保持腔室1内气密。
平面天线部件31为圆板状，位于透过板28的上方，与屏蔽盖体34的内周面卡止。该平面天线部件31由例如表面被镀金或镀银的铜板或铝板构成，以规定的图案贯通用于放射微波等电磁波的多个隙缝孔32而形成。
隙缝孔32形成为例如图4所示的长槽状，典型的是相邻的隙缝孔32之间配置为“T”字形，这些多个隙缝孔32配置为同心圆状。根据微波的波长(λg)决定隙缝孔32的长度和排列间隔，例如隙缝孔32的间隔配置为λg/2或λg。而且，在图4中，形成同心圆状的相邻的隙缝孔32之间的间隔由Δr表示。此外，隙缝孔32也可以为圆形、圆弧形等其他形状。而且，隙缝孔32的配置方式不特别限定，除了同心圆状，也能够配置为例如螺旋状、辐射状。此外，也可以直线地排列隙缝孔32。
滞波件33具有比真空更大的介电常数，设置于平面天线部件31的上面。该滞波件33由例如石英、陶瓷、聚四氟乙烯等氟类树脂、聚酰亚胺类树脂构成。由于真空中微波的波长变长，无法产生驻波而均匀地向处理室供给微波，通过滞波件33能够缩短微波的波长，使微波均匀化，生成均质的等离子体。而且，平面天线部件31与透过板28之间，滞波件33和平面天线部件31之间，可以分别密接或分离。
屏敝盖体34上形成有冷却水流路34a，通过使冷却水从此处通流，冷却屏敝盖体34、滞波件33、平面天线部件31、透过板28。而且，屏敝盖体34接地。
在屏敝盖体34的上壁的中央形成有开口部34b，该开口部34b上连接有波导管37。该波导管37的端部通过匹配电路38与微波产生装置39连接。由此，产生于微波产生装置39的，例如频率为2.45GHz的微波通过波导管37向上述平面天线部件31传送。微波的频率也可以使用8.35GHz、1.98GHz等。
波导管37具有从上述屏敝盖体34的开口部34b向上方延伸的截面为圆形状的同轴波导管37a；和通过模式变换器40连接于该同轴波导管37a的上端部的，在水平方向延伸的矩形波导管37b。矩形波导管37b和同轴波导管37a之间的模式变换器40具有将在矩形波导管37b内以TE模式传播的微波变换为TEM模式的功能。在同轴波导管37a的中心延伸有内导体41，内导体41在其下端部与平面天线部件31的中心连接而固定。由此，通过同轴波导管37a的内导体41向平面天线部件31放射状地高效均匀地传播微波。
图5A是表示本实施方式的等离子体处理装置100的气体导入通路的结构的放大图。在腔壁3上设置向腔室1内供给气体的气体导入部15。气体导入部15由气体导入口15a和气体导入通路15b构成。气体导入口15a均等地形成于腔室1的侧壁的内周侧的多个位置(例如32处)。各气体导入口15a与相对腔室1的内壁面横向形成的气体导入通路15b连通，各气体导入通路15b与在腔壁3内形成于垂直方向的气体通路14连通。而且，气体导入口15a和气体导入通路15b也可以形成在上板27上。
气体通路14在壳体2的上部和腔壁3的下部的接触面部上连接环状通路13，该环状通路13为由台阶部18和台阶部19形成的间隙。该环状通路13以围绕处理空间的方式在大致水平方向上环状连通。此外，环状通路13通过在壳体2内的任意位置(例如均等的4处)相对壳体2在垂直方向形成的通路12，与气体供给装置16连接。环状通路13具有作为将气体均等分配并供给至各气体通路14的气体分配单元的功能，以防止处理气体偏向特定的气体导入口15a进行供给的方式起作用。而且，以能够根据等离子体处理装置100中进行的处理的内容，均等地向腔室1内导入处理气体的方式均匀地设置例如8～32个气体导入口15a。
根据这样的本实施方式，来自气体供给装置16的气体能够通过通路12、环状通路13、各气体通路14，从32处的气体导入口15a均匀地导入腔室1内，从而能够在腔室1内均匀地激发等离子体，达到对晶片W的处理的均匀化。此外，通过采用这样的气体流路结构，能够简化用于气体导入的配管等的设置，所以能够使装置结构简单化。
此外，因为设置将从通路12导入的气体暂时在水平方向进行分配的环状通路13，并且在腔壁3内设置气体通路14，所以具有能够将气体导入口15a设置在腔壁3内的任意位置、向腔室1内导入气体的优点。
即，根据处理内容能够容易地设定下述变化：在微波导入部位(透过板28的近前)导入气体，或者相反的，在微波导入部位的近前位置进行过度的气体离解，可能对气体导入口15a的内部造成损伤的情况下，将气体导入口15a配置在更下方等。
图5A中，在壳体2的上端的台阶部18和腔壁3的下端的台阶部19之间形成环状通路13。但是，也能够如图5B所示，在壳体2的上端面设置环状的槽，在其与平坦的腔壁3的下端面之间形成环状通路13a。此外，也能够例如图5C所示，在腔壁3的下端面设置环状的槽，在其与平坦的壳体2的上端面之间形成环状通路13b。进一步，虽未图示，也能够在壳体2和腔壁3的两方上设置环状的槽，将两方的槽相对地接合，形成环状通路。
在这样构成的等离子体处理装置100中，进行下述的对作为被处理体的晶片W的等离子体处理。
首先，将晶片W搬入腔室1内，载置在基座5上。然后，从气体供给装置16以规定的流量通过气体导入口15a，将例如Ar、Kr、He等稀有气体，例如O2、N2O、NO、NO2、CO2等氧化气体，例如N2、NH3等氮化气体，还有成膜气体、蚀刻气体等处理气体导入腔室1内。
接着，来自微波产生装置39的微波经由匹配网络38引导至波导管37，依次通过矩形波导管37b、模式变换器40和同轴波导管37a，通过内导体41供给至平面天线部件31，通过透过板28由平面天线部件31的隙缝向腔室1内放射。
微波在矩形波导管37b内以TE模式传送，该TE模式的微波在模式变换器40中变换为TEM模式，在同轴波导管37a内向平面天线部件31传送。利用从平面天线部件31经由透过板28放射至腔室1内的微波，在腔室1内形成电磁场，使处理气体等离子体化。
通过从平面天线部件31的多个隙缝孔32放射微波，该等离子体成为大致1×1010～5×1012/cm3的高密度，且在晶片W的附近大致1.5eV以下的低电子温度的等离子体。因此，通过对晶片W作用该等离子体，能够进行抑制等离子损伤的处理。而且，作为等离子体处理的内容，并无特别限定，能够将例如各种基板(硅基板、FPD用玻璃基板、化合物半导体基板等)的氧化处理、氮化处理、氮氧化处理、成膜处理、蚀刻处理等种种的等离子体处理作为对象。
图6、图8和图10表示卸下图1的等离子体处理装置100的腔壁3，分别更换为其他的腔壁的状态。而且，在图6、图8、图10中，因为等子体处理装置100的基板结构与图1、图2相同，对相同结构赋予相同的符号，并省略其说明。
首先，图6表示更换图1的等离子体处理装置100的腔壁3，安装部件高度较低的腔壁3a的另一实施方式。图7A表示腔壁3a的外观立体图，图7B表示截面图。通过使用这样高度较低的腔壁3a，能够使等离子体处理装置100中天线部30的透过板28的下面到晶片W的距离(间隔L)变短。这样，因为仅通过更换腔壁就能够根据处理目的简单地变更间隔L，所以能够根据处理条件等的处理内容调整间隔L到最优，并进行等离子体处理。
此外，在高度较低的腔壁3a内，设置通过气体供给通路15b与气体通路14连通的气体导入口15a。在该情况下的气体导入口15a的位置设定为与安装腔壁3的情况(图2)大致相同，能够不变动气体导入相关的处理条件而仅变更间隔L。
接着，图8表示处理和图1相比直径较小的晶片W的情况的另一变形例。例如，图1的等离子体处理装置100适于处理300mm直径的晶片W，相对的，图8的实施方式中配设适于处理200mm直径较小的晶片W的、比图1的天线部30小型的天线部30a。
因为小型、小径的天线部30a不能直接安装在图1的腔壁3上，所以在现有的腔室结构中，必须准备另外的等离子体处理装置进行处理。在本实施方式中，更换图1的等离子体处理装置100的腔壁3，安装内径窄的宽幅形状的腔壁3b。通过以腔壁3b的内周面在腔室内空间伸出的方式将该腔壁3b安装在壳体2上，能够支承小型的天线部30a。
图9A表示腔壁3b的外观立体图，图9B表示截面图。腔壁3b通过形成为向内侧伸出的宽幅的环，在其下面的边缘部与壳体2抵接，且在其上面的内缘部与内径较小的小型的天线部30a抵接，形成能够支承天线部30a的结构。
此外，在腔壁3b的下面形成向下方伸出的突出部17，能够防止等离子体直接作用在密封部件9b上。
在本实施方式中，通过使腔壁3b的高度与图1的腔壁3大致相同，不改变间隔L，所以在实施相同处理的情况下能够以同一条件进行处理。当然，在目的处理不同的情况下，通过改变腔壁3b的高度能够可变地调整间隔L。
进一步，因为在宽幅的腔壁3b内，从环状通路13到面向腔室内空间的气体导入口15a倾斜地穿透设置气体通路14，所以通过使气体通路14的距离相比例如安装腔壁3的情况(图2)伸长，能够抑制压力损失至最小限度，能够不停滞气体流而平稳地进行供给。此外，气体导入口15a的位置设定为与安装腔壁3的情况(图2)大致相同，能够不变动气体导入的条件，仅变更天线部的尺寸。由此，能够不拘于晶片W的尺寸形成相同的处理状态。
图10为表示与图8所示的例子相比较，缩短间隔L的例子的图。其中，配设与图8相同的小型的天线部30a，通过使用腔壁3c作为腔壁，使间隔L变小。图11A表示腔壁3c的外观立体图，图11B表示主要部分的截面图。该腔壁3c与腔壁3b相比，形成的高度较低，而且，在其上面，在环状的边缘部与内侧之间设置阶差，该阶差的下段部分向内周侧突出，形成截面为大致L字型。向内周侧突出的阶差的下段部分的上面形成为平面，成为支承面。因此，能够由向内周侧突出的支承面在低位置支承小径的天线部30a，能够任意地调节间隔L。例如，能够通过使向内周侧突出的支承面的高度(即，阶差的高度)变低而缩短设定间隔L。
如上所述，在本发明的等离子体处理装置100中，通过将以能够装卸的方式设置于壳体2上的腔壁3更换为腔壁3a～3c，能够根据处理目的变更天线部的尺寸和间隔L。即，腔壁3、3a、3b、3c作为壳体2和大小不同的天线部30、30a之间的适配器起作用。因此，能够根据晶片W的大小和处理内容以最小限度的设备变更进行最优的等离子体处理。
以上叙述了本发明的实施方式，本发明不被上述实施方式制约，能够有种种变形。
例如，图1中举出RLSA方式的等离子体处理装置100为例，本发明也能够应用于例如远程等离子体方式、ICP方式、ECR方式、表面反射波方式、磁控管方式等的等离子体处理装置中。
此外，上述实施方式中将腔室1分割为壳体和腔壁两者，也能够进行三者以上的分割。
进一步，上述实施方式中，举出具有用于处理圆盘形的半导体晶片的圆筒状的腔室1的等离子体处理装置100为例，不限于此，本发明的分割结构也能够应用于例如具有四角形的、用于处理FPD用玻璃基板的水平截面为矩形的腔室的等离子体处理装置。
产业上的可利用性
本发明的等离子体处理装置能够适用于各种半导体装置的制造过程。

Claims (11)

1.一种等离子体处理装置，包括：
能够真空排气的处理容器；
在所述处理容器内载置被处理体的载置台；和
与所述处理容器的上部接合、密闭所述处理容器内的盖部，
所述等离子体处理装置的特征在于：
所述处理容器包括：围绕所述载置台的第一壳体，和装卸自由地在所述第一壳体和所述盖部之间介入配置的第二壳体，
在所述第二壳体的内周面的下端部向下方呈裙状形成有突出部。
2.一种等离子体处理装置，包括：
能够真空排气的处理容器；
在所述处理容器内载置被处理体的载置台；
与所述处理容器的上部接合、向所述处理容器内导入电磁波的电磁波导入部；和
向所述处理容器内导入等离子体激发用的气体的气体导入部，
所述等离子体处理装置的特征在于：
所述处理容器包括：围绕所述载置台的第一壳体，和装卸自由地在所述第一壳体和所述电磁波导入部之间介入配置的第二壳体，
在所述第二壳体的内周面的下端部向下方呈裙状形成有突出部。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二壳体为：从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状部件中，根据被处理体的大小而选择、安装的壳体。
4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二壳体为：从预先准备的高度和/或内径不同的多个筒状部件中，根据等离子体处理的内容而选择、安装的壳体。
5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述电磁波导入部为根据被处理体的大小而选择其大小并安装的部件。
6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述第二壳体的多个位置设置有所述气体导入部。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述气体导入部包括：朝向所述处理容器内的空间开口的气体导入口；和与该气体导入口连接的气体导入通路，
为了在多个所述气体导入部中均等地分配气体，所述气体导入通路和在所述第一壳体的上端与所述第二壳体的下端的边界处形成的气体分配单元相连接。
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述气体分配单元为形成于所述第一壳体的上端的台阶部和形成于所述第二壳体的下端的台阶部之间的间隙。
9.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述电磁波为微波，所述电磁波导入部具有用于导入微波的天线。
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述天线为形成有多个隙缝孔的平面天线。
11.一种等离子体处理装置，包括：
能够真空排气的处理容器；
在所述处理容器内载置被处理体的载置台；
与所述处理容器的上部接合、密闭该处理容器内的盖部；和
围绕所述载置台的第一壳体，
所述等离子体处理装置的特征在于，
其构成为：第二壳体能够安装于所述第一壳体和所述盖部之间，并且在卸下所述第二壳体的状态下，能够直接接合所述第一壳体和所述盖部。
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