CN100499086C - 高度湿敏电子器件元件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 126
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- -1 pottery Substances 0.000 claims description 22
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 20
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 20
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 20
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 claims description 12
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011257 shell material Substances 0.000 abstract 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 5
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Abstract
一种高度湿敏电子器件元件及其制造方法，该元件包括封装外壳，外壳将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上，并具有密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，从而在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。
Description
技术领域
本发明涉及对封装电子器件内部湿度的控制，尤其涉及具有多个高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件及其制造方法，以防止过早器件毁损或者器件性能的过早降低。
背景技术
在制造中，电子器件通常是通过对包含多个电子器件的大的基底进行加工制成的。这些基底通常是从玻璃、塑料、金属、陶瓷、硅、其他半导体材料或者上述材料的中选择出来的。基底可以是刚性的或者柔性的，可以作为单独的单元或者连续卷状物进行处理。在大的单独基底或者连续卷状物基底上制造多个电子器件的主要原因，是为了通过减少操作、增加生产能力和增加产量来降低生产成本。在微电子行业，硅晶片加工技术已经从2英寸晶片增大到12英寸晶片，极大地降低了成本。在液晶显示器(LCD)行业，玻璃基底加工技术已经从300mmx 400mm基底增大到600mm x 700mm以上的基底，结果同样是使成本得到极大的降低。在高度湿敏电子器件，例如有机发光器件(OLED)、聚合物发光器件、电荷耦合器件(CCD)传感器和微型机电传感器(MEMS)的制造中，通过在大的单独基底或者连续卷状物基底上制造多个高度湿敏电子器件，同样也可以因生产规模扩大而获得经济上的节约。图1A显示了未封装的高度湿敏电子器件元件14，元件14在单独的基底10上具有多个高度湿敏电子器件12。图1B是高度湿敏电子器件元件14沿图1A中的截面线1B-1B获得的示意性剖视图。但是在大的单独基底或者连续卷状物基底上制造多个高度湿敏电子器件产生了一个较低湿敏电子器件所没有遇到的问题，即高度湿敏电子器件在制造过程中不能受潮，即使是短时间受潮也不行。
典型的电子器件要求湿度水平处于大约2500ppm至低于5000ppm的范围内，在器件规定的工作和/或存储时间之内防止器件性能发生过早降低。一般情况下是通过将器件封装或者将器件密封并在封盖内设置干燥剂，使封装器件内的环境被控制在这个湿度水平范围内。干燥剂(例如分子筛材料、硅胶材料和通常被称为燥石膏材料的材料)被用来将湿度保持在上述范围之内。在制造和封装这种类型的电子器件过程中，短时间地暴露于超过2500ppm湿度水平的环境下不会导致器件性能产生可测量的降低。因此在这种类型的电子器件与原始基底分离之后可以对其进行封装。
在制造液晶显示器过程中，电子电路和液晶材料不是高度湿敏材料。因此，在对电子电路和液晶材料进行封装的工序中不需要对制造过程中的外界环境湿度进行防护。图2A显示了典型的分割成为单个LCD器件之前的复合LCD元件28，图2B是复合LCD元件28沿图2A中的截面线2B-2B所取的示意性剖视图。在LCD的制造过程中，LCD的底板22和LCD的前板24包括多个LCD器件。LCD底板22和LCD前板24用密封材料20连接在一起，密封材料20包围着每个LCD器件，除了密封材料20中的缝隙。在制造出复合LCD元件28之后，LCD器件被分割并填充液晶材料。填充LCD器件之后，密封材料20中的缝隙被缝隙密封材料密封，以保持住液晶材料，并防止LCD底板电子器件26和液晶材料受潮。因为LCD器件不是高度湿敏的，所以可以在周围空气环境中对复合LCD元件进行分割加工，并且不会使LCD器件性能发生可测量的降低。
特别是对于高度湿敏电子器件，例如有机发光器件(OLED)或面板、聚合物发光器件、电荷耦合器件(CCD)传感器和微型机电传感器(MEMS)，要求将湿度控制在大约1000ppm的水平以下，某些器件甚至要求将湿度控制在大约100ppm之下。使用硅胶材料和燥石膏材料的干燥剂无法获得这么低的水平。如果在相对较高的温度下干燥，分子筛材料则可以在封装外壳内获得低于1000ppm的湿度水平。但是在等于或低于1000ppm湿度水平的情况下，分子筛材料具有相对较低的湿度容量，并且分子筛材料的最小可获得湿度水平是封装外壳内温度的函数：例如在室温下吸收的潮气会在温度重新变得较高(例如到100℃)时释放到外壳或封装中。在这种封装器件中使用的干燥剂包括金属氧化物粉末、碱土金属氧化物、硫酸盐、金属卤化物或高氯酸盐，即具有希望的相对较低的平均最小湿度和较高的湿度容量值的材料。但是，与上述分子筛、硅胶或燥石膏材料相比，这种材料化学吸收水分的速度通常较慢。这种与水蒸气相对较慢的反应导致在将干燥剂密封在器件封盖内之后产生可测量程度的器件性能降低，这是由于在器件内部吸收的潮气、密封器件内存在的水蒸气和穿过器件和封盖之间的密封从外部渗透入的水分造成的。另外，即使在制造和封装过程中，高度湿敏电子器件通常也不能暴露于湿度水平超过1000ppm的环境中，直到器件完全封装之前都需要对湿度水平进行控制。由于这些原因，在制造和封装过程中都需要对湿度水平进行控制以防止性能降低。
为了减少在器件内部吸收的或在密封器件内存在的水分量，高度湿敏电子器件，例如有机发光器件(OLED)或板、聚合物发光器件、电荷耦合器件(CCD)传感器和微型机电传感器(MEMS)，通常是在低湿度环境(例如湿度水平低于1000ppm的干燥箱)下进行密封。为了保证密封器件内部较低的湿度水平，在进行任何另外的加工步骤(例如相互连接和模块装配)之前，均需对这些高度湿敏电子器件完全是在低湿度环境中进行完全密封。为了获得这种低湿度密封，高度湿敏电子器件，例如电荷耦合器件(CCD)传感器和微型机电传感器(MEMS)，通常在从复合元件基底或晶片上分割后作为单个元件与单独的封盖元件进行单独密封。其他器件，例如有机发光器件(OLED)，是在单个元件上作为多个器件进行密封。但是在现有的制造方法中，金属或玻璃单个封盖元件被用于在分割之前密封各个器件。图3A显示了在单独基底10上包含有多个OLED器件32的典型的复合OLED元件34，用单个封装外壳30和密封材料20进行封装。图3B是OLED元件34沿图3A中的截面线3B-3B所取的示意性剖视图。这两种对高度湿敏器件进行密封的现有方法，都要求在低湿度环境中按照高标准将单独封盖元件装配到单独器件元件或复合器件元件上。
为了减少使用单个封盖元件在低湿度环境中对复合高度湿敏器件元件进行封装的操作，人们设想出了LCD密封方法的改进方式，在这种方式中，在连接之前，基底与封装外壳之间的密封材料没有缝隙。图4A显示了高度湿敏电子器件元件14，元件14包括：基底10，含有多个高度湿敏电子器件12；单个封装外壳30，对所有高度湿敏电子器件12进行封装；和密封材料20。图4A示意性地示出了这项技术存在的问题，其中在基底10和封装外壳30接触到密封材料之后，当基底10和封装外壳30被移动到预定位置时，每个密封区域内产生的高气压会对密封材料20造成损坏。由于密封中存在狭窄的密封宽度或均匀的缝隙，因此这种损坏经常发生，使对高度湿敏电子器件的保护被减弱或被消除。图4B是高度湿敏电子器件元件14沿图4A中的截面线4B-4B所取的示意性剖视图。因此，需要一种高度湿敏电子器件元件及一种制造高度湿敏电子器件元件的方法，从而制造和封装过程中能够保证用来防止高度湿敏电子器件受潮的密封不会受潮。
许多出版物都说明了用于在封装电子器件内对湿度水平进行控制的方法和/或材料。例如，Kawami等人在欧洲专利申请EP 0 776 147 A1中披露了一种封装在气密容器中的有机电致发光元件，容器含有干燥物质，干燥物质包括用于化学吸收水分的固体化合物。干燥物质与电致发光元件隔开，并且通过真空汽相淀积、喷涂或旋转施加，按照预定的形状进行强化。Kawami等人讲授了下面干燥剂的使用：碱金属氧化物、碱土金属氧化物、硫酸盐、金属卤化物或高氯酸盐。但是Kawami等人并未讲授具有多个气密容器的复合电致发光器件元件以及制造具有多个气密容器的复合电致发光器件元件的方法。Kawami等人也没有讨论或讲授对多个电致发光器件元件进行处理和密封的问题及解决方法，例如在封装过程中防止密封区域内的高气压对密封造成损坏的方法。
在US-A-5,304,419披露了一种用于封装有电子器件的外壳内的水分和微粒吸收剂。外壳内表面的一部分施加有含有固体干燥剂的压力敏感粘合剂。
在US-A-5,401,536披露了一种为电子器件提供无潮湿外壳的方法，外壳含有具有干燥剂特性的涂层或粘合剂。涂层或粘合剂包含分散在聚合物中的质子化硅酸铝粉末。
在US-A-5,591,379披露了一种用于密封电子器件的水分吸气组合物。组合物作为涂层或粘合剂施加在器件封装的内表面，并且组合物包括水汽可渗透粘合剂，粘合剂中分散有干燥剂，干燥剂最好为分子筛材料。
没有在这些专利中讲解复合器件元件以及为复合器件元件提供无潮湿外壳的方法。
在US-A-4,081,397说明了一种用于使电气和电子器件的电气和电子特性保持稳定的组成物。这种组成物包括弹性材料基体中的碱土金属氧化物。Booe没有讲解复合器件元件和用于使复合电气和电子器件元件的电气和电子特性保持稳定的方法。
在US-A-4,357,557说明了一种薄膜电致发光显示板，显示板通过一对玻璃基底密封，用于对显示板进行防护。方法包括：在玻璃基底之间引入防护液；设置隔离片，以确定一对基底之间的间距；在一个基底中制成注射孔，在真空下从由基底限定的空腔中吸取空气和气体，并将防护液引入空腔；适合于在基底与隔离片之间提供连接的粘合剂；在防护液中引入水分吸收成分；用于将注射孔密封的粘合剂。Inohara等人并未讲解具有多个气密容器的复合电致发光器件元件以及用于制造具有多个气密容器的复合电致发光器件元件的方法。Inohara等人也没有讨论或讲解对多个电致发光器件元件进行处理和密封的问题及解决方法，例如在封装过程中防止因为密封区域内的高气压对密封造成损坏的方法。虽然在一个基底中使用注射孔能够在封装过程中使过量的周围气体通过注射孔排出，从而防止对密封造成损坏，但Inohara等人并非因为这个目的而提出注射孔。相反，注射孔的目的是允许向由基底限定的空腔中引入防护液。
在US-A-5,239,228中说明了与Inohara等人所提出的方法类似的用于保护薄膜电致发光器件的方法，其另外的特征是在密封板中设置了凹槽，用于获取过量粘合剂。凹槽中还可以包含水分吸收剂。Taniguchi等人也没有讲解具有多个气密容器的复合电致发光器件元件以及用于制造具有多个气密容器的复合电致发光器件元件的方法。Taniguchi等人也没有讨论或讲解对多个电致发光器件元件进行处理和密封的问题及解决方法，例如在封装过程中防止密封区域内的高气压对密封造成损坏的方法。
在US-A-5,771,562中说明了对有机发光器件进行密封的方法，包括的步骤为：在基底上设置有机发光器件；在有机发光器件上再施加一层无机绝缘材料；在绝缘材料上密封接合一个无机涂层。Harvey III等人没有讲解具有多个气密容器的复合OLED器件元件以及用于制造具有多个气密容器的复合OLED器件元件的方法。虽然在封装工序中，无机绝缘层可以提供临时的防潮功能，但Harvey III等人并未讲解怎样将这种涂层用于制造具有多个气密容器的复合OLED器件元件。
在US-A-6,226,890中说明了对密封于外壳中的高度湿敏电子器件周围环境进行干燥处理的方法，方法包括选择干燥剂，干燥剂由微粒尺寸范围在0.1至200微米的固体颗粒组成。干燥剂被选择用来提供平均最小湿度水平，此最小湿度水平低于密封外壳中的器件能产生反应的湿度水平。选择一种能保持或增强干燥剂的水分吸收率的粘合剂，与所选的干燥剂混合。粘合剂可以为液态或溶解于液体中。制成一种可塑的混合物，混合物至少包括干燥剂颗粒和粘合剂，干燥剂颗粒在混合物中的重量份额最好在10％至90％的范围内。将一定数量的混合物浇注在外壳内表面的一部分上，在上面形成干燥剂层，外壳具有密封法兰。混合物凝固形成固体干燥剂层，并且用外壳沿密封法兰将电子器件密封。但是Boroson等人并未讲解对密封在多个外壳内的复合高度湿敏电子器件元件周围环境进行干燥处理的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有多个高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件以及所述元件的制造方法，其中由于可以防潮并且所述元件的制造相对现有技术更加简化，因而可以避免元件内高度湿敏电子器件被损坏。
在一个方面，本发明的目的是通过具有多个高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件达到的，元件包括：
a)含有两个或多个湿敏电子器件的基底；
b)封装外壳，其将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上；和
c)密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个湿敏电子器件或围绕湿敏电子器件组形成完全密封。
在另一个方面，本发明的目的是通过一种在单个基底上制造具有多个高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件(例如OLED)的方法达到的，其中在分割为单独器件之前器件可以被防止受潮，方法包括的步骤为：
a)在基底上或者在封装外壳的适当位置上围绕每个高度湿敏电子器件或围绕各组高度湿敏电子器件完全设置密封材料，从而在密封后密封材料将完全位于每个高度湿敏电子器件周围或者各组高度湿敏电子器件周围；
b)将基底和封装外壳(其中之一包含密封材料)彼此对准靠近，但存在间隔，这种位置提供了初始外界压力；
c)在基底与封装外壳之间提供相对运动，直到密封材料接触到基底和封装外壳，基底与封装外壳相距一定的范围；
d)在步骤c)之后或在步骤c)过程中，增加外界压力，使其高于基底、封装外壳和密封材料周围的初始外界压力，以减小由基底、封装外壳和密封材料之间限定的空间中相对于增加的外界压力的压差，因而可以防止密封材料受损坏；
e)使密封材料与基底和封装外壳连接，形成复合高度湿敏电子器件元件。
根据本发明的具有多个高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件及其制造方法，在防止过早器件毁损或者器件性能过早下降方面与现有技术相比具有以下优势：通过将所有高度湿敏电子器件密封在单一基底上，在元件被分割为较小的单一或多个器件元件之前，作为单一的元件，具有单一封装外壳，外壳将所有高度湿敏电子器件封装在单一基底上，从而减少了对器件和封装外壳的处理；增强了在暴露于外界环境之前的防潮保护；增强了与大产量制造所需的自动化工序的协调性；增强了与低湿度环境内部工序的协调性；减少了由于高度湿敏电子器件内部与外部之间的压差造成的封装瑕疵。
附图说明
图1A显示了未封装的高度湿敏电子器件元件，所述元件在单独的基底上具有多个高度湿敏电子器件；
图1B是图1A中高度湿敏电子器件元件沿图1A中的截面线1B-1B所取的示意性剖视图；
图2A显示了分割成为单个LCD器件之前的典型的复合LCD元件；
图2B是图2A中多个LCD元件沿图1A中的截面线2B-2B所取的示意性剖视图；
图3A显示了典型的单独封装的复合OLED元件；
图3B是图3A中的复合OLED元件沿图3A中的截面线3B-3B所取的示意性剖视图；
图4A显示了包含单个封装外壳和密封材料的高度湿敏电子器件元件，这种结构会由于过量压力而造成损坏；
图4B是图4A中高度湿敏电子器件元件沿图4A中的截面线4B-4B所取的示意性剖视图；
图5A显示了一种高度湿敏电子器件元件，元件包括具有多个高度湿敏电子器件的基底、单个封装外壳和密封材料；
图5B是图5A中高度湿敏电子器件元件沿图5A中的截面线5B-5B所取的示意性剖视图；
图6A显示了一种高度湿敏电子器件元件，元件包括具有多个高度湿敏电子器件的基底、单个封装外壳、密封材料、吸水材料和临时防潮层；
图6B是图6A中高度湿敏电子器件元件沿图6A中的截面线6B-6B所取的示意性剖视图；
图7A显示了一种处于初始外界气压P1的高度湿敏电子器件元件，元件包括具有多个高度湿敏电子器件的基底和不具有缝隙的密封材料，所述基底与含有吸水材料的封装外壳彼此对准靠近，但存在间隔；
图7B是图7A中高度湿敏电子器件元件沿图7A中的截面线7B，C-7B，C获得的示意性剖视图；
图7C是在基底和封装外壳相对密封材料接触基底和封装外壳的点移动后并且外界气压为P2时的图7A中高度湿敏电子器件元件沿图7A中的截面线7B，C-7B，C获得的示意性剖视图；
图7D显示了一种的在基底与封装外壳间的相对运动达到预定间距后，最终外界气压为P3的高度湿敏电子器件元件，元件包括具有多个高度湿敏电子器件的基底、密封材料、封装外壳和吸水材料；和
图7E是图7D中高度湿敏电子器件元件沿图7D中的截面线7E-7E获得的示意性剖视图。
具体实施方式
术语“高度湿敏电子器件元件”是指在制造过程中或制造完毕后包括一个或多个高度湿敏电子器件，或者在高度湿敏电子器件的制造过程中和在制造完毕之后包含一个或多个高度湿敏电子器件的元件。术语“高度湿敏电子器件”是指当外界湿度水平大于1000ppm时器件性能易发生可测量降低的任何电子器件。名词“基底”是指有机、无机或有机与无机固体的组合，其上制成一个或多个高度湿敏电子器件。名词“封装外壳”是指有机、无机或有机与无机固体的组合，用于通过阻止或限制水分渗入从而避免一个或多个高度湿敏电子器件受潮。
术语“密封材料”是指有机、无机或有机与无机材料的组合，用于将封装外壳粘合在基底上，并通过阻止或限制水分渗入从而避免一个或多个高度湿敏电子器件受潮。术语“缝隙”是指密封材料中围绕一个或多个电子器件的间断。术语“吸水材料”是指能以物理或化学方式吸收水分或者与水分发生反应的无机材料，否则水分将损坏高度湿敏电子器件。术语“临时防潮层”是指有机、无机或有机与无机材料的组合，用于在短时间暴露于大于1000ppm的外界湿度水平时防止或限制水分对高度湿敏电子器件造成损坏，其中短时间是指不超过10天。
请参看图5A，图5A显示了根据本发明的高度湿敏电子器件元件14的一个实施例。高度湿敏电子器件元件14包括：含有多个高度湿敏电子器件12的基底10；单个封装外壳30，将所有高度湿敏电子器件12封装在基底10上；围绕每个高度湿敏电子器件12的密封材料20，密封材料20中不具有缝隙。图5B是图5A中高度湿敏电子器件元件14沿图5A中的截面线5B-5B获得的示意性剖视图。在图5A和图5B中，高度湿敏电子器件元件14包括四个高度湿敏电子器件12，但是本发明的高度湿敏电子器件元件可以包括大于一的任何数量的高度湿敏电子器件。通过使用单一封装外壳将所有高度湿敏电子器件封装在基底上，能够获得的优势是，与现有技术相比，不必使用单独的封装外壳将每个高度湿敏电子器件分别封装在基底上，减少了处理。图5A和图5B中显示的基底10和封装外壳30可以是有机固体、无机固体或有机与无机固体的组合。基底10和封装外壳30可以是刚性或柔性的，并可以作为分立的单片(例如片材或晶片)或连续卷状物进行处理。典型的基底和封装外壳材料包括玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。基底和封装外壳可以是同类材料混合物、复合材料或多材料层。图5A和图5B中显示的密封材料20围绕每个单独的高度湿敏电子器件，但是如果最终产品需要在一个元件中具有多个高度湿敏电子器件，则密封材料还可以围绕两个或多个为一组的高度湿敏电子器件。另外，围绕每个高度湿敏电子器件或一组的高度湿敏电子器件的密封材料不包含缝隙，因而在分割为较小的单个或复合器件元件之前可以防止高度湿敏电子器件元件受潮。密封材料可以是有机、无机或有机与无机组合材料。密封材料可以通过熔化和冷却或通过反应固化粘合至基底和封装外壳。通过熔化和冷却粘合的典型材料包括：玻璃；热溶性粘合剂，例如聚烯烃、聚酯、聚酰胺或其组合；无机焊料，例如铟、锡、铅、银、金或其组合。典型的反应固化包括由加热；辐射，例如紫外辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。通过反应固化粘合的材料包括丙烯酸脂、环氧树脂、聚氨酯、硅树脂或其组合。通常在密封材料中使用的其他无机材料包括玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、半导体氧化物或其组合。
请参看图6A，图6A显示了根据本发明的高度湿敏电子器件元件14的另一个实施例。高度湿敏电子器件元件14包括：含有多个高度湿敏电子器件12的基底10；单个封装外壳30，其将所有高度湿敏电子器件12封装在基底10上；密封材料20，其围绕每个高度湿敏电子器件12限定一个空间，密封材料20中不具有缝隙；吸水层60，其位于基底10与封装外壳30之间，并处在由密封材料20所限定的空间内；临时防潮层62，其施加在各个高度湿敏电子器件12上。图6B是图6A中高度湿敏电子器件元件14沿图6A中的截面线6B-6B获得的示意性剖视图。高度湿敏电子器件12、基底10、封装外壳30和密封材料20的详细情况与图5A和图5B显示的实施例相同。吸水材料用于以物理或化学方式吸收水分，或者与水分发生反应，否则水分会损坏高度湿敏电子器件。典型的吸水材料包括碱金属氧化物、碱土金属氧化物、硫酸盐、金属卤化物、高氯酸盐、分子筛和功函数低于4.5eV并能在出现水分时发生氧化的金属，或者其组合。吸水材料可以封装在水分可渗透容器或粘合剂中。吸水材料可以是单一材料、同类材料混合物、复合材料或多材料层。临时防潮层用于在短时间暴露于大于1000ppm的外界湿度水平时防止或限制水分对高度湿敏电子器件造成损坏。临时防潮层为有机材料、无机材料及其组合。典型的有机材料包括环氧树脂、聚氨酯、聚脲、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、石碳酸、聚乙烯化合物、苯氧基化合物、聚砜、聚烯烃、聚酯或其组合。典型的无机材料包括玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。临时防潮层可以是单一材料、同类材料混合物、复合材料或多材料层。
请参看图7A至图7E，图7A至图7E显示了根据本发明的在单一基底上制造高度湿敏电子器件元件(例如OLED器件)的方法的一个实施例，其中在被分割为单独器件之前器件可以被防潮。图7A显示了一种处于初始外界压力P1的高度湿敏电子器件元件14，元件14包括：含有多个高度湿敏电子器件12的基底10；围绕每个高度湿敏电子器件12的密封材料20，密封材料20中不具有缝隙，其与封装外壳30彼此对准靠近，但存在间隔，封装外壳30将高度湿敏电子器件12封装在基底10上，并含有吸水材料60，因而在粘合后吸水材料将位于每个湿敏电子器件之内。图7B是图7A中高度湿敏电子器件元件沿图7A中的截面线7B，C-7B，C获得的示意性剖视图。外界压力P1可以高于、低于或等于大气压力。高度湿敏电子器件12、基底10、单个封装外壳30、密封材料20和吸水材料60的详细情况与图5A和图5B显示的实施例相同。在另外一个实施例中，可以用临时防潮层代替吸水材料60或者与吸水材料60一起使用，施加在高度湿敏电子器件12上，如图6A和图6B详细介绍所示。但在另一个实施例中，高度湿敏电子器件元件14包括高度湿敏电子器件12、基底10、封装外壳30和密封材料20。图7C是在基底10和封装外壳30进行相对运动90达到密封材料与基底10和封装外壳30都接触的位置并且压力为P2以后，图7A中高度湿敏电子器件元件沿图7A中的截面线7B，C-7B，C所取的示意性剖视图。外界压力P2可以等于或大于初始外界压力P1。图7D显示了一种处于最终外界压力P3的高度湿敏电子器件元件14，此图中，在基底10与封装外壳30之间相对移动使基底10与封装外壳30的间距达到预定范围后，并将密封材料20粘合至基底10和封装外壳30上后，形成了多个高度湿敏电子器件12。外界压力P3可以等于或大于外界压力P2。外界压力P3相对于基底10、封装外壳30和密封材料20周围的初始外界压力P1增加，以减小由基底10、封装外壳30和密封材料20所限定的空间内的压力相对增加的外界压力P3间的压差，从而可以防止密封材料20变形。可以通过熔化和冷却、反应固化或其组合将密封材料20粘合至基底10和封装外壳30上。反应固化包括由加热；辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。图7E是图7D中高度湿敏电子器件元件沿图7D中的截面线7E-7E所取的示意性剖视图。在完成图7A至图7E所述方法之后，高度湿敏电子器件通常被分割为具有一部分初始基底的单个器件或器件组。
例子
I.测试结构的构建
通过下述步骤可以制成多个相同的测试结构：
(1)通过在丙酮和异丙醇中进行超声破碎并在蒸馏水中进行冲洗，对包含多个高度湿敏电子器件的玻璃基底进行净化处理；
(2)通过与在上述步骤(1)中所述净化处理相同的净化方式，在制成干燥层之前，对玻璃封装进行净化处理，玻璃封装包含多个通过选择性蚀刻玻璃基底制成的空腔；
(3)在封装外壳的空腔内制成吸水层并固化；
(4)围绕封装外壳上的每个空腔完全设置密封材料；
(5)在初始外界压力下，基底和含有密封材料的封装外壳彼此对准靠近，但存在间隔；
(6)使基底与封装外壳之间进行相对移动，直至密封材料与基底和封装外壳都接触，基底和封装外壳间隔20至30微米；
(7)步骤(6)之后，基底、封装外壳和密封材料周围的外界气压被增加或保持恒定；
(8)密封材料粘合至基底和封装外壳，形成测试结构。
II.结果
对于测试结构内所有位置的封装质量的判断，是以粘合后密封材料的质量为基础。如果由于在密封材料的内部与外部之间存在压差，从而造成密封材料明显损伤，则密封质量被评定为差。如果不存在明显的损伤，则封装质量被评定为优。如果存在轻微损伤，则封装质量被评定为中等。
| 密封尺寸LxWxT(mm) | 初始压力(Vac.gauge，Torr) | 最终压力(Vac.gauge.，Torr) | 封装质量 |
| 100 x 1.5 x 0.02 | 760 | 760 | 差 |
| 100 x 1.5 x 0.02 | 525 | 760 | 差 |
| 100 x 1.5 x 0.02 | 625 | 760 | 差 |
| 100 x 1.5 x 0.02 | 580 | 760 | 优 |
| 170 x 1.5 x 0.02 | 760 | 760 | 差 |
| 170 x 1.5 x 0.02 | 525 | 760 | 差 |
| 170 x 1.5 x 0.02 | 735 | 760 | 差 |
| 170 x 1.5 x 0.02 | 625 | 760 | 优 |
结果显示，最理想的初始和最终压力决定了封装质量，并由如密封尺寸表示的封装空间的大小为基础。对于任何特殊密封尺寸，将存在多组初始和最终压力，可以产生高质量的封装，并且在每组压力中都会有操作范围可以产生高质量的封装。表中所示条件对于每个密封尺寸只显示了一组可以带来高质量封装的压力。
下面是本发明的其他特征。
高度湿敏电子器件元件，其中密封材料为经过熔化和冷却或反应固化的有机材料、无机材料或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中反应固化包括由加热；辐射，例如紫外辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。
高度湿敏电子器件元件，其中有机材料选自环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚烯烃、聚酯或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中无机材料选自玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、半导体氧化物、金属焊料或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中吸水材料包括碱金属氧化物、碱土金属氧化物、硫酸盐、金属卤化物、高氯酸盐、分子筛和功函数低于4.5eV并能在出现水分时发生氧化的金属，或者其组合。
具有高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件，元件包括：
a)含有两个或多个湿敏电子器件的基底，器件使用临时防潮层施加；
b)封装外壳，将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上；和
c)密封材料，位于所述基底和所述封装外壳之间，在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个湿敏电子器件或围绕各组湿敏电子器件形成完全密封。
高度湿敏电子器件元件，其中基底包括刚性或柔性的：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中的封装外壳包括刚性或柔性：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中密封材料为经过熔化和冷却或反应固化的有机材料、无机材料或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中反应固化包括由加热；辐射，例如紫外辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。
高度湿敏电子器件元件，其中有机材料选自环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚烯烃、聚酯或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中无机材料选自玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、半导体氧化物、金属焊料或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中临时防潮层为有机材料、无机材料或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中有机材料选自环氧树脂、聚氨酯、聚脲、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、石碳酸、聚乙烯化合物、苯氧基化合物、聚砜、聚烯烃、聚酯或其组合。
高度湿敏电子器件元件，其中无机材料选自玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
一种在单一基底上制造具有多个高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件(例如OLED)的方法，其中器件在从基底上分割为单独器件之前可以防止受潮，方法包括的步骤为：
a)在基底上或者在封装外壳的适当位置上围绕每个高度湿敏电子器件或围绕各组高度湿敏电子器件完全设置密封材料，从而在密封后密封材料将完全位于每个高度湿敏电子器件周围或者各组高度湿敏电子器件周围；
b)将基底和封装外壳(其中之一包含密封材料)彼此对准靠近，但存在间隔，这种位置提供了初始外界压力；
c)在基底与封装外壳之间提供相对运动，直到密封材料接触到基底和封装外壳，基底与封装外壳相距一定的范围；
d)在步骤c)之后或在步骤c)过程中，增加外界压力，高于基底、封装外壳和密封材料周围的初始外界压力，以减小由基底、封装外壳和密封材料之间限定的空间中相对于增加的外界压力的压差，因而可以防止密封材料受损坏；
e)使密封材料与基底和封装外壳连接，形成复合高度湿敏电子器件元件。
本方法中的粘合步骤是通过熔化和冷却、反应固化或其组合实现的。
本方法中的反应固化包括由加热；辐射，例如紫外辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。
本方法中的初始外界压力高于、低于或等于气压。
本方法中的基底包括刚性或柔性的：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
本方法中的封装外壳包括刚性或柔性的：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
本方法中的封装材料为有机材料、无机材料或其组合。
本方法中的有机材料选自环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚烯烃、聚酯或其组合。
本方法中的无机材料选自玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、半导体氧化物、金属焊料或其组合。
本方法还包括将高度湿敏电子器件分割为具有一部分初始基底的单个器件或一组器件的步骤。
一种在单一基底上制造具有多个高度湿敏电子器件(例如OLED器件)的高度湿敏电子器件元件的方法，其中器件在从基底上分割为单独器件之前可以防止受潮，方法包括的步骤为：
a)在包含两个或多个高度湿敏电子器件的基底上施加临时防潮层；或者在基底或在封装外壳的适当位置上施加吸水材料，这样在粘合后，吸水材料将位于每个高度湿敏电子器件内部或位于各组高度湿敏电子器件内；或者既施加所述临时防潮层，也施加所述吸水材料；
b)在基底上或者在封装外壳的适当位置上围绕每个高度湿敏电子器件或围绕各组高度湿敏电子器件完全设置密封材料，从而在密封后每个高度湿敏电子器件周围或者各组高度湿敏电子器件周围将完全具有密封材料；
c)将基底和封装外壳(其中之一包含密封材料)彼此对准靠近，但存在间隔，这种位置提供了初始外界压力。
d)在基底与封装外壳之间提供相对运动，直到密封材料接触到基底和封装外壳，基底与封装外壳相距一定的范围；
e)在步骤d)之后或在步骤d)中，增加外界压力，大于基底、封装外壳和密封材料周围的初始外界，以减小由基底、封装外壳和密封材料所限定的空间内的压力相对增加的外界压力间的压差，从而可以防止密封材料变形；
f)使密封材料与基底和封装外壳接合，形成高度湿敏电子器件元件。
本方法中的粘合步骤是通过熔化和冷却、反应固化或其组合实现的。
本方法中的反应固化包括由加热；辐射，例如紫外辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。
本方法中的初始外界压力高于、低于或等于气压。
本方法中的基底包括刚性或柔性的：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
本方法中的封装外壳包括刚性或柔性的：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
本方法中的密封材料为有机材料、无机材料或其组合。
本方法中的有机材料选自环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚烯烃、聚酯或其组合。
本方法中的无机材料选自玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、半导体氧化物、金属焊料或其组合。
本方法还包括将高度湿敏电子器件分割为具有一部分初始基底的单个器件或一组器件的步骤。
本方法中的吸水材料包括碱金属氧化物、碱土金属氧化物、硫酸盐、金属卤化物、高氯酸盐、分子筛和功函数低于4.5eV并能在出现水分时发生氧化的金属，或者其组合。
本方法中的临时防潮层为有机材料、无机材料或其组合。
本方法中的有机材料选自环氧树脂、聚氨酯、聚脲、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、石碳酸、聚乙烯化合物、苯氧基化合物、聚砜、聚烯烃、聚酯或其组合。
本方法中的无机材料选自玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
Claims (7)
1.一种具有多个高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件，该元件包括：
a)基底，在该基底上形成所述多个高度湿敏电子器件；
b)单个封装外壳，其将所有的所述高度湿敏电子器件封装在所述基底上并保护所述高度湿敏电子器件不受潮；
c)密封材料，其围绕每个高度湿敏电器器件从所述基底延伸向所述封装外壳，以在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件形成完全密封，从而分别围绕每个高度湿敏电子器件形成一个单独的密封空间；
d)吸水材料，其安置在每个所述密封空间内并且与每个对应的高度湿敏电子器件分隔开。
2.根据权利要求1所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述基底包括刚性或柔性的：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
3.根据权利要求1所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述封装外壳包括刚性或柔性的：玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体硫化物、碳或其组合。
4.根据权利要求1所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述密封材料为经过熔化和冷却或反应固化的有机材料、无机材料或其组合。
5.根据权利要求4所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述反应固化包括由加热；辐射；将两个或多个元件混合；暴露于外界水分；除去外界氧气；或其组合产生的反应。
6.根据权利要求4所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述有机材料选自环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸脂、硅树脂、聚酰胺、聚烯烃、聚酯或其组合。
7.根据权利要求4所述的高度湿敏电子器件元件，其特征在于，所述无机材料选自玻璃、陶瓷、金属、半导体、金属氧化物、半导体氧化物、金属焊料或其组合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021425078A CN100499086C (zh) | 2002-09-23 | 2002-09-23 | 高度湿敏电子器件元件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021425078A CN100499086C (zh) | 2002-09-23 | 2002-09-23 | 高度湿敏电子器件元件及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1494132A CN1494132A (zh) | 2004-05-05 |
| CN100499086C true CN100499086C (zh) | 2009-06-10 |
Family
ID=34231979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021425078A Expired - Lifetime CN100499086C (zh) | 2002-09-23 | 2002-09-23 | 高度湿敏电子器件元件及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100499086C (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100637201B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP5693515B2 (ja) * | 2012-01-10 | 2015-04-01 | エイチズィーオー・インコーポレーテッド | 内部耐水性被覆を備える電子デバイス |
| CN103855308B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-04-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4357557A (en) * | 1979-03-16 | 1982-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof |
-
2002
- 2002-09-23 CN CNB021425078A patent/CN100499086C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4357557A (en) * | 1979-03-16 | 1982-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1494132A (zh) | 2004-05-05 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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|
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|
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