CN100495180C

CN100495180C - 液晶显示器装置

Info

Publication number: CN100495180C
Application number: CNB2006101290897A
Authority: CN
Inventors: 廖家德; 赵世民; 简廷宪; 李润复; 游家华
Original assignee: Hannstar Display Corp
Current assignee: Hannstar Display Corp
Priority date: 2006-09-07
Filing date: 2006-09-07
Publication date: 2009-06-03
Anticipated expiration: 2026-09-07
Also published as: CN101140394A

Abstract

本发明提供一种边缘电场驱动型液晶显示器装置。第一基板与第二基板对向设置且其间隔特定距离，且液晶层夹置于第一基板与第二基板之间。多条栅极线与多条数据线彼此垂直交错设置于第一基板上，其中多个亚像素区域定义于栅极线与数据线之间的区域。一相对电极设置于第一基板上各个亚像素区域中。以及像素电极设置于该相对电极上，其间隔有绝缘层，其中像素电极包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，其中第一节段与水平方向成θ角，第二节段与水平方向成φ角，第三节段与水平方向成θ角，且θ角大于φ角。

Description

液晶显示器装置

发明领域

本发明涉及一种液晶显示器装置，且尤其涉及一种边缘电场切换(FFS)型液晶显示器装置。

背景技术

液晶显示器(LCD)具有许多的优点，例如体积小、重量轻、及低电力消耗等，因而已经广泛地被应用于移动显示装置、笔记本电脑、个人电脑(PC)屏幕及电视(TV)等电子产品。就大尺寸屏幕及电视的应用需求而论，其关键在于必须具备快响应速度、高对比率、高透光性及无色彩反转的宽视角。横向电场切换(in-plane switching，简称IPS)型液晶显示器兼具上述高画质影像的关键性特点，且已成为主要应用的选择之一。

边缘电场切换(Fringe Field Switching，以下简称FFS)型液晶显示器是通过边缘电场使面板内几乎均质排列的液晶分子沿电极表层横向旋转，进而产生传统IPS型液晶显示器无法达成的高穿透性效应。典型的FFS型液晶显示器包括设置于同一基板上的不同层位置上的像素和共同电极。上述像素与共同电极之间的距离小于液晶层的间隙，使得在电极周围产生边缘电场，进而产生高亮度及广视角效果。

美国专利第US 6,856,371号公开了一种边缘电场切换(FFS)型液晶显示器的电极结构。通过上、下对称的电极设计，使显示器兼具高显示品质，却不致影响其穿透率。

图1显示传统边缘电场切换(FFS)型液晶显示器的剖面示意图。边缘电场切换(FFS)型液晶显示器1包括第一基板(或称下基板)10、第二基板(或称上基板)20以及液晶层30，该液晶层30夹置于第一基板10与第二基板20之间的空间，以构成液晶胞。相对电极(counterelectrode)11以及多条像素电极13设置于第一基板10上。绝缘层15夹置于相对电极11与像素电极13之间。下配向层14形成于绝缘层15上，且覆盖像素电极13。彩色滤光层25及上配向层24设置于第二基板20的内侧表面，与液晶层30邻接。

图2显示传统边缘电场切换(FFS)型液晶显示器的基板结构的上视图。两条平行的栅极线3与两条平行的数据线7彼此相隔且正交，其间所围成的区域定义为一个亚像素(sub-pixel)区。相对电极11与像素电极13形成于亚像素区内。像素电极13包括两电极棒(bar)13a，其平行于数据线7以及多条倾斜的电极臂13b。各电极臂13b的两端分别与电极棒13a电性连接，且具有倾斜角

。应注意的是，电极臂13b的倾斜角

会直接影响FFS型液晶显示器的驱动电压(V_op)。更明确地说，电极臂13b的倾斜角

愈大则FFS型液晶显示器所需的驱动电压亦愈大。

就小面板而言，为了使FFS型液晶显示器具有低的驱动电压，电极臂13b的倾斜角

则必须降低。然而，低的倾斜角

(例如小于7°)会造成向错效应(disclination effect)。此外，高的倾斜角

所需的驱动电压导致薄膜晶体管元件TFT的面积必须增加，以提供足够的电荷储存的能力。薄膜晶体管元件TFT的结构包括栅极3、通道与源极/漏极4、以及源极接触6a/漏极接触6b。漏极接触6b通过接触窗9与像素电极13连接。然而，若增加薄膜晶体管元件TFT所占的面积，如此势必压缩像素电极13的面积，进而降低FFS型液晶显示器的开口率(aperture ratio)与穿透率(transmittance)。

有鉴于此，业界需要一种FFS型液晶显示器的电极结构设计，可兼顾其低驱动电压(V_op)的需求，又可避免向错效应及提高其开口率与穿透率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种FFS型液晶显示的电极结构，具多重曲折形状设计，使其兼顾其低驱动电压(V_op)的需求，又可避免向错效应及提高其开口率与穿透率。

为达成上述目的，本发明提供一种液晶显示器装置，包括：第一基板与第二基板对向设置且间隔一特定距离；液晶层，其夹置于第一基板与第二基板之间；多条栅极线与多条数据线彼此垂直交错设置于第一基板上，其中多个亚像素区域定义于栅极线与数据线之间的区域；相对电极设置于第一基板上的各个亚像素区域中；以及第一像素电极设置于该相对电极上，其间隔有至少一个绝缘层；其中第一像素电极包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段；其中第一节段与水平方向成θ角，第二节段与水平方向成

角，第三节段与水平方向成θ角，且θ角大于

角。

应注意的是，上述液晶显示器装置，还包括：第二像素电极设置于该相对电极上，其间隔有至少一个绝缘层；其中该第二像素电极包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段；其中该第一节段与水平方向成-θ角，该第二节段与水平方向成-

角，该第三节段与水平方向成-θ角，且该-θ角大于该-

角。进一步，该第一像素电极与该第二像素电极沿垂直方向或水平方向成镜像对称。

为达成上述目的，本发明还提供另外一种液晶显示器装置，包括：第一基板与第二基板相对设置且间隔一特定距离；液晶层，其夹置于第一基板与第二基板之间；多条栅极线与多条数据线彼此垂直交错设置于第一基板上，其中多个亚像素区域定义于栅极线与数据线之间的区域；相对电极设置于第一基板上的各个亚像素区域中；以及像素电极设置于相对电极上，其间隔有绝缘层；其中像素电极包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段；其中第一节段与水平方向成θ角，第二节段与水平方向成

角，第三节段与水平方向成θ角，且θ角大于

角；以及其中像素电极还包括多个第四节段，其各连接第奇数条电极臂的第一节段与第偶数条电极臂的第三节段，以及多个第五节段，其各连接第奇数条电极臂的第三节段与第偶数条电极臂的第一节段。

为达成上述目的，本发明又提供一种液晶显示器装置，包括：第一基板与第二基板相对设置且间隔一特定距离；液晶层，其夹置于该第一基板与该第二基板之间；多条栅极线与多条数据线彼此垂直交错设置于该第一基板上，其中多个亚像素区域定义于该栅极线与该数据线之间的区域；以及相对电极设置于该第一基板上的各个亚像素区域中；像素电极设置于该相对电极上，其间隔有至少一个绝缘层；其中该像素电极具有第一部分，其包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，并且其中该第一节段与水平方向成θ角，该第二节段与水平方向成

角，该第三节段与水平方向成θ角，且该θ角大于该

角；以及其中该像素电极具有第二部分，其包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，并且其中该第一节段与水平方向成-θ角，该第二节段与水平方向成-

角，该第三节段与水平方向成-θ角，且该-θ角大于该-

角。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图简述

图1显示传统边缘电场切换(FFS)型液晶显示器的剖面示意图；

图2显示传统边缘电场切换(FFS)型液晶显示器的上视图；

图3显示根据本发明第一实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图；

图4A至4F显示根据本发明实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的基板电极结构的制造方法的分解步骤示意图；

图5显示图3的边缘电场驱动型液晶显示器的基板电极结构沿A-A’切割线的剖面示意图；

图6显示图3与5的边缘电场驱动型液晶显示器的基板电极结构的等效电路图；

图7显示根据本发明第一实施例的变化例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图；

图8显示根据本发明第一实施例的另一变化例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图；

图9显示根据本发明第一实施例的又一变化例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图；

图10显示根据本发明第二实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图；以及

图11显示根据本发明第三实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图。

【主要元件符号说明】

已知部分(图1、2)

1～边缘电场切换(FFS)型液晶显示器；

3～栅极线； 4～通道与源极/漏极；

5～相对电极； 6a～源极接触；

6b～漏极接触； 7～数据线；

9～接触窗； 10～第一基板；

11～相对电极； 13～像素电极；

13a～电极棒(bar)； 13b～倾斜的电极臂；

14～下配向层； 15～绝缘层；

20～第二基板； 24～上配向层；

25～彩色滤光层； 30～液晶层；

～倾斜角； TFT～薄膜晶体管元件。

本发明部分(图1～20)

100～基板；

100a、100b、100c、100d～主动元件阵列基板结构；

103、203～栅极线；

104、204～半导体岛；

105、205～相对电极；

106a、206a～源极接触；

106b、206b～漏极接触；

107、207～数据线；

108、208～共同电极线；

109、209～接触窗；

113、123、133、213～像素电极；

113a～电极棒(bar)；

113b、213b～倾斜的电极臂；

113b1、213b1～第一节段；

113b2、213b2～第二节段；

113b3、213b3～第三节段；

213a1～第四节段； 213a2～第五节段；

213c～第一、第二开口；

、θ～倾斜角；

TFT～薄膜晶体管元件； C_st～储存电容；

C_f～边缘电容； D～区域。

具体实施方式

本发明提供一种边缘电场驱动型液晶显示器装置，兼顾其低驱动电压(V_op)的需求，又可避免向错效应及提高其开口率与穿透率的效果。

第一实施例

图3显示根据本发明第一实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图。在图3的主动元件阵列基板结构101a中，单位电极结构包括多条栅极线103与多条数据线107彼此垂直交错设置于基板100上，其中多个亚像素区域定义于栅极线103与数据线107之间的区域。相对电极105设置于基板100上各个亚像素区域中。第一像素电极113设置于相对电极105上，其间隔有至少一个绝缘层(结合图5的第一绝缘层109及第二绝缘层110)，其中第一像素电极113包括两电极棒(bar)113a平行于数据线107以及多条平行的倾斜电极臂113b，各条倾斜电极臂包括第一节段113b1、第二节段113b2、及第三节段113b3。第一节段113b1与水平方向成θ角，第二节段113b2与水平方向成

角，第三节段113b3与水平方向成θ角，且θ角大于

角。根据本发明的优选实施例，θ角的范围大致介于1°至80°之间，或者

角的范围大致介于0°至79°之间。由于靠近电极棒(bar)113a位置(区域D)倾斜电极臂的第三节段113b3与水平方向所夹的θ角大于

角，因此可避免向错效应。

再参阅图3，薄膜晶体管元件TFT设置于该栅极线103与数据线107交错的位置，其结构包括栅极103、通道与源极/漏极104、以及源极接触106a/漏极接触106b。漏极接触106b通过接触窗109与像素电极113电连接。并且由于将θ角设计成大于

角，可满足低驱动电压(V_op)的需求，进而降低薄膜晶体管元件TFT所占的面积，因此进一步提高其开口率。

应注意的是，本发明实施例的基板结构101a上还可包括配向膜(未图示)，其形成于像素电极113上，以水平方向研磨(rubbing)配向。

图4A至4F显示根据本发明实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的基板电极结构的制造方法的分解步骤示意图。参阅图4A，首先提供基板100，例如透明玻璃基板或塑胶基板，并于基板100上形成图案化的相对电极。参阅图4B，在基板100上形成图案化第一金属层，其包括栅极线103及共同电极线108，其中共同电极线108与相对电极105直接电性连接。栅极线103与共同电极线108平行，且由金属材料构成，例如铝(Al)、钼(Mo)、或透明导电材料。接着，在基板100上形成栅极绝缘层109，且覆盖相对电极105、栅极线107与共同电极线108。

接着，参阅图4C，形成图案化的半导体层覆盖栅极线103的部分区域。例如，在栅极线103上形成半导体岛104，其包括非晶质硅岛或多晶硅岛，并做为载子的通道区。在通道区两侧分别是源极与漏极。接着，参阅图4D，在基板100上形成图案化的第二金属层。图案化的第二金属层包括数据线107、源极与漏极接触电极106a、106b。第二金属层包括例如铝(Al)、钼(Mo)、或透明导电材料。接着，形成第二绝缘层110(结合参阅图5)，并在漏极接触电极106b上形成接触窗109，如图4E所示。

接着，参阅图4F，在第二绝缘层110形成图案化的像素电极结构，且与漏极接触电极106b电性连接。像素电极结构的位置设置于相对电极105上，其间隔有第二绝缘层。像素电极结构113包括两个电极棒(bar)113a平行于数据线107以及多条平行的电极臂131b，各条电极臂包括第一节段131b1、第二节段131b2、及第三节段131b3，其中第一节段131b1与水平方向成θ角，第二节段131b2与水平方向成

角，第三节段131b3与水平方向成θ角，且θ角大于

角。

图5显示图3的边缘电场驱动型液晶显示器的基板电极结构沿A-A’切割线的剖面示意图。图6显示图3与5的边缘电场驱动型液晶显示器的基板电极结构的等效电路图。参阅图5，像素电极结构的电极臂131b与相对电极105之间会产生储存电容C_st与边缘电容C_f。若电极臂131b与相对电极105之间重复区域面积愈大，其间储存电容C_st与边缘电容C_f也愈大，导致需要大的TFT元件控制其充放电。然而，大面积的TFT元件占据过多的亚像素空间会导致显示区域的开口率下降。有鉴于此，由于本发明实施例将θ角设计成大于

角，可达成低驱动电压(V_op)的需求，进而降低薄膜晶体管元件TFT所占的面积，因此进一步提高其开口率。

图7显示根据本发明第一实施例的变化例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图。在图7的主动元件阵列基板结构101b中，其主要结构类似于图3的主动元件阵列基板结构101a，为简明之故，在此简化其叙述，不同之处在于第二像素电极123包括多条平行的电极臂113b，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，其中该第一节段与水平方向成-θ角，该第二节段与水平方向成-

角，该第三节段与水平方向成-θ角，且该-θ角大于该-

角。

图8显示根据本发明第一实施例的另一变化例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图。在图8中，其中该第一像素电极113与该第二像素电极123沿水平方向成镜像对称。

图9显示根据本发明第一实施例的又一变化例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图。在图9中，其中该第一像素电极113与该第二像素电极123沿垂直方向成镜像对称。

第二实施例

图10显示根据本发明第二实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图。参阅图10，为了增加FFS型液晶显示器的开口率及穿透率，本发明第二实施例的主动元件阵列基板结构101c，多条栅极线103与多条数据线107彼此垂直交错设置于第一基板100上，其中多个亚像素区域定义于栅极线103与数据线107之间的区域。各个亚像素区域分成两个场域，且电极结构对称。相对电极105设置于第一基板100上各个亚像素区域中。像素电极133设置于相对电极105上，其间隔有至少一个绝缘层。像素电极的上半部分，其包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，并且其中该第一节段与水平方向成θ角，该第二节段与水平方向成

角，该第三节段与水平方向成θ角，且θ角大于

角。像素电极的下半部分包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，其中第一节段与水平方向成-θ角，第二节段与水平方向成-

角，第三节段与水平方向成-θ角，且θ角大于

角。应注意的是，像素电极的上半部分与像素电极的下半部分沿垂直方向成镜像对称。

第三实施例

图11显示根据本发明第三实施例的边缘电场驱动型液晶显示器的像素区的电极结构上视图。参阅图11，为了进一步增加FFS型液晶显示器的开口率及穿透率，本发明第三实施例的主动元件阵列基板结构101d，其像素区的电极结构包括多条栅极线203与多条数据线207彼此垂直交错设置于下基板上，其中多个亚像素区域定义于栅极线203与数据线207之间的区域。相对电极205设置于下基板上各个亚像素区域中。像素电极213设置于相对电极205上，其间隔有绝缘层，其中像素电极213包括多条平行的倾斜电极臂213b，各条电极臂包括第一节段213b1、第二节段213b2、及第三节段213b3，其中第一节段213b1与水平方向成θ角，第二节段213b2与水平方向成

角，第三节段213b3与水平方向成θ角，且θ角大于

角。以及，像素电极213还包括多个第四节段213a1，其分别连接第奇数条电极臂的第一节段213b3与第偶数条电极臂的第三节段213b3，以及多个第五节段213a2，其分别连接第奇数条电极臂的第三节段213b1与第偶数条电极臂的第一节段213b1。第四节段213a1与第五节段213a2靠近且平行于各数据线207。更明确地说，像素电极213为连续的S形折线结构。根据本发明的优选实施例，θ角的范围大致介于1°至80°之间，或者

角的范围大致介于0°至79°之间。由于倾斜电极臂的第三节段213b3与水平方向所夹的θ角大于

角，因此可避免向错效应。

再者，像素电极213的各个第四节段213a1之间具有第一开口213c及各个第五节段213a2之间具有第二开口213c，以增加边缘电场驱动型液晶显示器装置的穿透率。根据本发明的优选实施例，第一及第二开口213c的宽度范围大致介于0.1μm至10μm之间。

再参阅图11，薄膜晶体管元件TFT设置于该栅极线203与数据线207交错的位置，其结构包括栅极203、通道与源极/漏极204、以及源极接触206a/漏极接触206b。漏极接触206b通过接触窗209与像素电极213电性连接。并且由于将θ角设计成大于

角，可实现低驱动电压(V_op)的需求，进而降低薄膜晶体管元件TFT所占的面积，因此进一步提高其开口率。

应注意的是，本发明第三实施例的基板结构101d上还可包括配向膜(未图示)，其形成于像素电极213上，以水平方向研磨配向。

虽然以上参考优选实施例公开了本发明，但是并且用于限定本发明的范围，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下，对本发明进行修改和改变，因此本发明的保护范围由附带的权利要求范围为准。

Claims

1、一种液晶显示器装置，包括：

第一基板与第二基板相对设置且间隔一特定距离；

液晶层，其夹置于所述第一基板与所述第二基板之间；

多条栅极线与多条数据线彼此垂直交错设置于所述第一基板上，其中多个亚像素区域定义于所述栅极线与所述数据线之间的区域；以及

相对电极，其设置于所述第一基板上各个所述亚像素区域中；

第一像素电极，设置于所述相对电极上，并且所述第一像素电极与所述相对电极之间间隔有至少一个绝缘层；

其中所述第一像素电极包括多条平行的电极臂，各条所述电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段；

其中所述第一节段与水平方向成θ角，所述第二节段与水平方向成

角，所述第三节段与水平方向成θ角，且所述θ角大于所述

角。

2、如权利要求1所述的液晶显示器装置，还包括薄膜晶体管，其设置于所述栅极线与所述数据线交错的位置，且与所述第一像素电极电性连接。

3、如权利要求1所述的液晶显示器装置，其中，所述第一像素电极还包括平行于所述数据线的两条电极部分，其中一个电极部分连接各条所述电极臂的所述第一节段，及另一个电极部分连接各条所述电极臂的所述第三节段。

4、如权利要求1所述的液晶显示器装置，还包括：

第二像素电极，设置于所述相对电极上，其间隔有至少一个绝缘层；

其中所述第二像素电极包括多条平行的电极臂，各条所述电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段；

其中所述第一节段与水平方向成-θ角，所述第二节段与水平方向成-

角，所述第三节段与水平方向成-θ角，且所述-θ角大于所述-

角。

5、如权利要求4所述的液晶显示器装置，其中，所述第一像素电极与所述第二像素电极沿垂直方向成镜像对称。

6、如权利要求4所述的液晶显示器装置，其中，所述第一像素电极与所述第二像素电极沿水平方向成镜像对称。

7、如权利要求1所述的液晶显示器装置，其中，所述第一像素电极为连续的S形折线结构或逆S形折线结构。

8、如权利要求1所述的液晶显示器装置，其中，所述像素电极还包括多个第四节段，其分别连接第奇数条所述电极臂的第三节段与第偶数条所述电极臂的第三节段，以及多个第五节段，其分别连接第奇数条所述电极臂的第一节段与第偶数条所述电极臂的第一节段。

9、如权利要求8所述的液晶显示器装置，其中，各个所述第四节段之间具有第一开口及各个所述第五节段之间具有第二开口，以增加所述液晶显示器装置的穿透率。

10、如权利要求9所述的液晶显示器装置，其中，所述第一开口及所述第二开口的宽度范围介于0.1μm至10μm之间。

11、如权利要求1所述的液晶显示器装置，其中，所述θ角的范围介于1°至80°之间。

12、如权利要求1所述的液晶显示器装置，其中，所述

角的范围介于0°至79°之间。

13、如权利要求1所述的液晶显示器装置，还包括共同电极线，其与所述栅极线平行，且连接各个所述亚像素区域中的所述相对电极。

14、如权利要求1所述的液晶显示器装置，其中，所述第一基板上还包括配向膜，其形成于所述第一像素电极上，以水平方向研磨配向。

15、一种液晶显示器装置，包括：

第一基板与第二基板对向设置且间隔一特定距离；

液晶层，其夹置于所述第一基板与所述第二基板之间；

相对电极，设置于所述第一基板上的各个亚像素区域中；

像素电极，设置于所述相对电极上，并且所述像素电极与所述相对电极之间间隔有至少一个绝缘层；

其中所述像素电极包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段；

角，所述第三节段与水平方向成-θ角，且所述-θ角大于该-

角；以及

其中所述像素电极还包括多个第四节段，其分别连接第奇数条所述电极臂的第三节段与第偶数条所述电极臂的第三节段，以及多个第五节段，其分别连接第奇数条所述电极臂的第一节段与第偶数条所述电极臂的第一节段。

16、如权利要求15所述的液晶显示器装置，还包括薄膜晶体管，其设置于所述栅极线与所述数据线交错的位置，且与所述像素电极电性连接。

17、如权利要求15所述的液晶显示器装置，其中，各个所述第四节段之间具有第一开口及各个所述第四节段之间具有第二开口，以增加边缘电场驱动型液晶显示器装置的穿透率。

18、如权利要求17所述的液晶显示器装置，其中，所述第一开口及所述第二开口的宽度范围介于0.1μm至10μm之间。

19、如权利要求15所述的液晶显示器装置，其中，所述θ角的范围介于1°至80°之间。

20、如权利要求15所述的液晶显示器装置，其中，所述

角的范围介于0°至79°之间。

21、如权利要求15所述的液晶显示器装置，还包括共同电极线，其与所述栅极线平行，且连接各个所述亚像素区域中的所述相对电极。

22、如权利要求15所述的液晶显示器装置，其中，所述第一基板上还包括配向膜，其形成于所述像素电极上，以水平方向研磨配向。

23、如权利要求15所述的液晶显示器装置，其中，所述第四节段与所述第五节段平行于各条所述数据线。

24、一种液晶显示器装置，其包括：

第一基板与第二基板相对设置且间隔一特定距离；

液晶层，其夹置于所述第一基板与所述第二基板之间；

相对电极，设置于所述第一基板上各个亚像素区域中；

其中该像素电极具有第一部分，其包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，并且其中所述第一节段与水平方向成θ角，所述第二节段与水平方向成

角，所述第三节段与水平方向成θ角，且所述θ角大于所述

角；以及

其中所述像素电极具有第二部分，其包括多条平行的电极臂，各条电极臂包括第一节段、第二节段、及第三节段，并且其中所述第一节段与水平方向成-θ角，所述第二节段与水平方向成-

角，所述第三节段与水平方向成-θ角，且所述-θ角大于所述-

角。

25、如权利要求24所述的液晶显示器装置，其中，所述像素电极的第一部分与所述像素电极的第二部分沿垂直方向成镜像对称。

26、如权利要求24所述的液晶显示器装置，还包括薄膜晶体管设置于所述栅极线与所述数据线交错的位置，且与所述第一像素电极电性连接。

27、如权利要求24所述的液晶显示器装置，其中，所述像素电极还包括两条电极部分平行于所述数据线，其中一个电极部分连接各条所述电极臂的所述第一节段，及另一电极部分连接各条所述电极臂的所述第三节段。

28、如权利要求24所述的液晶显示器装置，其中，所述θ角的范围介于1°至80°之间。

29、如权利要求24所述的液晶显示器装置，其中，所述

角的范围介于0°至79°之间。

30、如权利要求24所述的液晶显示器装置，还包括共同电极线，其与所述栅极线平行，且连接各个所述亚像素区域中的所述相对电极。

31、如权利要求24所述的液晶显示器装置，其中，所述第一基板上还包括配向膜，其形成于所述像素电极上，以水平方向研磨配向。