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CN100468542C - 磁光记录介质以及记录/再现设备 - Google Patents

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CN100468542C CNB028283244A CN02828324A CN100468542C CN 100468542 C CN100468542 C CN 100468542C CN B028283244 A CNB028283244 A CN B028283244A CN 02828324 A CN02828324 A CN 02828324A CN 100468542 C CN100468542 C CN 100468542C
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Abstract

本发明提供了包括按顺序层叠的记录层、中间层和再现层的磁光记录介质。记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息。再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成。上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。

Description

磁光记录介质以及记录/再现设备
技术领域
本发明涉及磁光记录介质，具体来说，涉及一种磁光记录介质，能够通过磁性感应的超级分辨率，向在其中施加了磁场和光束的部分记录和再现信息。
背景技术
作为一种高密度记录介质，已知一种通过与激光照射的同时施加外部磁场来进行信息记录和再现的磁光记录介质(以下简称为“磁光盘”)。
近年来，不断需要进一步地提高磁光盘的记录容量。为增大光盘的记录容量，光盘的圆周方向的记录位和位间距的大小需要进一步降低。
一般而言，记录位的大小是由发出的激光光点的直径确定的。然而，有人已经提出磁性感应超级分辨率(MSR)再现方法，该方法允许再现具有小于光点直径的间距的位(日本未经审查的专利出版物No.2000-200448)。可以通过MSR再现方法再现的磁光记录介质具有三层结构记录部分，包括再现层、中间层和记录层。
MSR再现方法也被称为双屏蔽RAD(后孔检测)再现方法，因为它使用激光光点中的低温区和高温区作为磁性屏蔽区域，并在中间温度区内将记录层中记录的位转移到再现层区域，以读出位。
下面将描述MSR再现方法的原理。
在图16中，显示了说明常规的磁光盘的结构的剖面图。在记录层105中，记录了大小小于激光光点直径的位。
首先，就在发出再现激光紧前面，使用初始化磁铁向光盘施加初始化磁场，以便再现层103和中间层104的磁化方向与初始化磁场的方向相同。
当用再现激光在再现位时照射光盘的低温区时，磁化再现层103会覆盖记录层105中记录的位以构成所谓的前面屏蔽。
在其温度超过中间层104的居里温度的光盘的光束光点内的高温区域，在记录层105和再现层103之间施加的交换耦合被中断，高温区域中的再现层103的磁化方向与从外部施加的再现磁场的方向相同。因此，在高温区域，再现层103充当屏蔽(后屏蔽)以覆盖位。
在充当用光束照射的光盘的部分的屏蔽的高温区和低温区之间的区域(中间温度区域)，记录层105中记录的位通过中间层104被转移到再现层103。被转移的位用再现激光照射，再现激光的反射光由光检测器接收。然后，检测克尔旋转角以便再现记录层中记录的记录位。
利用这样的常规MSR再现方法，可以从其大小小于光束的光点直径的中间温度区域再现位，从而取得比较高的高分辨率。
在常规的MSR再现方法中，通常使用波长大约为600到700nm的激光。如果可以使用其波长较短的激光束，则可以被衍射的最小光点直径就会变小，从而可以降低记录位的大小。相应地，可以增大MSR再现类型的磁光盘的记录容量。
然而，当用具有350nm到450nm范围内的短波长的光束照射时，采用GdFeCo薄膜作为MSR再现类型的磁光盘的再现层103只能给出比较小的克尔旋转角。因此，无法取得用于再现的足够的磁光效果。
此外，通过利用短波激光，会产生这样的问题：光检测器灵敏度降低，从而再现信号(载波电平)会变弱。
发明内容
本发明提供了一种磁光记录介质，其中，这样设计MSR再现类型的记录介质的再现层的薄膜结构，以便当使用短波激光时，克尔旋转角增大，CNR(载波噪声比)改进，从而使记录介质的存储容量增大。
本发明的磁光记录介质包括记录层、中间层和再现层，并按此顺序层叠，记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息，其特征在于，再现层包括上再现层、耦合层、以及下再现层，它们在中间层上按此顺序形成，上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。
利用此结构，可以改进再现记录的信息时的CNR，并可以提高记录密度。
下再现层、上再现层和耦合层可以分别包括过渡金属磁化占优势的磁膜、稀土元素磁化占优势的磁膜和反铁磁性材料。耦合层可以具有高于上再现层的温度的尼耳温度，所述的上再现层的温度在转移信息时被提高到预先确定的温度。耦合层可以用从包括MnFe、CuO、NiO、CoNiO、CrMn和AuCr的组中选择的材料制成。下再现层可以由过渡金属磁化占优势的GdFeCo薄膜或Pt薄膜和Co薄膜交替地层叠构成的多层薄膜制成。
此外，本发明还提供了用于在磁光记录介质中记录信息和从所述的磁光记录介质中再现信息的记录/再现设备，其中所述磁光记录介质包括记录层、中间层和再现层，且它们按此顺序层叠，记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现所述信息，所述记录/再现设备包括：用于发出350nm到450nm范围内的短波长的激光的光源；用于在以预先确定的速度旋转的磁光记录介质的预先确定的部分聚集发出的光的光聚集部分；用于向磁光记录介质的预先确定的部分施加再现磁场的磁场施加部分；以及用于检测从磁光记录介质反射的光的克尔旋转角的光检测器，其中，再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成，下再现层、上再现层和耦合层分别由过渡金属磁化占优势的磁膜、稀土元素磁化占优势的磁膜和反铁磁性材料制成，并且耦合层具有高于上再现层的温度的尼耳温度，所述的上再现层的温度在转移信息时被提高到预先确定的温度，以及上再现层中的其温度被光聚集部分所聚集的激光提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。
附图说明
图1是说明根据本发明的第一个实施例的磁光记录介质的结构的剖面图；
图2是显示根据本发明的第一个实施例的磁光记录介质的典型的材料、膜厚度和磁层的居里温度；
图3是根据本发明的实施例的介质和常规介质的磁特性的比较视图；
图4是说明根据本发明的第二个实施例的磁光记录介质的结构的剖面图；
图5是说明根据本发明的第二个实施例的下再现层23的结构的剖面图；
图6是说明根据本发明的第三个实施例的磁光记录介质的结构的剖面图；
图7是根据本发明的磁光记录介质的记录/再现设备的结构的方框图；
图8是显示各种介质的标记长度和CNR(载波噪声比)之间的关系的图形；
图9是显示根据本发明的第一个实施例的介质的耦合层的膜厚度和CNR之间的关系的图形；
图10是显示根据本发明的第二个实施例的介质的Pt/Co多层薄膜和CNR之间的关系的图形；
图11是根据本发明的第一个实施例的介质在再现时的磁性状态的说明性视图；
图12是根据本发明的第二个实施例的介质在再现时的磁性状态的说明性视图；
图13是说明本发明的磁光记录介质的CAD(中心缝隙检测)的结构的剖面图；
图14是说明本发明的磁光记录介质的DWDD(畴壁位移检测)的结构的剖面图；
图15是说明本发明的磁光记录介质的MAMMOS(磁性放大磁光系统)的结构的剖面图；
图16是说明常规磁光记录介质的结构的剖面图。
具体实施方式
下面将通过附图中所显示的其实施例对本发明进行详细描述。应该理解，本发明不仅限于这些实施例。
根据本发明的磁光记录介质包括记录层、中间层和再现层，并按此顺序层叠。记录层中记录了信息，信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息。本发明的再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成。上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。
在本发明中，耦合层控制在下再现层和上再现层之间施加的交换耦合，并可以由反铁磁性材料制成。
由于存在耦合层，上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度或更高的的区域中的磁性信息被有效地转移到下再现层。考虑到改进CNR，优选情况下，下再现层可以用其中过渡金属磁化比稀土金属磁化占优势的磁膜制成，另一方面，优选情况下，上再现层可以用其中稀土金属磁化比过渡金属磁化占优势的磁膜制成。
[磁光记录/再现设备的一般结构]
图7显示了说明用于在本发明的磁光记录介质上记录信息/从中再现信息的磁光记录/再现设备60的结构的图表。记录/再现设备60具有主轴马达61，用于以预先确定的速度旋转本发明的记录介质62。用从激光二极管63发出的具有350nm到450nm范围内的短波长的激光照射介质。激光在准直透镜64处被转换为准直光，并穿过半反射镜65。然后，由物镜66聚集准直光，并对其进行控制，以便聚焦在记录薄膜上。由激光驱动装置67中提供的脉冲调制装置对激光二极管63进行调整，以便输出高级别的和低级别的输出。脉冲调制装置根据将要被记录的信息，将激光修改到一种脉冲。向记录介质上的激光光点以及其附近施加预先确定大小的DC磁场，例如，由偏磁场施加装置69(再现磁铁)向图中的向上的方向，以便记录信息。可以向记录介质施加向下的磁场并用预先确定的强度的光照射，以进行擦除。这些操作可以由控制器68进行。
在再现时，激光二极管63由从控制器68通过激光驱动装置67给出的指令进行DC驱动，以发出激光，然后，由再现磁铁69向介质施加与记录时相同方向的再现磁场。
当用此激光照射记录介质62时，从记录介质62反射的光由半反射镜65折射，并由聚光透镜71聚集，以便入射到光检测器70上。控制器68再现来自光检测器70的信号，以便以细微的CNR再现记录的信息。[实施例1]
图1是说明根据本发明的第一个实施例的磁光盘的结构的剖面图。根据第一个实施例的磁光盘具有下保护层12、下再现层13、耦合层14、上再现层15、中间层16、记录层17，以及上保护层18，它们在衬底11上按此顺序层叠。
衬底11由诸如玻璃和聚碳酸酯之类的树脂材料制成，厚度大约为0.60nm。作为衬底11，使用所谓的凸起/凹陷衬底，所述的衬底具有导向槽，用于跟踪和聚焦在其表面上形成的和在其凸起和凹陷上记录的信息。
下面将描述图1所示的每一层的典型厚度和材料。
下保护层12：
厚度30nm，SiN
下再现层13：
厚度10nm，Gd22Fe6OCol8(TM-rich)
耦合层14：
厚度5nm，MnFe(反铁磁性)
上再现层15：
厚度30nm，Gd25Fe62Co13(RE-rich)
中间层16：
厚度40nm，(Gd30Fe68Co2)Si
记录层17：
厚度50nm，Tb22Fe60Co18(TM-rich)
上保护层18：
厚度60nm，SiN
下再现层13由过渡金属磁化占优势的(也被称为TM占优)具有垂直磁化的材料制成。上再现层15由稀土金属磁化占优势的(也被称为RE占优)具有垂直磁化的材料制成。
在此实施例中，下再现层13和上再现层15都由GdFeCo制成。当GdFeCo包含不超过大约24％的Gd时，过渡金属磁化占优势，而当GdFeCo包含不少于24％的Gd时，那么稀土元素磁化占优势。
除了上述的情况外，下再现层13和上再现层15可以由用于制造RAD类型的介质的材料制成。具体来说，优选情况下，使用稀土金属和过渡金属的合金。稀土/过渡金属合金的示例包括GdFe、TbFeCo和DyFeCo。
本发明的磁光盘具有由三层(13、14和15)组成的再现层，而MSR再现类型的常规磁光盘具有只由稀土元素磁化占优势的(RE占优)GdFeCo组成的再现层。
耦合层14由反铁磁性材料制成，并在上下再现层15和13之间形成，以加强两层(13和15)之间的耦合。
耦合层14控制在上下再现层13和15之间施加的第三交换耦合的强度。耦合层14的功能是将上再现层15中的具有预先确定的温度的区域(中间温度区域，稍后将讨论)中存在的位转移到对应的区域中的下再现层13。因此，耦合层14优选情况下由反铁磁性材料制成，所述的反铁磁性材料的尼耳温度Tn高于耦合层14在将位从上再现层15转移到下再现层13时的温度(转移温度To)。除了上文所提及的MnFe外，耦合层14还可以由CrMn(2％或更多Mn)、AuCr(35％或更多Cr)或诸如CuO、NiO和CoNiO之类的氧化物制成。
中间层16是稀土元素磁化占优势的(RE占优)具有平面磁化的磁膜，补偿点不低于其居里温度。记录层17是过渡金属磁化占优势的(TM占优)具有垂直磁化的薄膜。
在第一个实施例中，如图2所示，中间层16、记录层17、上再现层15和下再现层13的居里温度分别为200℃、260℃、280℃和280℃，耦合层14的尼耳温度(Tn)为200℃。上文所提及的转移温度To(<Tn)大约为100。
如上所述，本发明的再现层由三层(13、14和15)组成。设计此结构的目的在于，如常规磁光盘中那样形成屏蔽，以改进克尔旋转角。
在常规磁光盘中，再现层由稀土元素磁化占优势的磁膜制成，以便形成所谓的前后屏蔽。另一方面，已知，优选情况下，使用由过渡金属磁化占优势的磁膜制成的再现层，以改进克尔旋转角。然而，由过渡金属磁化占优势的磁膜制成的再现层不能形成有效的屏蔽。
除了上述的情况外，还可以考虑由稀土元素磁化占优势的磁膜和过渡金属磁化占优势的磁膜的组合制成的再现层。然而，已经发现，当形成两种磁化的磁膜以便彼此直接接触时，难以形成有效的屏蔽，也无法改进克尔旋转角。
基于上述原因，在本发明中，在稀土元素磁化占优势的磁膜(上再现层15)和过渡金属磁化占优势的磁膜(下再现层13)之间添加了由反铁磁性材料制成的耦合层14，以便可以形成有效的前后屏蔽，并可以改进克尔旋转角。
[根据实施例1的介质的生产方法]
接下来，将描述根据本发明的第一个实施例的磁光盘的生产方式的示例。
图1所示的每一层(12-18)都由DC磁控溅射方法制成，其中，在真空容器中放置衬底和预先确定的固体目标，然后，引入喷射气体以形成薄膜。可达到的最大真空度为3×10-5Pa或稍小。
(1)首先，在衬底11上形成SiN薄膜，作为下保护层12。SiN薄膜12是使用Si作为目标，气压为0.8Pa的Ar气和N2气和0.8kW的电源形成的。
(2)接下来，在下保护层12上形成GdFeCo薄膜，作为下再现层13。TM占优的下再现层13是使用GdFeCo合金作为目标，气压为0.8Pa的Ar气和0.8kW的电源形成的。
(3)然后，在下再现层13上形成MnFe薄膜，作为耦合层14。耦合层14是使用Mn和Fe作为目标，气压为0.5Pa的Ar气和0.5kW的电源形成的。
(4)随后，在耦合层14上形成GdFeCo薄膜，作为上再现层15。RE占优的上再现层15是使用GdFeCo合金作为目标，气压为0.8Pa的Ar气和0.8kW的电源形成的。
(5)接着，在上再现层15上按顺序形成(GdFeCo)Si薄膜作为中间层16，形成TbFeCo薄膜作为记录层17。这些层是使用相应的成分作为目标，气压为0.5Pa的Ar气和0.5kW的电源形成的。
(6)最后，在记录层17上形成SiN薄膜作为上保护层18。SiN薄膜18可以与下保护层12在相同的条件下形成。从而，完成了根据本发明的第一个实施例的磁光盘。如图1所示，用来自衬底11一侧的再现激光照射第一个实施例的磁光盘，以便再现记录层17中记录的位。
[对根据实施例1的介质在再现时的磁性状态的解释]
接下来，将解释根据本发明的第一个实施例的介质在再现记录的信息时的磁性状态。图11是根据本发明的第一个实施例的介质在再现时的磁性状态的说明性视图。在该图中，在构成介质的各层中，显示了从下再现层13到记录层17的部分。在图的上部显示了衬底11，激光从衬底11的上方发出。从图的下部显示的记录层17一侧施加再现磁场。在图11中，介质从图的左侧切换到右侧。图的每一层中显示的箭头方向表示在相应的位置的磁化方向。
激光光点SP具有圆形形状，如图11所示，并自从介质移动之后被分成三个区域：低温区A、中间温度区B和高温区C。由于每一区域中相应的磁层的居里温度存在差别，记录层17中记录的信息只通过中间温度区B读取。
相应的磁层在它们的表面上施加了交换耦合。磁化方向随着存在或不存在交换耦合，或交换耦合强度的变化而变化。
低温区A是用激光首先照射的前区。在此区域，中间层16中的位的磁化都与再现磁场的方向相同。低温区中的上再现层15的磁化方向向下，与中间层16的磁化方向相反。此外，在低温区的下再现层13中，其磁化方向向上，与上再现层15的磁化方向相反。
换句话说，低温区A中的中间层16、上再现层15，以及下再现层13的磁化方向受到控制，如图所示，以便形成屏蔽，以防止记录层17中记录的位被读出。如此形成叫做前屏蔽的屏蔽。
在低温区A中，在中间层16和上再现层15之间施加的第一交换耦合的强度和在上再现层15和下再现层13之间施加的第三交换耦合的强度大于在记录层17和中间层16之间施加的第二交换耦合的强度。因此，当再现磁场穿过低温区时，记录层17的磁化不会被转移到中间层16，低温区中的下再现层13的磁化被定向到一个方向，以便不再现信息。
另一方面，在中间温度区B，分别在记录层17和中间层16之间、在中间层16和上再现层15之间，以及在上再现层15和下再现层13之间有效地施加了第二交换耦合、第一交换耦合和第三交换耦合。这就使得记录层17中记录的磁化通过中间层16和上再现层15被转移到下再现层13。通过读取从在中间温度区B中的下再现层13上施加的激光的反射光检测到的克尔旋转角，信息被再现。
由于高温区C中的中间层16的温度处于其居里温度或更高，高温区中的中间层16的磁性丧失。因此，不会施加第一交换耦合和第二交换耦合，从而上再现层15的磁化方向与再现磁场的方向相同(图中的向上的方向)。
此外，在高温区C，在上再现层15和下再现层13之间施加了第三交换耦合，下再现层13的磁化方向与上再现层15的磁化方向相反(向下)。换句话说，在高温区C中，记录层17中的信息不会被转移，在下再现层13中形成了与再现磁场方向相反的磁化方向，以便形成所谓的后屏蔽。
由于在上再现层15和下再现层13之间存在反铁磁耦合层14，因而，在它们之间施加了第三交换耦合。
为产生第三交换耦合，在第一个实施例中，耦合层14的尼耳温度被设置为200℃，以便尼耳温度高于允许上再现层15的位转移到下再现层13的温度(100℃)。
[根据实施例1的介质的磁特性]
接下来，将讲述根据本发明的第一个实施例的磁光记录介质的磁特性。
图3是根据本发明的第一个实施例的介质和常规介质的磁特性的比较视图。两种介质的磁特性是在下列条件下确定的：线性速度为7.5m/s；激光波长＝405nm，透镜的数值孔径NA＝0.65，记录标记的标记长度＝0.2μm。
根据图3，第一个实施例的介质克尔旋转角为0.80°，比常规介质好0.3°。此外，第一个实施例的介质的作为磁特性指数的性能指数为0.36，也高于常规介质。载波噪声比(CNR)为44dB，比常规介质好3dB。
图8是显示根据本发明的第一个实施例的介质和常规介质之间的CNR相对于标记长度的比较的图形。根据该图形，当本发明的介质和常规介质具有相同的标记长度时，本发明的介质比常规介质具有更高的且更好的CNR。此外，当比较具有相同CNR的两种介质的标记长度时，发现本发明的介质具有较小的标记长度，表明可以记录较小的记录单位。
从这些结果中可以理解，根据本发明的第一个实施例的介质比具有相同分辨能力的常规介质具有更可靠的再现能力，并且噪声也较低。此外，甚至在使用具有短波长(350-450nm)的光束时，本发明的介质也可以以比较高的CNR进行再现。在将获得相同的CNR的情况下，本发明的介质可以具有比常规介质更高的密度。
在图9中，显示了根据本发明的第一个实施例的介质的耦合层14的膜厚度和CNR之间的关系。耦合层14由尼耳温度为200℃的MnFe制成。根据该图形，当耦合层14的膜厚度大约为5nm时，可以获得44dB的最大CNR。这表明，对于耦合层14的膜厚度，有最佳值。
当耦合层的膜厚度太厚时，在两个再现层(13和15)之间施加的第三交换耦合太弱，而当膜厚度太薄时，第三交换耦合的强度太强。在这两种情况下，都不能充分地进行位的转移。因此，需要考虑耦合层的材料、尼耳温度和第三交换耦合来选择最佳膜厚度。
[实施例2]
图4显示了说明根据本发明的第二个实施例的磁光记录介质的结构的剖面图。
根据本发明的第二个实施例的介质与第一个实施例具有相同的层结构，只是下再现层13的结构不同。
在图5中，显示了说明根据本发明的第二个实施例的下再现层的结构的剖面图。下再现层23具有Pt薄膜23a和Co薄膜23b交替地层叠的多层结构。下再现层23的居里温度为280℃。
下再现层23可以如第一个实施例那样使用DC磁控溅射方法形成。在此实施例中，多层薄膜是使用Pt和Co作为目标，气压为0.8Pa的Ar气和0.8kW的电源在衬底上形成的，并在所述的衬底上形成了下保护层22。
当将厚度都大约为0.25nm的Pt薄膜和Co薄膜层叠在一起以构成八层结构时，下再现层23作为整体膜厚度大约为4nm。可以与第一个实施例使用相同的材料、厚度和生产方法来制造其他层。
[对根据实施例2的介质在再现时的磁性状态的解释]
在图12中，显示了根据本发明的第二个实施例的介质在再现时的磁性状态的说明性视图。
在该图中，如在第一个实施例中那样，只显示了介质的从下再现层23到记录层27的那一部分。如在第一个实施例中那样，激光光点SP被分成三个区域：低温区A、中间温度区B和高温区C。分别在低温区A和高温区C形成了前后屏蔽。
然而，在此实施例中，下再现层23的磁化方向不同于第一个实施例。由于用作下再现层23的Pt/Co多层薄膜比第一个实施例的GdFeCo薄膜具有更大的磁化强度(饱和磁化)，因此，上再现层25和下再现层23的磁化方向相同。
在图12所示的低温区中，在上再现层25和中间层26之间施加的第一交换耦合的强度大于在记录层27和中间层26之间施加的第二交换耦合的强度。因此，上再现层25的磁化方向与中间层的磁化方向相反(向下)，从而可以屏蔽记录层27中的位。此外，在低温区A中，下再现层23的磁化方向被耦合层24的第三交换耦合定向到与上再现层25的磁化方向相同(向下)。
另一方面，在中间温度区B中，在相应的层之间有效地施加了第一、第二和第三交换耦合，对应于记录层27中记录的位的磁化被转移到下再现层23。
在高温区C中，由于施加于中间层上的第一和第二交换耦合不起作用，因此，磁化的转移不会进行。因此，在上再现层25中产生与再现磁场方向相同的磁化。换句话说，在上再现层25和下再现层23中形成了用于屏蔽记录层27中的位的磁化。
也在第二个实施例的介质中形成了前后屏蔽，记录层27中记录的位通过中间温度区B中的各层被转移到下再现层23。通过检测在下再现层23上施加的激光的反射光的克尔旋转角，可以再现信息。
在图3中，显示了根据第二个实施例的介质的磁特性值。与常规介质相比，在第二个实施例中，反射率R增加到0.4，克尔旋转角θk增加到0.9，性能指数
Figure C02828324D00151
增加到0.54。此外，CNR高达48dB，比常规介质好7dB。
如图8所示，当两种介质具有相同的记录标记长度时，第二个实施例的介质的CNR比常规介质的CNR高。在将获得相同的CNR的情况下，第二个实施例的介质可以具有比常规介质更小的记录标记长度。
图10是显示根据本发明的第二个实施例的介质的下再现层(Pt/Co多层薄膜)的膜厚度和CNR之间的关系的图形。从该图中可以看出，当膜厚度大约为4nm时，获得最大CNR，表明，对于下再现层23，存在最佳膜厚度。
由于Pt/Co多层薄膜通常具有比较大的磁化强度，因此，当整个薄膜的膜厚度太厚时，不能转移上再现层中的位。当膜厚度太薄时，由于Pt/Co多层薄膜不起作用，克尔旋转角0k不会增大，因此，CNR不好。为适当地弱化Pt/Co多层薄膜的磁化强度，优选情况下，可以使每一层Pt和Co薄膜变薄一些，从而下再现层23作为整体也会变薄。
根据图10，Pt/Co多层薄膜的总厚度需要为5nm或更薄一些，以获得几乎等于或高于第一个实施例的CNR的CNR。
如上所述，当使用具有短波长的激光束时，根据本发明的第二个实施例的介质可以在CNR方面获得改进，并可以获得更高的记录密度。
[其他实施例]
图6显示了说明根据本发明的第三实施例的磁光记录介质的结构的剖面图。
第三个实施例的磁光记录介质与第一个实施例具有相同的层结构，只是层的布局发生变化。在此实施例中，在下保护层32中按顺序形成了记录层33、中间层34、下再现层35、耦合层36、上再现层37，以及上保护层38。从上保护层38一侧发出光束。
当使用具有短波长的激光束时，第三个实施例的介质与第一个实施例中的介质一样改进了磁特性和CNR，并可以具有更高的记录密度。
本发明的层结构适用于诸如DRAD介质之类的其他MSR介质，可以改进CNR，并可获得更高的记录密度。其他MSR介质的示例包括图13所示的CAD(中心缝隙检测)介质，图14所示的DWDD(畴壁位移检测)介质，以及图15所示的MAMMOS(磁性放大磁光系统)介质。
工业实用性
根据本发明，再现层具有三层结构：上再现层、耦合层和下再现层，以便通过耦合层转移下再现层中的磁性信息。这就能够甚至在使用具有短波长的激光进行再现的情况下也可以获得细微的CNR，并可以获得较高的记录密度。

Claims (3)

1.一种磁光记录介质，包括记录层、中间层和再现层，且它们按此顺序层叠，
记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现所述信息，
其中，再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成，
上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层，以及
下再现层、上再现层和耦合层分别由过渡金属磁化占优势的磁膜、稀土元素磁化占优势的磁膜和反铁磁性材料制成，并且耦合层具有高于上再现层的温度的尼耳温度，所述的上再现层的温度在转移信息时被提高到预先确定的温度。
2.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其中，上再现层由稀土元素磁化占优势的GdFeCo薄膜制成，而耦合层由从包括MnFe、CuO、NiO、CoNio、CrMn和AuCr的组中选择的材料制成。
3.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其中，下再现层由过渡金属磁化占优势的GdFeCo薄膜、或Pt薄膜和Co薄膜交替地层叠构成的多层薄膜制成。
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