CN100460555C - 一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法 - Google Patents
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- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 3
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 claims description 2
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- QFUKUPZJJSMEGE-UHFFFAOYSA-N 5-(hydroxymethyl)-1-(3-methylbutyl)pyrrole-2-carbaldehyde Chemical compound CC(C)CCN1C(CO)=CC=C1C=O QFUKUPZJJSMEGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法属于金属材料表面改性技术领域。在电弧离子镀中采用双电磁场结构的阴极弧源和脉冲方式的负偏压，利用电磁场过滤减少大颗粒的数量，并通过脉冲偏压控制沉积温度，在金属表面，尤其是低熔点的铜锌铝合金材料表面低温沉积高质量的铬、锆、钛、铝及其合金或者其氮化物、碳化物薄膜，即能满足装饰性要求，又能满足耐磨抗蚀性能要求。与传统结构的电弧离子镀设备和方法相比，不明显降低沉积效率，但大幅度提高沉积质量，尤其是薄膜的表面质量，而且能够将沉积温度控制在低熔点合金可以接受装饰镀膜的程度。适用于各种金属及低熔点合金制品的装饰性镀膜领域。
Description
技术领域
本发明属于金属材料表面改性技术领域。
背景技术
离子镀技术用于装饰薄膜的沉积制备已经有几十年的历史。电弧离子镀，由于一般采用多个阴极弧源同时联立工作，因而又称多弧离子镀，是离化率最高的离子镀形式，因而具有沉积速度快，膜基结合力强，薄膜致密度高，化合反应充分等优点，主要应用在工模具表面沉积合成碳、氮化合物类硬质薄膜领域；电弧离子镀也用来沉积合成装饰性薄膜，但一直以来主要存在两方面的不足，一是由于电弧离子镀在电弧蒸发获得等离子体的过程中一直伴随有电弧离子镀特有的液滴又称为大颗粒，与等离子体一起同时喷发出来，对薄膜质量存在着污染现象，使得薄膜的表面装饰质量严重下降；二是电弧离子镀的沉积温度相对较高，一般要维持在400℃-500℃之间，使得具有低熔点或者低回火温度的材料的薄膜沉积受到限制。
发明内容
本发明的目的就是提供一种对电弧离子镀大颗粒既能过滤减少50％以上，同时又能对薄膜沉积的输入能量进行有效控制，而使得沉积薄膜又提高了表面质量，又降低了沉积温度的电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法。
本发明的技术解决方案是，一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备，由真空室1、真空系统2、载物台3、阴极弧源4、偏压电源6、阴极弧源电源15、送气控制器16和真空计量系统17构成，真空系统2、送气控制器16和真空计量系统17与真空室1连接，载物台3与真空室1转动连接，偏压电源6与载物台3的转轴连接，阴极弧源电源15与阴极弧源4连接，阴极弧源4与真空室1连接；其中，阴极弧源4是由一级磁场线圈8、一级线圈支撑圆筒9、二级磁场线圈10、二级线圈支撑圆筒11和金属阴极靶7构成的双电磁场结构，一级线圈支撑圆筒9与二级线圈支撑圆筒11连接，二级线圈支撑圆筒11与真空室1上的弧源法兰12连接，与金属阴极靶循环水管13连接的金属阴极靶7固定在与一级线圈支撑圆筒9连接的后封法兰14上；其中一级线圈支撑圆筒9的内径为Φ120-250mm，长度为40-100mm，一级线圈8的缠绕密度为8-30匝/mm，线圈铜线直径为0.5-2mm；二级线圈支撑圆筒11的内径为Φ150-300mm，长度为200-400mm，二级线圈10缠绕密度为5-20匝/mm，线圈铜线直径为0.5-1.5mm。
阴极弧源4共有1-24个。
偏压电源6是脉冲偏压电源。
法兰连接处用真空胶圈密封。
使用一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备进行电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的方法，是将工件2去污、除垢清洗干净并干燥后放入真空室1中，由真空系统2将真空室1真空抽到3×10-2-1×10-3Pa，由送气控制器16通入工作气体使真空度达到0.3-5Pa，用脉冲偏压电源6向载物台3和工件5加脉冲负偏压进行溅射清洗1-60min，启动阴极弧源电源15引燃金属阴极靶13的电弧，弧流为40-100A，然后调节脉冲负偏压开始镀膜，镀膜时间为2-60min，最后卸偏压，停弧，停气，断电，炉冷却到20-150℃后取出工件；其中，在镀膜阶段，阴极弧源4的一级磁场线圈8电流为0.3-5A，二级磁场线圈6电流为0.1-5A；脉冲负偏压的电参数中，频率为5-100KHz，偏压幅值为-50--1000V，占空比5-50％。
在镀膜阶段，脉冲偏压的电参数中，频率为5-100KHz，偏压幅值为-50--500V，占空比为5-40％。
所述的工作气体为氩气。
工作气体为氩气和反应气，反应气所占比例为10-100％。
反应气是携带所获化合物中非金属元素成分的气体，包括氮气、甲烷、乙炔、氧气。
本发明所达到的有益效果，一是能够将电弧离子镀的大颗粒过滤掉50％以上，大幅度提高薄膜的沉积质量；二是能够将基体的沉积温度控制在50-500℃之间，满足各种沉积温度限制的材料表面镀膜要求。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
图1是本发明的双电磁场结构阴极弧源的电弧离子镀设备结构示意图。
图中：1.真空室；2.真空系统；3.载物台；4.阴极弧源；5.工件；6.脉冲偏压电源；7.金属阴极靶；8.一级磁场线圈；9.一级磁场线圈支撑圆筒；10.二级磁场线圈；11.二级磁场线圈支撑圆筒；12.弧源法兰；13.金属阴极靶循环水管；14.后封法兰；15.阴极弧源电源；16.送气控制器；17.真空计量系统。
具体实施方式
镀纯铬装饰膜：在电弧离子镀设备的真空室1的弧源法兰12上安装4个二级电磁场过滤结构的阴极弧源4，其中，一级线圈支撑圆筒9的内径为Φ150mm，长度为80mm，一级线圈8的缠绕密度为10匝/mm，线圈铜线直径为0.6mm；二级线圈支撑圆筒11内径为Φ160mm，长度为200mm，二级线圈10缠绕密度为20匝/mm，线圈铜线直径为1.3mm，金属阴极靶7为纯铬；一级线圈支撑圆筒9与二级线圈支撑圆筒11用法兰连接，二级线圈支撑圆筒11与真空室1上的弧源法兰12连接，与金属阴极靶循环水管13连接的金属阴极靶7固定在与一级线圈支撑圆筒9连接的后封法兰14上，法兰连接处用真空胶圈密封。。
将工件清洗干燥后放入真空室1的载物台3中，抽真空到1×10-3Pa；通氩气到0.5Pa，加-1000V×40KHz×40％的脉冲负偏压进行溅射清洗，时间为5min；然后引燃4个弧源上的阴极金属铬靶，弧流均调整为100A，将脉冲偏压调节为-300V×40KHz×50％进行镀膜，时间为50min，镀膜到时后卸偏压，停弧，停气，断电，最后炉冷到30℃后取出工件。结果在工件表面沉积合成大颗粒数量少、致密度高、厚度为2μm的高质量装饰铬膜。
Claims (2)
1.一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备，由真空室(1)、真空系统(2)、载物台(3)、阴极弧源(4)、偏压电源(6)、阴极弧源电源(15)、送气控制器(16)和真空计量系统(17)构成，真空系统(2)、送气控制器(16)和真空计量系统(17)与真空室(1)连接，载物台(3)与真空室(1)转动连接，偏压电源(6)与载物台(3)的转轴连接，阴极弧源电源(15)与阴极弧源(4)连接，阴极弧源(4)与真空室(1)连接；阴极弧源(4)是由一级磁场线圈(8)、一级线圈支撑圆筒(9)、二级磁场线圈(10)、二级线圈支撑圆筒(11)和金属阴极靶(13)构成的双电磁场结构，一级线圈支撑圆筒(9)与二级线圈支撑圆筒(11)连接，二级线圈支撑圆筒(11)与真空室(1)连接；其特征在于，金属阴极靶(13)固定在与一级线圈支撑圆筒(9)连接的后封法兰(14)上；其中一级线圈支撑圆筒(9)的内径为120-250mm，长度为40-100mm，一级线圈(8)的缠绕密度为8-30匝/mm，线圈铜线直径为0.5-2mm；二级线圈支撑圆筒(11)的内径为Φ150-300mm，长度为200-400mm，二级线圈(10)缠绕密度为5-20匝/mm，线圈铜线直径为0.5-1.5mm。
2.使用权利要求1所述的一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备进行电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的方法，是将工件(2)去污、除垢清洗干净并干燥后放入真空室(1)中，由真空系统(2)将真空室(1)真空抽到3×10-2-1×10-3Pa，由送气控制器(16)通入工作气体使真空度达到0.3-5Pa，用脉冲偏压电源(6)向载物台(3)和工件(5)加脉冲负偏压进行溅射清洗1-60min，启动阴极弧源电源(15)引燃金属阴极靶(13)的电弧，弧流为40-100A，然后调节脉冲负偏压开始镀膜，镀膜时间为2-60min，最后卸偏压，停弧，停气，断电，炉冷却到20-150℃后取出工件；其特征在于，在镀膜阶段，阴极弧源(4)的一级磁场线圈(8)电流为0.3-5A，二级磁场线圈(6)电流为0.1-5A，脉冲负偏压的电参数中，频率为5-100KHz，偏压幅值为-50--1000V，占空比5-50％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100457205A CN100460555C (zh) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | 一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100457205A CN100460555C (zh) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | 一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1804105A CN1804105A (zh) | 2006-07-19 |
| CN100460555C true CN100460555C (zh) | 2009-02-11 |
Family
ID=36866247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100457205A Active CN100460555C (zh) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | 一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100460555C (zh) |
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- 2006-01-20 CN CNB2006100457205A patent/CN100460555C/zh active Active
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: DUT INDUSTRIAL INVESTMENT CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Effective date: 20130313 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 116024 DALIAN, LIAONING PROVINCE TO: 116023 DALIAN, LIAONING PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130313 Address after: 116023, room 80, 508 Science Park building, software garden road, Dalian, Liaoning Patentee after: Dalian University of Technology Industry Investment Company Limited Address before: 116024 Liaoning, Dalian, Ganjingzi Ling Road, No. 2 Patentee before: Dalian University of Technology |
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| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: DLUT TECHNOLOGY TRANSFER CENTER CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: DUT INDUSTRIAL INVESTMENT CO., LTD. Effective date: 20130506 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 116023 DALIAN, LIAONING PROVINCE TO: 116024 DALIAN, LIAONING PROVINCE |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130506 Address after: 2302, room 541, 116024 Huangpu Road, hi tech park, Liaoning, Dalian Patentee after: Dalian University of Technology Technology Transfer Center Co Ltd Address before: 116023, room 80, 508 Science Park building, software garden road, Dalian, Liaoning Patentee before: Dalian University of Technology Industry Investment Company Limited |
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| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: CHANGZHOU INSTITUTE OF DALIAN UNIVERSITY OF TECHNO Free format text: FORMER OWNER: DLUT TECHNOLOGY TRANSFER CENTER CO., LTD. Effective date: 20130603 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 116024 DALIAN, LIAONING PROVINCE TO: 213161 CHANGZHOU, JIANGSU PROVINCE |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130603 Address after: 213161 A209 building, Changzhou Research Institute, Dalian University of Technology, Changzhou science and Education City, Jiangsu Patentee after: Changzhou Institute Co., Ltd. of Daian University of Technology Address before: 2302, room 541, 116024 Huangpu Road, hi tech park, Liaoning, Dalian Patentee before: Dalian University of Technology Technology Transfer Center Co Ltd |