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CN100435318C - 制造cmos图像传感器的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括形成层间绝缘层，滤色层，以及平滑层。在平滑层上涂覆第一光致抗蚀剂，并使用第一掩模进行构图，以形成对应于半导体衬底上的光电二极管的微透镜图案。对微透镜图案进行重熔，以形成拱顶形微透镜。在半导体衬底的整个表面上涂覆第二光致抗蚀剂，并使用第二掩模进行构图，用于在微透镜的顶部保留第二光致抗蚀剂。使用构图后的第二光致抗蚀剂作为掩模，有选择地去除微透镜的边缘部分，并使得微透镜之间的CD(临界尺寸)空间均匀。

Description

制造CMOS图像传感器的方法
技术领域
本发明涉及制造CMOS图像传感器的方法。
背景技术
通常，光学图像传感器是一种把光学图像转换成电信号的半导体器件。光学图像传感器大致分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)。
CMOS图像传感器包括光电二极管，用于检测辐射光的，以及CMOS逻辑电路，用于将该检测到的光转换为电信号数据。光电二极管能检测到的光越多，图像传感器的感光度特性就越好。
根据CMOS图像传感器的晶体管的数量，它被分为3T型，4T型，5T型等等。
下面将参考附图描述根据现有技术的CMOS图像传感器的制造方法。
图1A到1D是剖面图，示出了根据现有技术CMOS图像传感器的制造过程。
参考图1A，多个光电检测模块，例如，光电二极管12形成在半导体衬底11上，在其上形成层间绝缘层13。
然后，在层间绝缘层13上涂覆染料抗蚀剂之后，进行曝光和显影处理以形成滤色层14，该滤色层14由用于过滤各种范围的波长的滤光片构成。
接着，为了调节焦距并在滤色层14上形成透镜层，形成平滑层15，以确保平滑度。
参考图1B，在平滑层15上采用用于微透镜的抗蚀剂层16a，并在抗蚀剂层16a上排列具有开口的中间掩模17。
此外，激光照射在包括中间掩模17的抗蚀剂层16a的整个表面上，以有选择地对对应于中间掩模17的开口的抗蚀剂层16a进行曝光。
参看图1C，形成曝光后的抗蚀剂层16a，以形成微透镜图案16b。
参看图1D，在预定的温度下对该微透镜图案进行重熔，以形成微透镜16。
这里A和B表示微透镜16之间形成的各个空间。由于很难控制重熔处理，因此每个微透镜16之间就会产生临界尺寸(CD)空间中的差异。
但是，根据现有技术CMOS图像传感器的制造方法存在以下问题。
当进行重熔处理以形成拱顶形微透镜时，CD空间(A和B)是不均匀的，这就导致了微透镜的辉纹现象。
发明内容
因此，本发明涉及一种CMOS图像传感器的制造方法，其充分地消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的就是提供一种CMOS图像传感器的制造方法，该CMOS图像传感器在微透镜之间均匀地形成CD空间，以同时防止出现辉纹。
在后面的说明书部分将说明本发明另外的优点、目的和特征，基于后面的审查，本领域的普通技术人员将会明白，或可以从本发明的实践得知。通过在书面描述及其权利要求以及所附附图具体指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和其他优越性。
为了实现这些目的和其它优点以及根据本发明的目的，如这里的具体和概括所述，提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：
在其中形成有至少一个光电二极管和晶体管的半导体衬底的整个表面上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成对应于每个光电二极管的滤色层；在包括滤色层的半导体衬底的整个表面上形成平滑层；在平滑层上涂覆第一光致抗蚀剂，并使用第一掩模进行构图，用于形成对应于光电二极管的微透镜图案；对微透镜图案进行重熔，以形成拱顶形微透镜；在包括微透镜的半导体衬底的整个表面上涂覆第二光致抗蚀剂，并使用第二掩模进行构图，用于在微透镜的顶部保留第二光致抗蚀剂；以及使用构图后的第二光致抗蚀剂作为掩模有选择地去除微透镜的边缘部分，并使得微透镜之间的CD(临界尺寸)空间均匀。
可以理解，本发明前面的一般性描述和后面的详细描述都是示范性和解释性的，用于提供如所要求的本发明的进一步解释。
附图说明
所包含的附图提供对本发明的进一步理解，并结合构成本申请的一部分，说明本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1A至1D为剖面图，示出了根据现有技术的CMOS图像传感器的制造过程；以及
图2A至2H为剖面图，示出了根据本发明的CMOS图像传感器的制造过程。
具体实施方式
通过下面将详细参考本发明的优选实施例，其例子在附图中说明。只要可能，将在所有附图中使用相同的参考标号表示相同或类似的部件。
图2A至2H为剖面图，示出了根据本发明的CMOS图像传感器的制造过程。
参看图2A，在该半导体衬底31上形成层间绝缘层33，该半导体衬底31上形成多个光检测器(例如，光电二极管31)以及各种晶体管。
这里，层间绝缘层33可以被形成为多层，或者可以被先形成为单层，其上形成用于阻碍入射光照射到除了光电二极管32以外区域的阻光层(未示出)，并且在其上形成另一个层间绝缘层。
进一步，可以在层间绝缘层33上形成保护层(未示出)，用于以保护后者不受潮和被划伤。该保护层可以为有机层，该有机层被沉积作为薄膜，其厚度为大约50nm或更薄，并接着被硬固化。
特别地，为了(将在后面形成的)滤色层34的轮廓和均匀性，可以通过有机物质来形成该保护层，其中该有机物质对于可见射线波长具有更强的可透性。
参看图2B，在层间绝缘层33上涂覆染料抗蚀剂，并进行曝光和显影，以形成滤色层34，该滤色层34包括用于对各个波长的光进行过滤的滤色片R、G和B。
这里，通过在每个用于颜色过滤的滤色片上涂覆光感材料，可以形成用于对各个范围波长的光进行过滤的简单滤色层34，使得滤色片的厚度为1-5μm，并通过使用单独掩模的光刻处理来对滤色片进行构图。
参看图2C，为了增加可靠性以及防止受潮及重金属渗透，在包括滤色层34的半导体衬底31的整个表面上涂覆上氮化硅。
由于图像传感器的光学透明度很重要，为了消除由厚平滑层35导致的薄膜之间的干扰，后者(平滑层)的厚度形成为1000-6000
Figure C20061009416100091
这里，在形成平滑层35时，用于布线的焊盘使用光致抗蚀剂作为掩模打开了平滑层35的衬垫以及位置线部分。另外，可以通过干或湿刻形成预定的焊盘(未示出)。
为了在形成第一平滑层35之后进行硬化，在150-300℃之间的温度下对其进行热处理。
参看图2D，为了有效地在光电二极管32上聚光，在包括平滑层35的半导体衬底31的整个表面上涂覆用于微透镜的光致抗蚀剂36。
参看图2E，用于微透镜的掩模(未示出)被用于曝光和显影处理，以有选择地构图光致抗蚀剂36和形成微透镜图案37。
根据本发明，用于微透镜的光致抗蚀剂36可以为负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂。
虽然在本发明的实施例中描述的用于微透镜的光致抗蚀剂36为正性光致抗蚀剂，但它也可以是负性光致抗蚀剂。
当光致抗蚀剂36为正性光致抗蚀剂时，由于当光致抗蚀剂36的引发剂的感光化合物(即吸收材料)被溶解时透明度得到了改进，因此通过整片曝光，保留在微透镜图案中的感光化合物也被溶解。
在通过上述微透镜37的整片曝光增加透明度之后，通过释放光酸，就可以增加微透镜的流动能力。
参看图2F，其上形成有微透镜图案37的半导体衬底31被放置在热板(未示出)上，并在150℃或更高的温度进行热处理，以允许半导体衬底31顶部的微透镜图案37重熔并形成拱顶形微透镜38。例如，可以在大约300-700℃下进行重熔。
接着，已经通过热处理而经历过重熔的微透镜38被冷却。这里，当半导体衬底31被放置在冷却板上时进行冷却。
参看图2G，负性光致抗蚀剂被涂覆在包括微透镜38的半导体衬底的整个表面上，并且第二掩模(未示出)被用于通过曝光和显影进行构图，使得只有微透镜38的顶部被保留。
这里，用作第二掩模的掩模可以具有与用于微透镜的掩模恰好相反的图案。
在涂覆负性光致抗蚀剂39之前，UV射线被照射在微透镜38上，使得在涂覆负性光致抗蚀剂39时，在微透镜38和负性光致抗蚀剂39之间不会有反应。
由于微透镜图案37重熔处理的不稳定性，微透镜38之间的CD空间就会出现不稳定。也就是说，会出现微透镜38边缘的尾部(T)(如图2G所示)，因此微透镜38之间的CD空间就会变得不稳定，并且微透镜38的均匀性也会降低。
因此，为了克服微透镜38之间的CD空间的不稳定性，本发明采用了具有与微透镜39相反特性的负性光致抗蚀剂39，并进行构图。
因此，在根据本发明的CMOS图像传感器的制造过程中，通过正性光致抗蚀剂36来形成微透镜38，并在微透镜38上形成负性光致抗蚀剂39。
本发明中使用的负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂具有如下特性。
首先，负性光致抗蚀剂为包含在有机溶剂中的基于硬化橡胶的树脂和双二叠氮基化合物的混合物。该双二叠氮基化合物是感光的并被用作交联剂。
负性光致抗蚀剂中的光照射部分变成网状结构，并通过交联剂被硬化，并通过使用被照射部分与未被照射部分之间显影可溶性中的差别来形成图案。
还有，正性光致抗蚀剂中被光照射部分溶解在显影剂(碱性的)中，并且通过未被照射部分的不可溶性以及使用可溶性的差异，在负性光致抗蚀剂中形成图案。
通常，正性光致抗蚀剂为由苯醌二叠氮基感光材料，碱性可溶苯酚基树脂，以及有机溶剂组成的混合物。该混合物本身在碱性环境中不可溶，但通过光照在碱性环境中可溶。
参看图2H，当使用构图后的负性光致抗蚀剂39作为掩模来形成微透镜38时，由于重熔处理而出现的微透镜38的尾部(T)被去除，并且在微透镜38之间形成均匀的CD空间。
接着，去除负性光致抗蚀剂39，对半导体衬底31进行湿洗，并去除在制造过程中产生的聚合物及其它杂质。
还有，在本发明的实施例中，在有选择地去除微透镜38的边缘部分的过程中，可以有选择地对暴露在微透镜38之间的平滑层35进行过度腐蚀，以消除蚀刻后的微透镜38之间的间隙。
根据本发明CMOS图像传感器的上述制造方法具有如下优点。
为了去除在重熔处理中出现的微透镜的尾部(T)以达到微透镜38之间的零间隙并增加微透镜38的均匀性，根据本发明CMOS图像传感器的制造方法使用正性光致抗蚀剂来形成微透镜38，并接着在微透镜38上形成负性光致抗蚀剂39(具有与正性光致抗蚀剂相反的特性)。
还有，通过使得微透镜之间的CD空间均匀，本发明去除了在微透镜上出现的辉纹现象，用以确保微透镜的均匀性并增加全面色彩再现。
对本领域的技术人员来说，显然可以在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明试图覆盖落入所附权利要求及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (19)

1.一种用于制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，包括：
在其中形成至少一个光电二极管和晶体管的半导体衬底的整个表面上形成层间绝缘层；
在层间绝缘层上形成对应于每个光电二极管的滤色层；
在包括滤色层的半导体衬底的整个表面上形成平滑层；
在平滑层上涂覆第一光致抗蚀剂，并使用第一掩模进行构图，以形成对应于光电二极管的微透镜图案；
对微透镜图案进行重熔，以形成拱顶形微透镜；
在包括微透镜的半导体衬底的整个表面上涂覆第二光致抗蚀剂，并使用第二掩模进行构图，用于在微透镜的顶部保留第二光致抗蚀剂；以及
使用构图后的第二光致抗蚀剂作为掩模有选择地去除微透镜的边缘部分，并使得微透镜之间的临界尺寸空间均匀。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一光致抗蚀剂为负性光致抗蚀剂，并且第二光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂，并且第二光致抗蚀剂为负性光致抗蚀剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，该第二掩模具有与第一掩模相反的图案。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，有选择地去除微透镜的边缘部分包括有选择地对暴露在微透镜之间的平滑层进行过度腐蚀，以消除蚀刻后的微透镜之间的间隙。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在涂覆第二光致抗蚀剂之前在微透镜上照射UV射线。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在微透镜上照射UV射线可以防止涂覆第二光致抗蚀剂时微透镜与光致抗蚀剂之间的反应。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，该平滑层由氮化硅形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，该平滑层的厚度为1000-6000
Figure C2006100941610003C1
10.根据权利要求1所述的方法，还包括，在有选择地去除微透镜的边缘部分之后，去除第二光致抗蚀剂。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括，在有选择地去除微透镜的边缘部分之后，清洁该半导体衬底。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括，在半导体衬底上形成层间绝缘层之后，形成由有机材料构成的保护层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，保护层的厚度为50nm或更小。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成平滑层之后，在150-300℃的温度对平滑层进行硬化。
15.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成微透镜图案之后，通过在微透镜图案的整个表面上进行整片曝光，溶解保留在微透镜图案中的感光化合物。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成微透镜的过程中在300-700℃的温度执行重熔。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，提供多个层间绝缘层，并且形成层间绝缘层包括：
形成第一层间绝缘层，并且形成阻光层，该阻光层用于阻止入射光照到除了光电二极管以外的区域；以及
在包括阻光层的半导体衬底上形成第二层间绝缘层。
18.根据权利要求1所述的方法，其中，该滤色层的厚度为1-5μm。
19.根据权利要求1所述的方法，还包括用于对平滑层进行布线的焊盘。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100881458B1 (ko) * 2007-02-23 2009-02-06 삼성전자주식회사 마이크로렌즈 보호패턴을 갖는 촬상소자, 카메라모듈, 및그 제조방법
KR100843968B1 (ko) * 2007-05-16 2008-07-03 주식회사 동부하이텍 이미지센서의 제조방법
KR20080101190A (ko) * 2007-05-16 2008-11-21 주식회사 동부하이텍 이미지센서의 제조방법
KR20120023888A (ko) * 2010-09-02 2012-03-14 삼성전자주식회사 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
US9252183B2 (en) * 2013-01-16 2016-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus and method for manufacturing the same
KR20180089606A (ko) * 2017-01-31 2018-08-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리의 제조 방법
EP3499573B1 (en) * 2017-12-13 2022-02-23 ams AG Method for manufacturing a microlens
KR102614907B1 (ko) * 2018-04-04 2023-12-19 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서 제조 방법
US20230411540A1 (en) * 2022-06-16 2023-12-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor device and method of making

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5466926A (en) * 1992-01-27 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Colored microlens array and method of manufacturing same
CN1445816A (zh) * 2002-03-14 2003-10-01 东部电子株式会社 制造适合于图象传感器的半导体装置的方法
JP2003338614A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
EP1414073A2 (en) * 2002-10-25 2004-04-28 Hua Wei Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making
KR20040049477A (ko) * 2002-12-06 2004-06-12 삼성전자주식회사 향상된 감도를 갖는 고체촬상소자 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244392A (ja) * 1993-02-17 1994-09-02 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US6043481A (en) * 1997-04-30 2000-03-28 Hewlett-Packard Company Optoelectronic array device having a light transmissive spacer layer with a ridged pattern and method of making same
US7084472B2 (en) * 2002-07-09 2006-08-01 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
US6979588B2 (en) * 2003-01-29 2005-12-27 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing CMOS image sensor having microlens therein with high photosensitivity
US6818934B1 (en) * 2003-06-24 2004-11-16 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having micro-lens array separated with trench structures and method of making
KR100660319B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지센서 및 그의 제조방법
KR100660321B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 시모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 및 그의 제조방법
US7264976B2 (en) * 2005-02-23 2007-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Advance ridge structure for microlens gapless approach
KR100664790B1 (ko) * 2005-06-27 2007-01-04 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서의 제조 방법
US7799491B2 (en) * 2006-04-07 2010-09-21 Aptina Imaging Corp. Color filter array and imaging device containing such color filter array and method of fabrication

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5466926A (en) * 1992-01-27 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Colored microlens array and method of manufacturing same
CN1445816A (zh) * 2002-03-14 2003-10-01 东部电子株式会社 制造适合于图象传感器的半导体装置的方法
JP2003338614A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
EP1414073A2 (en) * 2002-10-25 2004-04-28 Hua Wei Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making
KR20040049477A (ko) * 2002-12-06 2004-06-12 삼성전자주식회사 향상된 감도를 갖는 고체촬상소자 및 이의 제조 방법

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