CN100358169C - 一种主动式有机电激发光显示器的制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种主动式有机电激发光显示器的制作方法，该方法包括：提供一基板；形成多个晶体管于基板上，作为有机电激发光显示器的控制电路；形成一由介电材质所构成的第一包覆层于基板上；形成一第二包覆层于第一包覆层上，以掩膜蚀刻去除部分第二包覆层，以在第一包覆层上定义出象素电极预定区；形成象素电极于第一包覆层上的象素电极预定区，且耦接于所述晶体管；至少形成一绝缘层于象素电极上，且预留出所述象素电极的一部分，以形成一有机发光二极管材料层预定区；至少形成一有机发光二极管材料层于所述预定区；以及形成一金属层于所述有机发光二极管材料层上。所述有机发光二极管的阳极表面粗糙度较低，不易产生尖端放电效应而使得组件短路及漏电流。
Description
技术领域
本发明涉及有关主动式有机电激发光(AM-OLED)显示器与制作方法，特别涉及一种具有改善阳极透明导电层表面粗糙度结构的主动式有机电激发光(AM-OLED)显示器的制作方法，具体的讲是一种主动式有机电激发光显示器的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED；organic light emitting diode)为使用有机层作为主动层(active layer)的发光二极管，近年来已渐渐使用于平面面板显示器(flat panel display)上，依驱动方式可区分为被动式有机电激发光(PM-OLED)及主动式有机电激发光(AM-OLED)显示器。主动式有机电激发光(AM-OLED)显示器的发光原理是于特定的有机薄膜积层加上电流以使电能转换成光能，其具有面发光的特征、自发光的高发光效率以及低驱动电压等优点，且具有广视角、高对比、高应答速度、全彩化及可挠曲化的特性。至于TFT组件的制作上，可采用多晶硅(poly-silicon)、非晶硅(amorphoussilicon，a-Si:H)或有机半导体材料。
铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)因其功函数高、具有良好的导电度及在可见光范围的高透明度而被广泛的作为主动式有机电激发光(AM-OLED)显示组件的阳极。而铟锡氧化物作为主动式有机电激发光(AM-OLED)显示组件的阳极时，其表面的粗糙度(roughness)足以左右有机电激发光组件的特性及寿命。阳极透明导电层表面的粗糙度会影响有机电激发光组件的光电特性，透明导电层表面粗糙度如果较高，势必降低有机电激发光组件的发光效率，而且会引起不平整的铟锡氧化物尖端会产生尖端放电的效应，使有机层被击穿，导致有机电激发光组件短路。
铟锡氧化物ITO表面粗糙度受其制作方式及其载层(under layer)的粗糙度所影响。目前利用溅镀法形成铟锡氧化物(ITO)透明导电层，其铟锡氧化物(ITO)表面的粗糙度已可以达到1nm以下。不像被动式有机电激发光(PM-OLED)组件可以将铟锡氧化物(ITO)直接形成于平整的玻璃(或是直接使用铟锡氧化物玻璃(ITO-glass))，在主动式有机电激发光(AM-OLED)显示组件的制作中，铟锡氧化物通常被形成于一载层(under layer)上，所以铟锡氧化物(ITO)表面的粗糙度主要是受到其载层(under layer)所影响。在主动式有机电激发光(AM-OLED)显示组件的制作中，一般是以具有耐热、透明及绝缘的有机材质做为隔离层，再将铟锡氧化物(ITO)电极形成于其上。不过由于有机材质表面平整度不佳的关系，使得形成于其上的透明导电层其表面平均粗糙度(roughness average，Ra)高达3-4nm，约为一般透明导电层适用标准(平均粗糙度约1nm)的三到四倍，严重降低有机电激发光组件的发光效率，其不平整的尖端更会引起尖端放电效应，使有机层被击穿，导致该象素短路。
发明内容
本发明的目的是提供一种主动式有机电激发光显示器，以绝缘层(介电材质)取代传统利用有机材质(organic material)做为透明导电层(像是ITO)载层(under layer)的方法，以解决有机材质做为透明导电层载层使得透明导电层其表面平均粗糙度(roughness average，Ra)增加，导致有机电激发光组件的发光效率(特性)下降及漏电流等问题。
本发明的另一目的是提供本发明所述的主动式有机电激发光显示器的制造方法，以形成一个具有低表面平均粗糙度的透明导电层的主动式有机电激发光显示器。
本发明的技术方案为：一种主动式有机电激发光显示器，其特征在于：至少包含：
一个基板；
多个晶体管，形成于该基板上，作为所述的有机电激发光显示器的控制电路；
一个由介电材质构成的第一包覆层形成于所述的基板及该晶体管上；
一个由有机材质构成的第二包覆层形成于该第一包覆层上，且所述的第二包覆层在第一包覆层上定义出一象素电极预定区；
一个象素电极形成于所述的第一包覆层上的象素电极预定区；
一个绝缘层至少形成于所述的象素电极两侧侧壁；
一个有机发光二极管材料层，至少形成于所述的象素电极未被所述的绝缘层遮蔽的表面上；以及一个金属层，形成于所述的有机发光二极管材料层上。
所述的象素电极耦接于所述的晶体管。
所述的基板为透光的玻璃或塑料基板。
构成所述的第一包覆层的介电材质自绝缘的氧化物、碳化物、氮化物及其组合物所组成的族群中选择，大体为氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化镁(MgO)、氮化硅(SiNx)、氮化铝(AlNx)或是氟化镁(MgFx)。
所述的象素电极为一透明导电材质，为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)或是氧化锌(ZnO)。
构成所述的第二包覆层的所述的有机材质为丙烯酸树脂(Acrylicresin)、聚酰亚胺(polyimide)。
所述的有机发光二极管材料层为小分子或高分子有机发光二极管材料。
一种主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，至少包含下列步骤：
提供一个基板；
形成多个晶体管于所述的基板上，作为所述的有机电激发光显示器的控制电路；
形成一个由介电材质所构成的第一包覆层于所述的基板上；
形成一个第二包覆层于该第一包覆层上，并以掩膜蚀刻去除部分第二包覆层，以在该第一包覆层上定义出一象素电极预定区；
形成一个象素电极于所述的第一包覆层上的所述的象素电极预定区，且耦接于所述的晶体管；
至少形成一个绝缘层于所述的象素电极上，且预留出所述的象素电极的一部分，以形成一个有机发光二极管材料层预定区；
至少形成一个有机发光二极管材料层于该有机发光二极管材料层预定区；以及形成一个金属层于所述的有机发光二极管材料层上。
形成所述的第一包覆层的步骤更包括使用化学机械研磨制程对所述的第一包覆层的表面进行平坦化处理。
构成所述的第一包覆层的介电材质是从绝缘氧化物、碳化物、氮化物及其组合物所组成的族群中选择，大体为氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化镁(MgO)、氮化硅(SiNx)、氮化铝(AlNx)或是氟化镁(MgFx)。
所述的象素电极为一透明导电材质，为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)或是氧化锌(ZnO)。
形成一个由介电材质所构成的第一包覆层的制作方式是以溅射或电浆强化式化学气相沉积方式。
构成所述的第二包覆层的有机村质为丙烯酸树脂(acrylic resin)、聚酰亚胺(polyimide)。
所述的有机发光二极管材料层为小分子或高分子有机发光二极管材料。
本发明的有益效果为：通过以绝缘层(介电材质)取代传统利用有机材质(organic material)做为透明导电层(例如ITO)的载层(under layer)，使得该透明导电层表面平均粗糙度(roughness average，Ra)降低(降至1.5nm以下，为使用有机材质做为透明导电层载层的1/2至1/3以下)，以得到适合做为主动式有机电激发光(AM-OLED)显示组件阳极的低表面平均粗糙度透明导电层，解决有机材质做为透明导电层载层导致有机电激发光组件的发光效率下降及漏电流等问题。
附图说明
图1(a)为显示在玻璃(没有载层)下以原子力显微镜(atomic forcemicroscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图1(b)为显示在氧化硅载层下以原子力显微镜拍(atomic forcemicroscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图1(c)为显示在氮化硅载层下以原子力显微镜(atomic forcemicroscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图1(d)为显示在有机材质A(PC403)载层下以原子力显微镜(atomicforce microscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图1(e)为显示在有机材质B(PC415)载层下以原子力显微镜(atomicforce microscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图2(a)为显示在玻璃(没有载层)下以原子力显微镜(atomic forcemicroscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图2(b)为显示在氧化硅载层下以原子力显微镜(atomic forcemicroscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图2(c)为显示在氮化硅载层下以原子力显微镜(atomic forcemicroscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图2(d)为显示在有机材质A(PC403)载层下以原子力显微镜(atomicforce microscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图2(e)为显示在有机材质B(PC415)载层下以原子力显微镜(atomicforce microscope，AFM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图3(a)为显示在玻璃(没有载层)下以扫描式电子显微镜(ScanningElectron Microscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图3(b)为显示在氧化硅载层下以扫描式电子显微镜(Scanning ElectronMicroscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图3(c)为显示在氮化硅载层下以扫描式电子显微镜(Scanning ElectronMicroscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图3(d)为显示在有机材质A(PC403)载层下以扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图3(e)为显示在有机材质B(PC415)载层下以扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为750)的形态图；
图4(a)至图4(e)显示在不同载层下以扫描式电子显微镜(ScanningElectron Microscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图4(a)为显示在玻璃(没有载层)下以扫描式电子显微镜(ScanningElectron Microscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图4(b)为显示在氧化硅载层下以扫描式电子显微镜(Scanning ElectronMicroscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图4(c)为显示在氮化硅载层下以扫描式电子显微镜(Scanning ElectronMicroscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图4(d)为显示在有机材质A(PC403)载层下以扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图4(e)为显示在有机材质B(PC415)载层下以扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)观察ITO表面(ITO厚度为1500)的形态图；
图5(a)至图5(f)为显示本发明的主动式有机电激发光显示器的制作流程图；
图6为显示将象素电极(即有机电激发光二极管的阳极，为一透明导电层)形成于有机材质上的主动式有机电激发光显示器传统制法组件结构图；
图7为显示本发明主动式有机电激发光显示器制法，与传统制法(图6)不同的组件结构图；
图8(a)至图8(c)显示本发明的结构，如图7所示，其a、b及c三区域的阴极金属表面的电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)形态图；
符号说明
10-基板；
20-晶体管；
21-晶体管的汲极；
30-缓冲层；
32-闸极绝缘层；
34-第一包覆层；
36-第二包覆层；
38-上部绝缘层；
40-有机发光二极管材料层；
45-有机发光二极管材料层预定区；
50-象素电极(透明导电层)；
52-有机发光二极管的阴极金属层；
55-象素电极预定区；
60-缓冲层；
62-闸极绝缘层；
64-第一包覆层；
66-第二包覆层；
68-上部绝缘层；
70-透明导电层；
72-有机发光二极管的阴极金属层；
80-有机发光二极管材料层；
100-基极；
200-晶体管；
210-晶体管的汲极。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明：
一种主动式有机电激发光显示器，其特征在于：至少包含：
一个基板；
多个晶体管，形成于该基板上，作为所述的有机电激发光显示器的控制电路；
一个由介电材质构成的第一包覆层形成于所述的基板及该晶体管上；
一个由有机材质构成的第二包覆层形成于该第一包覆层上，且所述的第二包覆层在第一包覆层上定义出一象素电极预定区；
一个象素电极形成于所述的第一包覆层上的象素电极预定区；
一个绝缘层至少形成于所述的象素电极两侧侧壁；
一个有机发光二极管材料层，至少形成于所述的象素电极未被所述的绝缘层遮蔽的表面上；以及一个金属层，形成于所述的有机发光二极管材料层上。
所述的象素电极耦接于所述的晶体管。
所述的基板为透光的玻璃或塑料基板。
构成所述的第一包覆层的介电材质自绝缘的氧化物、碳化物、氮化物及其组合物所组成的族群中选择，大体为氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化镁(MgO)、氮化硅(SiNx)、氮化铝(AlNx)或是氟化镁(MgFx)。
所述的象素电极为一透明导电材质，为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)或是氧化锌(ZnO)。
构成所述的第二包覆层的所述的有机材质为丙烯酸树脂(Acrylicresin)、聚酰亚胺(polyimide)。
所述的有机发光二极管材料层为小分子或高分子有机发光二极管材料。
一种主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，至少包含下列步骤：
提供一个基板；
形成多个晶体管于所述的基板上，作为所述的有机电激发光显示器的控制电路；
形成一个由介电材质所构成的第一包覆层于所述的基板上；
形成一个第二包覆层于该第一包覆层上，并以掩膜蚀刻去除部分第二包覆层，以在该第一包覆层上定义出一象素电极预定区；
形成一象素电极于所述的第一包覆层上的所述的象素电极预定区，且耦接于所述的晶体管；
至少形成一绝缘层于所述的象素电极上，且预留出所述的象素电极的一部分，以形成一个有机发光二极管材料层预定区；
至少形成一个有机发光二极管材料层于该有机发光二极管材料层预定区；以及形成一个金属层于所述的有机发光二极管材料层上。
形成所述的第一包覆层的步骤更包括使用化学机械研磨制作对所述的第一包覆层的表面进行平坦化处理。
构成所述的第一包覆层的介电材质是从绝缘氧化物、碳化物、氮化物及其组合物所组成的族群中选择，大体为氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化镁(MgO)、氮化硅(SiNx)、氮化铝(AlNx)或是氟化镁(MgFx)。
所述的象素电极为一透明导电材质，为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)或是氧化锌(ZnO)。
形成一个由介电材质所构成的第一包覆层的制作方式是以溅射或电浆强化式化学气相沉积方式。
构成所述的第二包覆层的有机村质为丙烯酸树脂(acrylic resin)、聚酰亚胺(polyimide)。
所述的有机发光二极管材料层为小分子或高分子有机发光二极管材料。
本发明系提供一种主动式有机电激发光显示器，以绝缘层(介电材质)取代传统利用有机材质(organic material)做为透明导电层(像是ITO)载层(under layer)的方法，以解决有机材质做为透明导电层的载层致使透明导电层其表面平均粗糙度(roughness average，Ra)增加，导致有机电激发光组件的发光效率下降及漏电流等问题。
透明导电层ITO形成于任何不同载层(under layer)上时，其穿透率几乎是与没有形成于载层(只形成于透明玻璃)一样，然而透明导电层ITO表面的平均粗糙度(roughness average，Ra)却会因其载层(under layer)不同而随之改变。分别将透明导电层ITO以溅镀(sputtering)方式形成于玻璃(即没有载层)、氧化硅(SiOx，介电材质)、氮化硅(SiNx，介电材质)、有机材质A(耐热透明绝缘物，JSR日本合成橡胶编号PC403)及有机材质B(耐热透明绝缘物，JSR日本合成橡胶编号PC415)上，当透明导电层ITO的膜厚设定为750时，ITO表面的平均粗糙度(roughness average，Ra)与不同载层(under layer)(或没有载层)的关系如表1所示；
| 载层 | 表面的平均粗糙度(nm) |
| 玻璃(没有载层) | 0.99 |
| 氧化硅 | 0.86 |
| 氮化硅 | 0.61 |
| 有机材质A | 3.08 |
| 有机材质B | 3.67 |
| PMOLED所用的ITO玻璃 | 0.78 |
表1：透明导电层ITO(厚度750时)其表面的平均粗糙度(Ra)与不同载层的关系
而当透明导电层ITO的膜厚设定为1500时，ITO表面的平均粗糙度(roughness averase，Ra)与不同载层(under laver)(或没有载层)的关系如表2所示。
| 载层 | 表面的平均粗糙度(nm) |
| 玻璃(没有载层) | 1.36 |
| 氧化硅 | 1.47 |
| 氮化硅 | 1.27 |
| 有机材质A | 3.42 |
| 有机材质B | 3.63 |
表2：透明导电层ITO(厚度1500时)其表面的平均粗糙度(Ra)与不同载层的关系
由表1及表2可知，在透明导电层ITO厚度为750时，透明导电层ITO在介电材质如氧化硅及氮化硅上的表面平均粗糙度(Ra)约为0.86nm及0.61nm，较将透明导电层ITO形成于有机材质上(不论是有机材质A或有机材质B)所得的表面平均粗糙度超过3nm低许多。同样的特性也发生在透明导电层ITO厚度为1500时(ITO膜厚越厚时表面平均粗糙度也越高)，ITO形成于氧化硅及氮化硅上的表面平均粗糙度远比将透明导电层ITO形成于有机材质上(不论是有机材质A或有机材质B)所得的表面平均粗糙度低许多(形成于介电材质上的表面平均粗糙度约为形成于有机材质上的1/2至1/3)。图1(a)至图1(e)及图2(a)至图2(e)显示在不同载层下以原子力显微镜(atomic force microscope，AFM)分别观察透明导电层ITO其表面形貌(surface morphology)的情形。由图中可清楚得知，不论是在透明导电层厚度为750或1500时，透明导电层ITO形成于氧化硅及氮化硅上(如图1(b)、图1(c)、图2(b)及图2(c)的形态图)的表面平整度远比将透明导电层ITO形成于有机材质上(如图1(d)、图1(e)、图2(d)及图2(e)的形态图)的表面平整度好许多。图3(a)至图3(e)及图4(a)至图4(e)也显示在不同载层下以扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)分别观察透明导电层ITO的情形，同样地证明将透明导电层ITO形成于介电材质(如氧化硅及氮化硅)上取代形成于有机材质上，可大大的改善透明导电层ITO表面平均粗糙度。
由上所述，可知将透明导电层ITO形成于氧化硅及氮化硅上可改善透明导电层ITO表面平均粗糙度。本发明将此结构引进主动式有机电激发光(AM-OLED)显示组件中。
具体实施例如下：
首先，提供一个基板10，请参考图5(a)。该基板为一透明基板，可为透光的玻璃或塑料材质。若为塑料基板，其材质可为聚乙烯对苯二甲酯(polyethyleneterephthalate)、聚酯(polyester)、聚碳酸酯(polycarbonates)、聚丙烯酸酯(polyacrylates)或是聚苯乙烯(polystyrene)。在此基板10上形成缓冲层(buffer layer)30，且在缓冲层30上形成闸极绝缘层32及多个晶体管20，以作为该有机电激发光显示器的控制电路。该晶体管为薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)可以是多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或是有机薄膜晶体管。接着，形成一个由介电材质所构成的第一包覆层34于该基板晶体管及其它区域的表面，露出晶体管欲以象素电极相接的汲极21。在此，形成一个由介电材质所构成的第一包覆层34的方法可为溅镀(sputtering)或电装强化式化学气相沉积(PECVD)方式。而可作为第一包覆层34的介电材质是从绝缘的氧化物、碳化物、氮化物及其组合物所组成的族群中选择的，例如氧化硅(SiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiNx)、氧化铝(AlNx)或是氟化镁(MgFx)等。
如图5(b)所示，在第一包覆层34上及晶体管欲以象素电极相接的汲极21上形成第二包覆层36，此第二包覆层36为有机材质，可从丙烯酸树脂(Acrylic resin)、聚酰亚胺(polyimide)或透明光阻材质中选择，可利用感光或加热使其固化。接着定义出象素电极(即有机电激发光二极管的阳极，为一透明导电层)预定区55，利用蚀刻方式以第一包覆层34做为蚀刻停止层，去除部分第二包覆层36(为有机材质)，曝露出象素电极预定区55，请参考图5(c)。其中去除部分第二包覆层36的蚀刻方式可为干蚀刻或湿蚀刻方式。利用屏蔽(mask)，定义出象素电极50(即有机电激发光二极管的阳极，为一透明导电层)于第一包覆层34上的象素电极预定区55内，且耦接于上述晶体管20的汲极21，如图5(d)所示。此象素电极50可为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)或是氧化锌(ZnO)。而此象素电极50(为透明材质)可由溅镀法、电子束蒸镀法、热蒸镀法、化学气相镀膜法及喷雾热裂解法所形成。
如图5(e)所示，接着形成一上部绝缘层(top-insulator)38于该象素电极50上，再以象素电极50作为蚀刻停止层，对此绝缘层38蚀刻，定义出该象素电极50上的有机发光二极管材料层预定区45，预留象素电极50底部位置，并在其上形成有机发光二极管材料层40。此有机发光二极管材料层40可为小分子或高分子有机发光二极管材料，若为小分子有机发光二极管材料；可利用真空蒸镀方式形成有机发光二极管材料层；若为高分子有机发光二极管材料，则可使用旋转涂布、喷墨或同版印刷等方式形成有机发光二极管材料层。
最后，如图5(f)所示，在有机发光二极管材料层40上形成一金属层52作为该有机发光二极管的阴极。形成此金属层52的方式可为真空热蒸镀或溅镀方式。该金属负电极的材料可选自Ca、Ag、Mg、Al、Li及其它低工作函数的金属材料或复合金属材料。
习惯作法是将象素电极70(即有机电激发光二极管的阳极，为一透明导电层形成于有机材质66上(也就是这里所说的第二包覆层)，其结构如图6所示。为明显区别本发明的实施例与传统技术的差异，在这里我们将有机材质A(耐热透明绝缘物，JSR日本合成橡胶编号PC403)及有机材质B(耐热透明绝缘物，JSR日本合成橡胶编号PC415)作为如图6所示的主动式有机电激发光(AM-OLED)显示器结构中的有机材质，量测其发光效率，再与本发明上述作法所得的组件(其结构如图7所示)，其发光效率作一比较。在以氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等介电材质所为透明导电层ITO的载层，其发光效率(efficiency，cd/A)与无载层(玻璃基板)的组件相比几乎相同(以氧化硅做为载层时效率可达17.2Cd/m2，没有载层的组件约为17.6Cd/m2)，而较以有机材质A(耐热透明绝缘物，JSR日本合成橡胶编号PC403)及有机材质B(耐热透明绝缘物，JSR日本合成橡胶编号PC415)所为透明导电层ITO的载层的组件相比；不但发光效率较高，且组件寿命也较长。其主要原因是以介电材质为透明导电层ITO的载层，跟以有机材质载层相比，可改善透明导电层ITO的表面粗糙度(nm)。
图8(a)至图8(c)也分别显示出本发明的结构(如图7所示)a、b及c三区域的阴极金属表面SEM(Scanning Electron Microscope，扫描式电子显微镜)图，由此也可清楚看出以介电材质作为载层(图8(a))所得的表面较为平整。
本发明的有益效果为：通过以绝缘层(介电村质)取代传统利用有机材质(organic material)做为透明导电层(像是ITO)的载层(under layer)，使得该透明导电层表面平均粗糙度(roughness average，Ra)降低(降至1.5nm以下，为使用有机材质做为透明导电层载层的1/2 1/3以下)，以得到适合做为主动式有机电激发光(AM-OLED)显示组件阳极的低表面平均粗糙度透明导电层，解决有机材质做为透明导电层载层导致有机电激发光组件的发光效率下降及漏电流等问题。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。
Claims (9)
1.一种主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，至少包含下列步骤：
提供一个基板；
形成多个晶体管于所述的基板上，作为所述的有机电激发光显示器的控制电路；
形成一个由介电材质所构成的第一包覆层于所述的基板上；
形成一个第二包覆层于该第一包覆层上，并以掩膜蚀刻去除部分第二包覆层，以在该第一包覆层上定义出一象素电极预定区；
形成一象素电极于所述的第一包覆层上的所述的象素电极预定区，且耦接于所述的晶体管；
至少形成一绝缘层于所述的象素电极上，且预留出所述的象素电极的一部分，以形成一个有机发光二极管材料层预定区；
至少形成一个有机发光二极管材料层于该有机发光二极管材料层预定区；以及形成一个金属层于所述的有机发光二极管材料层上。
2.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，形成所述的第一包覆层的步骤更包括使用化学机械研磨制作对所述的第一包覆层的表面进行平坦化处理。
3.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，构成所述的第一包覆层的介电材质是从绝缘的氧化物、碳化物、氮化物及其组合物所组成的族群中选择。
4.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，构成所述的第一包覆层的介电材质为氧化硅、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝或是氟化镁。
5.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，所述的象素电极为一透明导电材质。
6.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，所述的象素电极为铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌铝氧化物或是氧化锌。
7.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，形成一个由介电材质所构成的第一包覆层的制作方式是以溅射或电浆强化式化学气相沉积方式。
8.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，构成所述的第二包覆层的有机材质为丙烯酸树脂或聚酰亚胺。
9.根据权利要求1所述的主动式有机电激发光显示器的制作方法，其特征在于，所述的有机发光二极管材料层为小分子或高分子有机发光二极管材料。
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