CN100349138C - 非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法,其主要将非挥发性存储装置区分为第一区域与第二区域,第一区域用以储存程序代码,第二区域用以储存数据文件,其中,第二区域经过格式化处理,以形成多个存取区块与备援区块,且每一存取区块与每一备援区块皆具有多个页次,使供以页次作为存取的基本单位,当写入数据于备援区块时,则触发一区块回收机制,使供通过抹除区块来回收不使用的空间。
Description
技术领域
本发明涉及非挥发性存储的技术领域,尤指一种非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法。
背景技术
随着可携式电子产品的风行,闪存(Flash Memory)已广泛地应用在可携式电子产品及其相关的微型储存装置中。在现有的商用产品中,最常见的闪存主要为与非型(NAND Type)闪存与或非型(NOR Type)闪存。与非型闪存其在进行读取(Read)、写入(Write)以及抹除(Erase)动作时,是以区块(Block)作为基本处理单位,且价格便宜,基于此种特性,使得该类型闪存大量地应用在储存媒体(Storage Medium)上。
然而,或非型闪存的价格则较为昂贵,其在进行写入与读取动作时是以字节(Byte)为基本处理单位,在进行抹除动作时则以区块作为基本处理单位,故或非型闪存较适合用来储存程序执行码,而不适合应用于一般的可携式储存装置(例如:随身碟)。
又,或非型闪存出厂时具有一定的规格,例如:16兆字节(MB),32MB或64MB等,若欲存放的程序执行码仅需要25MB,则必须使用32MB的模块,因此将会有7MB的空间将无法有效利用。若将或非型闪存剩余的部分作为储存媒体(即用来储存一般性数据或档案系统),则可有效地利用存储器。但,或非型闪存数据写入与读取动作时与抹除动作的基本处理单位不同,且不能对或非型闪存同时进行读取与写入动作,使得或非型闪存同时用来储存程序代码与档案系统时,其运作效能将会很低。
发明内容
本发明的主要目的是在提供一种非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法,使能提高同时用来储存数据与程序的非挥发性存储器的存取效率,并有效回收抹除的区块。
本发明的另一目的是在提供一种非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法,使能使得非挥发性存储器同时用来储存数据与程序代码。
本发明的上述目的是由如下技术方案来实现的。
一种非挥发性存储器存取系统,是架构于一可携式电子装置中,其特征是包括:
一非挥发性存储装置,其是以字节为基本处理单位来进行读取与写入,并以区块为基本处理单位来进行抹除,其包括一第一区域与一第二区域,该第一区域用以储存程序代码,该第二区域用以存取数据,该第二区域是经由一格式化处理,以使每一区块形成具有多个页次,每一页次具有至少一字节,且对该等页次注记有一第一注记、一第二注记及一第三注记的其中一种注记,使供通过该等页次及其注记存取该第二区域的数据,又第二区域并规划包含有多个一般存取区及多个备援区;
一存储单元;以及
一中央处理单元,其是通过该存储单元读写该等页次,并在写入数据于该等页次后对其注记该第一注记,其中,当该中央处理单元抹除一区块时,是将该区块中页次注记为该第一注记的数据,先写入该存储单元中,使供通过该存储单元写入其它无数据的页次,并在写入完成后,对该写入的每一页次注记该第一注记,且对该原本注记为该第一注记的至少一页次更改注记为该第二注记,使当该区块中所有页次皆注记为该第二注记时,则抹除该区块,并将该抹除后区块的页次注记变更为第三注记,其中当写入数据开始写入于该等备援区的页次时,即可同时触发该等区块的抹除动作,以达成该等区块回收机制,回收该等储存区块,以使该第二区域的空间能有效被利用。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:当该中央处理单元进行该第二区域的抹除时,是由该等区块的第一个区块进行抹除,并依序抹除下一个区块,直到抹除完最后一个区块为止。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元写入数据方式,是由该等区块的第一个区块第一个页次依序接续写入,当写至最后一个区块最后一个页次后,则再接续写入第一个区块第一个页次。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元每次写入数据时是先判断于预写入的目标页次内容,若该页次已有数据,则该中央处理单元发出存储器空间不足的警示讯息。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元是藉由该目标页次的注记来进行判断,若该注记非为第三注记,则发出该警示讯息。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该一般存取区的区块与该备援区的区块的数量是二比一。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元是以背景抹除方式进行抹除。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元是经由至少一次分批并依序地写入数据,且在写入数据时该中央处理单元关闭其中断要求,写入数据完成后打开其中断要求。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:当该中央处理单元写入一修改数据于一页次时,该中央处理单元将该修改数据接续写入于其它无数据的页次,并在写入完成后,对该写入的页次注记该第一注记,且对该修改数据的原本页次注记该第二注记。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元具有一缓存器,且该缓存器具有一控制旗标,以通过该控制旗标开启中断要求或关闭中断要求。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该可携式电子装置是个人数字助理。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该可携式电子装置是口袋型计算机。
所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该非挥发性存储装置是或非型闪存。
本发明还提供一种用于上述存取系统的非挥发性存储器的循环使用存取空间方法。
一种非挥发性存储器的循环使用存取空间方法,是配合一具有在读取与写入动作时以字节作为基本处理单位,且在进行抹除动作时以区块为基本处理单位的特性的非挥发性存储装置,该非挥发性存储装置包括一第一区域与一第二区域,该第一区域用以储存程序代码,该第二区域用以存取数据,该第二区域是经格式化而使每一个区块皆具有多个页次,且每一页次具有至少一字节,其中,该等页次是注记有一第一注记、一第二注记及一第三注记的其中一种注记,使供通过该等页次及其注记存取该第二区域的数据,而第二区域并规划包含有多个一般存取区及多个备援区,且当写入数据开始写入于该等备援区的页次时,将可触发该等抹除动作,该方法主要包括下述步骤:
一读取注记步骤,是读取一区块的一页次的注记;
一数据搬移步骤,若读取的页次注记为该第一注记,则将该页次的数据写入其它无数据的页次,并在写入数据后对该写入的页次注记该第一注记,且对该原本的页次注记为该第二注记;以及
一抹除区块步骤,若该区块的每一页次皆注记为该第二注记,则对该区块进行抹除,并对其页次注记该第三注记,继而重复执行该读取注记步骤、该数据搬移步骤及该抹除区块步骤,直到该第二区域的该等区块皆抹除完成。
所述的循环使用存取空间方法,其特征是:该第二区域的该等区块是规划为一般存取区与备援区。
所述的循环使用存取空间方法,其特征是:该一般存取区与该备援区的区块的数量是二比一。
所述的循环使用存取空间方法,其特征是:于该抹除区块步骤中,是以背景抹除方式进行抹除。
所述的循环使用存取空间方法,其特征是:于该数据搬移步骤中,是接续上一次写入完成的页次开始写入数据,并在数据写入时关闭中断要求,数据写入完成后打开中断要求。
所述的循环使用存取空间方法,其特征是:于该数据搬移步骤中,当写入数据于一储存区块的页次时,若该储存区块的页次已有数据,则代表该第二区域空间不足。
所述的循环使用存取空间方法,其特征是:其是由该第二区域的第一个区块开始进行该读取注记步骤、该数据搬移步骤以及该抹除区块步骤,直到该第二区域的最末区块完成该抹除区块步骤为止。
所述的循环使用存取空间方法,其特征是:该非挥发性存储装置是或非型闪存。
依据本发明的一特色,所提供的高效率非挥发性存储器存取系统是架构于一可携式电子装置中,该高效率非挥发性存储器存取系统主要包括:一非挥发性存储装置,其是以字节为基本处理单位来进行读取与写入,并以区块为基本处理单位来进行抹除,其包括一第一区域与一第二区域,该第一区域用以储存程序代码,该第二区域用以存取数据,该第二区域是经由一格式化处理,使每一区块皆具有多个页次,每一页次具有至少一字节,且该等页次注记有一第一注记、一第二注记及一第三注记的其中一种注记,使供通过该等页次及其注记存取该第二区域的数据,又第二区域并规划包含有多个一般存取区及多个备援区;一存储单元;以及一中央处理单元,其是通过该存储单元读写该等页次,并在写入数据于该等页次后对其注记该第一注记,其中,当该中央处理单元抹除一存取区块时,是将该存取区块中注记为该第一注记的至少一页次的数据,先写入该存储单元中,使供通过该存储单元写入其它无数据的页次,并在写入完成后,对该写入的每一页次注记该第一注记,且对该原本注记为该第一注记的至少一页次更改注记为该第二注记,使当该存取区块中所有页次皆注记为该第二注记时,则抹除该存取区块,接着抹除下一个区块,直至该等区块抹除完成,以达成一区块回收机制。
依据本发明的另一特色,所提供的非挥发性存储器的循环使用存取空间方法是配合一具有在读取与写入动作时以字节作为基本处理单位、且在进行抹除动作时以区块为基本处理单位的特性的非挥发性存储装置,该非挥发性存储装置包括一第一区域与一第二区域,该第一区域用以储存程序代码,该第二区域用以存取数据,该第二区域是经格式化而形成每一区块皆具有多个页次,且每一页次具有至少一字节,其中,该等页次是注记有一第一注记、一第二注记及一第三注记的其中一种注记,使供通过该等页次及其注记存取该第二区域的数据,而第二区域并规划包含有多个一般存取区及多个备援区,且当写入数据开始写入于该等备援区的页次时,将可触发该等抹除动作,该循环使用存取空间方法主要包括下述步骤:一读取注记步骤,是读取一存取区块或一备援区块的每一页次的注记;一数据搬移步骤,若读取的页次注记为该第一注记,则将该页次的数据写入其它无数据的页次,并在写入数据后对该写入的页次注记该第一注记,且对该原本的页次注记为该第二注记;以及一抹除区块步骤,若该存取区块的每一页次皆注记为该第二注记,则对该存取区块或该备援区块进行抹除,并对其页次注记该第三注记,继而重复执行该读取注记步骤、该数据搬移步骤及该抹除区块步骤,直到该等区块皆抹除完成。
本发明的优点在于:
本发明同时为有效利用或非型非挥发性存储器及解决或非型非挥发性存储器以字节为储存单位,区块为抹除单位的特性,于储存数据文件的空间是先经过格式化处理,首先,以页次为存取单位,并且利用注记方式来了解各页次内数据的状态;再者,规划有多个存取区块与备援区块,以写入动作进入备援区块作为一个激活抹除回收数据状态为不使用(无效)页次的触发点,利用备援区块作为一个缓冲空间,使可确保在无数据遗失的状态下进行抹除回收区块,来达成同时储存数据与程序代码的目的;再者,设计依序写入模式,即便是修改数据时亦不直接写入覆盖,因此可确保非发挥性存储器的第二区域中的页次不会被重复写入数据,而造成数据错误的情况产生;另外,利用分批写入数据与暂时关闭中断要求的方法,来达成提高同时用来储存数据与程序的非挥发性存储器的存取效率。
为对本发明的特征、功效有进一步了解,兹列举具体实施例并结合附图详细说明如下:
附图说明
图1是本发明一较佳实施例的系统架构示意图。
图2a是本发明一较佳实施例的读取及写入数据流程图。
图2b是本发明一较佳实施例的修改数据写入流程图。
图3是本发明一较佳实施例的写入示意图。
图4是本发明一较佳实施例的数据抹除流程图。
具体实施方式
有关本发明的较佳实施例,是以一可携式电子装置中的非挥发性存储器存取系统来举例说明,于本实施例中,可携式电子装置较佳为个人数字助理(PDA)或口袋型计算机(Pocket PC)。
图1显示本发明的系统架构示意图,其主要包含中央处理单元(CPU)1、存储单元2以及非挥发性存储装置3,其中,中央处理单元1具有至少一缓存器11,其是用来暂存多个中断要求(例如:可暂存32个中断要求)以及一中断要求控制旗标111,非挥发性存储装置3至少被分为第一区域31及第二区域32,第一区域31用以储存可携式电子装置的操作系统的执行程序代码,第二区域32用以作为储存媒体,使储存一般的数据文件。当然,非挥发性存储装置3更可包含第三区域,以用来储存系统开机程序或测试程序。
于本实施例中,非挥发性存储装置3为一种具有在读取与写入时以字节为基本处理单位,且在进行抹除(Erase)时以区块为基本处理单位的特性,非挥发性存储装置3较佳为或非型(NOR Type)闪存,存储单元2较佳为随机存取存储器(RAM)。上述的中央处理单元1是藉由存储单元2来存非挥发性存储装置3的第二区域32中的数据,下述将说明中央处理单元1存取第二区域32的数据的动作流程图。
请一并参照图1、图2a与图3显示的流程图以及示意图。首先,在非挥发性存储装置3的第二区域32作为储存媒体之前(例如PDA第一次开机时),必须先对第二区域32进行格式化处理(步骤S201),使供在第二区域32形成多个储存区块,其中,每一储存区块皆具有多个页次(Page),且该第二区域32再规划多个存取区块321以及多个备援区块(Buffer Blocks)323,该等存取区块321与该等备援区块323的区块数量比较佳地为二比一,于本实施例中,该等页次的数目较佳为四个(如图3所示编号为3211,3212,3213,3214),当然每一页次是由多个字节331组成,使供中央处理单元1读取或写入第二区域32的数据时,是以页次作为基本存取单位。
完成格式化之后,中央处理单元1便可对第二区域32进行数据存取。中央处理单元1在存取第二区域32之前会先判断目前所进行的动作为何,若为读取动作,则中央处理单元1将其缓存器11的中断要求控制旗标111设定为高位准状态,以开启中断要求动作,亦即其它装置可向中央处理单元1发出中断要求(步骤S202),继而,中央处理单元1开始对第二区域32中的该等存取区块321或备援区块323进行数据读取(步骤S203)。
若为写入动作,则中央处理单元1将待写入数据暂时写入存储单元2所包含的多个存取区段(Sections)21的其中至少一区段,以将待写入数据写入第二区域32(步骤204)。于本实施例中,写入数据的方式是依序地写入数据于第二区域32,亦即每次写入数据的起始页次是接续前次写入数据完成后的页次,例如:前次写入数据至存取区321的页次3211及3212,则下次写入数据时,便由存取块321的页次3213开始写入数据。除此之外,当第二区域32的最后一个页次(备援区块323中的页次)数据写入完成时,则再由第二区域32的第一个页次(存取区块321的页次3211)继续写入数据。有关数据写入的方式将于下述说明。
在写入数据前,中央处理单元1会先判断是否为建立写入新数据,若否则为修改数据动作,有关其动作,容后说明。若为建立写入新数据,则再判断欲写入的目标页次是否有数据存在,若该页次已有数据,则表示数据量已超过第二区域32的存储器容量,停止写入动作并警示使用者(步骤209)。
若该页次并无数据存在,则中央处理单元1将其缓存器11的中断要求控制旗标111设定为低位状态,以关闭所有的中断要求动作,亦即此时中央处理单元1不受理其它装置的中断要求(步骤S205),并开始将存储单元2中的数据写入第二区域32。
由于写入非挥发性存储装置3的速度比较慢,且又暂时关闭中央处理单元1的中断要求,因此若一次将所有数据写入非挥发性存储装置3将使得整个系统资源降低,故中央处理单元1每次写入数据于非挥发性存储器3是以存储单元中的至少一区段21为主,来分批写入数据于第二区域32的目标页次,其中,存储单元2的每一区段21的大小等于该等区块中的每一页次大小。
若该次写入数据动作为该第二区域32格式化后第一次写入数据,则当然是由第一个页次3211开始依序写入,中央处理单元1并在写入完成后,对该页次予以注记为“使用中(using)”(步骤S206)。
接着,中央处理单元1判断待写入数据是否已写入完成,若待写入数据已写入完成,则结束此次写入动作。若尚有多笔数据尚未写入,则中央处理单元1打开中断要求(将中断要求控制旗标111设定为高位状态)(步骤S207),以接收其它装置的中断要求,若其它装置并无请求中断要求,则中央处理单元1继续写入下一笔数据(步骤S208),并继续重复执行步骤S205、步骤S206、步骤S207以及步骤S208,直到数据写入完成。
有时候使用者会在读取数据后,修改其所读取的数据,此时则发生数据修改的情形,有关中央处理单元1修改数据的详细说明,敬请一并参照图1、图2b及图3显示的流程图及示意图,中央处理单元1将待写入数据写入存储单元2后,是先判断待写入目标页次是否有数据存在,其中,在此所指的待写入目标页次是接续前次写入数据动作的页次,以避免数据错误的情形产生,亦即,欲修改的数据并没有直接写入其原本的地址,而是将待修改的数据依上述写入数据方式写入。
若待写入目标页次已有数据存在,则停止写入动作并警示使用者存储器空间不足(步骤S214)。若待写入目标页次无数据存在,则中央处理单元1关闭其中断要求(步骤S210),以开始写入数据于目标页次,中央处理单元1在写入数据于该目标页次完成时,并对该目标页次注记为“使用中”,且对原本旧数据存放的页次注记为“不使用(nouse)” (步骤S211)。
之后,中央处理单元1判断修改的数据是否已全部写入完成,若已全部写入完成,则完成此次修改数据动作。若尚有其它修改数据尚未写入第二区域32,则中央处理单元1打开中断要求,以服务其它发出中断要求的装置,继而开始进行写入下一笔数据于下一个目标页次(步骤S213),并继续重复执行步骤S210、步骤S211、步骤S212以及步骤S213,直到修改数据写入完成。
当待写入数据开始写入第二区域的备援区块323,亦即存取区块321的最后一个页次被写入数据,而写入动作必须进入备援区块323时,将触发一区块回收动作(即开始进行抹除动作),使供回收储存区块,以使得第二区域32的空间能有效利用。
有关储存区块的循环使用机制,敬请一并参照图1、图3及图4显示的示意图及流程图,由于非挥发性存储装置3是或非型闪存,故其进行抹除动作时是以一个区块为单位,然而,在该等存取区块321或该等备援区块323中,其部分页次有可能注记为“使用中”,其它页次则可能注记为“不使用”,因此若贸然对注记为“使用中”的页次予以抹除,则将会产生数据错误的情形。所以,若要有效地回收该等存取区块321及该等备援区块323且不发生数据错误的情形下,则必须执行下述循环使用存取空间方法的步骤。
在进行区块抹除动作前,是先读取该第二区域32的第一个储存区块中的页次状态,亦即读取第一个存取区块321中每一页次3211,3212,3213,3214的注记,若读取到的页次3211是注记为“使用中”,则将该页次3211中的数据先写入存储单元2,以通过存储单元2来将注记为“使用中”的页次的数据搬移至其它无数据的页次(步骤S401)。
接着,将该笔数据依序地(接续)写入上次写入动作完成后接续的页次中,其写入方式与上述修改数据方式相类似,是重复执行步骤S402、步骤S403、步骤S404以及步骤S405或步骤S406。若暂时写入存储单元2中的数据皆写入至其它页次时,亦即该存取区块321中的每一页次皆注记为“不使用”,则开始对该存取区块321进行抹除动作,并在抹除完成后对其每一页次注记为“空的(free)”(步骤407)。
继而,进行下一个存取区块322回收处理,直到最后一个储存区块(最后一个备援区块323)皆被回收处理(步骤408)。因此,所有写入于第二区域32的数据将被重新紧密地排在一起,,而有效地回收该等多余的空间(即注记为“不使用”的该等页次)。
由于抹除非挥发性存储装置3区块中的数据需要比较长的时间,因此,中央处理单元1在进行区块抹除动作时是通过背景抹除方式来进行,亦即中央处理单元1在处理其它运算或处理其它动作时(包括对非挥发性存储器第二区域进行数据读写),同时对该区块进行抹除,以提高本系统的效能且能有效地回收该等储存区块。
上述页次的注记可在存储单元2中建立一注记表4,其是包含多个字段41,以用来注记不使用、使用中或空的,当然,亦可直接在非挥发性存储器中注记。且判断页次内是否有数据存在,可藉助注记内容判断的。
上述实施例仅是为了方便说明而举例而已,本发明所主张的权利范围自应以申请专利范围所述为准,而非仅限于上述实施例。
Claims (21)
1、一种非挥发性存储器存取系统,是架构于一可携式电子装置中,其特征是包括:
一非挥发性存储装置,其是以字节为基本处理单位来进行读取与写入,并以区块为基本处理单位来进行抹除,其包括一第一区域与一第二区域,该第一区域用以储存程序代码,该第二区域用以存取数据,该第二区域是经由一格式化处理,以使每一区块形成具有多个页次,每一页次具有至少一字节,且对该等页次注记有一第一注记、一第二注记及一第三注记的其中一种注记,使供通过该等页次及其注记存取该第二区域的数据,又第二区域并规划包含有多个一般存取区及多个备援区;
一存储单元;以及
一中央处理单元,其是通过该存储单元读写该等页次,并在写入数据于该等页次后对其注记该第一注记,其中,当该中央处理单元抹除一区块时,是将该区块中页次注记为该第一注记的数据,先写入该存储单元中,使供通过该存储单元写入其它无数据的页次,并在写入完成后,对该写入的每一页次注记该第一注记,且对该原本注记为该第一注记的至少一页次更改注记为该第二注记,使当该区块中所有页次皆注记为该第二注记时,则抹除该区块,并将该抹除后区块的页次注记变更为第三注记,其中当写入数据开始写入于该等备援区的页次时,即可同时触发该等区块的抹除动作,以达成该等区块回收机制,回收该等储存区块,以使该第二区域的空间能有效被利用。
2、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:当该中央处理单元进行该第二区域的抹除时,是由该等区块的第一个区块进行抹除,并依序抹除下一个区块,直到抹除完最后一个区块为止。
3、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元写入数据方式,是由该等区块的第一个区块第一个页次依序接续写入,当写至最后一个区块最后一个页次后,则再接续写入第一个区块第一个页次。
4、根据权利要求3所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元每次写入数据时是先判断于预写入的目标页次内容,若该页次已有数据,则该中央处理单元发出存储器空间不足的警示讯息。
5、根据权利要求4所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元是藉由该目标页次的注记来进行判断,若该注记非为第三注记,则发出该警示讯息。
6、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该一般存取区的区块与该备援区的区块的数量是二比一。
7、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元是以背景抹除方式进行抹除。
8、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元是经由至少一次分批并依序地写入数据,且在写入数据时该中央处理单元关闭其中断要求,写入数据完成后打开其中断要求。
9、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:当该中央处理单元写入一修改数据于一页次时,该中央处理单元将该修改数据接续写入于其它无数据的页次,并在写入完成后,对该写入的页次注记该第一注记,且对该修改数据的原本页次注记该第二注记。
10、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该中央处理单元具有一缓存器,且该缓存器具有一控制旗标,以通过该控制旗标开启中断要求或关闭中断要求。
11、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该可携式电子装置是个人数字助理。
12、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该可携式电子装置是口袋型计算机。
13、根据权利要求1所述的非挥发性存储器存取系统,其特征是:该非挥发性存储装置是或非型闪存。
14、一种非挥发性存储器的循环使用存取空间方法,是配合一具有在读取与写入动作时以字节作为基本处理单位,且在进行抹除动作时以区块为基本处理单位的特性的非挥发性存储装置,该非挥发性存储装置包括一第一区域与一第二区域,该第一区域用以储存程序代码,该第二区域用以存取数据,该第二区域是经格式化而使每一个区块皆具有多个页次,且每一页次具有至少一字节,其中,该等页次是注记有一第一注记、一第二注记及一第三注记的其中一种注记,使供通过该等页次及其注记存取该第二区域的数据,而第二区域并规划包含有多个一般存取区及多个备援区,且当写入数据开始写入于该等备援区的页次时,将可触发该等抹除动作,该方法主要包括下述步骤:
一读取注记步骤,是读取一区块的一页次的注记;
一数据搬移步骤,若读取的页次注记为该第一注记,则将该页次的数据写入其它无数据的页次,并在写入数据后对该写入的页次注记该第一注记,且对该原本的页次注记为该第二注记;以及
一抹除区块步骤,若该区块的每一页次皆注记为该第二注记,则对该区块进行抹除,并对其页次注记该第三注记,继而重复执行该读取注记步骤、该数据搬移步骤及该抹除区块步骤,直到该第二区域的该等区块皆抹除完成。
15、根据权利要求14所述的循环使用存取空间方法,其特征是:该第二区域的该等区块是规划为一般存取区与备援区。
16、根据权利要求15所述的循环使用存取空间方法,其特征是:该一般存取区与该备援区的区块的数量是二比一。
17、根据权利要求14所述的循环使用存取空间方法,其特征是:于该抹除区块步骤中,是以背景抹除方式进行抹除。
18、根据权利要求14所述的循环使用存取空间方法,其特征是:于该数据搬移步骤中,是接续上一次写入完成的页次开始写入数据,并在数据写入时关闭中断要求,数据写入完成后打开中断要求。
19、根据权利要求14所述的循环使用存取空间方法,其特征是:于该数据搬移步骤中,当写入数据于一储存区块的页次时,若该储存区块的页次已有数据,则代表该第二区域空间不足。
20、根据权利要求14所述的循环使用存取空间方法,其特征是:其是由该第二区域的第一个区块开始进行该读取注记步骤、该数据搬移步骤以及该抹除区块步骤,直到该第二区域的最末区块完成该抹除区块步骤为止。
21、根据权利要求14所述的循环使用存取空间方法,其特征是:该非挥发性存储装置是或非型闪存。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB031531873A CN100349138C (zh) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | 非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB031531873A CN100349138C (zh) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | 非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1485860A CN1485860A (zh) | 2004-03-31 |
CN100349138C true CN100349138C (zh) | 2007-11-14 |
Family
ID=34156641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031531873A Expired - Fee Related CN100349138C (zh) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | 非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100349138C (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5002201B2 (ja) | 2006-06-30 | 2012-08-15 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
TW201017403A (en) | 2008-10-28 | 2010-05-01 | Silicon Motion Inc | Access methods for memory devices and memory devices and machine readable medium thereof |
CN109144844B (zh) | 2017-06-27 | 2023-01-31 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | 追踪方法、装置、设备和机器可读介质 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN1045133C (zh) * | 1993-12-22 | 1999-09-15 | 株式会社日立制作所 | 半导体存储装置 |
WO2003012647A1 (fr) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appareil a memoire flash et procede de fusion de donnees stockees dans celle-ci |
-
2003
- 2003-08-08 CN CNB031531873A patent/CN100349138C/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1485860A (zh) | 2004-03-31 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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