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CH651533A5 - Verfahren zur herstellung von quarzglastiegeln und vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens. - Google Patents

Verfahren zur herstellung von quarzglastiegeln und vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens. Download PDF

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CH651533A5
CH651533A5 CH2450/81A CH245081A CH651533A5 CH 651533 A5 CH651533 A5 CH 651533A5 CH 2450/81 A CH2450/81 A CH 2450/81A CH 245081 A CH245081 A CH 245081A CH 651533 A5 CH651533 A5 CH 651533A5
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CH
Switzerland
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hollow mold
quartz glass
hollow
grain
layer
Prior art date
Application number
CH2450/81A
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English (en)
Inventor
Rolf Dr Bruening
Friedhelm Habegger
Original Assignee
Heraeus Schott Quarzschmelze
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Publication date
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegeln, bei dem eine feingemahlene Körnung aus kristallinem Quarz oder amorphem Quarzglas in eine um ihre vertikale Achse rotierende, aus nicht mit erhitzter Körnung reagierendem Werkstoff bestehende Hohlform kontinuierlich oder diskontinuierlich eingefüllt, als Schicht auf der Innenwand und am Boden der Hohlform abgelagert, die Schicht über ihre Wandstärke durch Zufuhr von Wärme von innen nach aussen nur teilweise geschmolzen, eine dünne Teilschicht gesintert und der verbleibende Rest der Schicht in Kornform belassen wird, und bei dem der Quarzglastiegel nach dem Abkühlen aus der Hohlform entnommen wird.
Ausserdem betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Herstellung von Quarzglastiegeln.
Aus der DE-PS 543 957 ist die Herstellung von Hohlkörpern aus Quarz bekannt. Bei dem dort beschriebenen Verfahren wird zerkleinertes Rohmaterial, also Quarzsand oder Körnung aus Quarzkristallen, in eine drehbare Hohlform kontinuierlich oder diskontinuierlich eingefüllt, darin geschmolzen oder gesintert und durch die Wirkung der Zentrifugalkraft gegen die Innenwand der Hohlform gedrückt. Nach dem Abkühlen wird der Hohlkörper aus der Hohlform entnommen. Die Erwärmung des Rohmaterials erfolgt durch eine im Inneren der Hohlform angeordnete Heizquelle auf Schmelz- bzw. Sintertemperatur. Dieses Verfahren liefert Hohlkörper, die in ihrer Masse noch Blasen enthalten. Wenn man blasenarme Quarzglaskörper herstellen will, so werden nacheinander dünne Schichten von Rohmaterial in die Hohlform wiederholt eingetragen und eingeschmolzen. Die Erzielung der Blasenarmut beruht darauf, dass in dem körnigen Rohmaterial eingeschlossene Luftblasen während des Schmelzvorganges teilweise in Richtung der Rotationsachse des Hohlform auswandern.
Bekannt ist ferner aus der DE-PS 822 005 ein Verfahren zur Herstellung beliebig geformter Hohlkörper aus Glas. Bei diesem Verfahren wird ein Glasrohr in eine Hohlform eingebracht, darin unter gleichzeitiger Drehung der Hohlform erwärmt und durch Zentrifugalkräfte zum Anliegen an die Hohlform gebracht. Dabei ist es auch möglich, im Boden der Hohlform Saugöffnungen anzubringen, die an eine Unterdruckleitung angeschlossen werden. Man erreicht dadurch, dass der Boden von Glasgefässen, auf welchen ja keine zentrifugalen Kräfte wirken, die ihn an den Boden der Hohlform andrücken, durch die Saugwirkung formrichtig ausgebildet wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen weitestgehend blasenfreien Tiegel aus Quarzglas in preiswerter und energiesparender Weise herzustellen und darüber hinaus werkzeug-und beschädigungsfrei auszuformen.
Weitere vorteilhafte Merkmale des Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen des Verfahrens.
Durch die Erfindung wird erreicht, dass der hergestellte Quarzglastiegel weitestgehend blasenfrei ist. Dies beruht vermutlich darauf, dass durch die Aufrechterhaltung des Vakuums in der Körnung eingeschlossene Hohlräume kein Gas mehr enthalten, sondern Vakuolen darstellen, die sich beim Schmelzen der Körnung zusammenziehen und im wesentlichen vollständig verschwinden. Es kann nicht gänzlich ausgeschlossen werden, dass mikroskopisch kleine Bläschen noch zurückbleiben. Damit stellt die Erfindung ein Verfahren bereit, das die Herstellung von weitestgehend blasenfreien Quarzglastiegeln in einem Einstufen-Verfahren ermöglicht. Gegenüber dem aus der DE-PS 543 957 bekannten Verfahren der Herstellung von Quarzglashohlkörpern ist das erfindungsgemässe ausserordentlich energiesparend und wenig arbeitsintensiv, so dass also in preiswerter Weise praktisch blasenfreie Quarzglastiegel herstellbar sind.
Quarzglastiegel werden beispielsweise auf dem Gebiet der Herstellung von monokristallinem Silizium für halbleitertechnologische Zwecke in grossem Umfang eingesetzt. Hierbei kommt es nicht nur darauf an, dass die Tiegel chemisch von höchster Reinheit sind, sondern auch blasenfrei und möglichst preisgünstig, da sich andernfalls die Herstellung des monokristallinen Siliziums beachtlich verteuern würde.
Das aus der DE-PS 822 005 bekannte Verformungsverfahren für die Herstellung von Glashohlkörpern, welches den Einsatz von Glasrohren voraussetzt, konnte für die Herstellung von Quarzglastiegeln aus verschiedenen Gründen nicht direkt übertragen werden. Hierzu sei nur beispielsweise darauf verwiesen, dass dieses bekannte Verfahren sehr arbeitsaufwendig ist, weil es zunächst die Herstellung des Quarzglasrohres erfordert, dann dessen einseitiges Schliessen und danach erst die aus diesem Patent her bekannte Verformung. Infolge des sehr hohen Schmelzpunktes von Quarzglas ist offensichtlich, wie energieaufwendig dieses Verfahren für die Herstellung von Quarzglastiegeln wäre. Zum andern verhindert die hohe Viskosität des Quarzglases im Gegensatz zum normalen Glas eine leichte Ausformung eines vorgebildeten, einseitig geschlossenen Hohlkörpers zu dem Endprodukt Quarzglastiegel. Hinzu kommt noch, dass das erforderliche Ausgangsprodukt des einseitig geschlossenen Quarzglasrohres schon möglichst blasenfrei vorliegen muss, weil das sich anschliessende Verformungsverfahren keinerlei Einfluss auf die Beseitigung von Blasen innerhalb des
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Ausgangswerkstoffes mehr hat. Bei der direkten Übertragung dieses aus der DE-PS 822 005 für Glasrohre bekannten Verfahrens zur Herstellung von Quarzglastiegeln würde auch eine unerwünschte Reaktion des erhitzten Quarzglases mit dem Werkstoff der Hohlform nicht zu vermeiden sein. 5
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäs-sen Verfahrens ist schematisch in der Figur dargestellt.
Mit der Bezugsziffer 1 ist ein drehbar gelagertes Gehäuse bezeichnet, das mit dem Drehantrieb 2 über eine Hohlwelle 3 verbunden ist. In das Gehäuse 1 wird die gasdurchlässige Hohl- io form 4 gasdicht eingesetzt. Die Hohlform 4 besteht im Ausführungsbeispiel aus metallischem Werkstoff und weist an ihrer Wand und ihrem Boden feine durchgehende Bohrungen 5 auf. Anstelle einer so ausgebildeten Hohlform kann auch eine gasdurchlässige Hohlform aus einem Sinterwerkstoff verwendet 15 werden. Der Drehantrieb besitzt eine Drehdurchführung 6, die mit einer Vakuumpumpe 7 verbunden ist. Mit 8 ist ein Vakuummeter bezeichnet. Die Bezugsziffer 9 ist einer Heizquelle, wie beispielsweise einem elektrischen Lichtbogen zugeordnet; 10 bezeichnet einen Rohrstutzen, der mit einer Druckluftquelle 11 20 verbunden ist.
Die Herstellung eines erfindungsgemässen Tiegels erfolgt in der Weise, dass in die sich mit dem Gehäuse 1 drehende Hohlform 4, die gasdicht in das Gehäuse 1 eingesetzt ist, eine feingemahlene Körnung aus kristallinem Quarz oder amorphem 25 Quarzglas eingefüllt wird, so dass sich eine Körnungsschicht 13 auf der Innenwand und dem Boden der Hohlform bildet. Die Drehung des Gehäuses ist durch Pfeil 12 angedeutet. Alsdann wird die Vakuumpumpe 7 eingeschaltet und die Heizquelle 9 in Richtung des Pfeils 14 eingeführt und die Körnung aufgeheizt. 30
Dabei entsteht zunächst eine Sinterschicht, die durch die Körnung fast bis kurz vor die Innenoberfläche der Form 4 durch die Körnungsschicht wandert und auf die die eigentliche Schmelzschicht folgt. Durch die Einschaltung der Vakuumpumpe wird in dem Zwischenraum zwischen Gehäuse 1 und der Hohlform 4 ein Vakuum erzeugt und während des Sinter- und Schmelzvorganges aufrechterhalten. Dies wirkt durch die Öffnung 5 auf die Körnung ein und entzieht dieser die in den Hohlräumen enthaltenen Gase. Die geschmolzene Körnungsschicht dichtet den Innenraum 15 ab, so dass die Aufrechterhaltung des Vakuums gewährleistet ist. Die Körnungsschicht wird zum wesentlichen Teil über ihre Dicke durchgeschmolzen; es verbleibt eine dünne gesinterte Teilschicht und an der Innenwand der Hohlform 4 anliegend eine ungesinterte und ungeschmolzene Isolierschicht, die es gestattet, auch solche Werkstoffe für die Hohlform 4 zu verwenden, welche üblicherweise bei der Schmelztemperatur des Quarzglases mit diesem reagieren. Sobald die gewünschte Dicke der Schmelzschicht erreicht ist, wird die Heizquelle 9 aus dem Raum 15 entfernt und die geschmolzene und gesinterte Körnung unter Aufrechterhaltung der Rotation des Gehäuses zum Verfestigen zum Tiegel in der Hohlform belassen. Um danach den Tiegel in einfacher Weise aus der Hohlform 4 zu entnehmen, wird nach Abschaltung der Vakuumpumpe über den Rohrstutzen 10 mittels der Druckluftquelle 11 ein Überdruck in dem Raum zwischen Gehäuse und Hohlraum 4 erzeugt, wodurch der Tiegel durch Eindringen dieser Druckluft durch die feinen Bohrungen 5 kolbenartig aus der Hohlform herausgedrückt wird. Dieses Verfahren ermöglicht Werkzeug- und beschädigungsfreie Entnahme des fertigen Quarzglastiegels aus der Hohlform.
1 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

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1. Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegeln, bei dem eine feingemahlene Körnung aus kristallinem Quarz oder amorphem Quarzglas in eine um ihre vertikale Achse rotierende, aus nicht mit erhitzter Körnung reagierendem Werkstoff bestehende Hohlform eingefüllt, als Schicht auf der Innenwand und am Boden der Hohlform abgelagert, die Schicht über ihre Wandstärke durch Zufuhr von Warme von innen nach aussen nur teilweise geschmolzen, eine dünne Teilschicht gesintert und der verbleibende Rest der Schicht in Kornform belassen wird, und bei dem der Quarzglastiegel nach dem Abkühlen aus der Hohlform entnommen wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Hohlform mit gasdurchlässigem Wand- und Bodenbereich verwendet wird und spätestens mit Beginn des Schmelzens der Körnung sowie während des Schmelzens auf der Aussenseite der Hohlform ein Druck von weniger als 5000 Pa aufrechterhalten wird.
2. Verfahrennach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Druck von weniger als 1000 Pa aufrechterhalten wird.
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PATENTANSPRÜCHE
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine ungekühlte Hohlform verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehende Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zum Entnehmen des Quarzglastiegels seine an die Hohlform anliegende Wand mit einem Überdruck beaufschlagt wird.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die eine Hohlform, Mittel zum Drehen der Hohlform und eine Heizquelle aufweist, da-durch gekennzeichnet, dass die Hohlform (4) gasdurchlässig ausgebildet ist und in ein drehbares Gehäuse (1) gasdicht eingesetzt ist, das über eine Drehdurchführung (6) mit einer Vakuumpumpe (7) verbunden ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Wände und der Boden der Hohlform, die aus metallischem Werkstoff besteht, mit feinen Bohrungen (5) versehen sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlform aus einem porösen Sinterwerkstoff besteht.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitung, die die Vakuumpumpe mit der Drehdurchführung verbindet, einen Rohrstutzen (10) aufweist zum Einleiten von Druckluft.
CH2450/81A 1980-04-15 1981-04-13 Verfahren zur herstellung von quarzglastiegeln und vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens. CH651533A5 (de)

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GB (1) GB2075967B (de)
IT (1) IT1209861B (de)
NO (1) NO149033C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0220774A1 (de) * 1985-10-25 1987-05-06 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zur Herstellung von rotationssymmetrischen Glaskörpern

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3330910A1 (de) * 1983-08-27 1985-03-07 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zum herstellen eines reaktionsgefaesses fuer kristallzuchtzwecke
GB8427915D0 (en) * 1984-11-05 1984-12-12 Tsl Thermal Syndicate Plc Vitreous silica products
DE3511457A1 (de) * 1985-03-29 1986-10-09 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren und vorrichtungen zur herstellung von glaskoerpern
US4632686A (en) * 1986-02-24 1986-12-30 Gte Products Corporation Method of manufacturing quartz glass crucibles with low bubble content
JPS62212234A (ja) * 1986-02-28 1987-09-18 Nippon Sanso Kk ガラスの製造法
WO1987005285A1 (en) * 1986-02-28 1987-09-11 Japan Oxygen Co., Ltd. Process for manufacturing glass
WO1987005287A1 (en) * 1986-02-28 1987-09-11 Japan Oxygen Co., Ltd. Process for manufacturing glass
US4963178A (en) * 1986-03-31 1990-10-16 Gte Products Corporation Apparatus for making quartz glass crucibles
US4713104A (en) * 1986-03-31 1987-12-15 Gte Products Corporation Quartz glass crucibles
US4911896A (en) * 1986-07-24 1990-03-27 General Electric Company Fused quartz member for use in semiconductor manufacture
JPH01148718A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 石英るつぼの製造方法
US4935046A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
JPH0692276B2 (ja) * 1988-02-03 1994-11-16 三菱マテリアル株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ
US4964902A (en) * 1989-02-10 1990-10-23 Quartz & Silice Method of extracting spin cast fused silica
US5015279A (en) * 1989-02-10 1991-05-14 Quartz & Silice Apparatus for extracting spin cast fused silica objects
JP2714860B2 (ja) * 1989-07-28 1998-02-16 東芝セラミックス株式会社 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ
JP2866115B2 (ja) * 1989-09-25 1999-03-08 東芝セラミックス株式会社 石英ガラス容器の製造装置
JPH0764673B2 (ja) * 1990-01-10 1995-07-12 三菱マテリアル株式会社 石英ルツボの製造方法
US5306473A (en) * 1992-01-31 1994-04-26 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Quartz glass crucible for pulling a single crystal
JP2830987B2 (ja) * 1994-07-19 1998-12-02 信越石英株式会社 石英ガラスルツボ及びその製造方法
DE19541372A1 (de) * 1994-11-15 1996-05-23 Gen Electric Tiegel aus geschmolzenem Quarz sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US5772714A (en) * 1995-01-25 1998-06-30 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Process for producing opaque silica glass
JP2830990B2 (ja) * 1995-05-31 1998-12-02 信越石英株式会社 石英製二重ルツボの製造方法
US5980629A (en) * 1995-06-14 1999-11-09 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for improving zero dislocation yield of single crystals
US5976247A (en) * 1995-06-14 1999-11-02 Memc Electronic Materials, Inc. Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance
JP3533416B2 (ja) * 1996-02-06 2004-05-31 三菱住友シリコン株式会社 単結晶引上装置
JP4285788B2 (ja) * 1996-03-14 2009-06-24 信越石英株式会社 単結晶引き上げ用大口径石英るつぼの製造方法
US6182237B1 (en) 1998-08-31 2001-01-30 International Business Machines Corporation System and method for detecting phase errors in asics with multiple clock frequencies
US6143073A (en) * 1998-11-19 2000-11-07 Heraeus Shin-Etsu America Methods and apparatus for minimizing white point defects in quartz glass crucibles
JP4454059B2 (ja) * 1999-01-29 2010-04-21 信越石英株式会社 シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ
DE19962452B4 (de) * 1999-12-22 2004-03-18 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren für die Herstellung von opakem Quarzglas
US6502422B1 (en) * 2000-10-27 2003-01-07 General Electric Company Method for quartz crucible fabrication
US6510707B2 (en) 2001-03-15 2003-01-28 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Methods for making silica crucibles
US6447601B1 (en) 2001-03-19 2002-09-10 Memc Electronic Materials, Inc. Crystal puller and method for growing monocrystalline silicon ingots
DE10158521B4 (de) * 2001-11-29 2005-06-02 Wacker-Chemie Gmbh In Teilbereichen oder vollständig verglaster SiO2-Formkörper und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10260320B4 (de) * 2002-12-20 2006-03-30 Wacker Chemie Ag Verglaster SiO2-Formkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Vorrichtung
TW200505932A (en) * 2003-04-23 2005-02-16 Stella Chemifa Kk Apparatus for producing fluoride crystal
US20050120945A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-09 General Electric Company Quartz crucibles having reduced bubble content and method of making thereof
US7427327B2 (en) * 2005-09-08 2008-09-23 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica glass crucible with barium-doped inner wall
US7383696B2 (en) * 2005-09-08 2008-06-10 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall
US20070084400A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 General Electric Company Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible
US7556764B2 (en) * 2005-11-09 2009-07-07 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica vessel with nozzle and method of making
US9139932B2 (en) 2006-10-18 2015-09-22 Richard Lee Hansen Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible
DE102006060561C5 (de) * 2006-12-21 2015-09-10 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasformkörpers
JP5213356B2 (ja) * 2007-05-31 2013-06-19 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法
EP2174917A4 (de) * 2007-07-27 2012-08-15 Japan Super Quartz Corp Verfahren zur herstellung eines quarzglas-tiegels
JP5398074B2 (ja) * 2007-07-28 2014-01-29 株式会社Sumco 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置
JP5229778B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-03 株式会社Sumco シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法
JP5541777B2 (ja) * 2007-11-30 2014-07-09 株式会社Sumco 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置
JP4986921B2 (ja) * 2008-04-30 2012-07-25 ジャパンスーパークォーツ株式会社 ルツボリフト装置
JP4879220B2 (ja) * 2008-05-28 2012-02-22 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボとその製造方法
JP5441106B2 (ja) * 2008-06-28 2014-03-12 株式会社Sumco 水冷モールド
US8286447B2 (en) * 2008-07-09 2012-10-16 Japan Super Quartz Corporation Method for producing quartz glass crucible
EP2143692A1 (de) 2008-07-10 2010-01-13 Japan Super Quartz Corporation Produktionsverfahren für Quarzglastiegel
JP5523018B2 (ja) 2008-08-30 2014-06-18 株式会社Sumco 石英ルツボの製造装置
US8272234B2 (en) * 2008-12-19 2012-09-25 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica crucible with pure and bubble free inner crucible layer and method of making the same
EP2226301A1 (de) * 2009-02-22 2010-09-08 Silitec Fibers SA Verfahren zur Herstellung und Verarbeitung einer Vorform, Vorform und Lichtwellenleiter
US9003832B2 (en) * 2009-11-20 2015-04-14 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Method of making a silica crucible in a controlled atmosphere
DE102009056751B4 (de) * 2009-12-04 2011-09-01 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren für die Herstellung eines Tiegels aus Quarzglas
FR2963341B1 (fr) * 2010-07-27 2013-02-22 Saint Gobain Quartz Sas Creuset a ouverture polygonale
JP5605903B2 (ja) 2010-12-02 2014-10-15 株式会社Sumco シリカガラスルツボ製造装置
US8524319B2 (en) 2011-11-18 2013-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for producing crucibles with a reduced amount of bubbles
US8857214B2 (en) * 2011-11-18 2014-10-14 Sunedison Semiconductor Limited Methods for producing crucibles with a reduced amount of bubbles
CN102618918B (zh) * 2012-03-13 2015-05-06 杭州奔博科技有限公司 一种坩埚吊装装置
AT524601B1 (de) * 2020-12-29 2023-04-15 Fametec Gmbh Vorrichtung zum Züchten eines künstlich hergestellten Einkristalls, insbesondere eines Saphir-Einkristalls

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2026940A (en) * 1934-12-13 1936-01-07 Harbison Walker Refractories Shaping refractory articles
DE822005C (de) * 1949-11-01 1951-11-22 Hermnn Ruehl Dipl Ing Verfahren zur Herstellung beliebig geformter Hohlkoerper aus Glasrohren
US3687650A (en) * 1969-08-16 1972-08-29 Int Computers Ltd Methods of bonding ferrite components
US3818974A (en) * 1971-06-28 1974-06-25 O Eberle Centrifugal vacuum casting apparatus
US3902885A (en) * 1972-12-27 1975-09-02 Heraeus Schott Quarzschmelze Apparatus for making hollow cylinders of vitreous silica
DE2263589C2 (de) * 1972-12-27 1974-05-30 Heraeus Schott Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zum Herstellen von Hohlzylindern, insbesondere von Rohren, aus Quarzglas und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
SE420694B (sv) * 1978-04-04 1981-10-26 Motala Verkstad Ab Sett vid pressning av skivformiga produkter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0220774A1 (de) * 1985-10-25 1987-05-06 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zur Herstellung von rotationssymmetrischen Glaskörpern

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Publication number Publication date
FR2480272B1 (fr) 1985-10-31
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IT1209861B (it) 1989-08-30
FR2480272A1 (fr) 1981-10-16
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GB2075967B (en) 1983-08-10
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NO149033B (no) 1983-10-24
DE3014311A1 (de) 1981-10-22
NO811293L (no) 1981-10-16
NO149033C (no) 1984-02-01

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