CH631743A5 - Verfahren zum aufdampfen von material in einer vakuumaufdampfanlage. - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufdampfen von Materialien in einer Vakuumauf dampf anlage durch Beschuss eines zu verdampfenden und auf Substraten niederzuschlagenden Materials mit Elektronen aus einer Niedervoltbogenentladung.
Für die Verdampfung mittels Elektronenstrahls sind sogenannte Elektronenstrahlverdampfer mit Glühkathode bekannt. Dabei wird die für die Verdampfung erforderliche Leistungsdichte auf dem zu verdampfenden Material dadurch erreicht, dass ein relativ kleiner Elektronenstrom (z.B. 1A) durch eine relativ grosse Spannung (z.B. 10 kV) ber schleunigt wird. Dabei entsteht ein Strahl mit geringem Querschnitt, der oft durch ein Magnetfeld in einer bogenförmigen Bahn auf das zu verdampfende Material geführt wird. Ein solcher Elektronenstrahl führt nur zu einer geringen Aktivierung (d.h. Ionisation, Anregung, Dissoziation) des Restgases und des Dampfes in der Aufdampfanlage. Dies hat mehrere Gründe: (1) die geringe Stromstärke; (2) die Wirkungsquerschnitte sind bei hohen Energien klein; (3) höhere Restgasdrücke können nicht zugelassen werden, denn sie führen zu Überschlägen an der Beschleunigungsstrecke und zur Zerstäubung der Glühkathode. Eine Aktivierung des Dampfes des Verdampfungsmaterials oder des Restgases im Aufdampfraum wäre aber zur Erzielung besserer Schichten bei vielen Aufdampfprozessen sehr erwünscht.
Weiterhin bekannt sind Elektronenstrahlverdampfer mit Hohlkathode. Man unterscheidet kalte und heisse Hohlkathoden (siehe z.B. C.T. Wan, D.L. Chambers und D.C. Car-michael, The Journal of Vacuum Science and Technology, Vol. 8, No. 8, p. VM 99, 1971). Beide Arten können im Gegensatz zum normalen Elektronenstrahlverdampfer bei Drük-ken oberhalb von 10~4 mb betrieben werden; die erwünschte Strom-Spannungs-Charakteristik liefert jedoch nur die heisse Hohlkathode. Sie liefert hohe Ströme bei kleiner Brennspan5
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nung (z.B. 100 V, 100 A) und damit eine effektive Aktivierung des Restgases und des Dampfes. Heisse Hohlkathoden können jedoch nur schwer gezündet werden und erfordern deshalb eine zusätzliche Zündeinrichtung. Ausserdem wird dabei das Kathodenmaterial zerstäubt und auf den zu beschichtenden Gegenständen als Verunreinigung niedergeschlagen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile bekannter Verfahren zu vermeiden und ein einfaches, bei relativ hohen Drücken betreibbares Vakuumaufdampfverfahren zu schaffen, das gleichzeitig eine hohe Aktivierung des Restgases erzeugt und die Zerstäubung des Kathodenmaterials vermindert oder verhindert wird, dass etwa doch zerstäubtes Kathodenmaterial auf die Substrate gelangt.
Das erfindungsgemässe Verfahren zum Aufdampfen von Material in einer Vakuumaufdampfanlage durch Beschuss eines zu verdampfenden und auf Substraten niederzuschlagenden Materials mit Elektronen aus einer Niedervoltbogenentladung zwischen einer in einer vom Aufdampfraum getrennten, mit dieser durch eine Öffnung verbundenen Kammer angeordneten Glühkathode und einer Anode, wobei während des Betriebes in die Glühkathodenkammer laufend Gas eingeführt wird und der Aufdampfraum durch Pumpen unter einem für den vorgesehenen Beschichtungsprozess hinreichenden Vakuum gehalten wird, ist dadurch gekennzeichnet, dass a) das im Aufdampfraum angeordnete, zu verdampfende
Material selbst als Anode geschaltet wird;
b) die durch die genannte Öffnung eingeschnürte Entladung im Aufdampfraum zusätzlich durch ein Magnetfeld auf die
Anode geführt und zur Erzielung einer für die Verdampfung hinreichenden Leistungsdichte auf der Oberfläche der Anode gebündelt wird.
Bei der Niedervoltbogenentladung bildet sich vor der Kathode eine positive Raumladungsschicht aus, die wie eine virtuelle Anode die Elektronen beschleunigt. Damit die Elektronen ihre Energie nicht durch Stösse mit Gasatomen verlieren, wird auf der darauffolgenden Entladungsstrecke in der Aufdampfkammer ein geringerer Druck als in der Glühkathodenkammer aufrechterhalten. Diese Druckdifferenz erzielt man. durch das laufende Einführen von Gas in die Glühkathodenkammer und Abpumpen von Gas aus dem Aufdampfraum. Trotz des grossen, im Aufdampfraum durchlaufenen Weges geben die Elektronen dann ihre Energie zum grössten Teil an. das als Anode geschaltete Verdampfungsmaterial ab.
Durch die erfindungsgemässen Massnahmen ist es möglich, dem Elektronenstrahl-Brennfleck auf dem zu verdampfenden Material einen so kleinen Querschnitt zu geben, dass die erforderliche Leistungsdichte leicht erzielt wird. Durch ein passendes, parallel zu der gebündelten Entladung verlaufendes Magnetfeld, kann sogar erreicht werden, dass der Elektronenstrahl trotz hoher Strahlstromstärke im Aufdampfraum einen Querschnitt von der Grössenordnung der erwähnten Öffnung zwischen der Glühkathodenkammer und dem Aufdampfraum beibehält. Um eine genügend hohe Verdampfungsrate auch für schwer verdampfbare Metalle zu erhalten, ist eine Leistungsdichte auf der Oberfläche der Anode von mehr als 10 kW pro cm2 zu empfehlen. Es ist ferner zweckmässig in die Glühkathodenkammer laufend so viel Gas einzuführen, dass die mittlere freie Weglänge der Gasmoleküle in der genannten Kammer grössenordnungsmässig gleich ist der Kathodenfallstrecke der Niedervoltbogenentladung. Für letztere empfehlen sich Bogenspannungen kleiner als 200 Volt, jedoch mit Strömen von mindestens 30 A. Weiter empfiehlt es sich, die Trennwand mit der Öffnung zwischen der Glühkathodenkammer und dem Aufdampfraum elektrisch zu isolieren und bei der Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens auf Schwebepotential zu halten. Das zu verdampfende Material kann entweder auf positivem oder Erdpotential gehalten werden, wobei dann die Kathode auf Erdbzw. negatives Potential gelegt wird. Auch eine Betriebsweise, bei der sowohl die Kathode als auch das zu verdampfende Material auf positivem Potential gegenüber Masse gehalten werden, ist vorteilhaft. Die zu bedampfenden Substrate können sich auf einem gegenüber der Anode negativem Potential befinden und sie können ausserdem zeitweise (insbesondere intermittierend) als Kathode einer selbständigen Gasentladung geschaltet werden. Die Spannung zwischen der Anode und den Substraten kann während der Durchführung des Prozesses verändert werden. Z.B. kann man mit Hochspannung beginnen, um durch die damit verbundene Zerstäubungsrate eine gute Haftfestigkeit der Schicht zu erzielen, und den Prozess bei niedrigerer Spannung fortsetzen, um ein gleichmässiges Schichtwachstum sicherzustellen.
In der gleichen Aufdampfkammer können mehrere Anoden aus unterschiedlichen Verdampfungsmaterialien vorgesehen werden, auf welche der Elektronenstrahl abwechselnd z.B. mit Hilfe geeigneter magnetischer Felder gelenkt wird. Auch können im gleichen Aufdampfraum mehrere Anoden als Verdampfungsquellen mit zugehörigen, in getrennten Kammern untergebrachten Glühkathodenkammern vorgesehen werden, so dass gleichzeitig oder nacheinander aus diesen Verdampfungsquellen unter gleichen oder unterschiedlichen elektrischen Bedingungen (Leistung, Leistungsdichte) aufgedampft werden kann. Das gleichzeitige Verdampfen aus zwei Dampfquellen kann zur Herstellung von Legierungen nützlich sein.
Die erwähnten verschiedenen Schaltungsmöglichkeiten ergeben unterschiedliche Bewegungsrichtungen der Ionen und damit unterschiedliche Dampfverteilungen im Aufdampfraum.
Nachfolgend werden das erfindungsgemässe Verfahren und eine für die Durchführung dieses Verfahrens geeignete Vorrichtung anhand der anliegenden Zeichnung näher beschrieben. Diese zeigt eine Vakuumaufdampfkammer 17 mit einem Evakuierungsanschluss 18, welche durch eine Öffnung 6 mit einer Glühkathodenkammer 13 verbunden ist. In letzterer ist die Glühkathode 3 untergebracht, die durch das Stromversorgungsgerät 1 gespeist wird. Am Boden der Aufdampfkammer 10 befindet sich der mittels der Kühlmittelkanäle 21 und der Kühlmittelzu- und Ableitungen 11 kühlbare Tiegel 20 für das zu verdampfende Material 19. In der Aufdampfkammer ist eine zylindermantelförmige Haltevorrichtung 8 zur Aufnahme der zu bedampfenden Substrate angeordnet. Die Glühkathodenkammer weist ausserdem eine Gaszuleitung 2 und einen Kühlmittelkanal 14 auf, wobei letzterer besonders zur Kühlung der Trennwand zwischen der Glühkathodenkammer und der Aufdampfkammer während des Betriebes dient. Zur Erzeugung eines zur Achse 7 der Entladung ungefähr parallelen Magnetfeldes im Aufdampfraum sind am Bodenteil 10 und am Deckelteil 16 der Aufdampfkammer aussen Magnetspulen 5 angebracht.
Für die Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens werden die zu beschichtenden Substrate an der der Dampfquelle zugewandten Seite der Haltevorrichtung 8 befestigt, das zu verdampfende Material in den Tiegel gegeben, die Aufdampfkammer geschlossen und evakuiert, und über die Leitung 2 ein geeignetes Gas in die Glühkathodenkammer eingeführt. Geeignet sind vor allem Edelgase, wenn eine Reaktion mit den Substraten vermieden werden soll, oder die entsprechenden reaktiven Gase, wenn eine solche Reaktion z.B. zwecks Herstellung von Schichten aus Metallverbindungen erwünscht ist. Z.B. kann man zur Erzeugung von Nitridschichten Stickstoff oder eine gasförmige Stickstoffverbindung einleiten, zur Erzeugung von Karbidschichten ein eine gasförmige Kohlenstoffverbindung enthaltendes Gas, zur Erzeugung von Boridschichten eine gasförmige Borverbindung
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oder zur Erzeugung von Oxidschichten Sauerstoff oder ein eine Sauerstoffverbindung enthaltendes Gas. Man kann aber auch beim reaktiven Aufdampfen in Hinblick auf die Schonung der Glühkathode 4 in die Glühkathodenkammer 14 ein inertes Gas und zur Erzielung der erwünschten Reaktionen im Aufdampfraum in diesen über eine separate Zuleitung das gewünschte reaktive Gas getrennt einführen, so dass in letzterem während des Aufdampfens eine reaktive Restgasatmosphäre vorherrscht, deren Druck durch laufendes Abpumpen auf den für den vorgesehenen Prozess optimalen Wert eingestellt werden kann.
Zur Herstellung von Titannitridschichten wurde in den Tiegel 20 Titanmetall in Stückform eingebracht, alsdann die Anlage auf 10~4 mb evakuiert und danach über die Leitung 2, die Glühkathodenkammer 13 und die Öffnung 6 Stickstoff in die Aufdampfkammer 17 eingeführt und daraus laufend über den Saugstutzen 18 abgepumpt, in solchem Masse, dass in der Glühkathodenkammer einN2-Druck von 5 X 10~2 mb und in der Aufdampfkammer ein N2-Restgasdruck von 5,2 X 10~3 Millibar aufrechterhalten wurde. Dann wurde die auf Erdpotential liegende Glühkathode mit 1,5 kW beheizt und darauf eine Spannung von + 70 Volt an die Anode gelegt. Durch kurzzeitiges Anlegen der Anodenspannung an die Trennwand 15 zwischen der Glühkathodenkammer 13 und der Aufdampfkammer 17 wurde sodann der Niedervoltbogen gezündet (die vorstehenden und alle folgenden Spannungsangaben beziehen sich stets auf Spannungsdifferenzen gegenüber dem auf Erdpotential befindlichen Rezipienten). Es ergab sich ein über die Glühkathode fliessender Strom von 116 A. Der über die Anode fliessende Strom betrug 131 A. Die Differenz zwischen den beiden Strömen von 14 A gibt den Strom an, der über die Substrate und den Rezipienten floss. Durch den auf den Tiegel 19 als Anode fliessenden Elektronenstrom wurde das darin befindliche Titan geschmolzen und verdampfte mit einer Rate von etwa 0,3 g pro Minute. Unter der Einwirkung des durch die Niedervoltbogenentladung zwischen der Glühkathode und der Anode stark ionisierten Restgases erhielt man auf den am Träger 8 befestigten Substraten eine harte, äusserst haftfeste Titannitridschicht von goldgelber Färbung. Derartige Schichten z.B. sind als Überzüge für Gebrauchsgegenstände, die einer starken Abnutzung unterworfen sind nützlich.
Nachfolgend werden weitere Ausführungsbeispiele angeführt, welche die angewendeten Spannungen, Stromstärken und die Restgasatmosphäre bei der Verdampfung von Titan angeben. Bei diesen Beispielen wird eine Leistung von etwa 5 bis 8 kW auf einer Anodenfläche von etwa 0,2 cm2 abgege-5 ben (Haltwertsbreite des Strahls etwa 0,5 cm).
Beispiele
2.) Gas: Argon, 5 . 10-3 mb io Kathode: 0 V; 133 A
Anode: +37 V; 150 A
Rezipient + Substrate: 0 V; 17 A; 629 W
3.) Gas: Argon, 2,5 . IQ*3 mb ls Kathode: -40 V; 152 A
Anode: 0 V; 117 A
Rezipient + Substrate: 0 V; 35 A; 0 W
4.) Gas: Argon, 2,5 . 10~3 mb 20 Kathode:+30 V; 116 A
Anode +80V;144A
Rezipient + Substrate: 0 V; 28 A; 2240 W
5.) Gas: Argon 5 . 10~3 mb 25 Kathode: -40 V; 152 A
Anode: 0 V; 117 A Rezipient: 0 V; 30 A; 0 W Substrate: -200 V; 5 A; 1000 W
3o 6.) Gas: N2, 5 .10-3 mb Kathode: 0 V; 116 A Anode: +70 V; 131 A Rezipient + Substrate 0 V; 15 A; 1050 W
35 Bei der Herstellung reiner Metallschichten wird, wie schon erwähnt, mit einer inerten Restgasatmosphäre gearbeitet. Harte widerstandsfähige Metallverbindungen aus Nitriden, Karbiden, Boriden oder Oxiden kann man dagegen durch reaktives Aufdampfen erhalten. Hiefür kommen insbesondere 40 die Übergangselemente d.h. die Metalle der Nebengruppen der vierten bis achten Gruppe des periodischen Systems, also Titan bis Nickel, Zirkon bis Palladium und Hafnium bis Platin in Frage.
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1 Blatt Zeichnungen
Claims (22)
1. Verfahren zum Aufdampfen von Material in einer Vakuumdampfanlage durch Beschuss eines zu verdampfenden und auf Substraten niederzuschlagenden Materials mit Elektronen aus einer Niedervoltbogenentladung zwischen einer in einer vom Aufdampfraum getrennten, mit dieser durch eine Öffnung verbundenen Kammer angeordneten Glühkathode und einer Anode, wobei während des Betriebes in die Glühkathodenkammer laufend Gas eingeführt wird und der Aufdampfraum durch Pumpen unter einem für den vorgesehenen Beschichtungsprozess hinreichenden Vakuum gehalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass a) das im Aufdampfraum (17) angeordnete, zu verdampfende Material (19) selbst als Anode geschaltet wird;
b) die durch die genannte Öffnung (6) eingeschnürte Entladung (7) im Aufdampfraum zusätzlich durch ein Magnetfeld auf die Anode (19) geführt und zur Erzielung einer für die Verdampfung hinreichenden Leistungsdichte auf der Oberfläche der Anode gebündelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetfeld parallel zu der gebündelten Entladung (7) verläuft und so bemessen wird, dass der Elektronenstrahl im Aufdampfraum (17) einen Querschnitt von der Grössen-ordnung der Öffnung (6) beibehält.
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PATENTANSPRÜCHE
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in die Glühkathodenkammer (13) laufend soviel Gas eingeführt wird, dass die mittlere freie Weglänge der Gasmoleküle in der Glühkathodenkammer grössenordnungsmässig gleich ist der Kathodenfallstrecke.
4. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Niedervoltbogenentladung bei einer Spannung kleiner als 200 Volt und einem hohen Strom von mindestens 30 A betrieben wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Niedervoltbogenentladung mit einer Leistungsdichte auf der Oberfläche der Anode (19) von mehr als 10 kW pro cm2 betrieben wird.
6. Verfahrennach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennwand mit der Öffnung (6) zwischen der Glühkathodenkammer (13) und dem Aufdampfraum (17) elektrisch isoliert und auf Schwebepotential gehalten wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Zünden der Entladung kurzzeitig die Anodenspannung an die isolierte Trennwand zwischen der Glühkathodenkammer (6) und dem Aufdampfraum (17) angelegt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfungsrate durch Veränderung der Magnetfeldstärke variiert wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kathode (3) auf Massepotential und das zu verdampfende Material (19) auf positivem Potential gegenüber Masse gehalten werden.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zu verdampfende Material (19) auf Massepotential und die Kathode (3) auf negativem Potential gegenüber Masse gehalten werden.
11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl die Kathode (3) als auch das zu verdampfende Material (19) auf positivem Potential gegenüber Masse gehalten werden.
12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass gleichzeitig aus mehreren Verdampfungsquellen (19) unter unterschiedlichen elektrischen Bedingungen aufgedampft wird.
13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zu bedampfenden Substrate (8) auf einem gegenüber der Anode (20) negativem Potential gehalten werden.
14. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannung zwischen der Anode (19) und den Substraten (8) während der Durchführung des Prozesses verändert wird.
15. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate (8) intermittierend als Kathode einer selbständigen Gasentladung geschaltet werden.
16. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in die Glühkathodenkammer (13) Edelgas eingelassen wird.
17. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Aufdampfraum (17) eine ein Reaktionsgas enthaltende Atmosphäre aufrechterhalten wird.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass im Aufdampfraum (17) eine Stickstoff- oder eine gasförmige Stickstoffverbindung enthaltende Atmosphäre aufrechterhalten wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass im Aufdampfraum (17) eine eine gasförmige Kohlenstoffverbindung enthaltende Atmosphäre aufrechterhalten wird.
20. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass im Aufdampfraum (17) eine eine gasförmige Borverbindung enthaltende Atmosphäre aufrechterhalten wird.
21. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass im Aufdampfraum (17) eine Sauerstoff- oder eine Sauerstoffverbindung enthaltende Atmosphäre aufrechterhalten wird.
22. Verfahren nach Ansprach 17, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mischung von reaktionsfähigen Gasen verwendet wird.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH668877A CH631743A5 (de) | 1977-06-01 | 1977-06-01 | Verfahren zum aufdampfen von material in einer vakuumaufdampfanlage. |
NLAANVRAGE7707659,A NL179660C (nl) | 1977-06-01 | 1977-07-08 | Werkwijze voor het verdampen van materiaal en het daarna neerslaan hiervan op substraten in een opdampinrichting. |
US05/909,807 US4197175A (en) | 1977-06-01 | 1978-05-26 | Method and apparatus for evaporating materials in a vacuum coating plant |
DE2823876A DE2823876C2 (de) | 1977-06-01 | 1978-05-31 | Verfahren zum Verdampfen von Material mittels eines Niedervoltbogens |
FR7816221A FR2393079B1 (fr) | 1977-06-01 | 1978-05-31 | Procede de vaporisation de materiaux dans une installation de depot par evaporation sous vide |
GB25962/78A GB1589160A (en) | 1977-06-01 | 1978-05-31 | Vapourising materials |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH668877A CH631743A5 (de) | 1977-06-01 | 1977-06-01 | Verfahren zum aufdampfen von material in einer vakuumaufdampfanlage. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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Country Status (6)
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---|---|
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FR (1) | FR2393079B1 (de) |
GB (1) | GB1589160A (de) |
NL (1) | NL179660C (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3039411A1 (de) * | 1979-12-06 | 1981-06-11 | Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden | Verfahren zum ueberziehen der oberflaeche eines elastischen koerpers mit einer zusammenhaengenden schicht |
DE3303291A1 (de) * | 1946-07-17 | 1984-08-02 | Vsesojuznyj naučno-issledovatel'skij instrumental'nyj institut, Moskva | Verfahren zur verfestigung von schneidwerkzeugen |
DE4006457C1 (en) * | 1990-03-01 | 1991-02-07 | Balzers Ag, Balzers, Li | Appts. for vapour deposition of material under high vacuum - has incandescent cathode and electrode to maintain arc discharge |
US5084151A (en) * | 1985-11-26 | 1992-01-28 | Sorin Biomedica S.P.A. | Method and apparatus for forming prosthetic device having a biocompatible carbon film thereon |
DE4409761A1 (de) * | 1994-03-22 | 1995-11-30 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Einrichtung zur plasmagestützten Verdampfung in einem Bogenentladungsplasma |
DE4396720C1 (de) * | 1992-12-23 | 2003-07-17 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren und Anlage zur Schichtabscheidung und Verwendung der Anlage |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH619344B (de) * | 1977-12-23 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur herstellung goldfarbener ueberzuege. | |
JPS54146281A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-15 | Ulvac Corp | Metallizing apparatus by activation reaction |
JPS5779169A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Physical vapor deposition method |
US4596719A (en) * | 1981-02-24 | 1986-06-24 | Wedtech Corp. | Multilayer coating method and apparatus |
US4537794A (en) * | 1981-02-24 | 1985-08-27 | Wedtech Corp. | Method of coating ceramics |
CH645137A5 (de) * | 1981-03-13 | 1984-09-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material unter vakuum. |
JPS581067A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Toshiba Corp | 装飾用金属窒化物皮膜の形成法 |
US4407712A (en) * | 1982-06-01 | 1983-10-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Hollow cathode discharge source of metal vapor |
CH658545A5 (de) * | 1982-09-10 | 1986-11-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum gleichmaessigen erwaermen von heizgut in einem vakuumrezipienten. |
DE3406953C2 (de) * | 1983-04-19 | 1986-03-13 | Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden | Verfahren zum Erwärmen von Heizgut in einem Vakuumrezipienten |
US4420386A (en) * | 1983-04-22 | 1983-12-13 | White Engineering Corporation | Method for pure ion plating using magnetic fields |
US4559121A (en) * | 1983-09-12 | 1985-12-17 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization for permeable targets |
GB2140040B (en) * | 1983-05-09 | 1986-09-17 | Vac Tec Syst | Evaporation arc stabilization |
US4622452A (en) * | 1983-07-21 | 1986-11-11 | Multi-Arc Vacuum Systems, Inc. | Electric arc vapor deposition electrode apparatus |
US4559125A (en) * | 1983-09-12 | 1985-12-17 | Vac-Tec Systems, Inc. | Apparatus for evaporation arc stabilization during the initial clean-up of an arc target |
US4556471A (en) * | 1983-10-14 | 1985-12-03 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc. | Physical vapor deposition apparatus |
DE3413891C2 (de) * | 1984-04-12 | 1987-01-08 | Horst Dipl.-Phys. Dr. 4270 Dorsten Ehrich | Verfahren und Vorrichtung zur Materialverdampfung in einem Vakuumbehälter |
US5096558A (en) * | 1984-04-12 | 1992-03-17 | Plasco Dr. Ehrich Plasma - Coating Gmbh | Method and apparatus for evaporating material in vacuum |
JPS6137960A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-22 | Tadanobu Okubo | 金属表面加工方法 |
US4566937A (en) * | 1984-10-10 | 1986-01-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electron beam enhanced surface modification for making highly resolved structures |
CH664163A5 (de) * | 1985-03-01 | 1988-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum reaktiven aufdampfen von schichten aus oxiden, nitriden, oxynitriden und karbiden. |
US4839245A (en) * | 1985-09-30 | 1989-06-13 | Union Carbide Corporation | Zirconium nitride coated article and method for making same |
US4895765A (en) * | 1985-09-30 | 1990-01-23 | Union Carbide Corporation | Titanium nitride and zirconium nitride coating compositions, coated articles and methods of manufacture |
US4929322A (en) * | 1985-09-30 | 1990-05-29 | Union Carbide Corporation | Apparatus and process for arc vapor depositing a coating in an evacuated chamber |
DE3615361C2 (de) * | 1986-05-06 | 1994-09-01 | Santos Pereira Ribeiro Car Dos | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
EP0306612B2 (de) * | 1987-08-26 | 1996-02-28 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur Aufbringung von Schichten auf Substraten |
DE3832693A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Leybold Ag | Vorrichtung zum aufbringen dielektrischer oder metallischer werkstoffe |
DE58907191D1 (de) * | 1989-02-09 | 1994-04-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Zentrieren eines Elektronenstrahles. |
US5234560A (en) * | 1989-08-14 | 1993-08-10 | Hauzer Holdings Bv | Method and device for sputtering of films |
CH680369A5 (de) * | 1989-11-22 | 1992-08-14 | Balzers Hochvakuum | |
US5246787A (en) * | 1989-11-22 | 1993-09-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Tool or instrument with a wear-resistant hard coating for working or processing organic materials |
DE59008847D1 (de) * | 1989-11-22 | 1995-05-11 | Balzers Hochvakuum | Werkzeug oder Instrument mit einer verschleissresistenten Hartschicht zum Be- oder Verarbeiten von organischem Material. |
EP0430874A1 (de) * | 1989-11-22 | 1991-06-05 | Balzers Aktiengesellschaft | Gegenstand mit einer Dekorschicht |
EP0430873A3 (en) * | 1989-11-22 | 1991-11-06 | Balzers Aktiengesellschaft | Roller with a friction- and wear-reducing hard coating and process for producing the coating |
US5238546A (en) * | 1990-03-01 | 1993-08-24 | Balzers Aktiengesellschaft | Method and apparatus for vaporizing materials by plasma arc discharge |
US5250779A (en) * | 1990-11-05 | 1993-10-05 | Balzers Aktiengesellschaft | Method and apparatus for heating-up a substrate by means of a low voltage arc discharge and variable magnetic field |
DE4035131C2 (de) * | 1990-11-05 | 1995-09-21 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und Vorrichtung zum gleichmäßigen Erwärmen von Heizgut, insbes. von zu beschichtenden Substraten, in einer Vakuumkammer |
FR2670218B1 (fr) * | 1990-12-06 | 1993-02-05 | Innovatique Sa | Procede de traitement de metaux par depot de matiere, et pour la mise en óoeuvre dudit procede. |
CA2065581C (en) | 1991-04-22 | 2002-03-12 | Andal Corp. | Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition |
US5490910A (en) * | 1992-03-09 | 1996-02-13 | Tulip Memory Systems, Inc. | Circularly symmetric sputtering apparatus with hollow-cathode plasma devices |
CH687111A5 (de) * | 1992-05-26 | 1996-09-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens. |
US5346600A (en) * | 1992-08-14 | 1994-09-13 | Hughes Aircraft Company | Plasma-enhanced magnetron-sputtered deposition of materials |
DE69310493T2 (de) * | 1992-08-14 | 1997-12-18 | Hughes Aircraft Co | Oberflächepräparation und beschichtungs-methode für titannitrid auf gusseisen |
DE59403689D1 (de) * | 1993-03-16 | 1997-09-18 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Standzeiterhöhung von Werkzeugen und Verschleissschutz-beschichtetes Werkzeug |
US5457298A (en) * | 1993-07-27 | 1995-10-10 | Tulip Memory Systems, Inc. | Coldwall hollow-cathode plasma device for support of gas discharges |
DE4336680C2 (de) * | 1993-10-27 | 1998-05-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Elektronenstrahlverdampfen |
US5656091A (en) * | 1995-11-02 | 1997-08-12 | Vacuum Plating Technology Corporation | Electric arc vapor deposition apparatus and method |
DE19623701A1 (de) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Elektronenstrahlverdampfen |
DE19724996C1 (de) * | 1997-06-13 | 1998-09-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE19725930C2 (de) * | 1997-06-16 | 2002-07-18 | Eberhard Moll Gmbh Dr | Verfahren und Anlage zum Behandeln von Substraten mittels Ionen aus einer Niedervoltbogenentladung |
US6012830A (en) * | 1998-06-23 | 2000-01-11 | Valeo Sylvania L.L.C. | Light shield for a vehicle headlamp |
EP1186681B1 (de) | 2000-09-05 | 2010-03-31 | Oerlikon Trading AG, Trübbach | Vakuumanlage mit koppelbarem Werkstückträger |
US7033679B2 (en) * | 2001-01-25 | 2006-04-25 | Kyocera Optec Co., Ltd. | Metal film and metal film-coated member, metal oxide film and metal oxide film-coated member, thin film forming apparatus and thin film forming method for producing metal film and metal oxide film |
EP1870486A4 (de) * | 2005-03-31 | 2011-07-06 | Citizen Holdings Co Ltd | Goldener schmuckgegenstand und herstellungsverfahren dafür |
BRPI0811241B1 (pt) * | 2007-05-25 | 2019-06-25 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Instalação e método de tratamento a vácuo |
KR101039638B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-06-09 | 휴비트 주식회사 | 치열교정용 브래킷의 표면 코팅 방법 |
DE102017106985A1 (de) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Technische Hochschule Wildau (Fh) | Vorrichtung zur elektronenunterstützten Beschichtung von Substraten sowie ein entsprechendes Verfahren |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH551497A (de) * | 1971-10-06 | 1974-07-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | Anordnung zur zerstaeubung von stoffen mittels einer elektrischen niederspannungsentladung. |
FR2218652B1 (de) * | 1973-02-20 | 1976-09-10 | Thomson Csf | |
US3984581A (en) * | 1973-02-28 | 1976-10-05 | Carl Zeiss-Stiftung | Method for the production of anti-reflection coatings on optical elements made of transparent organic polymers |
CH610013A5 (de) * | 1975-11-19 | 1979-03-30 | Battelle Memorial Institute |
-
1977
- 1977-06-01 CH CH668877A patent/CH631743A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-07-08 NL NLAANVRAGE7707659,A patent/NL179660C/xx not_active IP Right Cessation
-
1978
- 1978-05-26 US US05/909,807 patent/US4197175A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-05-31 GB GB25962/78A patent/GB1589160A/en not_active Expired
- 1978-05-31 DE DE2823876A patent/DE2823876C2/de not_active Expired
- 1978-05-31 FR FR7816221A patent/FR2393079B1/fr not_active Expired
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3303291A1 (de) * | 1946-07-17 | 1984-08-02 | Vsesojuznyj naučno-issledovatel'skij instrumental'nyj institut, Moskva | Verfahren zur verfestigung von schneidwerkzeugen |
DE3039411A1 (de) * | 1979-12-06 | 1981-06-11 | Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden | Verfahren zum ueberziehen der oberflaeche eines elastischen koerpers mit einer zusammenhaengenden schicht |
US5084151A (en) * | 1985-11-26 | 1992-01-28 | Sorin Biomedica S.P.A. | Method and apparatus for forming prosthetic device having a biocompatible carbon film thereon |
DE4006457C1 (en) * | 1990-03-01 | 1991-02-07 | Balzers Ag, Balzers, Li | Appts. for vapour deposition of material under high vacuum - has incandescent cathode and electrode to maintain arc discharge |
DE4396720C1 (de) * | 1992-12-23 | 2003-07-17 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren und Anlage zur Schichtabscheidung und Verwendung der Anlage |
DE4409761A1 (de) * | 1994-03-22 | 1995-11-30 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Einrichtung zur plasmagestützten Verdampfung in einem Bogenentladungsplasma |
DE4409761B4 (de) * | 1994-03-22 | 2007-12-27 | Vtd Vakuumtechnik Dresden Gmbh | Einrichtung zur plasmagestützten Verdampfung in einem Bogenentladungsplasma |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2393079A1 (fr) | 1978-12-29 |
DE2823876A1 (de) | 1979-01-04 |
NL7707659A (nl) | 1978-12-05 |
FR2393079B1 (fr) | 1985-06-14 |
NL179660B (nl) | 1986-05-16 |
GB1589160A (en) | 1981-05-07 |
DE2823876C2 (de) | 1984-04-19 |
US4197175A (en) | 1980-04-08 |
NL179660C (nl) | 1986-10-16 |
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