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CH442247A - Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials und Verfahren zum Betrieb einer solchen Vorrichtung - Google Patents

Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials und Verfahren zum Betrieb einer solchen Vorrichtung

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Publication number
CH442247A
CH442247A CH1468961A CH1468961A CH442247A CH 442247 A CH442247 A CH 442247A CH 1468961 A CH1468961 A CH 1468961A CH 1468961 A CH1468961 A CH 1468961A CH 442247 A CH442247 A CH 442247A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
extraction
operating
semiconductor material
pure semiconductor
pure
Prior art date
Application number
CH1468961A
Other languages
English (en)
Inventor
Herbert Dr Sandmann
Rucha Ulrich
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH442247A publication Critical patent/CH442247A/de

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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    • C22B41/00—Obtaining germanium

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CH1468961A 1961-01-26 1961-12-19 Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials und Verfahren zum Betrieb einer solchen Vorrichtung CH442247A (de)

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DES72220A DE1223804B (de) 1961-01-26 1961-01-26 Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials, wie Silicium

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CH442247A true CH442247A (de) 1967-08-31

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CH1468961A CH442247A (de) 1961-01-26 1961-12-19 Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials und Verfahren zum Betrieb einer solchen Vorrichtung

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US (1) US3286685A (de)
BE (1) BE612393A (de)
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