[go: up one dir, main page]

CH414553A - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen mit zwei an den Enden des Körpers angreifenden Halterungen und einer den Körper mit Abstand umgebenden und die Schmelzzone erzeugenden Induktionsspule - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen mit zwei an den Enden des Körpers angreifenden Halterungen und einer den Körper mit Abstand umgebenden und die Schmelzzone erzeugenden Induktionsspule

Info

Publication number
CH414553A
CH414553A CH1115664A CH1115664A CH414553A CH 414553 A CH414553 A CH 414553A CH 1115664 A CH1115664 A CH 1115664A CH 1115664 A CH1115664 A CH 1115664A CH 414553 A CH414553 A CH 414553A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
melting
zone
crucible
generating
distance
Prior art date
Application number
CH1115664A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Emeis Reimer Dr Dipl-Phys
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH414553A publication Critical patent/CH414553A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/22—Furnaces without an endless core
    • H05B6/30—Arrangements for remelting or zone melting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
    • Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
CH1115664A 1964-02-08 1964-08-26 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen mit zwei an den Enden des Körpers angreifenden Halterungen und einer den Körper mit Abstand umgebenden und die Schmelzzone erzeugenden Induktionsspule CH414553A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES89439A DE1260439B (de) 1964-02-08 1964-02-08 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH414553A true CH414553A (de) 1966-06-15

Family

ID=7515113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1115664A CH414553A (de) 1964-02-08 1964-08-26 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen mit zwei an den Enden des Körpers angreifenden Halterungen und einer den Körper mit Abstand umgebenden und die Schmelzzone erzeugenden Induktionsspule

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3342970A (uk)
BE (1) BE659252A (uk)
CH (1) CH414553A (uk)
DE (1) DE1260439B (uk)
FR (1) FR1445481A (uk)
GB (1) GB1022427A (uk)
SE (1) SE302116B (uk)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3660062A (en) * 1968-02-29 1972-05-02 Siemens Ag Method for crucible-free floating zone melting a crystalline rod, especially of semi-crystalline material
US3935059A (en) * 1969-07-21 1976-01-27 U.S. Philips Corporation Method of producing single crystals of semiconductor material by floating-zone melting
DE2538854B2 (de) * 1975-09-01 1979-02-15 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Einwindige Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen
US4184135A (en) * 1978-04-10 1980-01-15 Monsanto Company Breakapart single turn RF induction apparatus
US4458127A (en) * 1981-05-26 1984-07-03 Park-Ohio Industries, Inc. Inductor for annealing work hardened portions of structural beams
DE3143146A1 (de) * 1981-10-30 1983-05-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Als flachspule ausgebildete induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE3226713A1 (de) * 1982-07-16 1984-01-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Als flachspule ausgebildete induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE3229461A1 (de) * 1982-08-06 1984-02-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines, insbesondere aus silicium bestehenden halbleiterstabes
US4549051A (en) * 1984-02-15 1985-10-22 Ness Richard A Induction heating device for nozzles of containers
JPS63291888A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体単結晶製造装置
DE3938937A1 (de) * 1989-11-24 1991-05-29 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur herstellung von siliciumstaeben mit hohem sauerstoffgehalt durch tiegelfreies zonenziehen, dadurch erhaeltliche siliciumstaebe und daraus hergestellte siliciumscheiben
DE112008003888B4 (de) * 2008-07-17 2014-11-20 Denki Kogyo Co. Ltd. Anordnung von Führungselementen für eine Hochfrequenzinduktionsspule

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL61586C (uk) * 1944-04-26
NL225733A (uk) * 1953-09-25 1900-01-01
NL133150C (uk) * 1959-12-23
US3100250A (en) * 1961-04-07 1963-08-06 Herczog Andrew Zone melting apparatus
FR1358425A (fr) * 1963-01-22 1964-04-17 Traitements Electrolytiques & Perfectionnement au chalumeau à plasma haute fréquence

Also Published As

Publication number Publication date
BE659252A (uk) 1965-08-04
GB1022427A (en) 1966-03-16
DE1260439B (de) 1968-02-08
US3342970A (en) 1967-09-19
SE302116B (uk) 1968-07-08
FR1445481A (fr) 1966-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT283853B (de) Vorrichtung zum Tiefziehen von röhrenförmigen metallischen Teilen und Werkstücken
CH414553A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen mit zwei an den Enden des Körpers angreifenden Halterungen und einer den Körper mit Abstand umgebenden und die Schmelzzone erzeugenden Induktionsspule
AT273818B (de) Verfahren zum Heißsiegeln überlappend angeordneter Endteile eines Gurtbandes und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CH429636A (de) Vorrichtung zum Verformen von metallischen Werkstücken
AT249898B (de) Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Schmelzen einer Metallmasse
AT325389B (de) Vorrichtung zum schliessen des endes eines rohrförmigen metallwerkstückes
AT312270B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Verschweißen von Hohlkörperteilen
AT265626B (de) Vorrichtung zum Schweißen von Kunststoffbahnen od.dgl.
CH475368A (de) Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Silizium auf einem Trägerkörper und Verfahren zum Herstellen dieser Vorrichtung
AT246539B (de) Vorrichtung zum Herstellen von metallischen Wärmeaustauschrohren mit einer schraubenförmig darauf aufgewickelten Drahtwendel
AT271158B (de) Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Herstellen von Feststoffdispersionen mit Hilfe einer Feinmahlkörpermühle
CH458882A (de) Vorrichtung zur Führung des Stanzstempels von Aushaumaschinen und dergleichen
FR1547839A (fr) Procédé et appareil pour former des joints collés entre des pièces métalliques,et articles obtenus par le procédé et avec l'appareil
CH449672A (de) Verfahren zum Erzeugen von Kälte mittels einer Kältemaschine und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
AT241753B (de) Vorrichtung zur Führung und Lagerung von energieführenden Leitungen od. dgl.
AT307348B (de) Vorrichtung zum gesteuerten Abkühlen von warmgewalztem Stahldraht
CH470226A (de) Schweissverfahren und Schweissfülldraht zur Ausführung desselben
BR6575808D0 (pt) Aperfeicoadas ligas a base de ferro de auto-fusao ou flux
AT280020B (de) Vorrichtung zur herstellung eines netzwerkes mit einander kreuzenden und verschweiszten faeden bzw. draehten
AT281568B (de) Vorrichtung zum Zuführen aufeinanderliegender Bahnen bzw. Flächen zum Säumen längs einer Linie vorgegebener Form
AT285453B (de) Vorrichtung zum Herstellen gefüllter Beutel od.dgl.
AT275265B (de) Vorrichtung zum Gewindeschneiden an Rohren od.dgl.
AT253902B (de) Vorrichtung zum Einstellen des Abstandes der Elektroden und gegebenenfalls Längsstabeinführungen von Gitterschweißmaschinen
AT269042B (de) Vorrichtung zum Verjüngen der Enden von Stäben aus Metall od.dgl.
AT253708B (de) Vorrichtung zum Umwenden und Verlagern des Gießtroges einer Rohrgießmaschine