CH385498A - Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Halbleitermaterialstabes - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen HalbleitermaterialstabesInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES63538A DE1080973B (de) | 1959-06-20 | 1959-06-20 | Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH385498A true CH385498A (de) | 1964-12-15 |
Family
ID=7496450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH647760A CH385498A (de) | 1959-06-20 | 1960-06-07 | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Halbleitermaterialstabes |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH385498A (fr) |
| DE (1) | DE1080973B (fr) |
| FR (1) | FR1245238A (fr) |
| GB (1) | GB915881A (fr) |
| NL (2) | NL246700A (fr) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1182207B (de) * | 1962-07-20 | 1964-11-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines versetzungsarmen Halbleitereinkristalls durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
| DE3322629A1 (de) * | 1983-06-23 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
-
0
- NL NL108941D patent/NL108941C/xx active
- NL NL246700D patent/NL246700A/xx unknown
-
1959
- 1959-06-20 DE DES63538A patent/DE1080973B/de active Pending
-
1960
- 1960-01-13 FR FR815565A patent/FR1245238A/fr not_active Expired
- 1960-03-24 GB GB1054660A patent/GB915881A/en not_active Expired
- 1960-06-07 CH CH647760A patent/CH385498A/de unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1245238A (fr) | 1960-11-04 |
| NL108941C (fr) | |
| DE1080973B (de) | 1960-05-05 |
| NL246700A (fr) | |
| GB915881A (en) | 1963-01-16 |
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