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CH169876A - Method for modulating magnetron tube emitters and tube emitters having the same characteristics as magnetron tubes, and device for implementing this method. - Google Patents

Method for modulating magnetron tube emitters and tube emitters having the same characteristics as magnetron tubes, and device for implementing this method.

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Publication number
CH169876A
CH169876A CH169876DA CH169876A CH 169876 A CH169876 A CH 169876A CH 169876D A CH169876D A CH 169876DA CH 169876 A CH169876 A CH 169876A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
magnetron
tube
sub
modulating
impedance
Prior art date
Application number
Other languages
French (fr)
Inventor
Compagnie Generale De Tele Fil
Original Assignee
Csf
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Filing date
Publication date
Application filed by Csf filed Critical Csf
Publication of CH169876A publication Critical patent/CH169876A/en

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Description

  

  Procédé de modulation des émetteurs à tubes magnétrons et des émetteurs à tubes  ayant les mêmes caractéristiques que les tubes magnétrons, et dispositif  pour la mise en     #uvre    de ce procédé.    La présente invention a pour objet un  procédé de modulation des     émetteurs    de     ra-          diocommunication    connus dans la technique  sous le nom d'émetteurs à.

       magnétrons    et celle       d'émetteurs    à tubes ayant les mêmes     earacL-          ristiques    que les tubes     magnétrons,    procédé       dans    lequel on soumet une plaque à une ten  sion correspondant     à,    l'impédance infinie du  tube qui la contient, et un -dispositif pour la  mise en     oeuvre    de ce procédé.  



  Le procédé est caractérisé en ce qu'on mo  dule la tension de plaque.  



  Le dispositif comprend un tube ayant les  caractéristiques d'un tube     magnétron    et dont  une plaque au moins est soumise à une ten  sion correspondant à son     impédance    infinie et  a son circuit oscillant couplé à, une antenne  émettrice.

   Il est caractérisé en ce que le cir  cuit de plaque du tube susdit est couplé à un  organe     modulateur.       Il est     .connu,    dans la technique des oscil  lations, qu'un     magnétron,    formé de     une    ou plu  sieurs anodes placées dans un récipient vidé  en     présence    d'une cathode     émettrice    d'élec  trons, peut donner naissance à des oscillations  dans un circuit lorsqu'il -est convenablement  placé dans un champ magnétique.  



  Ces oscillations peuvent couvrir un do  maine de fréquences extrêmement étendu.  L'invention est plus     particulièrement    appli  quée au cas des     ondas    dites courtes, mais elle  peut également s'appliquer à tout le domaine  des fréquences que     permettent    ces     oscilla-          tlons.     



  Le dessin ci-annexé     représente,    à titre  d'exemple, diverses formes d'exécution du       .dispositif    objet de l'invention appliqué à un  tube     magnétron.     



  La fi-. 1 représente schématiquement un       magnétron    monté pour engendrer des oscilla           tions    de très     haute    fréquence dans le circuit  3; il a été représenté avec deux plaques, mais       cette    condition n'est pas restrictive.

   Le     ma-          gnétron,    formé des anodes 1 et du filament  2, est placé dans un champ magnétique H; il  est monté pour     exciter    .des oscillations .dans  le circuit 3; il est excité par la     source    4 de  tension positive     Vp,    le courant que débite  cette source étant désigné par     Ip.    Le courant  oscillant, par exemple, en un ventre de cou  rant d'une antenne couplée au circuit 3 est  désigné par 14.  



  Les     fig.    2 et 3 représentent les     variations     de     Ip    et de     I'    avec     Vp.        Le    champ magnéti  que H étant maintenu constant, supposons  que la tension     Vp    soit progressivement aug  mentée à partir -de zéro.

   Pour une certaine va  leur de     Vp,        Ip        augmente    légèrement, puis;  brusquement, dans un domaine     -de        tension        très     réduit, croît jusqu'à la valeur     maximum    de  l'émission électronique du filament, connue  sous le nom -de courant     -de    saturation     Is;    le  courant anodique reste ensuite invariable lors  que     Vp    augmente.

   Le courant oscillant IA  prend naissance lorsque     Ip    commence à  croître, augmente brusquement avec lui, passe  par un maximum étendu -et décroît enfin  lorsque     Vp    augmente, la     chute    du courant  étant plus     lente    et plus progressive que son  apparition lorsque     Vp    croît.  



  La     fig.    3 représente les mêmes caractéris  tiques, prises pour des valeurs croissantes du  champ     magnétique   <I>H,</I>     IIi,    112,<I>Ils,</I>     H4,    carac  téristiques tracées en négligeant     l'hystérésie     possible du dispositif qui produit le champ  magnétique H.  



  Tous les oscillateurs à magnétron pos  sèdent des     .caractéristiques    analogues, les ,dif  férences étant uniquement des différences -de  degré, en particulier dans la pente .des ré  gions m,     n    :et -dans le degré d'aplatissement  du maximum de IA. On a trouvé qu'il est, en  tous cas, possible de construire -des oscilla  teurs,     c'est-à-dire    des tubes et leurs circuits,  de telle sorte que la région<I>M N</I> -de la carac  téristique IA corresponde à un courant de  plaque constant.

      Par exemple, sur un oscillateur équipé  pour produire -des ondes de 87 centimètres,  avec un champ magnétique -de 600 gauss,     Ip     passe brusquement -de 4 à 35     inillianihères     (valeur du     .courant    -de saturation) de<B>360</B><I>à</I>  365 volts -et     reste    constant lorsque     Vp    croît  jusqu'à la     limite    permise par la lampe; le  courant IA croît brusquement à partir -de  360 volts, pour atteindre son maximum à  380 volts (les     '/1o    du     maximum    étant déjà       atteints    pour 370 volts);

   le maximum se  maintient jusqu'à 415 volts, puis IA baisse  graduellement     jusqu'à    s'annuler pour     ,460     volts. La région     11I   <I>N</I> est donc largement com  prise dans le :domaine où     Ip    est constant.-.  



  L'utilisation de cette propriété permet  une modulation     particulièrement    économique,  puisque l'impédance de l'oscillateur varie avec       Vp.    Il en résulte immédiatement. que l'on       pourra    moduler sur l'oscillateur en agissant  sur     Vp    sans qu'il y ait besoin de fournir -de  l'énergie supplémentaire pour la modulation.  <B>Il</B> est bien connu en soi .de moduler un os  cillateur à lampes classiques telles que les  lampes à. plusieurs     électrodes,    par le montage  -dit "en contrôle d'anode", mais cette modula  tion     nécessite    une     puissance    considérable, le  plus souvent fournie par une ou plusieurs  lampes dites modulatrices.

   Ces lampes .doi  vent, -de toute nécessité, être des     lampes        puis-          santes    et     robustes,    .devant pouvoir fournir la  puissance     nécessaire    lors de la modulation et  la dissiper .en pure perte lorsque le poste n'est  pas modulé.  



  On reconnaîtra     immédiatement    que la     ino-          dulation    -du     magnétron    par modulation .de V p  suivant la région -de caractéristique à impé  dance infinie, supprime ces inconvénients.  puisque cette modulation n'exige qu'une puis  sance très faible devant celle qui est appli  quée à l'oscillateur. Les procédés les plus  simples sont illustrés par     ,les    dispositifs des       fig.    4 et 5.  



  A la     fig.    4, la tension plaque du magné  tron, réglée sans modulation à la vapeur Vo       (fig.    2) est modulée par un petit transforma  teur T, dont le     rapport    de transformation est  assez élevé pour être attaqué     directement    par      le microphone ou par le dispositif modula  teur, la seule condition à réaliser étant que le  transformateur ne soit pas saturé, ou près de  l'être, par le courant constant de l'oscillateur.  Cette     fig.    4 représente un émetteur à ondes  courtes (80     em    par exemple).  



  A la     fig.    5, .la tension plaque -du     magné-          tron    et, par là, le courant oscillant, sont mo  dulés par une lampe modulatrice L, associée  à une impédance Z. Il suffit de prendre pour  lampe modulatrice une petite lampe, telle  qu'une lampe     -de    réception -de très faible puis  sance, dont, seul, le coefficient d'amplifica  tion importe. Il sera. en particulier très avan  tageux d'utiliser une lampe de réception con  nue dans la technique sous le nom de "lampe  à grille-écran", dont le coefficient d'amplifi  cation est élevé,     ce    qui permettra d'attaquer  sa grille par des tensions de modulation ou  de manipulation     extrêmement    faibles.

   Cette  manipulation ou modulation est si économique  qu'on a. pu moduler un oscillateur de vingt  watts et plus par une lampe à grille-écran de  réception normale ou par une petite lampe de       réception    à grand facteur d'amplification.  



  L'impédance Z pourra être une impédance       quelecnque.    Il est     toutefois    à remarquer que,  si cette impédance, est formée d'une résistance  pure, on     aboutit    à un résultat nouveau. La  modulation du magnétron qu'on réalise en  utilisant la région d'impédance infinie est,  en effet, dans ce cas, en phase avec la tension  modulatrice appliquée sur la grille de la  lampe L, ainsi     qu'iî    ressort immédiatement  de l'examen de la     fig.    2, alors que la, modula  tion d'un oscillateur classique est en opposi  tion de     phase    avec la tension excitatrice de  l'électrode de commande de la lampe modula  trice.  



  Comme il a été déjà dit, la modulation  peut s'appliquer à tout oscillateur de mêmes       caractéristiques.    Mais, de plus, dans le cas des       magnétrons,    il apparaît également     que    le       proc4dé    de modulation décrit peut être appli  qué en combinaison avec la modulation par  le champ magnétique, sans aucun montage  supplémentaire, dès que cette dernière est réa  lisée.

   La modulation par le champ ma.gnéti-    que est bien mains avantageuse que la. modu  lation qui a été décrite précédemment: en  effet, elle fait intervenir des courants     magné-          tisants    relativement     intenses    si on emploie  des bobines sans fer et, dans le cas con  traire, les phénomènes     d'hystérésis    des  électro-aimants sont gênants, ce qui conduit  à utiliser des noyaux spéciaux que l'on doit  -d'ailleurs feuilleter pour ne pas consommer  en pure perte de     l'énergie        @de    modulation.  



  On peut cependant être amené à. moduler  aussi par le champ magnétique et,     dans    ce cas,  le rendement .de cette modulation est grande  ment augmenté par la modulation de la tension  de plaque: si, en effet, suivant le schéma :de  la.     fig.    6, E représente le dispositif qui produit  le champ modulé, modulant     l'oscillateur    0,  ce dernier possède une     certaine    impédance et  la tension modulée qui en     résulte    pourra être  utilisée     sur    les plaques du magnétron, par ap  plication -de la modulation à impédance infi  nie     décrite    dans. la première partie de la pré  sente description.

   La     présence    -du     magnétron     ne changera rien à la modulation du champ,  puisque son impédance est infinie. Le montage  sera naturellement réalisé au mieux lorsque  les deux effets combinés seront en phase. Le       fonctionnement    en sera mieux compris en se  reportant â la     fib.    7 qui reproduit trois     carac-          téristiques    extrêmes, analogues à celles de la       fig.    3; la modulation par champ donnant la  caractéristique de modulation C     1),    la modula  tion combinée permettra la modulation A B,  les deux effets étant en phase.

   Le montage  implique .évidemment un sens commun d'ap  plication des deux modulations, faute de quoi  on aurait au contraire atténuation -de la mo  dulation (E,     F),        ce    qui peut d'ailleurs être  aussi utilisé pour stabiliser les - fluctuations  d'émission dues à une cause quelconque.  



  La     fig.    8 se rapporte à un mode d'applica  tion particulièrement simple de la modula  tion combinée.  



  La     tension    modulatrice est appliquée à la  grille d'une     lampe        L    qui     est    montée, comme       '-'indique    la figure, avec une impédance Z re  liée au     magnétron    et une bobine M qui four  nira le champ modulateur     h,    sous l'action du      courant de la lampe L, soit directement, .soit  par     ,l'intermédiaire    d'un transformateur. On  peut choisir la nature et le sens du montage  de telle sorte que les effets soient en phase       (modulation):    cela sera, par exemple, le cas  si Z est une résistance pure.  



  Par :contre, le     principe,de    la. combinaison  peut être employé à stabiliser les oscillations  ou à empêcher une modulation parasite en  se servant     @de    la cause de la modulation ou  de l'instabilité pour moduler en opposition  de phase par la plaque et par le champ ma  gnétique, puisqu'il     suffit,de    renverser le sens  de l'effet -de     -celui-ci.    La     fig.    9 représente, par  exemple, l'atténuation de la modulation qui  serait due     à,des    variations du champ magné  tique, représentées schématiquement comme  dues à une source alternative e.

   Le transfor  mateur T couple le circuit du .magnétron à  celui du .champ magnétique; suivant le pro  cédé de modulation     @à    impédance infinie, ce  transformateur ne délivre aucune puissance  durant la modulation, il sera choisi et bran  ché, de sorte que son effet s'oppose à celui de  la modulation -du champ H.  



  Un procédé -commode de réalisation     d'un     oscillateur à magnétrons consiste à employer  pour produire le champ magnétique, un  électro-aimant. On peut donc se servir du  circuit magnétique même -de cet électro  aimant pour réaliser les dispositifs ou     impé-          dances    nécessaires, le circuit étant adapté  dans ce but.  



  C'est ainsi     (fig.    10) que l'impédance né  cessaire à la modulation     ci-,dessus    décrite et  représentée en Z à la     fig.    5 sera constituée par  la self d'un bobinage enroulé sur l'électro  aimant; il en sera de même -de la bobine     la    qui  sert à la modulation combinée     (fig.    8); -on  peut également réaliser le transformateur T  en se servant du circuit de l'électro-aimant       (fig.    4).

   Dans le -cas de la     fig.    5, on pourra  toujours, si on le désire, choisir le     bobinage     pour que l'effet de la modulation :du     -champ     magnétique, dû au courant de la lampe L,  soit     négligeable.    A cet effet, on s'arrangera  pour que le     courant    de la lampe soit     néOi-          geabledevant    le courant fourni par la     source       -du     -champ;    le bobinage devra donc être établi,  pour un nombre déterminé d'ampères-tours,  en diminuant le nombre de spires et en aug  mentant le courant autant que possible.

   Dans  le cas -de la modulation combinée de la     fig.    8,  la bobine h pourra servir au contraire à la  fois pour la modulation par le champ et pour  la modulation par l'anode, l'impédance Z  étant alors supprimée.  



  Il ne faut pas que; par suite de l'effet du  transformateur constitué par     l'enroulement    de       l'électro-aimant    et l'enroulement supplémen  taire, l'effet de self-induction ou     -de.    variation  du champ magnétique soient considérable  ment réduits. Le bobinage supplémentaire  doit .donc être placé en un point où les fuites  magnétiques soient     suffisantes.    Le magné  tron<B>AI</B> exigeant un domaine de champ assez  étendu, les pièces polaires -de l'électro-aimant  ont un diamètre important, ainsi qu'il est re  présenté à la     fig.    10.

   Le bobinage supplémen  taire     13    est, dans     ce    cas, logé dans deux -ca  vités des pièces polaires, ou porté par celles-ci.



  Method for modulating magnetron tube emitters and tube emitters having the same characteristics as magnetron tubes, and device for carrying out this process. The present invention relates to a method of modulating radio transmitters known in the art under the name of transmitters.

       magnetrons and that of tube emitters having the same characteristics as magnetron tubes, a process in which a plate is subjected to a voltage corresponding to the infinite impedance of the tube which contains it, and a device for setting it up. implementation of this process.



  The method is characterized in that the plate tension is modulated.



  The device comprises a tube having the characteristics of a magnetron tube and of which at least one plate is subjected to a voltage corresponding to its infinite impedance and to its oscillating circuit coupled to a transmitting antenna.

   It is characterized in that the plate circuit of the aforesaid tube is coupled to a modulator member. It is known, in the technique of oscillations, that a magnetron, formed of one or more anodes placed in an emptied container in the presence of an electron-emitting cathode, can give rise to oscillations in a circuit. when properly placed in a magnetic field.



  These oscillations can cover an extremely wide range of frequencies. The invention is more particularly applied to the case of so-called short waves, but it can also be applied to the entire range of frequencies that these oscillations allow.



  The accompanying drawing shows, by way of example, various embodiments of the device which is the subject of the invention applied to a magnetron tube.



  The fi-. 1 schematically represents a magnetron mounted to generate very high frequency oscillations in circuit 3; he was represented with two plates, but this condition is not restrictive.

   The magnetron, formed of the anodes 1 and of the filament 2, is placed in a magnetic field H; it is mounted to excite .des oscillations .in circuit 3; it is excited by the source 4 of positive voltage Vp, the current delivered by this source being designated by Ip. The oscillating current, for example, in a current belly of an antenna coupled to circuit 3 is designated by 14.



  Figs. 2 and 3 represent the variations of Ip and I 'with Vp. With the magnetic field H being kept constant, suppose that the voltage Vp is gradually increased from zero.

   For a certain value of Vp, Ip increases slightly, then; suddenly, in a very small voltage range, increases up to the maximum value of the electronic emission of the filament, known by the name of saturation current Is; the anode current then remains invariable when Vp increases.

   The oscillating current IA originates when Ip begins to increase, increases sharply with it, passes through an extended maximum - and finally decreases when Vp increases, the fall of the current being slower and more gradual than its appearance when Vp increases.



  Fig. 3 represents the same characteristics, taken for increasing values of the magnetic field <I> H, </I> IIi, 112, <I> Ils, </I> H4, characteristics traced by neglecting the possible hysteresis of the device which produces the magnetic field H.



  All magnetron oscillators have similar characteristics, the differences being only degree differences, particularly in the slope of the m, n: regions, and in the degree of flattening of the maximum of IA. It has been found that it is, in any case, possible to construct - oscillators, that is to say tubes and their circuits, so that the <I> MN </I> region - of the characteristic IA corresponds to a constant plate current.

      For example, on an oscillator equipped to produce -waves of 87 centimeters, with a magnetic field -of 600 gauss, Ip suddenly passes -from 4 to 35 inillianihères (value of the .current -of saturation) of <B> 360 </ B> <I> at </I> 365 volts - and remains constant when Vp increases up to the limit allowed by the lamp; the current IA increases suddenly from 360 volts, reaching its maximum at 380 volts (the '/ 1o of the maximum having already been reached for 370 volts);

   the maximum is maintained up to 415 volts, then IA gradually decreases until it is canceled at. 460 volts. The region 11I <I> N </I> is therefore widely included in the domain where Ip is constant.-.



  The use of this property allows a particularly economical modulation, since the impedance of the oscillator varies with Vp. This immediately results. that we can modulate on the oscillator by acting on Vp without there being any need to provide additional energy for the modulation. <B> It </B> is well known per se. To modulate a cillator bone with conventional lamps such as lamps. several electrodes, by the "anode control" assembly, but this modulation requires considerable power, most often supplied by one or more lamps known as modulators.

   These lamps .doi vent, -of all necessity, to be powerful and robust lamps,. Having to be able to supply the power required during modulation and to dissipate it in pure loss when the station is not modulated.



  It will immediately be recognized that inodulating the magnetron by modulating V p along the infinite impedance characteristic region overcomes these drawbacks. since this modulation requires only a very weak power compared to that which is applied to the oscillator. The simplest methods are illustrated by the devices of FIGS. 4 and 5.



  In fig. 4, the plate voltage of the magneton, adjusted without steam modulation Vo (fig. 2) is modulated by a small transformer T, the transformation ratio of which is high enough to be driven directly by the microphone or by the modulating device. tor, the only condition to be fulfilled being that the transformer is not saturated, or close to being saturated, by the constant current of the oscillator. This fig. 4 represents a short wave transmitter (80 em for example).



  In fig. 5, the plate voltage of the magnetron and, hence, the oscillating current, are modulated by a modulating lamp L, associated with an impedance Z. It suffices to take for modulating lamp a small lamp, such as a very low power reception lamp, the amplification coefficient of which alone matters. He will be. in particular very advantageous to use a receiving lamp known in the art under the name of "screen-grid lamp", the amplification coefficient of which is high, which will make it possible to attack its gate by voltages extremely low modulation or manipulation.

   This manipulation or modulation is so economical that we have. could modulate an oscillator of twenty watts or more by a normal receiving grid-screen lamp or by a small receiving lamp with a large amplification factor.



  The Z impedance can be any impedance. It should be noted, however, that if this impedance is formed from a pure resistance, a new result is obtained. The modulation of the magnetron which is achieved by using the region of infinite impedance is, in fact, in this case, in phase with the modulating voltage applied to the gate of the lamp L, as is immediately apparent from the examination. of fig. 2, while the modulation of a conventional oscillator is in phase opposition with the exciting voltage of the control electrode of the modulating lamp.



  As has already been said, modulation can be applied to any oscillator with the same characteristics. But, moreover, in the case of magnetrons, it also appears that the described modulation process can be applied in combination with the modulation by the magnetic field, without any additional assembly, as soon as the latter is carried out.

   The modulation by the magnetic field is much more advantageous than the. modulation which was described previously: in fact, it involves relatively intense magnetizing currents if coils without iron are used and, in the contrary case, the hysteresis phenomena of the electromagnets are troublesome, which leads to the use of special cores which must be leafed through so as not to consume the modulation energy in pure loss.



  One can however be brought to. also modulate by the magnetic field and, in this case, the efficiency of this modulation is greatly increased by the modulation of the plate voltage: if, in fact, according to the diagram: of the. fig. 6, E represents the device which produces the modulated field, modulating oscillator 0, the latter has a certain impedance and the resulting modulated voltage can be used on the plates of the magnetron, by application of low impedance modulation. denies described in. the first part of the present description.

   The presence of the magnetron will not change the modulation of the field, since its impedance is infinite. The editing will naturally be best done when the two combined effects are in phase. The operation will be best understood by referring to fib. 7 which reproduces three extreme characteristics, similar to those of FIG. 3; the field modulation giving the modulation characteristic C 1), the combined modulation will allow the modulation A B, the two effects being in phase.

   The assembly obviously implies a common sense of application of the two modulations, otherwise we would have on the contrary an attenuation of the modulation (E, F), which can moreover also be used to stabilize the fluctuations d 'emission due to any cause.



  Fig. 8 relates to a particularly simple mode of application of the combined modulation.



  The modulating voltage is applied to the gate of a lamp L which is mounted, as' -'indicated in the figure, with an impedance Z re linked to the magnetron and a coil M which will supply the modulating field h, under the action of the current of the lamp L, either directly, .or by, the intermediary of a transformer. You can choose the nature and direction of the assembly so that the effects are in phase (modulation): this will be the case, for example, if Z is a pure resistance.



  On the other hand, the principle of the. combination can be used to stabilize oscillations or to prevent parasitic modulation by using the cause of the modulation or instability to modulate in phase opposition by the plate and by the magnetic field, since it suffices, to reverse the sense of the effect of it. Fig. 9 represents, for example, the attenuation of the modulation which would be due to variations in the magnetic field, represented schematically as due to an e AC source.

   The transformer T couples the circuit of the magnetron to that of the magnetic field; according to the modulation process @ at infinite impedance, this transformer does not deliver any power during the modulation, it will be chosen and connected, so that its effect is opposed to that of the modulation of the H field.



  A convenient method of making a magnetron oscillator is to use an electromagnet to generate the magnetic field. It is therefore possible to make use of the magnetic circuit itself - of this electromagnet to produce the necessary devices or impedances, the circuit being adapted for this purpose.



  It is thus (fig. 10) that the impedance necessary for the modulation above, described above and represented in Z in fig. 5 will be formed by the choke of a coil wound on the electromagnet; the same will apply to the coil 1a which is used for the combined modulation (fig. 8); - we can also make the transformer T by using the circuit of the electromagnet (fig. 4).

   In the case of fig. 5, it is always possible, if desired, to choose the winding so that the effect of the modulation: of the magnetic field, due to the current of the lamp L, is negligible. For this purpose, we will arrange so that the current of the lamp is negative in front of the current supplied by the source -of -field; the winding must therefore be established, for a determined number of ampere-turns, by reducing the number of turns and by increasing the current as much as possible.

   In the case of the combined modulation of FIG. 8, the coil h can, on the contrary, be used both for modulation by the field and for modulation by the anode, the impedance Z then being removed.



  You do not have to; as a result of the effect of the transformer constituted by the winding of the electromagnet and the additional winding, the effect of self-induction or -de. variation of the magnetic field are considerably reduced. The additional winding must therefore be placed at a point where there is sufficient magnetic leakage. As the magneton <B> AI </B> requires a fairly large field range, the pole pieces of the electromagnet have a large diameter, as shown in fig. 10.

   The additional winding 13 is, in this case, housed in two -ca vities of the pole pieces, or carried by them.

 

Claims (1)

REVENDICATIONS I Procédé de modulation des émetteurs à tubes magnétrons et ,des émetteurs à tubes ayant les mêmes caractéristiques que les tubes magnétrons, dans lequel on soumet une plaque à une tension correspondant à l'impédance infinie du tube, caractérisé eu ce qu'on module la. tension .de plaque. CLAIMS I Method for modulating emitters with magnetron tubes and, emitters with tubes having the same characteristics as magnetron tubes, in which a plate is subjected to a voltage corresponding to the infinite impedance of the tube, characterized in that one modulates the. plate tension. II Dispositif pour la mise en aeuvre,du pro cédé selon la revendication I, comprenant un tube ayant les caractéristiques d'un tube magnétron et dont une plaque au moins est soumise à une tension corres pondant à son impédance infinie et a son circuit oscillant couplé à une antenne émettrice, caractérisé en ce que le circuit -de plaque,du tube susdit est couplé à un organe modulateur. SOUS-REVENDICATIONS 1 Dispositif selon la revendication II, carac térisé en ce que la tension modulatrice est appliquée par l'intermédiaire d'un trans- formateur dont le secondaire est intercalé dans le circuit anodique. II Device for the implementation of the process according to claim I, comprising a tube having the characteristics of a magnetron tube and of which at least one plate is subjected to a voltage corresponding to its infinite impedance and to its oscillating circuit coupled to a transmitting antenna, characterized in that the plate circuit of the aforesaid tube is coupled to a modulator member. SUB-CLAIMS 1 Device according to claim II, charac terized in that the modulating voltage is applied via a transformer, the secondary of which is interposed in the anode circuit. Dispositif selon la revendication II, carac térisé en -ce que la tension modulatrice est appliquée par l'intermédiaire d'un tube thermionique dont la sortie est connec tée à une impédance intercalée dans le cir cuit de plaque,du magnétron. 3 Dispositif selon la sous-revendication 2, caractérisé en ce que ladite impédance est telle que la tension modulatrice soit en phase avec la modulation du magnétron. Device according to Claim II, characterized in that the modulating voltage is applied via a thermionic tube, the output of which is connected to an impedance interposed in the circuit of the plate of the magnetron. 3 Device according to sub-claim 2, characterized in that said impedance is such that the modulating voltage is in phase with the modulation of the magnetron. 4 Dispositif selon la sous-revendication 2, caractérisé en ce que ledit tube thermioni- que est un tube à grille-écran. 5 Dispositif .selon la sous-revendication 3, caractérisé en ce que ladite impédance est constituée par une résistance ohmique. 6 Dispositif selon la revendication II, ca- caractérisé par des moyens pour moduler en outre le champ magnétique du magné- tron. 7 Dispositif selon la sous-revendication <B>6, 4 Device according to sub-claim 2, characterized in that said thermionic tube is a screen grid tube. 5 Device. According to sub-claim 3, characterized in that said impedance is constituted by an ohmic resistance. 6 Device according to claim II, characterized by means for further modulating the magnetic field of the magnetron. 7 Device according to sub-claim <B> 6, </B> caractérisé en ce que les deux modulations ont lieu en phase, en vue -d'obtenir leur addition. 9 Dispositif selon la. sous-revendication 6, caractérisé en ce que les deux modulations ont lieu en opposition en vue d'atténuer les effets -de l'une par l'autre. 9 Dispositif selon la sous-revendication 7, caractérisé en ce que l'enroulement de la source du champ magnétique est intercalé dans le circuit -de sortie du tube modula teur. </B> characterized in that the two modulations take place in phase, with a view to obtaining their addition. 9 Device according to. Sub-claim 6, characterized in that the two modulations take place in opposition with a view to attenuating the effects of one by the other. 9 Device according to sub-claim 7, characterized in that the winding of the source of the magnetic field is interposed in the output circuit of the modulator tube. 10 Dispositif -selon la sous-revendication 6, caractérisé en ce que le circuit -de pla que du magnétron est couplé avec le cir cuit de l'enroulement de la source -du champ par l'intermédiaire d'un transfor mateur. 11 Dispositif selon la sous-revendication 6, caractérisé en ce que le champ magnéti que est produit par un électro-aimant dont les pièces polaires out un -diamètre impor tant et supportent -différents bobinages supplémentaires. 10 Device -according to sub-claim 6, characterized in that the circuit -de pla that magnetron is coupled with the cir cuit of the winding of the source -du field by means of a transformer. 11 Device according to sub-claim 6, characterized in that the magnetic field is produced by an electromagnet whose pole pieces out a -diameter important and support -different additional windings.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE748785C (en) * 1936-01-29 1944-11-09 Magnetron arrangement
DE754631C (en) * 1936-04-18 1952-12-15 Lorenz C Ag Ultra-short wave reception method with a magnetic field tube

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