[go: up one dir, main page]

BE1007868A3 - Elektrische weerstand. - Google Patents

Elektrische weerstand. Download PDF

Info

Publication number
BE1007868A3
BE1007868A3 BE9301372A BE9301372A BE1007868A3 BE 1007868 A3 BE1007868 A3 BE 1007868A3 BE 9301372 A BE9301372 A BE 9301372A BE 9301372 A BE9301372 A BE 9301372A BE 1007868 A3 BE1007868 A3 BE 1007868A3
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
resistance
track
value
tcr
parts
Prior art date
Application number
BE9301372A
Other languages
English (en)
Inventor
Den Broek Jan J Van
Anton A Heger
Original Assignee
Koninkl Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninkl Philips Electronics Nv filed Critical Koninkl Philips Electronics Nv
Priority to BE9301372A priority Critical patent/BE1007868A3/nl
Priority to DE69409614T priority patent/DE69409614T2/de
Priority to EP94203520A priority patent/EP0657898B1/en
Priority to JP6304902A priority patent/JPH07201529A/ja
Priority to US08/353,040 priority patent/US6097276A/en
Application granted granted Critical
Publication of BE1007868A3 publication Critical patent/BE1007868A3/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/232Adjusting the temperature coefficient; Adjusting value of resistance by adjusting temperature coefficient of resistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/06Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

Een werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische precisie weerstand wordt beschreven. De weerstand omvat een substraat dat voorzien is van twee aansluitingen, die onderling via een weerstandsbaan elektrisch verbonden zijn, waarbij de weerstandsbaan een eerste baandeel met een positieve TCR-waarde alsmede een tweede baandeel met een negatieve TCR-waarde bevat. De werkwijze heeft als kenmerk, dat het weerstandsmateriaal van beide baandelen zodanig gekozen wordt, dat de weerstandswaarden en de absolute TCR-waarden van beide baandelen van vergelijkbare grootte zijn, en dat beide baandelen getrimd worden waardoor de weerstand een gewenste weerstandswaarde en TCR-waarde verkrijgt. Bij voorkeur worden voor de baandelen weerstandsmaterialen toegepast, die uit een legering bestaat van nagenoeg dezelfde samenstelling op basis van CuNi of van NiCrAl. De werkwijze verschaft de mogelijkheid om met grote nauwkeurigheid en reproduceerbaarheid precisie weerstanden te vervaardigen in massapoduktie.

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Elektrische weerstand. 



   De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische weerstand, omvattende een substraat dat voorzien is van twee aansluitingen, die onderling via een weerstandsbaan elektrisch verbonden zijn, waarbij de weerstandsbaan een eerste baandeel met een positieve TCR-waarde alsmede een tweede baandeel met een negatieve TCR-waarde bevat. 



   Weerstanden van het bovengenoemde type worden aangeduid als'precisie weerstanden'. Ze dienen een nauwkeurig in te stellen en goed te reproduceren weerstandswaarde te hebben De TCR-waarde van zo'n precisie weerstand dient eveneens nauwkeurig instelbaar en goed reproduceerbaar te zijn. De afwijking van de weerstandswaarde dient bij voorkeur kleiner te zijn dan 0. 1%, terwijl de afwijking van de beoogde TCR-waarde bij voorkeur kleiner dient te zijn dan 1   ppm/ C.   Onder de TCR van een weerstand wordt verstaan de relatieve verandering van de weerstandswaarde als functie van de temperatuur. De waarde van de TCR wordt gewoonlijk aangegeven in   ppm/ C.   In het algemeen wordt emaar gestreefd om precisieweerstanden te vervaardigen waarvan de TCR-waarde nagenoeg gelijk aan nul 
 EMI1.1 
 is. 



   Het vervaardigen van een weerstand van het in de aanhef genoemde type is op zich bekend. Zo wordt bij voorbeeld in het amerikaanse octrooischrift US 4. 907. 341 de vervaardiging van een samengestelde weerstand met deze opbouw beschreven. In dit geval zijn de weerstandsbanen van de afzonderlijke weerstanden samengesteld uit een eerste baandeel dat aangegeven wordt als'trimdeel' (adjustable portion) en een tweede baandeel dat aangegeven wordt als'weerstandsdeel' (resistance portion). Het trimdeel bestaat uit een elektrisch goed geleidend materiaal met een relatief grote, positieve TCR-waarde. Het weerstandsdeel bestaat uit een gebruikelijk weerstandsmateriaal met een relatief kleine, negatieve TCR-waarde.

   In een typerend uitvoeringsvoorbeeld van dit octrooi wordt NiCr met een TCR-waarde in het gebied van 

 <Desc/Clms Page number 2> 

   - 30   tot 0   ppm/ C   als materiaal voor het weerstandsdeel toegepast terwijl Ni met een TCR-waarde van +5000   ppm/ C   wordt gebruikt als materiaal voor het trimdeel. De weerstandswaarden van beide baandelen verschillen een factor 1000. 



   De weerstandswaarde en de TCR-waarde worden bij de vervaardiging van het bekende type elektrische weerstanden als volgt ingesteld. Eerst wordt de elektrische weerstand van de afzonderlijke weerstanden op de gewenste waarde gebracht door het etsen van het eerste baandeel van weerstandsmateriaal. Door bewerking - ook wel genoemd'trimmen'-van het tweede baandeel van het geleidend materiaal wordt vervolgens de TCR-waarde van de afzonderlijke weerstanden verlaagd tot een waarde in de buurt van 0   ppm/ C.   



   Aan de vervaardiging van de bekende weerstand kleven verschillende nadelen. Zo is in de praktijk gebleken dat de TCR-waarde van de ongetrimde weerstanden als gevolg van kleine veranderingen in de samenstelling van het weerstandsmateriaal tamelijk sterk kan variëren. Gebleken is dat hierdoor bij massaproduktie een belangrijk deel van deze weerstanden reeds een positieve TCRwaarde bezitten voordat ze aan het uiteindelijke trimproces kunnen worden onderworpen. Onder deze omstandigheden kan de TCR-waarde van deze weerstanden niet meer verkleind worden tot een waarde in de buurt van nul. Immers, trimmen van het trimdeel leidt tot een verdere vergroting van de (positieve) TCR-waarde. Dit nadeel leidt ertoe dat een aanzienlijk deel van de vervaardigde weerstanden als uitval moet worden beschouwd.

   Bovendien verandert de nauwkeurig ingestelde weerstandswaarde bij het instellen van de TCR-waarde. 



   De uitvinding heeft als doel de bovengenoemde nadelen op te heffen. 



  Meer in het bijzonder beoogt de uitvinding een werkwijze voor het vervaardigen van weerstanden te verschaffen, waarbij de TCR-waarde bij het trim-proces zowel kan worden vergroot als verkleind. 



   Deze en andere doelstellingen van de uitvinding worden bereikt met een werkwijze voor het vervaardigen van een weerstand van het in de aanhef genoemde type, die volgens de uitvinding het kenmerk heeft, dat het weerstandsmateriaal van beide baandelen zodanig gekozen wordt, dat de weerstandswaarden en de absolute TCRwaarden van beide baandelen van vergelijkbare grootte zijn, en dat beide baandelen 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 getrimd worden waardoor de weerstand een gewenste weerstandswaarde en TCR-waarde verkrijgt. 



   Bij de vervaardiging van de weerstand volgens de uitvinding wordt zowel het eerste als het tweede baandeel als trimdeel gebruikt. Hierdoor is het mogelijk om de TCR-waarde van de weerstand zowel te verkleinen als te vergroten, door het trimproces in het baandeel met positieve, respectievelijk negatieve TCR-waarde uit te voeren. Bij het trim-proces volgens de inventieve werkwijze worden de TCR-waarde en de weerstandswaarde van de weerstand gelijktijdig aangepast. Met deze maatregel is het uitvalprobleem dat bij het vervaardigen van de bekende weerstand aanwezig was, volkomen opgelost. Met de inventieve werkwijze is het bovendien in principe mogelijk om en de weerstandswaarde en de TCR-waarde van de weerstand in een enkele trimstap te veranderen tot een gewenste waarde.

   De keuze van weerstandsmaterialen voor beide baandelen met weerstandswaarde en TCR-waarden van vergelijkbare grootte heeft nog een ander belangrijk voordeel. Door deze maatregel kunnen de weerstandswaarde en de TCR-waarde van de totale weerstandsbaan bij de weerstand nauwkeuriger ingesteld worden dan bij de bekende weerstand. 



   Opgemerkt wordt dat onder de   uitdrukkingen'weerstandswaarden   van vergelijkbare grootte'en'TCR-waarden van vergelijkbare grootte'wordt verstaan dat de weerstandswaarden en de (absolute) TCR-waarden van beide baandelen onderling niet meer dan maximaal een factor 10 verschillen. Bij grotere verschillen blijkt het aanzienlijk moeilijker te zijn om de weerstandswaarde en TCR-waarde van de weerstand met de gewenste nauwkeurigheid in te stellen. De genoemde waarden zijn bij voorkeur kleiner dan een factor 5. De instelnauwkeurigheid is optimaal indien de genoemde waarden minder dan een factor 2 uit elkaar liggen. 



   Bij het vervaardigen van de weerstand volgens de uitvinding kunnen verschillende typen substraten toegepast worden, zoals bijvoorbeeld cilindervormige substraten. Bij voorkeur echter worden vlakke substraten toegepast, waarbij de elektrische aansluitingen aan twee tegenover elkaar liggende uiteinden van de substraten zijn aangebracht. Dergelijke weerstanden kunnen met behulp van een soldeerproces als draadloze ofwel SMD-weerstand op een zogenaamde gedrukte bedrading of printed circuit board (PCB) worden bevestigd. De inventieve werkwijze kan echter eveneens toegepast worden bij bedrade componenten. Als substraatmateriaal komen in principe alle elektrisch isolerende materialen in aanmerking. Bij voorkeur worden echter 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 substraten van een gesinterd anorganisch materiaal toegepast, waarvan in het bijzonder aluminiumoxide zeer geschikt is gebleken. 



   De elektrische aansluitingen en de baandelen van de weerstandslaag kunnen op gebruikelijke wijze met behulp van opdamp-of sputtertechnieken in combinatie met lithografische methoden op de substraten worden opgebracht. Als materiaal van de aansluitingen komen elektrisch goed geleidend metalen in aanmerking. 



  In dit opzicht zijn met name Cu en Au zeer geschikt gebleken. Deze metallische aansluitingen kunnen in een verdere bewerking, zoals door middel van galvaniseren, verdikt worden. 



   De baandelen in een weerstand volgens de uitvinding kunnen verschillende configuraties vertonen. Zo is het mogelijk om de baandelen zodanig naast elkaar op het substraat aan te brengen, dat beiden aan twee overliggende uiteinden elektrisch contact maakt met de twee aansluitingen. Het instellen van de uiteindelijke weerstand-en TCRwaarde moet bij deze uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding via een iteratief proces plaatsvinden, waarbij de weerstand-en TCR-waarde van de totale weerstandsbaan gelijktijdig worden gevolgd. 



   Volgens een alternatieve uitvoeringsvorm liggen de baandelen niet naast elkaar, maar in elkaars verlengde. Hierbij maakt een weerstandslaag elektrisch contact met beide aansluitingen, terwijl een tweede weerstandslaag contact maakt met een van de aansluitingen, en zieh over een bepaalde lengte geheel op of onder het eerste weerstandslaag uitstrekt. Bij deze uitvoeringsvorm bestaat het eerste baandeel uit een enkele weerstandslaag en het tweede baandeel uit een dubbele weerstandslaag. 



   Een voorkeursuitvoering van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat   een   van de aansluitingen elektrisch verbonden is met uitsluitend een van de baandelen, en dat de andere aansluiting elektrisch verbonden is met uitsluitend het andere baandeel, en dat beide baandelen onderling elektrisch verbonden zijn via een derde aansluiting. In deze configuratie van de inventieve weerstand liggen beide baandelen niet naast elkaar, maar in elkaars verlengde. Opgemerkt wordt dat een ook bij deze uitvoeringsvorm geldt dat een baandeel samengesteld kan zijn uit twee of meer lagen. Baandelen bestaande uit een enkele laag hebben echter de voorkeur. 



   De genoemde voorkeursuitvoering heeft als belangrijk voordeel, dat door 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 
 EMI5.1 
 de aanwezigheid van een derde aansluiting de weerstandswaarde en de TCR van de baandelen bij het trimmen van de weerstand zowel afzonderlijk als in serie gemeten kunnen worden. Door deze waarden bij tenminste twee verschillende temperaturen te meten, kan met behulp van een eenvoudige (computer) bepaald worden in welke mate beide baandelen getrimd moet worden. Hierdoor kan aan de weerstand in een enkele geautomatiseerde trimbewerking de gewenste weerstand-en TCR-waarde gegeven worden. 



  Als materiaal voor de baandelen komen verschillende weerstandslegeringen in aanmerking. Een in dit opzicht gunstige uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft als kenmerk, dat het weerstandsmateriaal van beide baandelen uit een legering bestaat van nagenoeg dezelfde samenstelling op basis van CuNi of van NiCrAl. Deze legeringen bestaan uit dezelfde chemische elementen maar hebben een iets verschillende samenstelling. De elementen die deel uitmaken van de legeringen voor beide baandelen verschillen hierbij minder dan 25 at. %. De keuze van dergelijke legeringen heeft verschillende belangrijke voordelen. Doordat beide legeringen slechts weinig verschillen in samenstelling is de hechting van beide sublagen op een bepaald substraat van vergelijkbare sterkte. Verder geldt dat de weerstandswaarde van beide legeringen ook vrijwel hetzelfde is.

   Kleine verschillen in samenstelling voor bepaalde typen CuNi-en kunnen er echter wel toe leiden dat de ene legering een positieve TCR-waarde heeft en de andere legering een negatieve TCR-waarde. De genoemde legeringen bevatten eventueel nog kleine hoeveelheden aan andere elementen. 



  Opgemerkt wordt dat het eveneens mogelijk is om voor beide baandelen hetzelfde weerstandsmateriaal toe te passen. Bij specifieke materiaalkeuzen is het mogelijk gebleken om de baandelen een TCR-waarde van vergelijkbare grootte maar van tegengesteld teken te geven, door de op het substraat aangebrachte baandelen bij verschillende temperaturen een warmtebehandeling te geven. In de praktijk wordt dit gedaan door een eerste baandeel op het substraat aan te brengen, het substraat met het baandeel een eerste warmtebehandeling te geven, daarna het tweede baandeel op het substraat aan te brengen en tenslotte het substraat met beide baandelen een tweede warmtebehandeling te geven. Deze tweede warmtebehandeling vindt plaats bij een veel lagere temperatuur dan de eerste warmtebehandeling.

   Dergelijke warmtebehandelingen bemvloeden de weerstandswaarde niet noemenswaardig, zodat deze waarde voor beide 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 baandelen nagenoeg identiek is. 



   Een nog andere uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft als kenmerk, dat als weerstandsmateriaal van beide baandelen CuNi is toegepast, en dat zieh tussen het substraat en de baandelen een hechtlaag op basis van TiW of NiCr (Al) is aangebracht. De dikte van deze laag is bij voorkeur minder dan 100 nanometer. De aanwezigheid van deze hechtlaag leidt hierbij tot een zeer goede hechting van de weerstandsbaan aan het substraat. 



   De uitvinding wordt nader toegelicht aan de hand van uitvoeringsvoorbeelden en de tekening, waarin
Figuur 1 schematisch een aantal stappen toont uit een werkwijze voor het vervaardigen van de weerstand volgens de uitvinding
Figuur 2 een eerste uitvoeringsvorm toont van een weerstand vervaardigd volgens de werkwijze van de uitvinding
Figuur 3 een voorkeursuitvoeringsvorm toont van een weerstand vervaardigd volgens de werkwijze van de uitvinding
Figuur 4 een andere voorkeursuitvoeringsvorm toont van een weerstand vervaardigd volgens de werkwijze van de uitvinding
Figuur 5 een   grafiek   toont van de weerstand (R) als functie van de temperatuur (T) van een weerstand vervaardigd volgens de werkwijze van de uitvinding
Opgemerkt wordt dat de (onderdelen van de) weerstanden in de tekening niet op schaal zijn afgebeeld. 



   De vervaardiging van weerstanden volgens de werkwijze van de uitvinding wordt beschreven aan de hand van Figuur 1. Hierbij wordt uitgegaan van een vlakke substraatplaat 1 van gesinterd aluminiumoxide met afmetingen van 110 x 80 x 0. 5 mm3, zoals in bovenaanzicht getoond in Figuur 1-A. Deze substraatplaat is aan de onderzijde voorzien van een eerste aantal parallelle, V-vormige breukgroeven 2 (de staafgroeven) en van een tweede aantal parallelle, V-vormige breukgroeven 3 (de chipgroeven). De chipgroeven en de staafgroeven hebben een diepte van ongeveer 0. 1 mm en staan nagenoeg loodrecht op elkaar. Voor de duidelijkheid zijn in de Figuur 

 <Desc/Clms Page number 7> 

 slechts enkele groeven met stippellijnen aangegeven. 



   Zoals nader getoond in Figuur 1-D worden op de bovenzijde van de substraatplaat allereerst met behulp van lithografische technieken de baandelen 5 en 6 in afzonderlijke stappen aangebracht. Als weerstandsmateriaal voor de twee deelbanen worden legeringen met nagenoeg dezelfde samenstelling op basis van CuNi toegepast, te weten   CuNi   (laagdikte 110 nm) en CU68Ni32 (laagdikte 100 nm). De weerstandswaarde van deze legeringen is vrijwel hetzelfde. De ene legering heeft echter een positieve TCR-waarde, terwijl de TCR-waarde van de andere legering negatief is. 



  Vervolgens worden eerste en tweede aansluitingen 4 van gesputterd Cu aangebracht, met een dikte van 5 micrometer. De aansluitingen worden eveneens met lithografische technieken aangebracht. De substraatplaat wordt vervolgens aan een temperatuurbehandeling bij   350 C   blootgesteld ter stabilisatie van verschillende eigenschappen van de weerstanden. 



   Daarna wordt in de plaatfase bij twee verschillende temperaturen de Rwaarde bepaald van de individuele weerstanden in wording. Uit de resultaten van deze metingen wordt de TCR-waarde van elk van de weerstanden berekend. Vervolgens wordt via een iteratief trimproces de beoogde weerstandswaarde en de beoogde TCRwaarde van elk van de weerstanden ingesteld. Bij dit trimproces ontstaan trimsporen 7 en 8 in de deelbanen 5 en 6. 



   Na het trimproces, dat bij voorkeur met behulp van een laser wordt uitgevoerd, wordt de substraatplaat op de breukgroeven 2 gebroken tot staven 9, zoals schematisch getoond in Figuur 1-B. Op de   breukvlakken   10 van de staven wordt hierna elektroless een Ni-laag afgezet, die vervolgens galvanisch verdikt wordt. Desgewenst wordt op deze Ni-laag nog een soldeerlaag aangebracht. Hiermee zijn de eindcontacten gevormd. Deze staan in elektrisch contact met de aansluitingen 4. Tenslotte worden de staven langs de breukgroeven 3 gebroken tot de individuele weerstanden 11, zoals schematisch getoond in Figuur 1-C. Uit het genoemde substraat kunnen in totaal circa
1800 weerstanden met afmetingen van 1. 5 x 3. 0 x 0. 5 mm worden verkregen. 



   Opgemerkt wordt dat de weerstand desgewenst voorzien kan worden van een hechtlaag, die zich tussen het substraat en de weerstandsbaan bevindt. Deze hechtlaag dient op het substraat aangebracht te worden voordat de baandelen worden aangebracht. In het bovengenoemde   uitvoeringsvoorbeeld   werd hiervoor een 30 nm dikke laag van een legering, die voornamelijk Ti en W bevat (TiW). Eventueel 

 <Desc/Clms Page number 8> 

 
 EMI8.1 
 noodzakelijke derde aansluitingen worden gelijktijdig met de andere aansluitingen op het substraat gesputterd. Het is tevens mogelijk om de weerstanden na het trimproces te voorzien van een beschermlaag, bijvoorbeeld van lak. 



  In de Figuren 2, 3 en 4 worden verschillende uitvoeringen getoond van weerstanden vervaardigd met de werkwijze volgens de huidige uitvinding. Hierbij wordt met name aandacht geschonken aan de verschillende configuraties van de eerste en de tweede baandeel. Weerstanden met deze configuraties kunnen vervaardigd worden met behulp van de bovenbeschreven werkwijze, door wijzigingen in de lay-out van de bij de lithografische stappen gebruikte maskers. 



  In Figuur 2 is in aanzicht een weerstand 21 weergegeven, die een substraat 22 van aluminiumoxide bevat, dat op een hoofdoppervlak voorzien is van twee aansluitingen 23 en 24, alsmede van een weerstandsbaan. De weerstandsbaan is samengesteld uit twee baandelen 25 en 26, die naast elkaar op het substraat zijn aangebracht, zodanig dat beide baandelen elektrisch contact maken met de aansluitingen 23 en 24. Het weerstandsmateriaal van baandelen 25 en 26 bestaat uit een legering op basis van NiCrAl. Baandeel bevat 33. at. % Ni, 55. at. % Cr en 11. at. % AI. 



  Baandeel bevat 30. at. % Ni, 60 at. % Cr en 10. at. % AI. Deze samenstellingen komen overeen met een vierkantsweerstand van 50. en 58. ohm/D (baandeel De TCR-waarden van deze samenstellingen bedragen-33 ppm/ C (baandeel en +45 ppm/ C (baandeel Deze waarden werden verkregen nadat de weerstand gedurende 1 uur aan een temperatuurbehandeling bij 350 C was blootgesteld. Door iteratief trimmen van de baandelen kon de TCR van de totale weerstandsbaan op 0. gebracht worden. Bij dit trimproces ontstonden trimsporen 29 en 30. 



  Figuur 3-A toont in aanzicht een alternatieve uitvoeringsvorm van de weerstand, die volgens de werkwijze van de uitvinding wordt vervaardigd. In de Figuren 3-B en 3-C wordt een dwarsdoorsnede van twee van deze uitvoeringsvorm getoond langs lijn A--A uit Figuur 3-A. im Bij de in Figuur 3-B getoonde weerstand lopen de baandelen 25 en 26 niet van aansluiting 23 naar aansluiting 24, maar liggen ze in elkaars verlengde. Baandeel bestaat uit een enkele laag van CugoNi een vierkantsweerstandwaarde van 5, ohm en een TCR-waarde van-80 is opgebouwd uit een dubbellaag, bestaande uit een onderlaag 27 en een bovenlaag 28. De onderlaag 27 

 <Desc/Clms Page number 9> 

 bestaat uit hetzelfde weerstandsmateriaal als baandeel 25. De bovenlaag heeft de samenstelling   CrgoNioAlo met   een vierkantsweerstandswaarde van 10. 1 ohm.

   Na een temperatuurbehandeling bij relatief hoge temperatuur bedroeg de TCR-waarde van deze laag 400   ppm/ C.   De vierkantsweerstand van heel baandeel 26 bedraagt 12. 2 ohm. De TCR-waarde van deze samengestelde laag is +82   ppm/ C.   In het afsluitende trimproces kon de TCR-waarde van de weerstandsbaan op een waarde kleiner dan 1   ppm/ C   worden gebracht.   Hierbij   ontstonden trimsporen 29 en 30, zoals getoond in Figuur 3-A. 



   Figuur 3-C toont in dwarsdoorsnede een andere uitvoeringsvorm van de weerstand die in Figuur 3-A in aanzicht is getoond. Bij deze bijzondere uitvoeringsvorm worden baandelen 25 en 26 toegepast, die uit een enkele laag bestaan en die elkaar gedeeltelijk overlappen. Als weerstandsmateriaal wordt voor beide baandelen de legering   CrNiAln   toegepast. Dit weerstandsmateriaal heeft een vierkantsweerstandwaarde van 138, 3 ohm. De TCR-waarde van baandeel 25 bedraagt +80   ppm/ C.   De TCR-waarde van   baandeel 26 bedraagt-55 ppm/ C.   Het verschil in TCR-waarden werd verkregen door baandeel 25 aan een extra temperatuurbehandeling bij   460 C   te onderwerpen, voordat baandeel 26 op het substraat was aangebracht.

   In het afsluitende trimproces kon de TCR-waarde van de weerstandsbaan op een waarde kleiner dan 1   ppm/ C   worden gebracht. Hierbij ontstonden trimsporen 29 en 30, zoals getoond in Figuur 3-A. 



   Figuur 4 toont een voorkeursuitvoeringsvorm van de weerstand vervaardigd volgens werkwijze van de uitvinding. In Figuur 4-B wordt een dwarsdoorsnede van de in Figuur 4-A in aanzicht getoonde weerstand weergegeven. Bij deze uitvoeringsvorm zijn beide aansluitingen 33 en 34 elektrisch verbonden met slechts een van de twee baandelen 35 en 36. De baandelen zijn onderling elektrisch verbonden met een derde aansluiting 37. Bij deze configuratie liggen de baandelen min of meer in elkaars verlengde. Vanwege de aanwezigheid van de derde aansluiting is het bij deze weerstand mogelijk om gelijktijdig de weerstand-en de TCR-waarde van beide deelbanen te meten.

   Hierdoor is het mogelijk om met behulp van een enkele meting, uitgevoerd bij twee verschillende temperaturen, een trim-procedure te berekenen zodanig dat na het uitvoeren hiervan de weerstand een gewenste weerstand-en TCRwaarde vertoont. 



   Het weerstandsmateriaal voor beide baandelen is gebaseerd op CuNi. 



  Voor baan 35 wordt CU64Ni36 gebruikt, met een TCR-waarde   van-32 ppm/ C   en een 

 <Desc/Clms Page number 10> 

 weerstand van 34. 36 ohm. Voor baan 36 wordt   Cu-yoNio   gebruikt, met een TCRwaarde van +52 ppm/ C en een weerstand van 31. 40 ohm. De weerstand van de gehele weerstandsbaan blijkt 65. 76 ohm te zijn. De TCR-waarde van de weerstand bedraagt 8 ppm/ C. Met laag 38 is een hechtlaag van TiW aangegeven, die zorgdraagt voor een goede hechting tussen de weerstandsbaan en het substraat. 



   Figuur 5 toont een grafiek waarin de verandering van de weerstand R (genormeerd) als functie van de temperatuur T   ( C)   is weergegeven van de in Figuur 4 getoonde weerstand. De lijnen a en b corresponderen met het verloop van de weerstandswaarde van de deelbanen 35 en 36   vÎÎr   het trimproces. Lijn c geeft het verloop van de weerstandswaarde aan van de gehele weerstandsbaan voor het trimproces. Zoals boven is vermeld bedraagt de TCR van de ongetrimde weerstand 8 ppm/ C. Na een eerste trimbehandeling van baan 36 bedraagt de TCR   1. 5 ppm/ C   (lijn c). De TCR-waarde na een tweede trimbehandeling is kleiner dan 1 ppm/ C (lijn d).

Claims (4)

  1. CONCLUSIES : 1. Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische weerstand, omvattende een substraat dat voorzien is van twee aansluitingen, die onderling via een weerstandsbaan elektrisch verbonden zijn, waarbij de weerstandsbaan een eerste baandeel met een positieve TCR-waarde alsmede een tweede baandeel met een negatieve TCR-waarde bevat, met het kenmerk, dat het weerstandsmateriaal van beide baandelen zodanig gekozen wordt, dat de weerstandswaarden en de absolute TCR-waarden van beide baandelen van vergelijkbare grootte zijn, en dat beide baandelen getrimd worden waardoor de weerstand een gewenste weerstandswaarde en TCR-waarde verkrijgt.
  2. 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een van de aansluitingen elektrisch verbonden is met uitsluitend een van de baandelen, en dat de andere aansluiting elektrisch verbonden is met uitsluitend het andere baandeel, en dat beide baandelen onderling elektrisch verbonden zijn via een derde aansluiting.
  3. 3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het weerstandsmateriaal van beide baandelen uit een legering bestaat van nagenoeg dezelfde samenstelling op basis van CuNi of van NiCrAl.
  4. 4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat als weerstandsmateriaal van beide baandelen CuNi is toegepast, en dat zich tussen het substraat en de baandelen een hechtlaag op basis van TiW of NiCr (Al) bevindt.
BE9301372A 1993-12-10 1993-12-10 Elektrische weerstand. BE1007868A3 (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE9301372A BE1007868A3 (nl) 1993-12-10 1993-12-10 Elektrische weerstand.
DE69409614T DE69409614T2 (de) 1993-12-10 1994-12-05 Elektrischer Widerstand
EP94203520A EP0657898B1 (en) 1993-12-10 1994-12-05 Electrical resistor
JP6304902A JPH07201529A (ja) 1993-12-10 1994-12-08 抵抗器
US08/353,040 US6097276A (en) 1993-12-10 1994-12-09 Electric resistor having positive and negative TCR portions

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE9301372A BE1007868A3 (nl) 1993-12-10 1993-12-10 Elektrische weerstand.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE1007868A3 true BE1007868A3 (nl) 1995-11-07

Family

ID=3887630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE9301372A BE1007868A3 (nl) 1993-12-10 1993-12-10 Elektrische weerstand.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6097276A (nl)
EP (1) EP0657898B1 (nl)
JP (1) JPH07201529A (nl)
BE (1) BE1007868A3 (nl)
DE (1) DE69409614T2 (nl)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW340976B (en) * 1997-02-26 1998-09-21 Philips Electronics Nv Thick film chip resistor and its manufacture
DE19731900A1 (de) * 1997-07-24 1999-02-11 Heraeus Electro Nite Int Leitfähige Schicht mit veränderlichem elektrischen Widerstand, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung
EP1197737B1 (en) * 1999-07-09 2006-01-04 NOK Corporation Strain gauge
US6700473B2 (en) * 2000-02-14 2004-03-02 Kulite Semiconductor Products, Inc. Pressure transducer employing on-chip resistor compensation
US6229428B1 (en) * 2000-05-30 2001-05-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microcircuit resistor stack
EP1261241A1 (en) * 2001-05-17 2002-11-27 Shipley Co. L.L.C. Resistor and printed wiring board embedding those resistor
AU2002325723A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-24 Microbridge Technologies Inc. Method for trimming resistors
US6518873B1 (en) * 2001-09-13 2003-02-11 Bourns, Inc. Variable resistive element
US6621404B1 (en) * 2001-10-23 2003-09-16 Lsi Logic Corporation Low temperature coefficient resistor
US7012499B2 (en) * 2003-06-02 2006-03-14 International Business Machines Corporation Method of fabrication of thin film resistor with 0 TCR
US7042232B1 (en) * 2003-12-18 2006-05-09 Lecroy Corporation Cable and substrate compensating custom resistor
US7714694B2 (en) * 2004-09-21 2010-05-11 Microbridge Technologies Canada, Inc. Compensating for linear and non-linear trimming-induced shift of temperature coefficient of resistance
CA2581284A1 (en) * 2004-09-21 2006-03-30 Microbridge Technologies Inc. Compensating for trimming-induced shift of temperature coefficient of resistance
GB2419505A (en) * 2004-10-23 2006-04-26 2D Heat Ltd Adjusting the resistance of an electric heating element by DC pulsing a flame sprayed metal/metal oxide matrix
US7253074B2 (en) * 2004-11-05 2007-08-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Temperature-compensated resistor and fabrication method therefor
US7217981B2 (en) * 2005-01-06 2007-05-15 International Business Machines Corporation Tunable temperature coefficient of resistance resistors and method of fabricating same
KR100699833B1 (ko) * 2005-01-22 2007-03-27 삼성전자주식회사 균일한 저항값을 가진 저항소자 및 이를 이용한 반도체 소자
EP2002453A1 (en) * 2006-03-23 2008-12-17 Microbridge Technologies Inc. Compensating for linear and non-linear trimming-induced shift of temperature coefficient of resistance
US8098127B2 (en) * 2007-06-07 2012-01-17 Its Electronics Inc. Resistor for microwave applications
IT1392556B1 (it) 2008-12-18 2012-03-09 St Microelectronics Rousset Struttura di resistore di materiale a cambiamento di fase e relativo metodo di calibratura
KR20170061185A (ko) 2009-09-04 2017-06-02 비쉐이 데일 일렉트로닉스, 엘엘씨 저항 온도 계수 보상을 갖춘 저항기
IT1402165B1 (it) 2010-06-30 2013-08-28 St Microelectronics Srl Resistore ad elevata precisione e relativo metodo di calibratura
US8665059B2 (en) * 2011-11-18 2014-03-04 Avx Corporation High frequency resistor
US8723637B2 (en) 2012-04-10 2014-05-13 Analog Devices, Inc. Method for altering electrical and thermal properties of resistive materials
ITTO20120553A1 (it) 2012-06-22 2013-12-23 St Microelectronics Srl Dispositivo a resistore calibrabile elettricamente e relativo metodo di calibrazione
KR101630035B1 (ko) * 2014-04-25 2016-06-13 삼성전기주식회사 모바일 기기용 저항 조립체 및 그 제조 방법
KR101973420B1 (ko) * 2014-10-06 2019-04-29 삼성전기주식회사 다단자 전자부품, 그 제조방법 및 다단자 전자부품의 실장 기판
GB2531522B (en) * 2014-10-20 2018-05-09 Bae Systems Plc Strain sensing in composite materials
KR20160052283A (ko) * 2014-11-04 2016-05-12 삼성전기주식회사 저항 소자, 그 제조방법 및 저항 소자의 실장 기판
KR101670140B1 (ko) * 2014-12-15 2016-10-27 삼성전기주식회사 저항 소자, 그 제조방법 및 저항 소자의 실장 기판
US10707110B2 (en) 2015-11-23 2020-07-07 Lam Research Corporation Matched TCR joule heater designs for electrostatic chucks
KR101771817B1 (ko) 2015-12-18 2017-08-25 삼성전기주식회사 칩 저항기
KR20180047411A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 삼성전기주식회사 저항 소자 및 저항 소자 어셈블리
KR101994751B1 (ko) * 2016-11-04 2019-07-01 삼성전기주식회사 칩 저항기
KR20180093461A (ko) 2017-02-13 2018-08-22 삼성전기주식회사 저항 소자, 그 제조방법 및 저항 소자 어셈블리
US10242774B2 (en) * 2017-04-27 2019-03-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chip resistance element and chip resistance element assembly
KR101883119B1 (ko) 2017-12-26 2018-07-27 삼성전기주식회사 저항 소자
CN108417643A (zh) * 2018-03-29 2018-08-17 成都海威华芯科技有限公司 一种温度补偿薄膜电阻及其制作方法
CN108666057B (zh) * 2018-04-03 2024-04-30 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式电阻器及其制备方法
CN109727738B (zh) 2018-12-28 2022-01-04 肇庆鼎晟电子科技有限公司 一种耐高温双面异质复合电极热敏芯片
CN109659104B (zh) * 2018-12-28 2021-06-08 广东爱晟电子科技有限公司 一种高可靠双面异质复合电极热敏芯片
DE102020101070B4 (de) * 2020-01-17 2025-01-30 Wieland & Munich Electrification Gmbh Messschaltung mit einer Widerstandsordnung sowie Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Werkstoffverbundes für die Widerstandsanordnung
CN111489873B (zh) * 2020-04-17 2021-11-09 西安神电电器有限公司 直流输电工程用电阻器及组合、系统与阻值偏差消除方法
IL305976A (en) 2020-08-20 2023-11-01 Vishay Dale Electronics Llc Resistors, current sensing resistors, battery transitions, transition resistors, and flattening for their production
DE112021005034B4 (de) * 2020-11-02 2025-02-13 Rohm Co., Ltd. Chip-Widerstand

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2201553A (en) * 1987-02-27 1988-09-01 Fluke Mfg Co John Manufacture of a compound resistor
JPS63273347A (ja) * 1987-05-01 1988-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 抵抗器
US4907341A (en) * 1987-02-27 1990-03-13 John Fluke Mfg. Co., Inc. Compound resistor manufacturing method
JPH02284401A (ja) * 1989-04-25 1990-11-21 Toyota Autom Loom Works Ltd 抵抗器
JPH03173101A (ja) * 1989-11-30 1991-07-26 Fuji Elelctrochem Co Ltd 薄膜抵抗体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2050703A (en) * 1934-06-09 1936-08-11 Bell Telephone Labor Inc Transmission system regulation
US3577209A (en) * 1969-02-28 1971-05-04 Robertshaw Controls Co Electric ignition system
US4079349A (en) * 1976-09-29 1978-03-14 Corning Glass Works Low TCR resistor
US4104607A (en) * 1977-03-14 1978-08-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Zero temperature coefficient of resistance bi-film resistor
FR2485796A1 (fr) * 1980-06-24 1981-12-31 Thomson Csf Resistance electrique chauffante et tete d'imprimante thermique comportant de telles resistances chauffantes
US4791276A (en) * 1982-04-16 1988-12-13 Raychem Corporation Elongate electrical assemblies
US4746896A (en) * 1986-05-08 1988-05-24 North American Philips Corp. Layered film resistor with high resistance and high stability
IL89384A (en) * 1989-02-22 1993-01-31 Alexander Drabkin High-precision, high-stability resistor elements
US5088329A (en) * 1990-05-07 1992-02-18 Sahagen Armen N Piezoresistive pressure transducer
JPH0653417A (ja) * 1992-05-19 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> 抵抗器回路およびそれを形成する方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2201553A (en) * 1987-02-27 1988-09-01 Fluke Mfg Co John Manufacture of a compound resistor
US4907341A (en) * 1987-02-27 1990-03-13 John Fluke Mfg. Co., Inc. Compound resistor manufacturing method
JPS63273347A (ja) * 1987-05-01 1988-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 抵抗器
JPH02284401A (ja) * 1989-04-25 1990-11-21 Toyota Autom Loom Works Ltd 抵抗器
JPH03173101A (ja) * 1989-11-30 1991-07-26 Fuji Elelctrochem Co Ltd 薄膜抵抗体

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 13, no. 99 (E - 724) 8 March 1989 (1989-03-08) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 15, no. 417 (E - 1125) 23 October 1991 (1991-10-23) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 15, no. 54 (E - 1031) 8 February 1991 (1991-02-08) *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0657898A1 (en) 1995-06-14
EP0657898B1 (en) 1998-04-15
DE69409614D1 (de) 1998-05-20
DE69409614T2 (de) 1998-11-05
JPH07201529A (ja) 1995-08-04
US6097276A (en) 2000-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE1007868A3 (nl) Elektrische weerstand.
US20030062984A1 (en) Thin film thermistor and method of adjusting reisistance of the same
CA2028043C (en) Chip form of surface mounted electrical resistance and its manufacturing method
EP3371563B1 (de) Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements
EP0018013B1 (de) Dehnungsmessstreifen - Brückenschaltung
NL8500433A (nl) Chipweerstand en werkwijze voor de vervaardiging ervan.
US10980122B2 (en) Thin film resistor having surface mounted trimming bridges for incrementally tuning resistance
JP6504579B2 (ja) 抵抗素子、その製造方法、並びに抵抗素子アセンブリー
DE19753642A1 (de) Elektrischer Widerstand mit wenigstens zwei Anschlußkontaktfeldern auf einem Keramik-Substrat sowie Verfahren zu dessen Herstellung
WO1998047157A1 (fr) Resistance et procede de fabrication de cette derniere
US4910492A (en) Electric laminar resistor and method of making same
US20020036334A1 (en) Passive component
JP2001044001A (ja) 薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法
EP4498053A1 (de) Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements
JP3309010B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2002270402A (ja) チップ抵抗器
US7423513B2 (en) Circuit board having resistor and method for manufacturing the circuit board
US9113546B2 (en) Method for manufacturing electric film body
GB2142776A (en) Strain sensor
JP2006019323A (ja) 抵抗組成物、チップ抵抗器及びその製造方法
JP2002057010A (ja) 抵抗器の製造方法および抵抗器
JP3029216B2 (ja) セラミック配線基板のトリミング方法
JP3288241B2 (ja) 抵抗材料および抵抗材料薄膜
JPS62276801A (ja) 混成集積回路装置
JP3333267B2 (ja) 白金温度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
RE Patent lapsed

Owner name: PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Effective date: 19951231