ATE469199T1 - Verfahren zur charakterisierung von defekten auf silizium-oberflächen, ätzlösung für silizium- oberflächen und verfahren zur behandlung von silizium-oberflächen mit der ätzlösung - Google Patents
Verfahren zur charakterisierung von defekten auf silizium-oberflächen, ätzlösung für silizium- oberflächen und verfahren zur behandlung von silizium-oberflächen mit der ätzlösungInfo
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
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- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0095—Semiconductive materials
Landscapes
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Weting (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP06291711A EP1918985B1 (de) | 2006-10-31 | 2006-10-31 | Verfahren zur Charakterisierung von Defekten auf Silizium-Oberflächen, Ätzlösung für Silizium-Oberflächen und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Oberflächen mit der Ätzlösung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATE469199T1 true ATE469199T1 (de) | 2010-06-15 |
Family
ID=38055662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT06291711T ATE469199T1 (de) | 2006-10-31 | 2006-10-31 | Verfahren zur charakterisierung von defekten auf silizium-oberflächen, ätzlösung für silizium- oberflächen und verfahren zur behandlung von silizium-oberflächen mit der ätzlösung |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7579309B2 (de) |
| EP (1) | EP1918985B1 (de) |
| JP (1) | JP4762967B2 (de) |
| KR (1) | KR100939808B1 (de) |
| CN (1) | CN101173359B (de) |
| AT (1) | ATE469199T1 (de) |
| DE (1) | DE602006014551D1 (de) |
| SG (1) | SG142223A1 (de) |
| TW (1) | TW200819519A (de) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5017709B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-09-05 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコンウェーハのエッチング方法および半導体シリコンウェーハの製造方法 |
| EP1926132A1 (de) * | 2006-11-23 | 2008-05-28 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Chromfreie Ätzlösung für Si-Substrate und SiGe-substrate, Verfahren zum Präparieren von Defekten diese Ätzlösung verwendend und Verfahren zum Behnadeln von Si-Substraten und SiGe-Substraten |
| WO2009022692A1 (ja) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Shiro Amano | マイボーム腺観察装置 |
| KR20120036939A (ko) * | 2009-06-04 | 2012-04-18 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 2성분 에칭 |
| JP5304477B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2013-10-02 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法 |
| WO2012057132A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 和光純薬工業株式会社 | シリコン基板の製造方法 |
| CN102364697B (zh) * | 2011-06-30 | 2013-07-24 | 常州天合光能有限公司 | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 |
| FR2974120A1 (fr) * | 2011-11-04 | 2012-10-19 | Soitec Silicon On Insulator | Solution de gravure chimique et procede de revelation de defauts utilisant cette solution |
| JP6645545B1 (ja) * | 2018-09-03 | 2020-02-14 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| WO2021188452A1 (en) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 1366 Technologies, Inc. | High temperature acid etch for silicon |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2619414A (en) * | 1950-05-25 | 1952-11-25 | Bell Telephone Labor Inc | Surface treatment of germanium circuit elements |
| JP2681433B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1997-11-26 | 株式会社フロンテック | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
| JPH06151801A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Canon Inc | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| US5714407A (en) * | 1994-03-31 | 1998-02-03 | Frontec Incorporated | Etching agent, electronic device and method of manufacturing the device |
| EP0854119A3 (de) * | 1996-12-20 | 1998-11-18 | Hoya Corporation | Ätzmittel und Ätzverfahren für Chalcogenidglas und optisches Element mit einer glatten Oberfläche |
| US6410436B2 (en) * | 1999-03-26 | 2002-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of cleaning porous body, and process for producing porous body, non-porous film or bonded substrate |
| JP3945964B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2007-07-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
| ATE332873T1 (de) * | 2000-12-22 | 2006-08-15 | Imec Inter Uni Micro Electr | Zusammensetzung mit einer oxidierenden und komplexierenden verbindung |
| JP3651440B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2005-05-25 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの評価方法及びそのエッチング液 |
| ATE521692T1 (de) * | 2002-11-05 | 2011-09-15 | Basf Se | Halbleiteroberflächenbehandlung und dabei verwendete mischung |
| JP3870292B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2007-01-17 | 関東化学株式会社 | エッチング液組成物とそれを用いた反射板の製造方法 |
| JP4161725B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2008-10-08 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウエーハの結晶欠陥評価方法およびエッチング液 |
| DE60325654D1 (de) | 2003-05-30 | 2009-02-12 | Council Scient Ind Res | Verfahren zur herstellung eines ungefährlichen bromierungsmittels |
| DE602004009584T2 (de) * | 2003-06-27 | 2008-08-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Halbleiterreinigungslösung |
| US7176041B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | PAA-based etchant, methods of using same, and resultant structures |
| FR2864457B1 (fr) * | 2003-12-31 | 2006-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium. |
| JP4400281B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-01-20 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの結晶欠陥評価方法 |
| JP4517867B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-08-04 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハ表面形状制御用エッチング液及び該エッチング液を用いたシリコンウェーハの製造方法 |
| EP1926132A1 (de) * | 2006-11-23 | 2008-05-28 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Chromfreie Ätzlösung für Si-Substrate und SiGe-substrate, Verfahren zum Präparieren von Defekten diese Ätzlösung verwendend und Verfahren zum Behnadeln von Si-Substraten und SiGe-Substraten |
-
2006
- 2006-10-31 AT AT06291711T patent/ATE469199T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-10-31 EP EP06291711A patent/EP1918985B1/de not_active Not-in-force
- 2006-10-31 DE DE602006014551T patent/DE602006014551D1/de active Active
-
2007
- 2007-05-16 US US11/749,358 patent/US7579309B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-06 TW TW096133279A patent/TW200819519A/zh unknown
- 2007-09-11 SG SG200706676-4A patent/SG142223A1/en unknown
- 2007-10-02 KR KR1020070099100A patent/KR100939808B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-10-10 CN CN2007101809831A patent/CN101173359B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-31 JP JP2007283930A patent/JP4762967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7579309B2 (en) | 2009-08-25 |
| KR20080039218A (ko) | 2008-05-07 |
| CN101173359A (zh) | 2008-05-07 |
| JP2008118138A (ja) | 2008-05-22 |
| EP1918985A1 (de) | 2008-05-07 |
| TW200819519A (en) | 2008-05-01 |
| SG142223A1 (en) | 2008-05-28 |
| US20080099718A1 (en) | 2008-05-01 |
| JP4762967B2 (ja) | 2011-08-31 |
| KR100939808B1 (ko) | 2010-02-02 |
| CN101173359B (zh) | 2010-06-02 |
| EP1918985B1 (de) | 2010-05-26 |
| DE602006014551D1 (de) | 2010-07-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RER | Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties |