ATE395703T1 - Verfahren zum löschen eines flash-speichers und zähler mit einem flash-speicher - Google Patents
Verfahren zum löschen eines flash-speichers und zähler mit einem flash-speicherInfo
- Publication number
- ATE395703T1 ATE395703T1 AT05300761T AT05300761T ATE395703T1 AT E395703 T1 ATE395703 T1 AT E395703T1 AT 05300761 T AT05300761 T AT 05300761T AT 05300761 T AT05300761 T AT 05300761T AT E395703 T1 ATE395703 T1 AT E395703T1
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- size
- flash memory
- memories
- sector
- clearing
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0452379 | 2004-10-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ATE395703T1 true ATE395703T1 (de) | 2008-05-15 |
Family
ID=34953823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT05300761T ATE395703T1 (de) | 2004-10-20 | 2005-09-20 | Verfahren zum löschen eines flash-speichers und zähler mit einem flash-speicher |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1650766B1 (de) |
AT (1) | ATE395703T1 (de) |
DE (1) | DE602005006699D1 (de) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0618535B1 (de) * | 1989-04-13 | 1999-08-25 | SanDisk Corporation | EEPROM-Karte mit Austauch von fehlerhaften Speicherzellen und Zwischenspeicher |
TW231343B (de) * | 1992-03-17 | 1994-10-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
KR100257854B1 (ko) * | 1997-12-10 | 2000-06-01 | 김영환 | 플래쉬 메모리의 소거 방법 |
US6591327B1 (en) * | 1999-06-22 | 2003-07-08 | Silicon Storage Technology, Inc. | Flash memory with alterable erase sector size |
KR100422445B1 (ko) * | 2001-06-01 | 2004-03-12 | 삼성전자주식회사 | 선택적 배속동작 모드를 갖는 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
US6977847B2 (en) * | 2001-11-23 | 2005-12-20 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Detecting partially erased units in flash devices |
-
2005
- 2005-09-20 AT AT05300761T patent/ATE395703T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-09-20 EP EP05300761A patent/EP1650766B1/de not_active Not-in-force
- 2005-09-20 DE DE602005006699T patent/DE602005006699D1/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1650766B1 (de) | 2008-05-14 |
DE602005006699D1 (de) | 2008-06-26 |
EP1650766A1 (de) | 2006-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ATE378684T1 (de) | Aufrechterhaltung gleichförmiger löschhäufigkeit in einem nichtflüchtigen speichersystem | |
DE602005021544D1 (de) | System und verfahren zur verwendung eines on-chip-schreibcache eines nichtflüchtigen speichers | |
ATE466337T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur seitengruppierung in einem block | |
TW201526003A (zh) | 資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法 | |
TW200707189A (en) | Memory block erasing in a flash memory device | |
EP4009328A4 (de) | Verfahren, vorrichtung und vorrichtung zur vorhersage von proteinstrukturinformationen und speichermedium | |
JP2010535395A5 (de) | ||
ATE476740T1 (de) | Löschen nichtflüchtiger speicher unter verwendung individueller überprüfung und zusätzlichen löschens von untergruppen von speicherzellen | |
DE602004028460D1 (de) | Informationsaufzeichnungsmedium und vorrichtung und verfahren zum aufzeichnen von informationen auf das informationsaufzeichnungsmedium | |
TW200609946A (en) | Flash memory device and method of erasing flash memory cell thereof | |
EA201592097A1 (ru) | Двухэтапное построение скоростных моделей распространения сейсмических волн | |
ATE483456T1 (de) | Verfahren zur strahlensensibilisierung von tumoren mit einem strahlensensibilisierungsmittel | |
GB2498874B (en) | Implementing enhanced data partial-erase for multi-level cell (MLC) memory using moving baseline memory data encoding | |
EP1686592A3 (de) | Teil-Löschüberprüfung | |
JP2012503837A5 (de) | ||
TW200636458A (en) | Non-volatile memory and method with multi-stream updating | |
TW200721016A (en) | Memory system and method of writing into nonvolatile semiconductor memory | |
EP3706283A4 (de) | Verfahren und vorrichtung zum laden von mehreren zellen, medium und elektronisches gerät | |
JP2012022767A5 (de) | ||
JP2002544643A5 (de) | ||
EP3618543A4 (de) | Verfahren zum löschen des harq-caches, vorrichtung und computerspeichermedium | |
DE602005012625D1 (de) | Verfahren zum Zugreifen auf eine nichtflüchtige Mehrpegelspeichervorrichtung vom Typ FLASH NAND | |
DE602004008240D1 (de) | Verfahren zum Verwalten von defekten Speicherblöcken in einem nicht-flüchtigen Speicher und nicht-flüchtiger Speicher zur Ausführung des Verfahrens | |
ATE395703T1 (de) | Verfahren zum löschen eines flash-speichers und zähler mit einem flash-speicher | |
ATE486350T1 (de) | Last-first-modus und verfahren zum programmieren von nichtflüchtigem speicher des nand-typs mit verringerter programmstörung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RER | Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties |