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ATA417072A - Verfahren zur herstellung von versetzungsfreien aiiibv-einkristallstaben und vorrichtung zur durchfuhrung dieses verfahrens - Google Patents

Verfahren zur herstellung von versetzungsfreien aiiibv-einkristallstaben und vorrichtung zur durchfuhrung dieses verfahrens

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Publication number
ATA417072A
ATA417072A AT417072A AT417072A ATA417072A AT A417072 A ATA417072 A AT A417072A AT 417072 A AT417072 A AT 417072A AT 417072 A AT417072 A AT 417072A AT A417072 A ATA417072 A AT A417072A
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AT
Austria
Prior art keywords
aiiibv
free
carrying
single crystal
crystal rods
Prior art date
Application number
AT417072A
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English (en)
Other versions
AT337780B (de
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of ATA417072A publication Critical patent/ATA417072A/de
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
    • C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
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    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi

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AT417072A 1971-05-28 1972-05-12 Verfahren zur herstellung von versetzungsfreien aiiibv-einkristallstaben und vorrichtung zur durchfuhrung dieses verfahrens AT337780B (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2126662A DE2126662C3 (de) 1971-05-28 1971-05-28 Verfahren zur Herstellung eines Einkristallstabes aus einer halbleitenden A(HI)B(V)-Verbindung

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Publication Number Publication Date
ATA417072A true ATA417072A (de) 1976-11-15
AT337780B AT337780B (de) 1977-07-25

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AT417072A AT337780B (de) 1971-05-28 1972-05-12 Verfahren zur herstellung von versetzungsfreien aiiibv-einkristallstaben und vorrichtung zur durchfuhrung dieses verfahrens

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GB (1) GB1388286A (de)
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FR2139939A1 (de) 1973-01-12
IT960642B (it) 1973-11-30
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CH576281A5 (de) 1976-06-15
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