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AT217127B - Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode

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Publication number
AT217127B
AT217127B AT166660A AT166660A AT217127B AT 217127 B AT217127 B AT 217127B AT 166660 A AT166660 A AT 166660A AT 166660 A AT166660 A AT 166660A AT 217127 B AT217127 B AT 217127B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
carrier
nickel
emission layer
oxide layer
production
Prior art date
Application number
AT166660A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of AT217127B publication Critical patent/AT217127B/de

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  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

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  Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die
Emissionsschicht einer Oxydkathode 
 EMI1.1 


Claims (1)

  1. dassPATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Herstellung eines Trägers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode, der aus Nik- kel mit unter anderem Magnesium als Verunreinigung besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger auf eine Temperatur von 1000 bis 12000 C erhitzt und jene Oberfläche des Trägers, welche der für die Emissionsschicht bestimmten Oberfläche gegenüberliegt, der Einwirkung von Sauerstoff ausgesetzt wird, wodurch dieser in das Nickel eindiffundiert, bis wenigstens das im Nickel vorhandene Magnesium grösstenteils, jedoch nicht völlig, von Sauerstoff gebunden ist.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, zur Herstellung eines rohrförmigen Nickelträgers, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger vorher auf 1000-1200 C erhitzt wird, wobei die Oberfläche, auf der die emittierende Oxydschicht angebracht werden muss, sich in einer reduzierenden Atmosphäre befindet und während der Erhitzung durch den rohrförmigen Träger Luft hindurchgeleitet wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass während 20 Minuten auf 11000 C erhitzt wird.
    4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche, die der als Träger für die Emitsionstchicht bestimmten Oberfläche gegenüberliegt, vor der Erhitzung mit einer dünnen Oxydschicht bedeckt wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhitzung des mit der zur Bindung des Magnesiums an Sauerstoff bestimmten Oxydschichte versehenen Trägers im Vakuum gleichzeitig mit dem Formieren der emittierenden Oxydschicht erfolgt.
AT166660A 1959-03-06 1960-03-03 Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode AT217127B (de)

Applications Claiming Priority (1)

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NL217127X 1959-03-06

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AT217127B true AT217127B (de) 1961-09-11

Family

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AT166660A AT217127B (de) 1959-03-06 1960-03-03 Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode

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AT (1) AT217127B (de)

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