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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelektrodensystems z. B. eines Transistors
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelektrodensystems mit Flächenelektroden, z. B. eines Transistors, mit einem Haltbleiterkörper, auf dem sich mindestens zwei nahe beieinander liegende vorstehende Teile, z. B. Elektroden, befinden, die je mit einem Zuführungleiter versehen sind, und auch auf das durch Anwendung eines solchen Verfahrens hergestellte Elektrodensystem.
Es ist oft erwünscht, gesonderte Zuführungsleiter an mehreren nahe beieinander liegenden, über der umgebenden Oberfläche der Vorrichtung vorstehenden Teilen einer Halbleitervorrichtung anzubringen.
Ein derartiger vorstehender Teil kann bei der Herstellung der Vorrichtung durch Beseitigung von Material, z. B. durch Ätzen, oder durch Zusatz von Material, z. B. beim Aufschmelzen zur Bildung einer Auf- schmelzelektrode, vorgesehen sein.
Beim Anbringen einer Aufschmelzelektrode auf einem Halbleiterkörper wird eine Menge Elektrodenmaterial, üblicherweise mit vorwiegenden Donator- oder Akzeptoreigenschaften auf dem Halbleiterkörper angeordnet und so erhitzt, dass Legieren erfolgt, oder das Elektrodenmaterial wird bereits in geschmolzenem Zustand mit dem Kristall in Berührung gebracht. In beiden Fällen löst sich ein Teil des Halbleiterkörpers, der an das Elektrodenmaterial grenzt, im Elektrodenmaterial und bei Abkühlung wächst dieser gelöste Teil wieder in Form einer einkristallinen Halbleiterschicht an den Halbleiterkörper an, während der übrige Teil des Elektrodenmaterials wieder als ein metallischer Kontakt erstarrt, der über der rekri- stallisierten Halbleiterschicht und dem umgebenden unveränderten Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers vorsteht.
Der Übergang dei Aufschmelzelektrode befindet sich nahe bei oder gerade jenseits der Grenze der rekristallisierten Halbleiterschicht mit dem nicht geschmolzenen Teil des Halbleiterkörpers. Dieser Übergang kann ein Übergang zwischen einer p-Zone und einer n-Zone, zwischen zwei p-Zonen mit verschiedener Leitfähigkeit, zwischen zwei n-Zonen mit verschiedener Leitfähigkeit, oder zwischen zwei Zonen mit gleicher Leitfähigkeit und vom gleichen Leitungstyp, jedoch mit verschiedener Zusammensetzung, sein.
Die Erfindung bezweckt unter anderem, ein besonderes und einfaches Verfahren zu schaffen, das sich besonders eignet zur Herstellung eines Halbleiterelektrodensystems, bei dem mindestens zwei nahe beieinander liegende vorstehende Teile, insbesondere zwei Aufschmelzelektroden, mit einem gesonderten Zuführungsleiter versehen werden müssen.
Zu diesem Zweck werden gemäss der Erfindung nach der Anbringung der vorstehenden Teile mindestens zwei solche nahe beieinander liegende Teile mit einem gemeinsamen Zuführungsleiter versehen, in der Weise, dass er ein Verbindungsstück zwischen den vorstehenden Teilen bildet und sich, ausgehend von diesem Verbindungsstück, auch jenseits beider vorstehender Teile wenigstens, über eine als gesonderter Zuführungsleiter zu verwendende Länge erstreckt, wonach das Verbindungsstück durchgeschnitten wlrd, so dass sich die jenseits beider vorstehender Teile erstreckenden Teile des gemeinsamen Zuführungsleiters als gesonderte Zuführungsleiter für die vorstehenden Teile ergeben.
Der gemeinsame Leiter kann aus einem Material bestehen, das fähig ist, mit dem Material der vorstehenden Teile eine Legierung zu bilden und er kann vorzugsweise in Drahtform quer auf und in Berührung
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mit den vorstehenden Teilen angebracht werden, wonach erhitzt und abgekühlt wird, 39 dass sich. anfge- schmolzene Verbindungen zwischen dem gemeinsamen Leiter und den vorstehenden Teilen ergeben.
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Das Verfahren nach der Erfindung hat sich besonders geeignet erwiesen in Fällen, in denen die vorstehenden Teile aus Aufschmelzelektroden bestehen. Es eignet sich auch insbesondere für die Folles in denen die vorstehenden Teile sich in sehr geringem Abstand, z.
B. 100 IL oder weniger, voneinander befinden.
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quer auf und in Berührung mit den vorstehenden Teilen gehalten werden. Bei Anwendung auf Auischmelzelektroden können die Erhitzung und die Abkühlung so durchgeführt werden, dass praktisch keine Änderung der Übergänge der Aufschmelzelektroden auftritt. Das heisst, dass die Temperatur nicht so hoch sein darf und die Erhitzung nicht so lange fortgesetzt werden darf, dass erheblich tieferes Legieren oder eiheblich tieferes Diffundieren erfolgt ; weiter soll die Auswirkung der Halterung nicht derartig sein, dass das geschmolzene Material sich in erheblichem Masse über die Oberfläche der Halbleitermasse verbreitert.
Für jeden einzelnen Fall können die Bedingungen leicht empirisch bestimmt werden.
Zwei Arten, wie das Halten erfolgen kann, werden nachstehend angegeben.
Der Leiter kann zwischen zwei Klemmen ausgespannt werden, so dass er von den vomeaenden Teilen aus der Gleichgewichtslage gehalten wird. Wenn dann erhitzt wird, nimmt der Leiter seine Gleichge- wichtslage ein, wobei die Grösse der Bewegung somit zuvor bestimmt ist.
Der Leiter kann auch mit den vorstehenden Teilen in Berührung gehalten und während der Erhitzung auf einem zuvor bestimmten Abstand zum Halbleiterkörper hinbewegtwerden. Hiebei'kann der Leiter auf einen Träger gewickelt sein, der in einer Richtung zur Halbleitermasse hinbewegt und von einem Anschlag in seiner möglichen Bewegung beschränkt wird.
Gemäss einem weiteren Aspekt der Erfindung ist das vorstehende Verfahren zum Anbringen der Zufllh- rungsleiter auf nahe beieinander liegenden vorstehenden Teilen besonders geeignet zur Anwendung bei
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schmale Nut angebracht wird, wonach, nachdem gegebenenfalls mindestens einem dieser Teile ein alcti- ver Störstoff zugesetzt ist, diese Teile, durch die Nut voneinander getrennt, zum Bilden der betreffenden vorstehenden Aufschmelzelektroden erhitztwerden. Durch diese Kombination gemäss der Erfindung ergibt sich ein besonders geeignetes Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelektrodensystems. insbesondere eines Transistors, mit mindestens zwei nahe beieinander liegenden Elektroden, die je mit einem Zufüh- rungsleiter versehen sind.
Die Anbringung der Elektroden in geringem Abstand voneinander ist dabei insbesondere z. B. wie folgt durchführbar :
Zunächst wird eine einheitliche Elektrodenmaterialmenge mit vorwiegenden Donator- odeur Akzeptoreigenschaften auf einem Halbleiterkörper vom p-bzw. n-Typ aufgeschmolzen, wonach im wieder erstarrten Elektrodenmaterial eine sich bis in den Halbleiterkörper erstreckende schmale Nut angebracht wird. Dann wird einem der Teile an einer Seite der Nut ein aktiver Störstoff mit vorwiegenden Donatorbzw.
Akzeptoreigenschaften zugesetzt und das Ganze erneut erhitzt, so dass Legieren auftritt, wodurch die Leitungsart des erstarrten Teiles auf einer Seite der Nut unter der Einwirkung des aktiven Störstoffes umgekehrt wird, während die Leitungsart des Teiles auf der andern Seite der Nut unverändert bleibt, so dass sich zwei Übergänge ergeben, von denen einer ein n-n-oder ein p-p-Übergang und der andere ein p-n-Übergang ist. Dann werden diese Elektroden in der vorstehend beschriebenen Weise nach der Erfindung mit Zuftihrungsleitern versehen.
Der p-p- oder n-n-übergang und der p-n-Übergang können auch in der nachfolgenden Weise angebracht werden :
Zunächst wird eine einheitliche Aufschmelzelektrode dadurch angebracht, dass ein neutrales Material auf einen Halbleiterkörper vom p- oder n-Typ aufgeschmolzen wird ; dann wird in diesem erstarrten Material eine schmale Nut angebracht, wonach auf das wieder erstarrte Material ein Material mit voirie- genden Donator- oder Akzeptoreigenschaften an einer Seite der Nut und an der andern Seite ein Material mit vorwiegenden Akzeptor- bzw. Donatoreigenschaften aufgebracht wird, worauf wieder durch Erhitzung legiert wird, so dass sich zwei Übergänge ergeben.
Der Ausdruck "neutrales Material" bezeichnet ein
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Material, das keinen bedeutenden Donator-oder Akzeptorcharakter aufweist. Ein Beispiel eines solchen
Materials ist Blei.
Die Nut kann mechanisch hergestellt werden und das Durchschneiden nach der Anbringung des ge- meinsamen Leiters kann mit Hilfe der gleichen oder ähnlicher mechanischer Mittel erfolgen.
Gemäss einer weiteren geeigneten Ausführungsform der Erfindung können auf einem Halbleiterkörper eine Anzahl Paare vorstehender Teile, z. B. Elektroden, angebracht werden, die so angeordnet sind, dass eine imaginäre Gerade zwischen den vorstehenden Teilen sämtlicher Paare gezogen werden kann, wonach je ein gemeinsamer Leiter quer auf und in Berührung mit den beiden vorstehenden Teilen jedes Paares an- gebracht wird, wobei die Längsrichtung der gemeinsamen Leiter senkrecht zur imaginären Linie verläuft und das Durchschneiden mittels eines Schneidewerkzeuges erfolgt, das sich gemäss der imaginären Linie erstreckt und/oder bewegt wird.
Es wird noch bemerkt, dass es aus der USA-Patentschrift Nr. 2,703, 917 bekannt war, zwei Spitzen- elektroden nahe aneinander auf einem Halbleiterkörper. anzuordnen, indem als Spitzenelektroden zwei
Enden eines örtlich durchgeschnittenen drahtförmigen Bügels verwendet werden und nach der Anordnung ! diese ;
zwei Enden des Bügels auf den Halbleiterkörper und Einbettung des Ganzen ineiner Isoliermasse der
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sich bei der vorliegenden Erfindung nichtum die Herstellung eines Spitzentransistors, sondern um die Herstellung eines Transistors mit Flächenelektroden, wobei zwei bereits im Halbleiterkörper vorhandene vorstehende Teile (Elektroden) je mit einem gesonderten Zuführungsleiter versehen werden sollen. Überdies bildet das in dieser USA-Patentschrift vorgeschlagene Verfahren auch keine Lösung für das Problem der vorliegenden Erfindung, weil dann noch immer zwei Drahtenden gesondert an naheliegenden Stellen eines Körpers befestigt werden müssen.
Bei dem erfindungsgemässen Verfahren wird zur Lösung dieses Problems ein gemeinsamer Zuführungsleiter in der Weise befestigt, dass er nicht nur ein Verbindungsstück zwischen den vorstehenden Teilen bildet, sondern auch noch von diesem Verbindungsstück ausgehend jenseits beider Elektroden über eine als gesonderter Zuführungsleiter zu verwendende Länge erstreckt, wobei dann das Verbindungsstück durchgeschnitten wird und die sich jenseits der vorstehenden Teile erstreckenden Teile des gemeinsamen Zuführungsleiters als gesonderter Zuführungsleiter verwendet werden.
Die Erfindung bezieht sich auch auf die mit Hilfe eines Verfahrens gemäss der Erfindung hergestellten Elektrodensysteme.
Zwei Ausführungsformen von Verfahren gemäss der Erfindung werden nachstehend beispielsweise an Hand der beiliegenden Figuren erläutert, von denen die Fig. 1 und 2 Querschnitte durch einen Transi-
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einer Zwischenstufe der Herstellung darstellt.
Die in Fig. 1 dargestellte Stufe wird in der folgenden Weise erreicht :
Auf eine rechteckige Scheibe aus einkristallinischem Germanium vom p-Typ mit einem spezifischen Widerstand von 2 Q cm wird ein Kügelchen aufgeschmolzen. Die Abmessungen der Scheibe sind angenähert 2 mm x 2 mm X 150 Mikron. Das Kügelchen hat einen Durchmesser von angenähert 175 fi und besteht aus Wismut mit 1 Gew. % Arsen. Das Aufschmelzen erfolgt dadurch, dass das Kügelchen angenähert in der Mitte einer der zwei grösseren Flächen der Scheibe angeordnet wird, wonach das Ganze in einer Wasserstoffatmosphäre etwa 3 Minuten lang auf 6500 C erhitzt wird.
Aus dem unveränderten p-Bereich des Kristalles ist infolge der Segregation von Wismut und Arsen bei der Rekristallisation der Germaniumschicht, die ursprünglich vom p-Typ war, ein n-Bereich rekristallisiert. Der n-Bereichwird von einer Schicht bedeckt, die im wesentlichen aus wieder erstarrtem Arsen und Wismut besteht und die weiter ein wenig Germanium enthält. Der Durchmesser des wieder erstarrten Wismuts und Arsens ist angenähert 200 Mikron. Während der Erhitzung ergibt sich Diffusion an der Oberfläche der Scheibe und auch Diffusion sowohl von der Oberfläche der Scheibe als von der gebildeten Elektrodenmaterialschmelze her in den unterliegenden nicht gelösten Teil der Krista1. lscheibe hinein. Die Diffusionstiefe ist jedoch gering.
Dann wird diametral über die wieder erstarrte und rekristallisierte Elektrodenmaterialmasse eine Nut hergestellt, die bis in den unveränderten Teil der Halbleiterscheibe reicht. Die Nut wird durch Ultraschall unter Verwendung eines dünnen Schneidkopfes und eines Breies aus einem feinverteilten Schleifmittel aus Aluminiumoxyd hergestellt. Die Nut ist auf dem Boden etwa 25 Mikron breit undleicht V-förmig infolge der Tatsache, dass die Seiten der Nut infolge der fortgesetzten Schneidebearbeitung abgerieben werden.
Dann wird das Ganze etwa 15 Minuten lang in einem Ätzbad aus 20 Volumsprozent Wasserstoffperoxyd mit einer Temperatur von 100 C angeordnet. Dieses Ätzbad beseitigt etwa 2, 5 Mikron der Oberfläche des Germaniums-und entfernt somit das durch die Ultraschallbearbeitung beschädigte Material aus der Nut.
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fusion von Arsen längs der Oberfläche und von der festen Oberfläche 1m Bereich 1 her gebildet hat.
Die Nut teilt den p-n-Übergang praktisch in zwei Teile.
Dann wird auf der Oberfläche der rechten Hälfte der geteilten wieder exstatrten Schicht Aluminium niedergeschlagen.
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gibt sich wiederum eine Legierung und diesmal bei einer Temperatur, die so hoch Ist, dass einetwat grösserer Teil der Germaniumscheibe in den beiderseits der Nut aufgeschmolzenen Teilen gelöst wird als bei der ersten Erhitzung. Nach Erstarrung ist die rekristallisierte Zone auf der linken Seite vom n-Typ,
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Ak-zeptorstörstoffes Aluminium die ursprüngliche Wirkung der Donatorstörstoffe Wismut und Arsen wiederum zunichte gemacht hat. Die metallische erstarrte Schicht auf der rekristallisietten Zone zur rechtenseite besteht aus Aluminium, Arsen und Wismut und einem geringen Gehalt an Gennenium.
Während der Erhitzung erfolgt nicht nur Legierung, sondern auch Diffusion : Wismut und Aisen diffun- dieren sowohl aus der rechten Hälfte als auch aus der linken Hälfte und ausserdem diffundiert Aluminium aus der rechten Hälfte. Infolge dieser Diffusion liegt der in der Figur nicht dargestellte p-n-Übergang etwas unterhalb der grössten Eindringungstiefe des Überganges zwischen Elekutildenmatertalschrnelze und Halbleiterkörper, und überdies gibt es Oberflächendiffusion. Die Diffusion während dieser zweiten Erhitzung, die bei einer höheren Temperatur und während einer längeren Zeit als de elxte Erhitzung erfolgt, liefert einen tieferen diffundierten Bereich als die erste Erhitzung.
Es stellt sich heraus, dass während die-
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zweiten Erhitzung tiefer in die Scheibehineinzulegierenals beider essten Erhitzmig, sollte dies aber doch der Fall sein, so Ist die Dicke der durch die Diffusion erhaltenen Basiszone nahezu unabhängig von der Legierungstiefe, d. h. die Diffusion erfolgt dabei im wesentlichen aus der Schmelzfont zwischen Elektrodenmaterialschmelze und Halbleiterkörper, die bei der zweiten Erhitzung entsteht, und bestimmt somit die Dicke der diffundieren Schicht unter der Elektrodenmateiialschmelze.
Die Tiefe der Nutwird sogross bemessen, dass verhütet wird, dass das flüssige Material vomp-Typund das flüssige Material vom n-Typ beiderseits der Nut zusammenfliessen.
Der Oberteil des Körpers in der in Fig. 1 dargestellten Lage wird dann mit einem Überzug aus Polystyrenlack versehen, der als eine Lösung in Äthylmethylketon aufgebracht wird, wonach das Ganze in eine Ätzflüssigkeit eingetaucht wird, die aus 1 Volumsteil 40-prozentiger Flusssäure, 1 Volumsteil 20-volums- prozentigem Wasserstoffperoxyd und 4 Volumsteilen destilliertem Wasser besteht, und es wird solange ge- ätzt, bis die diffundierte Schicht auf dem Teil des Kristalles gegenüber dem Teil, auf den das Kügelchen aufgeschmolzen ist, entfernt ist. Dann wird der Lack dadurch beseitigt, dass das Ganze in ein Bad aus Äthylmethylketon eingetaucht wird.
Eine Kollektorelektrode wird dadurch angebracht, dass eine Indiumscheibe mit einem Gehalt von l Gewichtsprozent Gallium auf der Bodenfläche der geätzten Scheibe angeordnet wird. Die Kollektorelektrode wird durch Erhitzung in einer Wasserstoffatmosphäre auf etwa 500-o C während etwa 5 Minuten aufgeschmolzen. Bei dieser verhältnismässig niedrigen Temperatur findet nicht viel weitere Diffusion statt. Die Anordnung des Kollektors ist nicht kritisch. Ein starker Nickeldraht 9, der als eine elektrische Verbindung und als eine Stütze dient, wird unter Verwendung von Indiumlot und einem kleinen Lötkolben an das wieder erstarrte Indium und Gallium angelötet.
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4, die sich auf dem unveränderten Teil 1 vom p-Leitungstyp des Kristalls befinden, dargestellt.
Die rekristallisierte Schicht 2 links oben ist vom n-Typ, die rekristallisierte Schicht 3 rechts oben ist vom p-Typ und die untere rekristallisierte Schicht 4 ist auch vom p-Typ. Die wieder erstarrte Schicht 5 links oben besteht aus Wismut und Arsen mit etwas Germanium, die wieder erstarrte Schicht 6 rechts oben besteht aus Wismut, Arsen und Aluminium mit etwas Germanium und die untere wiedex erstarrte Schicht 7 besteht aus Indium und Gallium mit etwas Germanium. Die diffundierte Schicht 8 ist vom n-Typ, weil Arsen schneller diffundiert als Aluminium. Der Nickeldraht 9 ist mit Indiumlot 10 an die Schicht 7 ange- lötet.
Ein Leitersttick in Form eines Silberstreifens 11, der in Fig. 1 gestrichelt dargestellt ist, mit einer Breite von 150 ja und einer Dicke von 25 ist unter Spannung in zwei nicht dargestellten Haltern tiber dem Kristall 1 angebracht und die Halter werden zum Kristall 1 hinbewegt, bis der Streifen 11 und die Oberteile der Schichten 5 und 6 sich unter leichtem Druck berühren.
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wobei die Schichten 5 und 6 wiederum flüssig werden, und nach Erstarrung ist der Silberstreifen auf die Schichten 5 und 6 aufgeschmolzen. Der Streifen 11, der mit den Schichten 5 und 6 in Berührung ist, bewegt sich auf einen Abstand von 50 Mikron, wenn die Schichten 5 und 6 flüssig werden.
Die Verformung der Schichten 5 und 6 ist so gering, dass sie praktisch keine seitliche Ausbreitung dieser Schichten 5 und 6 herbeiführt, undweil überdies die Erhitzungstemperatur niedrig ist, ergibt sich keine bedeutende Änderung der Legierungstibergänge.
Der Teil des Streifens 11 zwischen den zwei Stellen, an denen der Streifen an die Schichten 5 und 6 angelötet Ist, wird dann mit Hilfe einer Rasierklinge mit angenähert den. gleichen Abmessungen wie der dUnne Ultraschallschneidekopf durchgeschnitten.
Anstatt der Verwendung zweier Halter für den Streifen 11 kann dieser auch auf einen massiven Kern gewickelt und so mit den Schichten 5 und 6 in Berührung gebracht werden. Der Kern kann mittels einer Feder zur Kristallscheibe hinbewegt werden, wobei ein Anschlag vorgesehen ist, um die Bewegung des Kernes auf den erwünschten Abstand in dieser Richtung zu beschränken.
Unf das Ausfliessen des flüssigen Materials über die Nut 12 hinüber mit Sicherheit zu verhüten, kann die Nut vor dem Lötvorgang mit Aluminiumoxyd gefüllt werden, wobei die Nut 12 auch während des Schneidevorganges von der Paste geschützt werden kann. Die Paste wird durch Wischen mit einem mit Wasser benetzten Pinsel entfernt.
Nachdem die Nut 12 dadurch geschützt ist, dass man einen Tropfen einer Lösung von Polystyrenlack in Äthylmethylketon in diese Nut 12 fallen lässt, werden die drei Leiter 9, 11'und 11" mit der Plusklemme einer Spannungsquelle verbunden und die Vorrichtung in ein elektrolytisches Ätzbad eingetaucht, das eine 5-prozentige wässerige Lösung von Natriumhydroxyd enthält. Eine im Bad angeordnete Platinelektrode wird mit der Minusklemme det Spannungsklemme verbunden. Etwa 10 Minuten lang fliesst ein Strom von 10 mA, wodurch mehr als 25 Mikron weggeätzt werden, wobei sich, wie Fig. 2 zeigt, eine gewisse Un- terschneidung ergibt, während die Ätzung den Oberflächenteil der Schicht 8 vom n-Typ entfernt.
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bettet.
Der Silberstreifen 11 kann unmittelbar oder mittelbar mit einem Durchführungsstift oder-draht verbunden sein.
Der fertige, jedoch nicht eingebettete Transistor ist in Fig. 2 dargestellt.
Fig. 3 stellt einen Halbleiterkörper 12 aus Germanium vom n-Typ dar, auf dem sich zwei Zonen 13 und 14 vom p-Typ befinden, die dadurch erhalten sind, dass Indiumkügelchen auf die Oberseite der Scheibe aufgeschmolzen sind. Die Oberseite und die vorstehenden Teile 15 und 16 werden mit einerholierschicht 17 aus Polystyrenlack versehen, der als eine Lösung in Äthylmethylketon aufgebracht ist, wonach der Lack durch mechanische Mittel oder durch Reibung mit einem Lösungsmittel von den Oberteilen der vorstehenden Teile entfernt wird ; im dargestellten Ausführungsbeispiel sind mechanische Mittel angewandt, die eine Hebelwirkung haben, wobei auch von den Scheiteln der vorstehenden Teile Material beseitigt ist. Dann wird eine Silberschicht 18 aufgebracht, z. B. durch Aufdampfen. in einem Vakuum.
Diese Schicht 18 wird bei 19 durch Ultraschall unter Verwendung eines dünnen Schneidekopfes und eines Breies eines feinverteilten Schleifmittel aus Aluminiumoxyd durchgeschnitten, so dass mit jedem vorstehenden Teil eine gesonderte Verbindung hergestellt werden kann.
Es diirfte einleuchten, dass an Stelle von Silber auch ein anderes leitendes Metall Verwendung finden kann. Es kann z. B. Kupfer als leitendes Metall für eine Elektrode, die im wesentlichen aus Blei oder Wismut besteht, Verwendung finden, während Nickel, Kupfer oder Gold bei einer Indiumelektiode als Leitermetalle Anwendung finden können. Es dürfte weiter einleuchten, dass die Art der Anbringung der Zuführungsleiter auch mit andern Herstellungsverfahren halbleitender Elektrodensysteme kombiniert werden kann. Es kann z. B. diese Anbringungsweise auch bei der Herstellung eines Feldeffekttransistors Anwendung finden, wobei sich zwei ohmsche Elektroden nebeneinander auf einer Seite der Oberfläche des Halbleiterkörpers befinden.
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